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编译服务: 集成电路 编译者: Lightfeng 编译时间: 2018-2-17 点击量: 2245

总部位于东京的瑞萨电子公司日前宣布,宣布推出首款辐射强化的低侧氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)驱动器和氮化镓场效应晶体管,以实现初级和次级DC / DC转换器功率运载火箭和卫星的供应品,以及井下钻探和高可靠性工业应用。这些器件采用功率铁氧体开关驱动器,电机控制驱动器电路,加热器控制模块,嵌入式命令模块,100V和28V电源调节以及冗余切换系统。

由于寄生元件减少,两个氮化镓场效应晶体管都需要较少的散热元件,并且它们在高频率下工作的能力允许使用较小的输出滤波器,从而在紧凑的解决方案尺寸中实现所谓的卓越效率。 ISL70023SEH和ISL70024SEH采用MIL-PRF-38535 V类流量制造,可在军用温度范围内提供有保证的电气规格,并可提供高剂量率100krad(Si)和低剂量率75krad(Si )。

 

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