用户,您好,欢迎您进入NSTL重点领域信息门户! 登录 | 注册  帮助中心
重点领域信息门户
您当前的位置: 首页 > [2018年第1期]情报条目详细信息

编译内容

编译服务: 集成电路设计 编译者: shenxiang 编译时间: Oct 24, 2018 浏 览 量: 13

美国加利福尼亚州El Segundo的Integra Technologies Inc(ITI)公司(一家可制造高功率RF和微波晶体管和功率放大器模块的公司)正在向设计人员提供GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)评估套件,以便评估高功率放大器的设计技术。

每个套件都是专门定制,包括设计人员选择的晶体管型号(可提供部分或完全匹配的选项),也包括安装和测试的晶体管的测试夹具,以及个备用器件。 Integra技术团队在一些关键条件下测出的完整RF测试结果也可作为参考指南提供。并且“Integra技术的处理和调整GaN-on-SiC HEMT评估套件”可以从Integra的网站下载。

该套件可以免费借用30天,如果需要可以延长或者购买。

  
提供服务
导出本资源