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编译服务: 集成电路设计 编译者: shenxiang 编译时间: Jul 24, 2018 浏 览 量: 1

中国西安电子科技大学发表了氮化铝镓(AlGaN)通道高电子迁移率晶体管(HEMT)的记录结果(Ming Xiao et al,IEEE Electron Device Letters,2018年6月18日在线发表)。改进的性能包括高最大漏极电流,低栅极漏电流,低关断状态漏极电流,高开/关电流比(Ion / Ioff),最大跨导和高电子迁移率。研究人员表示,这些是迄今为止文献中报道的有关AlGaN-channel HEMT 的最佳结果。

该团队评论说:“这些结果不仅极大地降低了AlGaN-channel HEMT与GaN-channel HEMT之间在最大漏极电流,最大跨导和电子迁移率方面的性能差距,而且在栅极漏电流, 断态漏极电流,Ion / Ioff比和击穿电压中表现出更好的性能。”

原则上,与传统的GaN-channel HEMT相比,更宽的AlGaN带隙应该提供更高的击穿电压,这表明了功率转换应用的潜力。

  
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