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编译服务: 集成电路设计 编译者: shenxiang 编译时间: Aug 17, 2018 浏 览 量: 1

台湾国立成功大学的Yu-Lin Lee和Wen-Chau Liu一直致力于通过使用台面顶面和侧壁的纹理来增强氮化铟镓(InGaN)发光二极管(LED)中光的提取,于2018年7月4日在IEEE Transactions on Electron Devices上发表。

特别是,研究人员在顶面上创建了一个微孔阵列,并在侧壁上形成45°锯齿或凸面图案。这些措施的目的是增加光子从结构中逃逸到外部世界的可能性。基于InGaN的器件易于让光在GaN 和空气的界面处反射回器件中。由于GaN和空气之间的折射率差异很大,发生全内反射,从而为光子提供了相对窄的逃逸锥。纹理设计旨在减少全内反射,提高光提取效率。

一种这样的结构与没有微孔阵列或侧壁纹理的参考器件相比,光输出功率,光通量,外量子效率和壁插效率分别增加了20.9%,24.3%,20.5%和21.3%。

  
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