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编译服务: 集成电路 编译者: shenxiang 编译时间: Aug 20, 2018 浏 览 量: 4

据外媒报道,总部位于美国的Solar-Tectic公司,日前在宾汉姆顿大学和Blue Wave Semiconductor的协助下,获得了全新薄膜晶体管(TFT)技术专利,该技术将有助于提高有机发光二极管(OLED)、有源矩阵OLED( AMOLEDs)、液晶设备(LCD)显示器以及太阳能电池设备的效率并降低其成本。

与用于制造驱动显示器像素并需要昂贵的准分子激光退火的TFT的传统低温多晶硅(LTPS)工艺不同,这种新工艺是由金属诱导结晶(MIC)衍生而来的,并且使用改性液相外延电子束工艺,能够在低至232°C的温度下,在金属氧化物,如氧化镁缓冲基板上沉积薄金属层,然后沉积最终的汽化硅(Si)层并结晶成约50至100nm厚的薄膜,整个流程没有任何金属残余物。

通过使用拉曼光谱和X射线光谱对Si膜进行的分析显示出了高达188cm2/Vs的电子迁移率(而传统的LTPS电子迁移了则为100cm2/Vs)。

研究人员希望通过使用ST和BWS定向的MgO(111)薄膜缓冲基板进一步提高晶体尺寸,从而进一步提高电子迁移率,最终提高设备效率并有效降低成本。

  
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