用户,您好!欢迎您进入纳米科技领域信息门户服务平台!登录 | 注册  NSTL重点领域信息门户  帮助中心  RSS
您当前的位置: 首页 > 编译内容

编译内容

编译服务: 纳米科技领域信息门户服务 编译者: 郭文姣 编译时间: 2018-4-17 点击量: 12

半导体纳米线(NWs)是未来光电器件的候选技术。NWs的一个关键问题是对p-n结的形成的杂质掺杂的控制。在本研究中,研究了铍(p型掺杂)和碲(n型掺杂剂)在自助GaAs NWs中的作用。利用分子束外延法,利用分子束外延法生长出GaAs NWs(111)。利用拉曼光谱、光致发光、二次离子质谱和电子全息技术研究了自助GaAs NWs中的掺杂剂。与薄膜(TF)标准相比,掺杂NWs具有相似的载体浓度。然而,与TF标准相比,Te-doped NWs至少显示了一阶的低载流子浓度。讨论了NWs中掺杂的掺入机制。

——文章发布于2018年4月9日

 

提供服务
导出本资源