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编译服务: 集成电路 编译者: Lightfeng 编译时间: Sep 23, 2019 点击量: 106

英国的Plessey利用其专有的硅单片氮化镓(GaN-on-Si)技术,开发了一个创纪录的2.5μm超高分辨率 micro-LED显示器,用于可穿戴AR/VR设备。

Plessey的嵌入式micro-LED技术在可穿戴AR / VR硬件和平视显示器(HUD)的开发中起着至关重要的作用,本次采用了其专有的单片集成硅基氮化镓技术,在2.5μm间距上实现了超精细、超高分辨率(2000×2000)的显示屏,不仅高对比度,而且亮度是有机发光二极管(OLED)的五倍,可在户外观看。相比传统 LCOS 或 DLP 显示屏,此款Micro LED显示屏仅消耗20%的能量。

Plessey表示,硅衬底的低热阻性提高了热提取效率,从而降低结温,增强可靠性。硅基氮化镓技术还可提供有高能效、高分辨率和高对比度。由于与大规模硅集成电路工艺相似,因此可以将该技术扩展到逐渐变大的晶圆,从而成本降低,提高均匀性和成品率。

Plessey表示,其单片集成micro-LED发光显示计划已经小有成就,如今年3月,宣布采用原本发出蓝光的硅基氮化镓开发出天然绿色LED,5月在SID Display Week上展出了首个单片集成硅基氮化镓Micro LED显示屏,由间距8μm的单色全高清(1920x1080)电流驱动像素阵列组成。

业务开发高级总监Clive Beech指出:“像素间距是大尺寸显示器和所查看图像分辨率的关键,也是AR系统中的关键属性。2.5μm的像素间距可实现具有平滑边框和精细细节的图像特征。这些微型LED显示产品是Plessey最新可扩展像素架构的一个例子,将帮助AR / VR和MR智能眼镜的研究实现突破。”

 

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