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编译服务: 纳米科技领域信息门户服务 编译者: 郭文姣 编译时间: 2017-8-11 点击量: 39

电子和核自旋的深度冷却等效于接近100%的极化度,是固态量子信息技术的一个关键要求,即2、3、4、5、6、7。在钻石和碳化硅(ref . 3)中,单个核自旋的极化率达到99%以上,但在量子dots8、9、10的原子核中,它被限制为50 - 65%。理论模型将这一限制归因于相干的“暗”核自旋状态,12、13,但缺乏实验验证,特别是由于偏振度测量的准确性差。在这里,我们测量了GaAs / AlGaAs量子点的核偏振,使用一种利用射频脉冲的核自旋态的新方法来实现高精度的量子点。极化率高达80%,这是迄今为止在量子点光学冷却的最高报告。这一数值还不受核相干效应的限制。相反,我们发现在一个经典自旋温度框架中,光学冷却的原子核被描述得很好。我们的发现解开了通往量子点电子自旋量子点的进一步进展的一条途径,在这些量子点的深度冷却过程中,我们使用的是一个长期的量子点,即5。此外,GaAs超精细材料常数是第一次通过实验来测量的。

——文章发布于2017年8月7日

 

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