用户,您好,欢迎您进入NSTL重点领域信息门户! 登录 | 注册  帮助中心
重点领域信息门户
您当前的位置: 首页 > [2018年第17期]情报条目详细信息

编译内容

编译服务: 集成电路 编译者: Lightfeng 编译时间: Aug 12, 2018 浏 览 量: 1

以色列的VisIC技术有限公司宣布推出一款新的水冷式V22N65A-HBEVB半桥评估板,展示使用其GaN开关(先进的低损耗开关)来实现的高~率性能。

评估平台可以在任何半桥拓扑结构中进行操作,并且仅使用单个V22N65A晶体管进行降压和升压拓扑测试,最高~率可达9kW。据说这是市场上第一款基于GaN的解决方案,可提供高达9kW的~率,无需并联,适用于混合动力和电动汽车中的高密度车载充电器(OBC)。

该公司表示,V22N65A All-Switch SMD是一种分立式顶部冷却器件,其采用先进的隔离封装设计,使导热量和开关损耗量处于超低状态,也可最大化的实现每个GaN器件的性能。低寄生电感~率和栅极环路设计与高阈值电压(5V)相结合,使设计人员能够在多~率范围和高~率应用中安全地采用VisIC GaN开关。

  
提供服务
导出本资源