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编译服务: 集成电路设计 编译者: shenxiang 编译时间: Aug 29, 2018 浏 览 量: 1

在波兰华沙举行的III-Nitrides(ISGN-7)国际研讨会上(8月5日至10日),富士通有限公司和富士通实验室宣布称他们已经开发出一种晶体结构,可以增加氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的电流和电压,有效地将微波频段发射器所用晶体管的输出功率提高三倍。

除实现高电流和高电压工作外,富士通于2017年开发了单晶金刚石衬底键合技术,晶体管内的发热可以通过金刚石基板有效散发,实现稳定的操作。当在实际测试中测量具有这种晶体结构的GaN HEMT时,实现了19.9W / mm栅极宽度输出功率(比常规AlGaN / GaN HEMT的输出功率高三倍)。

富士通和富士通实验室未来的目标是将高输出功率,高频GaN HEMT功率放大器商业化,用于雷达系统)和2020财年的5G无线通信系统等应用中。

  
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