用户,您好,欢迎您进入NSTL重点领域信息门户! 登录 | 注册  帮助中心
重点领域信息门户
您当前的位置: 首页 > 编译内容

编译内容

编译服务: 纳米科技领域信息门户服务 编译者: 郭文姣 编译时间: 2018-1-4 点击量: 1826

半导体纳米线阵列是下一代太阳能电池的理想候选,因为它能增强吸收和减少材料消耗。然而,为了优化它们的性能,通常会进行耗时的三维(3D)光电子建模。在此,我们开发了一种精确的一维(一维)建模方法。一维模型的建模速度比三维建模快400倍,并且可以直接应用平面上的pn结概念来分析纳米线太阳能电池。我们表明,由于在耗尽区表面重新组合强,叠加原理可以在InP纳米线中分解,从而产生类似于低分流电阻的iva行为。重要的是,我们发现纳米线太阳能电池的开路电压通常受到接触泄漏的限制。因此,为了提高效率,我们研究了在InP纳米线的顶部和底部有高带隙的间隙选择性接触段的影响,我们发现间隙接触段提高了太阳能电池的效率。接下来,我们讨论了纳米线太阳能电池中p -i- n和p - n结概念的优点。在InP纳米线阵列中,利用间隙载体选择上、下接触段,我们发现p - n结设计优于p -i- n结设计。我们预测的最佳效率为25%的表面复合速度4500厘米−1,对应于一个无辐射寿命1 ns的pn结细胞。开发的1D模型可用于半导体纳米线的轴向p - n和p -i- n结的一般建模。这也包括LED应用程序,我们希望使用我们的方法在设备建模方面取得更快的进展。

——文章发布于2017年12月21日

 

提供服务
导出本资源