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编译服务: 集成电路 编译者: Lightfeng 编译时间: Aug 26, 2018 浏 览 量: 1

美国新泽西州皮斯卡塔韦的结构材料工业公司(SMI)优化了其NanoV CVD研究反应堆的设计版本,以便研究生长中的薄膜硅锗锡(SiGeSn)材料。

研究科学家Arul Arjunan博士指出:“SMI设计了一种可调节高度的模块化淋浴头,喷头通过改装可调节喷头到基座的距离,以确定一组最佳位置的工艺参数,并调整预反应和其均匀性。”

NanoV CVD系统还可通过选择SMI SpinCVD旋转组件进行基板旋转,可提高均匀性和效率,并最大限度地减少预反应时间。NanoV CVD系统旨在为研究人员提供市场上最完整的低成本CVD平台,以研究大量的材料和非晶薄膜和结构,如外延,多晶或纳米线和纳米管。在这个简单的平台上,其低成本、模块化、易于重新配置的组件,可以适应不断变化的研究需求。

  
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