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编译服务: 集成电路 编译者: Lightfeng 编译时间: Jan 1, 2019 浏 览 量: 4

香港科技大学(HKUST)开发了轴硅基磷化铟(InP)模板,用于发射1.5μm的铟砷(InAs)量子点(QD)激光二极管。

研究人员希望这种C波段(1530-1565nm)激光器可以降低硅光子(SiPh)光电子电路成本。

该团队使用轴上(001)取向的Si,这是主流互补金属氧化物半导体(CMOS)电子器件的首选基板材料。C波段发射覆盖了中长途光纤和商用掺铒光纤放大器(EDFA)的低损耗范围。在光学性能和缺陷容限方面,QD结构优于量子阱。

该团队评论到:“通过采用隧道注入结构,现在工作将首先集中于有关连续波(CW)操作方面,其中QD通过超薄InAlGaAs屏障与InGaAs QW分离,以提高载体注射效率,增加InGaAs中间层中的铟组分以引入更大的应变场,将有利于增强位错过滤。”

  
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