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编译服务: 集成电路 编译者: Lightfeng 编译时间: 2017-7-17 点击量: 133

法国格勒诺布尔大学Alpes和Soitec S.A.在氧化物/蓝宝石(InGaNOS)伪衬底上使用了层转移技术来生成氮化铟镓。伪基板使研究人员能够在琥珀色部分(594nm)中生长具有强长波长光致发光的高铟含量InGaN多量子阱(MQW)。在常规GaN /蓝宝石模板上生产的类似MQW通常仅产生弱光致发光。 希望将这些技术应用于从III族氮化物半导体材料制造高效绿色甚至琥珀色发光二极管(LED)。

研究人员评论道:“由于放宽的InGaN衬底导致的应变减小导致组成拉动效应的降低,从而导致铟掺入率的提高。另外,随着阱和缓冲层之间的a晶格失配减小,与传统的LED相比,内部电场的发射波长应该相同。 这提供了增加阱宽度以便降低具有长发射波长的LED的效率下降的可能性。”

 

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