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  • 1   2021-02-22 BMBF倡议Clusters4Future资助NeuroSys (编译服务:集成电路
    摘要:

    德国联邦教育与研究部(BMBF)宣布了Clusters4Future创意大赛的优胜者。受资助的群体包括“ Hydrogen”和“ NeuroSys-用于自主人工智能系统的神经形态硬件”,涉及亚琛工业大学和该地区的合作伙伴。

    德国沉积设备供应商Aixtron SE是NeuroSys的合作伙伴,共同为新产品开发、构建和优化必要的金属有机化学气相沉积(MOCVD)工具,NeuroSys的研究预计将持续数年。

    NeuroSys研究自适应和节能型神经形态AI芯片,旨在实现智能和节省资源的现场数据处理,从而为人工智能(AI)应用创造必要的先决条件。但是人工智能的使用过程却带来了问题,例如高二氧化碳排放,会进一步加剧气候问题。当使用深度学习方法训练基于现代图形处理单元(GPU)的大型神经网络时,就会排放大量的二氧化碳。因此,基于GPU的神经网络在生态上属于不可持续。

    节省功耗的神经形态硬件,使神经网络更加高效,并能提供数据安全性,因此成为人工智能广泛应用的关键。对于无人驾驶汽、医疗技术和智能生产或城市地区的传感器网络的应用领域尤其如此。

    神经形态系统以人脑的两个基本构建模块为模型:神经元和突触。通过集成具有特定属性的新材料,它们能以节省资源的方式执行数据的现场处理。在关键字“忆阻性”中对此进行了概述。

    亚琛工业大学(RWTH Aachen University)和朱利希研究中心(Jülich)已经能够证明由忆阻材料制成的设备具有神经形态的功能。但是,全世界没有以工业规模制造神经形态芯片的生产能力。

    Aixtron处于该项目价值链的开始,为神经形态芯提供基础材料,即非常薄的新型2D材料层(仅几原子层厚)。在晶片上生产这些材料是Aixtron的核心竞争力。

    Aixtron公司研发副总裁兼亚琛工业大学教授Michael Heuken博士说:“创建环境友好型的GPU神经网络是一项重大挑战。我们很高兴能够在开发和提供物质基础方面做出贡献。”

    亚琛工业大学电子部件主席兼常务董事Max Lemme说:“我们正在加紧努力,将优秀的科学知识转移给该地区的公司和初创公司。我们的愿景是在亚琛地区建立一条生产线。然后,将使用新材料将神经形态功能与传统硅技术进行整合。”

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:333
  • 摘要:

    2021年2月18日,美国半导体工业协会(SIA)与科技、医疗、汽车和其他领域的16个企业联名上书,在一封信中呼吁拜登总统与国会合作,按照《国防授权法》(NDAA)中确立的规定,为国内半导体制造和研究提供全额资金。这封信还呼吁华盛顿领导人颁布一项投资税收抵免政策,以帮助美国建设更多的半导体制造设施并使之现代化。SIA占美国半导体产业收入的98%。

    美国在全球半导体制造能力中所占的份额已从1990年的37%下降到如今的12%。这种下降主要归因于各国政府提供的大量补贴以扶持半导体行业,这导致美国在吸引新晶圆厂建设方面处于竞争劣势。此外,美国联邦政府对半导体研究的投资保持不变,但是其他政府则对研究计划进行了大量投资,以增强其自身的半导体能力。

    联盟书信倡议应该把将加强美国在半导体研究、设计和制造方面的地位作为国家优先考虑事项,因为半导体在推动美国经济、创造就业、创新和国家安全方面发挥着关键作用。

    SIA总裁兼首席执行官John Neuffer说:“拜登总统和国会有一个历史性的机会,即支持鼓励国内半导体制和研究,以重振美国经济和创造就业机会,加强国家安全和半导体供应链。我们很高兴与关键技术、医疗、汽车领域以及其他领域的领导者一起,呼吁总统优先考虑对芯片技术进行投资,这是政府恢复和基础设施提案的一部分。”

    通过在2021财年《国防授权法》(NDAA)中颁布的《美国CHIPS法案》,国会认识到美国半导体产业在美国未来中的关键作用。现在,新航与广大联盟签署了一封信,呼吁政府和国会全额资助NDAA批准的规定,并颁布投资税收抵免。

    以下团体签署了这封信:先进医疗技术协会(AdvaMed)、汽车创新联盟、美国汽车驱动协会(Autos Drive America)、CTIA、全球商业联盟、IPC国际、信息技术产业理事会(ITI)、电机与设备制造商协会、全国制造商协会(NAM)、国防工业协会(NDIA)、

    SEMI、半导体工业协会(SIA)、技术CEO理事会、TechNet、TIA、可信供应商指导小组和美国商会。

    来源机构: 美国半导体行业协会 | 点击量:304
  • 3   2021-02-22 硅基混合式IIII–V TFET和MOSFET (编译服务:集成电路
    摘要:

    瑞士的IBM Research Europe和洛桑联邦理工学院(EPFL)共同开发了一种工艺,用于硅衬底上的混合III-V隧道场效应晶体管(TFET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)制造。

    与MOSFET的62mV/decade相比,使用带间隧穿而不是热电子发射使TFET能够实现低得多的亚阈值摆幅(SS),低至42mV/decade。低SS可实现更清晰的数字开关或更高的放大器增益。SS值表示亚阈值区域中漏极电流增加十分之一所需的栅极电势变化。

    该团队使用了一种相对常规的晶体管形成工艺,该工艺用于MOSFET和TFET的制造。TFET的横向而非垂直结构为器件缩放提供了潜力。

    该器件具有砷化铟镓通道和砷化铟镓(InGaAs)或砷化镓锑(GaAsSb)的源漏区。在源极-漏极材料中掺杂相反的多数载流子类型,即可实现TFET p-i-n结构,而栅极则控制着带间隧穿的势垒宽度。在MOSFET中,栅极控制热电子发射速率。

    混合工艺的特点是更换金属栅极(RMG)和自对准凸起的源漏(RSD)触点模块。基础材料由10nm / 20nm InGaAs / InP层组成,这些层使用直接晶圆键合转移到4英寸硅(100)上,从而导致与下层硅的掩埋氧化物(BOX)界面。InGaAs与InP晶格匹配,铟含量为53%。

    最初的制造步骤包括干法刻蚀器件隔离层和鳍片,其厚度可薄至20nm。MOSFET的欧姆源极-漏极触点由n-InGaAs组成。TFET具有n-InGaAs漏极和p-GaAsSb源极。锡(Sn)用于n-inGaAs掺杂,而锌(Zn)提供p-GaAsSb。晶格匹配的GaAsSb由50%的As和50%的Sb组成。

    栅极堆叠由氧化铝和二氧化铪的高k介电层以及金属的氮化钛和钨(W)组成。电介质具有1nm的等效氧化物厚度(EOT)。将器件封装在层间电介质(ILD)中,并蚀刻通孔,并为触点填充W。

    30nm栅长的TFET在300mV漏偏压(VDS)条件下,实现了49mV/decade的最小SS。当VDS为50mV时,电压降到42mV/decade。MOSFET在漏极偏压和漏极偏压条件下均获得了约62mV/decade的SS,接近理论极限59.5mV/decade。

    低偏置条件下的电流在高栅极电势下下降,这可能是由于栅极重叠很小或隧道结附近的有效掺杂浓度较低所致。

    这些晶体管还表现出高的跨导/漏极电流峰值(gm / ID)比:TFET为50 / V,而MOSFET接近39 / V 300K极限。将栅极减小到25nm只会使SS稍微增加到43mV/decade。

    低温测量发现,温度较低时,TFET的SS降低,在4K时达到10mV/decade。低温研究还发现,陷阱辅助隧穿在较低温度下非常重要,这表明去除这些陷阱可以进一步改善SS性能。该器件还具有较短的栅极长度和在SS区域内低于60mV /十倍(I60)的合理峰值漏极电流。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:167
  • 摘要:

    无晶圆厂半导体公司Cambridge GaN Devices(CGD)宣布获得950万美元A轮融资, CGD将利用新的资金来扩大其节能功率设备的产品组合,并计划将团队规模扩大一倍。此轮融资由IQ Capital、Parkwalk Advisors和BGF联合领投,Foresight Williams、Cambridge Enterprise、Martlet Capital、Cambridge Angels和Cambridge Capital参投。

    CGD由首席执行官Giorgia Longobardi博士和首席技术官Florin Udrea于2016年从剑桥大学工程学系的电力和能源转换小组中分离出来,致力于使用硅基氮化镓(GaN)衬底开发功率半导体。该公司的核心业务是功率晶体管和集成电路的设计、开发和商业化。

    CGD正在开发一系列针对不同应用而制定的GaN晶体管,包括消费市场和工业开关模式电源(SMPS)、照明、数据中心和汽车混合电动车(HEV / EV)等细分市场的关键应用。该公司表示,其设备具有更高效率以及独特的易用性,将使CGD GaN在关键应用中替代硅,实现更紧凑的电源系统和更高的能源利用率。

    数十年的时间里,CGD积累了丰富的功率器件经验和GaN可靠性研究成果,这些成果是通过与相关领域的先进组织合作取得的。CGD目前与欧洲的13个工业和学术合作伙伴一起研发耗资1000万美元的“GaNext”项目,为低功率和高功率应用开发基于GaN的模块。

    Neways的首席执行官Eric Stodel说道:“我们与CGD的密切合作带来了双赢的局面,CGD是GaNext项目的EMS系统创新者和合作伙伴。这使我们能够开发基于GaN技术的极其紧凑的太阳能逆变器。”

    IQ Capital管理合伙人Ed Stacey表示:“我们很高兴能够支持CGD团队,基于他们丰富的学术研究和强大的IP基础技术,建立了世界上最好的GaN功率器件。这个经验丰富的团队具有巨大的潜力,可以通过新设备颠覆电子行业,为供应商和客户带来商业环境收益。”

    Longobardi说:“最新的一轮投资是对我们成功的充分认可,新老投资者都在确认我们技术的实力。自2016年以来,CGD取得了很好的发展,经过数十年对功率器件进行可靠性研究,我们向市场推出了几款产品。这项投资将使我们能够用更多的专家来丰富团队的经验,并在扩展全球市场,创造更多的电子产品。”

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:255
  • 摘要:

    英国威尔士卡迪夫的半导体晶圆产品和经营服务供应商IQE plc表示,在其专有的IQepiMo模板技术的开发中迈出了重要的一步,该技术用于高性能体声波(BAW)射频滤波器。客户设备数据表明,与现有技术相比,使用IQE模板制造的滤波器具有更高的性能。

    自11月宣布以后,IQE已与潜在的客户和合作伙伴一起试用了IQepiMo产品。最新数据显示,与传统技术相比,IQepiMo能够达到改进机电耦合(以k2为单位)的目的,这是滤波器性能的关键指标。

    初始数据表明,在2 GHz频率下,k2增大了40%,为现有5G应用中使用的频率范围的最高端。当前,工业界发现在高的频率下使用常规的BAW滤波器技术难以实现较高的性能。IQE表示,实验数据证实,在此极具挑战性的频率范围内,使用IQepiMo可获得的优异材料与机电设备性能的显着提高有关。

    IQE及其合作伙伴仍在进行其他试验和测试,以进一步完善高端BAW滤波器的技术。预计IQE的模板将为高钪含量的ScAlN BAW设计带来显着优势,这些设计将成为高性能滤波器的关键组成部分,支持更高5G的频率。随着BAW滤波器中钪含量的增加,保持高的声学材料质量和性能变得越来越具有挑战性。IQepiMo为用户提供了一条克服这些挑战的途径,同时仍可使用他们现有的基础架构和流程。

    IQepiMo模板建立在cREO(晶体稀土氧化物)技术平台(IQE于2018年3月收购)上,直径可达200mm。

    首席技术官Rodney Pelzel博士表示:“IQE拥有半导体行业里领先的材料技术,意味着我们现在处于5G设备性能和解决方案的最前沿。IQepMo模板技术的这一关键里程碑显示了公司的发展潜力,可为客户提供必要的手段,以使其当前的基础架构和流程能够提供5G滤波器所需的性能,尤其是在更高频率下。”

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:251
  • 摘要:

    今年早些时候,美国LED传感器企业美国UV-LED企业传感器电子技术公司(Sensor Electronics Technology)和韩国首尔伟傲世(Seoul Viosys)合作,发布了Violeds UV-C LED系统。据报道,该系统可在一秒钟内杀死99.437%的SARS-CoV-2病毒,该消毒装置可以针对空气和水中的病毒进行消毒,比如供水系统和容纳Covid-19患者的房间。但是这项技术的效果到底如何?

    光子学创新服务提供商PISEO最近发布了UV-C LED技术分析报告《新冠流行时期的UV-C LED》,该公司认为更多的细节还需要被公开。PISEO是市场研究与策略咨询公司YoleDéveloppement的合作伙伴。两家公司联手对UV LED行业进行了描述。通过分析市场趋势和技术发展,Yole的分析师通过专门的报告《 UV LED的市场和技术趋势》对UV LED行业提供了补充看法。

    Violeds UV-C LED系统的发布正值UV-C LED市场出现前所未有增长之时。新冠大流行引发了对消毒系统的巨大需求,从而推动了UV-C LED的发展势头。根据Yole的UV LED报告,该市场预计将增加一倍以上,从2019年的1.44亿美元增长到2020年的3.08亿美元,然后到2025年激增至25亿美元。

    任何UV-C LED消毒系统的设计都必须适应UV-C LED的特定特性,包括光发射和热管理。从可见光LED行业只能从有限的经验教训中求发展,因为UV-C LED的低效率会影响热集成,而UV-C辐射会降解此类系统中使用的材料,这两种情况都会降低最终产品的可靠性。

    产品设计还必须考虑与UV-C LED辐射相关的安全问题。这些组件发出的能量强度比正常的阳光高得多,因此,如果不遵守技术安全标准,UV-C LED消毒系统将对人体造成危害。实际上,全球照明协会最近发布了有关此类产品安全要求的指南。

    实际上,尚不存在允许比较不同产品性能的明确测试程序。例如,KR Biotech数据表明,Violeds系统可以在一秒钟内灭活99.457%的SARS-CoV-2病毒,但是测试程序或影响因素的详细信息在哪里?如房间大小和表面类型。

    报告认为评审团可能会使用最新的UVC-LED系统,这些早期产品将在快速增长的市场中创造更多动力。目前许多行业参与者正在寻求设计和构建UV-C LED消毒系统,需要确保最终产品既有效又安全。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:548
  • 摘要:

    德国和荷兰的研究人员已经使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)来创建AlScN势垒高电子迁移率晶体管(HEMT)。该团队还使用氮化硅(SiNx)盖材料来代替更常见的氮化镓(GaN),据该团队所知该材料此前从未被研究过。

    AlScN的研究工作建立在一篇关于MOCVD增长报告的基础上,该报告由弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(IAF)、INATECH、荷兰Eurofins材料科学和荷兰埃因霍温大学的团队、德国的弗劳恩霍夫材料与系统微结构研究所(IMWS)共同研究。

    将钪引入势垒增加自发和压电(应变相关)电荷极化,这使HEMT所基于的GaN二维电子气(2DEG)通道中的薄层电荷载流子密度达到5倍。研究人员正在开发和部署GaN通道HEMT,用于电动汽车(EV)、可再生能源功率处理、微波无线通信功率传输等高功率、高压和高频应用。

    尽管以前用分子束外延(MBE)生长AlScN材料制造HEMT,但MOCVD工艺更适合用于批量生产。将钪引入MOCVD中的一个问题是潜在前驱体的蒸气压低。MOCVD在低压(40-100mbar)下进行,用氢气作载气,生长温度为1000℃至1200℃。氮源为氨(NH3)。第三类金属镓和铝来自三甲基(TM-)有机物。钪的前体是三环戊二烯基钪(Cp3Sc)。硅烷(SiH4)为SiNx帽提供硅。

    AlScN阻挡层的生长使用了各种连续和脉冲方法。脉冲方法包括将金属电源与5s Cp3Sc和2s TM-Al交替使用。

    该实验使用100mm蓝宝石衬底和4H碳化硅(SiC)进行某些实验,尤其是在晶体管制造阶段。

    HEMT由钛/铝欧姆源极-漏极触点和离子注入设备隔离组成。研究人员称,SiNx钝化技术实现了“低电流扩散和热稳定性”。栅极设计为低电容,以改善高速操作。

    氮化硅用于覆盖AlScN势垒层。在AlGaN晶体管中,经常使用GaN帽,但是在AlScN的情况下,发现这种帽很难生长,会出现“3d岛”,这对保护和钝化AlScN的能力产生了不利影响。根据原子力显微镜(AFM)测量,在1000°C下生长的材料中,发现AlScN上的GaN帽的均方根粗糙度为1.5nm,而SiNx的均方根粗糙度为0.2nm。

    用于HEMT的材料在9.5nm AlScN阻挡层中包含约14%的Sc。SiNx帽为3.4nm。生长温度为1100°C,使用连续供应的前体进行AlScN沉积。衬底是4H SiC。还生长并制造了具有3nm SiNx帽的比较5.6nm AlN势垒器件。

    通过比较发现具有AlScN势垒的HEMT的性能与具有AlN势垒的器件相当,AlScN HEMT的性能低于理论预期。研究人员表示,两种样品中迁移率较低的主要原因可能是界面质量差和原子之间的相互扩散,从而导致合金散射,影响HEMT异质结构的迁移率,并补充说AlScN HEMT已经优于标准AlGaN HEMT。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:549
  • 摘要:

    半导体工业协会(SIA)董事会今天致信拜登总统,敦促他为半导体领域的研究和制造提供资金资助,以支持政府的经济复苏和基础设施计划。半导体工业协会(SIA)董事会由美国主要芯片公司的首席执行官和高级管理人员组成,SIA占美国半导体产业收入的98%。

    美国在全球半导体制造能力中所占的份额已从1990年的37%下降到如今的12%。这种下降主要归因于各国政府提供的大量补贴以扶持半导体行业,这导致美国在吸引新晶圆厂建设方面处于竞争劣势。此外,美国联邦政府对半导体研究的投资保持不变,但是其他政府则对研究计划进行了大量投资,以增强其自身的半导体能力。SIA的信敦促拜登总统优先考虑半导体投资,以重新确立美国技术领先的地位,并实现拜登政府“更好地重建”的目标计划。

    SIA总裁兼首席执行官John Neuffer表示:“半导体推动了医疗、通信,清洁能源、计算、运输等领域关键技术的进步,芯片技术的采用也在新冠大流行期间起到了重要作用,保持了生产力和联系。大胆投资美国国内半导体制造和采取鼓励措施,拜登总统和国会可以重振美国经济和创造就业机会,加强国家安全和半导体供应链,并确保美国保持领先地位。”

    通过在2021财年《国防授权法》(NDAA)中颁布《美国CHIPS法案》,国会认识到半导体产业在美国未来发展中的关键作用。现在,SIA呼吁政府和国会全额资助NDAA授权的规定,加快政策的落实。

    来源机构: 美国半导体行业协会 | 点击量:529
  • 9   2021-02-16 Khronos发布SYCL 2020规范 (编译服务:集成电路
    摘要:

    2021年2月9日,由Khronos®Group宣布批准并公开发布SYCL™2020最终规范,该规范是针对单一源C ++的开放标准并行编程。SYCL 2020建立在SYCL 1.2.1的功能之上,是涵盖多年规范开发的一个重要里程碑,拥有可编程性、更小的代码和更高的性能。SYCL 2020基于C ++ 17,可以更轻松地加速标准C ++应用程序,并与ISO C ++路线图更加紧密地契合。

    SYCL于2014年首次推出,是一种基于C++的异构并行编程框架,用于加速高性能计算(HPC)、机器学习、嵌入式计算和计算密集型桌面应用,包括各种处理器体系结构,如CPU、GPU、FPGA和张量加速器等。sycl2020将进一步加快SYCL在多个平台上的采用和部署,除了OpenCL之外,还使用不同的加速API后端。

    SYCL 2020集成了40多个新功能,包括简化编码和减小代码。一些关键的附加功能还包括:

    ?统一共享内存(USM)使带有指针的代码能够在没有缓冲区或访问器的情况下自然工作

    ?添加了内置的归约运算,并通加速功能在硬件上实现了最高性能

    ?工作组和子组算法在工作项之间添加了有效的并行操作。

    ?类模板参数推导(CTAD)和模板推导指南简化了类模板实例化

    ?通过内置的简化操作简化访问器的使用,减少了样板代码,并简化了C ++软件设计模式的使用

    ?扩展的互操作性通过各种后端加速API实现了有效的加速

    ?SYCL原子操作现在与标准C ++原子更紧密地对齐,以增强并行编程的自由度

    在发布SYCL 2020规范的同时,SYCL生态系统也在不断发展。英特尔的oneAPI数据并行C ++(DPC ++)已经整合了许多SYCL 2020功能。符合Codeplay的ComputeCpp SYCL 1.2.1的实现包括选定的SYCL 2020功能作为扩展,包括对DSP和RISC-V的支持,并且随着时间的推移会增加更多的功能。Intel和Codeplay将共同开发基于LLVM开源编译器框架。

    在Argonne国家实验室,SYCL使开发人员可以轻松扩展C ++应用程序,以在百亿亿次超级计算机系统中使用加速器群集。在欧洲,Cineca超级计算中心正在使用基于SYCL的Celerity分布式运行时系统来对新的Marconi100集群进行编程,该集群在2020年11月的Top500榜中排名第11。

    由SYCL主持,Khronos赞助的IWOCL&SYCLCON2021将于4月27日至29日在网上举行。它将包括涵盖新SYCL 2020功能的在线教程,并设有专门的SYCL小组讨论。现在可以在www.iwocl.org/上注册。

    来源机构: Khronos Group | 点击量:288
  • 摘要:

    美国外延沉积和工艺设备制造商Veeco Instruments Inc.表示,从2019年到2020年的全年收入增长8.3%,由4.193亿美元增长至4.542亿美元。

    为了与发展的战略保持一致,Veeco对产品结构组合进行了调整,并修改了部分领域的市场收入报告方式,改变了以前(1)前端半导体、(2)LED照明,显示与复合半导体、(3)高级封装,MEMS和RF滤波器、(4)科学与工业(包括数据存储)的划分。

    新的报告方式为:

    半导体(前端和后端,以及EUV掩模空白系统和高级封装)贡献了1.66亿美元,占总收入的36%,比2019年的1.76亿美元下降了6%。

    复合半导体(电力电子、射频滤波器和设备应用以及包括专用、迷你和微型LED、VCSEL、激光二极管)贡献了1.08亿美元,占总收入的24%,比2019年的8600万美元增长了26%,这主要是受到光子学和RF应用的推动。

    数据存储(薄膜磁头制造设备)贡献了1.23亿美元,占总收入的27%,比2019年的8400万美元增长了47%,这是因为硬盘驱动器客户增加了薄膜磁头制造的能力。

    科学与其他(研究机构和其他应用程序)贡献了5700万美元,占总收入的13%,比2019年的7400万美元下降了23%。

    按地区划分,亚太地区(不包括中国)占总收入的39%,美国为32%,欧洲、中东和非洲(EMEA)为16%,中国为13%,世界其他地区不到1%。

    2020年第四季度的收入为1.389亿美元(超出了1.20-1.36亿美元的预期),较上一季度的1.121亿美元增长23.9%,较去年同期的1.132亿美元增长22.7%。第四季度的业绩主要来自先进节点半导体和5G RF复合半市场的推动。

    半导体市场贡献了5700万美元,占收入的41%,较第三季度的3400万美元增长了68%,这得益于多个激光退火系统和EUV离子束系统的销售。

    复合半导体市场贡献了4500万美元,占收入的33%,较第三季度的2,700万美元增长了67%,这主要归功于5G RF应用的多系统出货量以及光子客户的大量订单。

    数据存储市场贡献了1900万美元,占收入的14%,比第三季度的3700万美元下降了49%。

    科学及其他市场贡献了1700万美元,占收入的12%,比第三季度的1500万美元增长了6.7%,系统已交付用于各种研究应用。

    按地区划分,亚太地区(不包括中国)占收入的48%,美国为26%,中国为14%,EMEA为12%,世界其他地区不到1%。

    根据目前的知名度和积压量,Veeco将其2021年全年的收入预期提高至5.20-5.4亿美元(年增长率为17%),预计2021年半导体市场收入将增长,并且数据存储市场也有望实现增长。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:520