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编译服务: 集成电路 编译者: Lightfeng 编译时间: Jul 8, 2018 浏 览 量: 2

瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)声称首次采用垂直氮化镓(GaN)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与6英寸硅基板上生长的续流肖特基势垒二极管(SBD)通过金属有机化学气相沉积进行单片集成。

研究人员希望找到一种成本更低的垂直GaN功率器件。GaN衬底用于避免降低击穿的临界电场的缺陷。垂直功率器件应该能够比横向结构处理更高的电压和电流。大直径硅衬底的使用应该降低成本,但是GaN在硅上的生长倾向于引入许多性能破坏缺陷。

除了使用低缺陷密度的GaN衬底外,改善的击穿性能可能来自会增加漂移层厚度和降低背景载流子浓度,以及部署场板,边缘终端和保护环技术。也可以从诸如沟槽或结SBD的替代架构中提取益处。

  
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