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编译服务: 集成电路 编译者: shenxiang 编译时间: Aug 29, 2018 浏 览 量: 7

据国外分析机构IC Insights预测,今年半导体资本支出总额将增至1020亿美元,这是该行业一年来第一次在资本支出上花费超过1000亿美元。1020亿美元的支出水平比2017年的933亿美元增长了9%,比2016年增长了38%。

如下图所示,超过一半的行业资本支出预计用于内存生产——主要是DRAM和闪存,这些支出包括了对现有晶圆厂线和全新制造设施的升级。总的来说,预计今年内存将占到半导体资本支出的53%。

数据显示,存储设备的资本支出份额在过去六年大幅增加,几乎翻了一番,从2013年的27%(147亿美元)增加到2018年的行业资本支出总额的53%(540亿美元),也就是说存储产业的投资在2013-2018年间的复合年增长率高达30%。

IC Insights也表示,经过两年的资本支出大幅增加,一个迫在眉睫的主要问题是,高水平的支出是否会导致产能过剩和价格下降。

他们表示,存储市场的历史先例表明,过多的支出通常会导致产能过剩和随后的价格疲软。 但目前看来,包括三星,SK海力士,美光,英特尔,东芝/西部数据/ SanDisk和XMC /长江存储技术都计划在未来几年内大幅提升3D NAND闪存容量(以及更多中国新内存创业公司进入市场) 。

IC Insights认为,未来3D NAND闪存市场需求过高的风险正在高涨且不断增长。

  
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