用户,您好,欢迎您进入NSTL重点领域信息门户! 登录 | 注册  帮助中心
重点领域信息门户
您当前的位置: 首页 > [2019年第18期]情报条目详细信息

编译内容

编译服务: 集成电路 编译者: Lightfeng 编译时间: Sep 29, 2019 浏 览 量: 5

西班牙的格拉纳达大学和瑞士的苏黎世IBM研究室一直致力于硅基III–V族材料的研究,用于无电容器单晶体管动态随机存取存储器(DRAM)。

研究小组评论说:“这种无电容器的DRAM已经在硅材料中得到了证实,但是包括III-V化合物半导体在内使的其他材料相较下则属于未探索领域,尽管这些材料可能提高性能。”

移除1T1CDRAM的电容器以减小单元尺寸。III–V化合物半导体中载流子迁移率的提高为降低工作电压和降低能耗提供了前景,例如砷化铟镓(InGaAs)。

研究人员将其结构描述为与使用寄生浮体效应(FBE)存储信息的亚稳态双列直插式(DIP) RAM(MSDRAM)概念相关。FBE出现在绝缘体上半导体(-OI)结构中,其中半导体中的电势取决于偏置历史和载流子复合过程。设备主体中的电荷在读取操作中调节电流。

MSDRAM原理使用前门和后门之间的耦合以及浮体效应和非平衡效应。在闸门创建前通道和后通道,空穴堆积在前沟道中,而后沟道被后栅驱动反转。累积的空穴调节了反向沟道中的电子密度,前沟道中较大的空穴密度使反向层中的电流增加。

将MOCVD重生的n型源极/漏极区域升高25nm,并使用9nm等离子体增强的ALD氮化硅隔离层将其与栅极堆叠隔离。用锡掺杂源极/漏极为2×1019 / cm3。以0.5μm的宽度制造出具有各种栅极长度(LG)的最终器件。在背栅上施加正电压可切换通道,由于厚的BOX层,背栅的电流控制受到限制。但是,后通道中的电流由前通道中捕获的电荷调制,从而实现1T-DRAM性能的改善。

  
提供服务
导出本资源