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编译服务: 纳米科技领域信息门户服务 编译者: 郭文姣 编译时间: Feb 6, 2019 点击量: 253

本文报道了利用金属辅助化学蚀刻技术在硅的不同晶体平面上制备垂直硅纳米线阵列的方法。对于生长在Si(100)和Si(111)取向基板上的SiNWAs,在整个可见范围内获得了0.04%和0.03%的非常低的镜面反射率(R spec)。由于纳米线阵列内部存在多条散射路径,垂直正弦信号的宽带增强效果明显。另一方面,倾斜的纳米线在较长的波长范围内表现出一种令人着迷的特性,在这种波长范围内,光的反射路径较长,在正常入射情况下,很容易反射回来。此外,对于[100]SiNWAs,横向电场分量以牺牲横向磁场分量为代价表现出较强的极化不敏感特性,最小反射率<2%,最高可达1200 nm。[100]SiNWAs展示了非凡的全向特性在θB≥58°。用有效介质法对COMSOL的理论验证揭示了垂直正弦信号在典型波长范围内的有效偶极耦合和强吸收模式的存在。粒子穿越经典禁带的高束缚态对折射率(mi)从1到3.4的梯度有很强的依赖性。高阶散射效应观察到~ 520厘米−1在一个无序的光学介质。这一新发现为不同取向正弦信号的光定位特性提供了支持各种光子应用的新途径。

——文章发布于2019年1月30日

 

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