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编译服务: 纳米科技领域信息门户服务 编译者: 郭文姣 编译时间: 2017-8-11 点击量: 36

本文介绍了氮化镓(NRs)中由于氢化引起的激子峰位移的物理现象。利用等离子体辅助分子束外延,选择性地生长在有图案的Ti / Si(111)底物上,并利用低温光致发光测量对其光学性质的氢化效应进行了详细研究。由于氢化反应,在GaN NRs中与受主受体对和黄色发光的对应的排放受到强烈的抑制,而与供体束缚激子(D0X)相对应的发射则呈红移。氢化GaN NRs的热退火显示了D0X和深能级发射的恢复。为了确定氢化反应的D0X峰位移的性质,研究了不同生长条件和湿蚀时间对干性率的影响。实验结果表明,在氢化反应后,D0X的变化取决于GaN NRs的直径。研究结果清楚地表明,氢化反应使GaN NRs的带弯曲得到了氢离子的补偿,从而引起了D0X发射的红移。

——文章发布于2017年8月8日

 

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