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编译服务: 集成电路 编译者: Lightfeng 编译时间: Jan 20, 2019 浏 览 量: 5

佛罗里达大学和韩国大学的海军研究实验室(NRL)对氧化镓电子发展的现状和潜在未来前景进行了全面研究。最终小组认为,由于各种原因和旧技术长期存在于市场中,氧化镓电子器件很可能为现有的硅、碳化硅和氮化镓技术互补,但预计不会取代它们。氧化镓更有助于低频,高压领域,如AC-DC转换。

小组分析了氧化镓的优缺点,其优势是能以可控方式掺杂用于n型(电子)迁移率,击穿电压高可达3kV和成本低。Ga2O3的一个重要的直接缺点是在高功率密度应用中的低导热率和缺乏p型掺杂机制。

该评论认为氧化镓发展需要在七个方面进行改善:外延生长、欧姆接触、热稳定肖特基接触、增强模式晶体管操作、动态导通电阻降低、工艺集成和热通过被动和主动冷却进行管理。

  
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