用户,您好,欢迎您进入NSTL重点领域信息门户! 登录 | 注册  帮助中心
重点领域信息门户
您当前的位置: 首页 > [2020年第23期]情报条目详细信息

编译内容

编译服务: 集成电路 编译者: Lightfeng 编译时间: Dec 6, 2020 浏 览 量: 14

总部位于新加坡的IGSS GaN Pte Ltd(IGaN)公司以及韩国的A-PRO Semicon Co Ltd举行了项目启动会议,合作生产650V E模GaN功率晶体管。IGaN公司一直专注于生产开发GaN-on-Si / SiC外延晶片和8英寸GaN制造技术的商业化,主要用于电源、频射和传感器应用。A-PRO是A-PRO Co Ltd半导体业务的子公司,该公司主要生产用于功率/ RF电子应用的GaN器件。

在此之前,IGaN投资7300万美元在新加坡建立了GaN Epi中心,从而使合作伙伴可以获得GaN Epi批量生产方面的经验和8英寸(200mm)GaN制造技术的专业知识。

IGaN的首席执行官Raj Kumar说:“通过将IGaN的批量生产成本效益和GaN生产制造中的缺陷控制解决方案与A-PRO Semicon在功率转换和电池管理市场中的现有功能相结合,创造新的协同效应,IGaN旨在推动技术创新和GaN在功率/ RF中的广泛应用,并且可以利用A-PRO Semicon生态系统中的设备和模块/系统。”

A-PRO Semicon的技术人员说道:“通过此项激动人心的合作,A-PRO将利用IGaN专有技术来加快E型GaN器件的生产,走上加强8英寸商业化战略的道路。在扩展公司产品组合的同时,A-PRO Semicon可以更好地服务于现有的客户群,其中包括许多领先的科技品牌,并且实现全球性的可持续扩展。”

该合作伙伴关系旨在开拓功率GaN市场,到2025年,市场预计将超过7亿美元。市场研究公司YoleDéveloppement在其《2020年第一季度复合半导体季度市场监测报告》中称2020年为“ GaN年”,特别是在消费快充市场上的兴起。

GaN在功率和射频市场逐渐取代功率电子器件中的硅,因为它的宽带隙功能可以实现更高效的功率转换,因此可以承受更高的电压并允许更快的电流流过器件。此外,IGaN表示,设备工程师可以在相似的电压应用中使用GaN,同时保持较小的占位面积。

http://www.semiconductor-today.com/news_items/2020/nov/igan-apro-301120.shtml

  
提供服务
导出本资源