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编译服务: 集成电路 编译者: Lightfeng 编译时间: Nov 11, 2018 浏 览 量: 2

总部设在新加坡的研究人员使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)直接在200mm直径的硅晶片上生长III-V异质结双极晶体管(HBT)。

来自南洋理工大学和新加坡麻省理工学院研究与技术联盟(SMART)的团队希望该技术可以使用最有效的(001)晶体取向与主流硅互补金属氧化物半导体(CMOS)电子器件集成。

研究人员首先在200mm(001)p型硅衬底上生长锗缓冲层。在[110]方向上将基板切割6°,HBT结构也通过MOCVD生长,产生铟镓砷磷化物(InGaAsP)合金。

研究人员预测在于手机~率放大器的应用中,III-V异质结双极晶体管比纯硅器具有更高的高频性能。在更高的电压击穿和低噪声操作方面,带隙调谐可以进一步展现优点。

  
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