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编译服务: 集成电路设计 编译者: shenxiang 编译时间: Oct 9, 2018 浏 览 量: 1

瑞士日内瓦的STMicroelectronics和法国微纳米技术研发中心CEA-Leti正在合作开发氮化镓硅(GaN-on-Si)技术用于工业化功率开关器件,这将使ST能够解决高效率、高功率方面的高端问题,也包括用于混合动力和电动汽车(HEV / EV)的汽车载充电器、无线充电和服务器技术方面的问题。

此次合作的重点是在200mm晶圆上开发和验证GaN-on-Si二极管和晶体管架构的功率,研究公司IHS Markit预测,从2019年到2024年,这个市场的年复合增长率(CAGR)将以超过20%的速度增长。

STMicroelectronic集团总裁Marco Monti表示“研究宽带隙半导体具有令人难以置信的价值,ST在CEA-Leti的功率GaN-on-Si制造和封装技术方面做出了贡献,这使我们拥有业界最完整的GaN和SiC组合产品,并在此基础之上已证明有能力批量生产高质量、可靠的产品。”

  
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