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编译服务: 集成电路 编译者: Lightfeng 编译时间: Sep 9, 2018 浏 览 量: 3

欧洲微波周(EuMW 2018)的411号展位上,专业代工厂TowerJazz 和TowerJazz Texas公司以及TowerJazz Japan Ltd公司展示了他们RF硅工艺能力,包括硅锗(SiGe)和RF绝缘体上硅(SOI)技术,解决了新兴的5G和毫米波(mmWave)的市场问题,并且专注于高数据速率的移动和汽车应用。

具体而言,TowerJazz展示了高容量SiGe BiCMOS技术,用于5G移动发送接收芯片,数据速率高于12Gbps,与4G LTE相比,数据速率提高了十倍以上。

该公司还强调其5G RF SOI技术,其中包括最新的65纳米工艺采用的是300毫米晶圆,并且包括同类最佳的低噪声放大器(LNA)和开关性能,这些可解决前端模块的集成问题。该过程也可以减少RF开关的损耗,延长电池寿命并提高手机和物联网(IoT)终端的数据速率。

  
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