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编译服务: 集成电路 编译者: Lightfeng 编译时间: May 25, 2019 点击量: 27

布里斯托尔大学设备热成像与可靠性中心(CDTR)教授Martin Kuball领导的团队发现,制造出了超纯氮化硼,并证明其具有高导热性。第一次导热率550W / mK为铜的两倍,这一发现为更安全、更高效的电子设备铺平了道路,包括移动电话、雷达甚至电动汽车(通过控制硼同位素浓度调节六角形氮化硼的导热系数)。

Martin Kubal:“大多数半导体电子产品在使用时都会发热,温度越高,他们降级的速度就越快,他们的表现也就越差,随着电子设备的广泛运用,找到可吸收余热的高导热性的材料变得越来越重要。氮化硼是一种这样的材料,预计其导热系数为550W / mK,是铜的两倍。然而,目前所有测量结果似乎都表明它的导热系数要低得多大约为220-420WmK,通过使这种材料'超纯',我们能够首次证明其具有非常高的导热能力。具体而言,对于单同位素10B h-BN,测量的面内导热系数高达585WmK在室温下,比具有无序同位素浓度的h-BN高约80%(52%:10B和11B的48%混合物)。”

库巴尔表示,下一步是开始用氮化硼制造有源电子器件,并将其与其他半导体材料集成。为了展示超纯氮化硼的潜力,他们现在有一种材料可以在不久的将来用于制造高性能、高能效的电子产品。随着手机和电动汽车的使用,人们对电子产品的依赖只会增加,使用更有效的材料(如氮化硼)来满足这些需求将更好的造福人类。

 

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