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编译服务: 集成电路 编译者: Lightfeng 编译时间: Jan 1, 2019 浏 览 量: 2

印度理工学院报告:通过改变来源极和漏极欧姆金属触点的组成可改善III族氮化物高电子迁移率晶体管(HEMT)的性能。

将标准金属接触结构与钛/金/铝/镍/金('Ti / Au')的新接触结构进行比较,发现Ti / Au触点表现出低接触电阻和更尖锐的边缘,这使得源极-漏极分离显着减少。研究人员解释说:“低接触电阻,锐边锐度和小源极-漏极分离是高功率和高频的关键。”

研究人员研究了在碳化硅上生长的III族氮化物材料。阻挡层是氮化铝镓(AlGaN)。在这种材料上制造传输线方法(TLM)和HEMT金属接触结构。

结果表明减小HEMT器件中的源极-漏极距离会降低导通电阻(RON)。同时,由于电场增加,击穿电压也降低。在频率相关的测量中,较低的电阻还能够实现更高的单位电流增益频率。

  
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