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编译服务: 集成电路 编译者: Lightfeng 编译时间: Nov 11, 2018 浏 览 量: 2

日本,美国和土耳其的研究人员利用在200mm硅基板上生长的材料开发了高亮度紫外(UV)氮化铝镓(AlGaN)发光二极管(LED)技术[Yoann Robin等,Materials Science in Semiconductor Processing ,vol90,p87,2019]。 来自日本名古屋大学,美国弗吉尼亚联邦大学,土耳其Cumhuriyet大学和美国西北大学的团队使用横向外延过度生长方法来改善材料质量。 研究人员报告说:“AlN质量和结构设计的改进使光输出~率在脉冲电流下达到毫瓦范围,超过了之前报道的最高效率。”

将LED芯片翻转并安装在具有金 - 锡共晶键合的预先图案化的AlN底座上。 使用氢氟酸/硝酸/乙酸混合物除去硅衬底。 在湿蚀刻期间,用蜡保护器件的侧面。 与蓝宝石不同,基板去除至关重要,因为硅吸收紫外线辐射。 然后将这些器件用铟粘合到铜散热器上,最后进行引线键合以进行电连接。 基于蓝宝石的比较LED是类似地制造的,但没有基板去除。

  
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