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  • 摘要:

    北京大学已采用深紫外(DUV,波长小于300nm)发光的自组装侧壁量子阱(SQW)结构来改善基于氮化铝镓(AlGaN)化合物半导体合金的二极管的光输出功率性能。侧壁结构起因于在具有不同错切角的(0001)c面蓝宝石衬底上进行多量子阱(MQW)材料生长过程中的聚集效应。

    北京研究人员认为他们的SQW方法是一种潜在的“颠覆性框架”,另外,SQW结构会产生载流子局部化效应,可以改善重组为光子的过程,并避免载流子被位错俘获,然后转变为基态而无光发射。

    使用金属有机化学气相沉积c面蓝宝石上生长该材料。样品A、B、C相对于m平面的错切角分别为0.2°、2°、4°。然后进行相应的实验,通过比较室温和10K PL强度来评估内部量子效率(IQE)。对于样品A-C,室温IQE分别确定为46%,54%和59%。通过使用Lorentz曲线拟合将SQW和MQW排放行为分开,样本B的SQW区域的IQE估计为56%,而MQW仅管理45.6%。

    试验后,直接在AlN模板层上生长的MQW的X射线分析表明,对于基材错切角分别为0.2°、2°和4°的线错位密度(TDD)分别为1.56x1010 / cm2、1.17x1010 / cm2和6.4x109 / cm2 。研究人员将4°MQW结构的较低TDD值视为有助于提高IQE的主要因素。

    时间分辨的PL用于确定荧光寿命,结果表明,SQWs的荧光寿命比MQWs显着延长,这表明与MQWs相比,SQWs的非辐射重组得到了更有效的抑制。

    研究人员评论表示,研究结果进一步证实了所提出的涉及SQW的有源区在器件性能方面比仅使用MQW具有更大的潜力,特别是当AlN和AlGaN的材料质量仍处于不良或中等水平时。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:285
  • 摘要:

    CW-WDM MSA(连续波波分复用多源协议)已成立,该组织将致力于定义光学激光光源规范。激光光源一直是光纤通信的关键组成部分,标准化其规格是电信和数据通信光学成功的关键。

    IEEE和MSA标准为现有的大容量数据通信光学器件指定了四个WDM接口。CW-WDM MSA将为新兴集成光学应用规范定义,它们要求的接口数量为8、16甚至32波长。例如基于硅光子(SiPh)的高密度共封装光学、光学计算和人工智能(AI)等。标准化更高的波长计数是新兴生态系统的关键部分,与当前技术相比,该生态系统可实现效率、成本和带宽扩展方面的飞跃。增加波长数量,同时保持在O波段并符合ITU和IEEE标准,使开发人员和供应商可以充分利用其在当前光学产品中的战略投资,以加快下一代产品的上市时间。

    CW-WDM MSA与光通信标准组的不同之处在于,CW-WDM MSA仅专注于指定激光源,而不是整个通信链路,并且不针对任何特定应用。这种方法使开发人员可以完全优化光学器件以满足其客户的需求,而没有互操作性限制,同时为激光源供应商创造了巨大的商机。

    CW-WDM MSA创立成员包括Arista Networks、Ayar Labs、CST Global、IMEC、英特尔、Lumentum、Luminous Computing、MACOM、Quintessent、住友电工和II-V,观察成员包括AMF、博通、相干公司、古河电工、格罗方德、是德科技、新飞通、英伟达、Samtec, Scintil Photonics和泰克,这些公司将为标准发展做出贡献。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:283
  • 摘要:

    LED和显示技术专家Verticle公司表示,mini-LED显示器通过增加局部调光区域提高了图像质量,需要的LED数量比传统LED背光灯要多,因此降低LED成本是微型LED显示器商业化的主要问题。

    降低制造成本的最有效方法之一是缩小芯片尺寸。由于芯片损坏和极长的处理时间受到当前管芯分割技术的限制,特别是对于小于100mm的LED芯片。

    Verticle开发“化学切割”的芯片切单技术,该技术可以减小mini-LED芯片的尺寸而不会损坏芯片。使用化学切割工艺,可以通过降低每个晶圆的芯片尺寸,来实现成本的大幅降低。

    化学切割具有无损特性,因为它通过湿法化学蚀刻街道线而不是产生热量或声波的热或机械方法来分离管芯。切屑边缘周围没有损坏,这意味着有效区域和切屑切削刃之间的距离可以小于2mm。因此,可以扩大有效面积,从而导致从相同尺寸的LED裸片输出更多的光。

    通过芯片整形可以获得额外的DPW增加,化学切割可实现自由形状的芯片(例如六角形)成型和切割。由于提高了贴图效率并增加了可用晶圆面积,六角形管芯可以将DPW增加20%以上。六边形的对称性可以帮助实现更好的电流扩散,与方形或矩形芯片相比,可以产生更高的光输出。另外,在封装之后,六角形管芯的光输出也得到增强。六角形模具产生的光束轮廓非常接近光学设计中使用的圆形透镜的圆形形状。相反,当与圆形透镜组合时,典型的方形或矩形模具的光束轮廓通常会失真。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:279
  • 摘要:

    在欧盟COSMICC项目支持下,法国微纳米技术研发中心CEA-Leti展示了一种完全封装的粗波分复用(CWDM)硅光子收发器模块,每根光纤的数据传输速率为100Gb/s,光电芯片上还集成有一个低功耗电芯片。基于硅光子学的收发器以50Gb / s的速率复用两个波长,旨在满足不断增长的数据通信需求以及数据中心和超级计算机的能耗。该演示为降低成本、减少功耗和简化封装复技术开辟了道路,并为非常高的聚合数据速率开辟了道路。

    欧盟在Horizon 2020计划中启动了项目COSMICC(以极低成本实现突破性互连的板级集成收发机的CMOS解决方案),进一步开发了所有必需的构建基块,实现了200Gb / s甚至更高的传输速率。

    COSMICC项目开发了一种全封装CWDM硅光子收发器模块,每条光纤的传输速度为100Gb / s,可扩展至400Gb / s,还实现了硅光子芯片及其电子控制芯片的3D组装。硅光子芯片集成了高性能50Gb / s NRZ光调制器和光电检测器,以及两个通道的CWDM多路复用器和多路分解器。控制电子器件经过优化,可将数据速率为50Gb / s的每通道能耗降至5.7pJ / bit。

    另外,在增强型SiN硅光子平台上构建了一个用于实现更高数据速率数据中心互连的构建模块的库,其中包括新型宽带和无热SiN组件以及混合III-V / Si激光器。SiN对温度的敏感性比硅低10倍,它将消除对温度的需求,从而大大降低收发器的成本和功耗,从而有助于降低大型数据中心的热量输出和冷却成本。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:284
  • 摘要:

    根据Omdia的《 2020年SiC和GaN功率半导体报告》显示,由于混合动力和电动汽车(HEV)、电源和光伏(PV)逆变器的需求,预计到2020年底,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体的全球市场将增长到8.54亿美元,然后在2021年超过10亿美元。未来十年的收入将以两位数的年增长率增长,到2029年将超过50亿美元。

    这些长期的市场预测总额比去年的报告低10亿美元,因为自2018年以来几乎所有应用程序的需求都在放缓。Omdia解释今年所有年份的预测始于2019年,并未考虑到COVID-19大流行的影响。

    到2020年底,SiC MOSFET预计将产生约3.2亿美元的收入,与肖特基二极管的收入相当。从2021年起,SiC MOSFET将以稍快的速度增长,成为最畅销的分立SiC功率器件。虽然实现了良好的可靠性和性能,但是每个SiC JFET的收入预计却将比SiC MOSFET小得多。

    现在,SiC和GaN功率器件都有数万亿小时的器件现场经验。供应商都在通过获得JEDEC和AEC-Q101认证来证明这一点。SiC和GaN器件具有很好的可靠性,通常看起来比硅更好。SiC MOSFET和SiC JFET的工作电压较低,例如650V、800V和900V,这使SiC可以在性能和价格上与Si超结MOSFET竞争。

    尽管氮化镓和碳化硅目前的产能与销售仍是无法和碳材料相比,但是前景是被分析师和产业人士看好的,这需要一个长期的技术打磨,也需要时间验证材料的稳定性。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:289
  • 摘要:

    (本文内容来源于“芯思想ChipsInsights”)芯思想研究院日前发布中国大陆城市集成电路竞争力排行榜。报告对中国大陆30座城市从产业规模、GDP规模、产业链支撑、市场需求、政策支持、创新能力等6个方面进行评估,每个单项最高分为5分,按照相关权重进行排名。

    中国大陆城市集成电路竞争力排行榜前10强中,长三角地区占有五席,分别是上海、无锡、合肥、南京、苏州(其中江苏省有三座城市入选);珠三角地区只有深圳京一个城市入围;而环渤海也只有北京一个城市入选;中西部有三个城市入选,分别是成都、西安、武汉

    上海市提出推动集成电路全产业链自主创新发展,提升产业规模和能级,打造具有国际影响力的软件和集成电路产业集群和创新源,规划到2020年集成电路产业规模为2000亿元。根据上海集成电路行业协会的数据,2019年上海集成电路产业规模已经超过1700亿,其中设计业715亿元,制造业389亿元,封测业382亿元,设备材料业218亿元。上海在设计领域,部分企业研发能力已达7纳米,紫光展锐手机基带芯片市场份额位居世界第三。在制造领域,中芯国际、华虹集团年销售额在国内位居前两位,14纳米先进工艺已量产。在装备材料领域,中微、上微处于国内领先水平,刻蚀机、光刻机等战略产品已达到或接近国际先进水平。上海集成电路产业投资基金总额500亿元,分为100亿元的装备材料基金、100亿元的设计基金、300亿元的制造基金。基金将加快促进汽车芯片、智能移动芯片、物联网芯片、AI储存器芯片、安全芯片以及智能储存器芯片等高端芯片的研发和生产。

    北京市规划到2020年建成设具有国际影响力的集成电路产业技术创新基地,集成电路产业发展目标虽然没有提出具体的数字,但北京集成电路产业近年来获得长足发展,产业规模多年来一直位居前三。自2000年国务院18号文颁布以来,北京市集成电路产业进入了快速发展阶段,从2000年到2019年,北京集成电路产业销售收入从不足5亿元增长到1000亿元,排名全国第三,复合年均增长率达到30%;其中集成电路设计产业销售收入从不足2亿元增长到600亿,集成电路设计公司数量从2000年的23家增加到130多家。北京集成电路产业经过十多年的发展,初步建立起产业链相对完备的产业格局,并呈现出制造带动、设计引领、装备材料稳步成长的态势,产业规模和技术水平一直在全国均占据着举足轻重的地位,已成为支撑我国集成电路产业创新发展的重要支柱力量。

    深圳市的集成电路产业规模位列珠三角地区首位,规划到2023年建成具有国际竞争力的集成电路产业集群,集成电路产业规模达2000亿,其中设计业销售收入突破1600亿元。深圳市2019年集成电路产业规模将超过1200亿元,其中设计业达1100亿。

    无锡市当属江苏省集成电路产业发展水平最高的城市,计划到2020年底集成电路产业规模达1200亿元。2018年和2019年无锡集成电路产业规模均超过1000亿元,相信随着华虹半导体无锡基地12英寸生产线和宜兴中环领先大硅片项目的顺利投产,1200亿的产业规模目标应该非常轻松达成。

    西安市打造集成电路产业新高地,规划在2021年集成电路产业规模达1000亿元。西安依靠三星电子存储芯片项目和美光/力成封装项目,大大增强了西安在集成电路产业中的竞争力。2019年西安集成电路产业规模已经达到960亿元,规划目标有望提前完成。

    成都市要跻身国内集成电路设计第一方阵,打造中国“芯”高地,规划到2035年集成电路产业规模3400亿元。成都新区正以产业生态圈建设为核心,积极从全球吸引顶尖产业资源、参与全球电子信息产业分工,融入全球电子信息产业链高端和价值链核心,助力成都建设中国电子信息产业核心城市和全球电子信息产业部分领域的支点城市、领军城市。

    武汉市被列为国内集成电路产业集聚区,打造世界级半导体产业基地,规划到2020年光谷集成电路产业规模达800亿。武汉目前有长江存储、武汉新芯等一批制造项目。

    合肥市打造中国IC之都,计划到2020年集成电路产业规模达500亿,其中设计业100亿,制造业300亿,封测60亿,设备材料40亿。随着晶合集成、长鑫集成的7投产以及强势引进的一批设计、材料企业,加上宏实自动化、易芯半导体、大华半导体、芯碁微电子等一批本土企业,合肥已逐步形成了集成电路设计、制造、封测、设备材料等全产业链,并带动其他高科技产业取得了良好的发展态势。

    南京市打造集成电路产业地标。从南京市经信委发布的《关于打造集成电路产业地标的实施方案》中可以获悉,到2025年,全市集成电路产业综合销售收入力争达到1500亿元,进入国内第一方阵,在5G通信及射频芯片、先进晶圆制造、物联网和汽车电子等高端芯片设计等细分领域实现全省第一、全国前三、国际知名。为此南京市明确提出了将设立总规模200亿美元的南京市集成电路产业投资基金,支持集成电路产业垂直整合及并购重组,加大高端人才引进培育力度等。在南京市提出到2025年1500亿元的目标后,让人无语的是江北新区提出到2025年,集成电路产值突破3000亿元。虽然南京近来加大集成电路项目的引进,但目标的完成恐怕有相当的难度。

    苏州市持续大力推动第三代半导体产业发展,通过近十年的培育,目前已汇聚了全国氮化镓材料生长及氮化镓器件产业领域80%的国家重点人才计划,确立了第三代半导体产业的“国家队地位”。目前苏州市积极布局第三代半导体中下游环节,引进了英诺赛科、华功半导体、能讯高能、能华半导体等一批企业,率先构建氮化镓产业完整生态链,并将技术产业化。

    来源机构: 芯思想研究院(ChipInsights) | 点击量:453
  • 摘要:

    前,J OLED 宣布TCL已向该公司投资300亿日元(约合20亿人民币),并签署了合作开发 OLED电视 打印技术的协议。

    这是一个非常有趣的发展。TCL长期以来一直相信O LED显示屏 的喷墨打印技术,并于2016年与天马科技等合作伙伴成立了一个开放式创新平台——聚华印刷来开发OLED面板的喷墨打印技术。据我们所知,JOLED并没有参与到这次的联盟中,那么TCL是不是已经放弃了聚华,而打算依靠JOLED的技术呢?

    JOLED一直专注于中型 显示器 (用于监视器、汽车和标识),2018年12月,JOLED展示了第一款OLED电视原型,这是一款55英寸4K (3840x2160, 80 PPI)的面板,提供120Hz的刷新率和100%的DCI(135% sRGB)色域。OLED面板被印在JOLED的透明非晶态氧化物半导体(TAOS)背板上。OLED面板被印在JOLED的透明非晶态氧化物半导体(TAOS)背板上。2018年,JOLED透露,目前还没有生产大尺寸OLED的计划,这款电视只是为了展示JOLED的打印技术,但目前计划显然已经发生了变化。

    2017年12月,JOLED开始在该公司4.5代的试验性生产线上小批量生产21.6英寸的4K OLED面板。2019年11月, JOLED 宣布在其位于日本石川县Nomi的5.5代(1300x1500毫米)生产线上开始采用喷墨打印O LED显示 屏。Nomi工厂的量产计划在2020年晚些时候进行。

    2018年8月,JOLED从四家企业融资约4亿美元,分别是汽车零部件制造商电装(2.7亿美元)、主要贸易公司丰田通商(9000万美元)、住友化学和Screen Holdings。8月晚些时候,JOLED宣布与松下和Screen Finetech签署协议,共同开发、制造和销售印刷设备。2019年4月,JOLED宣布从株式会社INCJ、索尼和日产筹集了约2.28亿美元,用于在千叶县Mobara的工厂建造后处理模块生产线。

    来源机构: 摩尔芯闻 | 点击量:464
  • 摘要:

    台湾国立交通大学已使用氮化镓中间层(IL)来改善低成本硅上氮化铟铝镓(InAlGaN)阻挡层高电子迁移率晶体管(HEMT)的性能。该团队声称,证明了InAlGaN势垒HEMT结构中的第一个高电子迁移率性能。

    到目前为止,与基于AlGaN和InAlN的器件相比,InAlGaN势垒HEMT的迁移率较低,但研究经验表明,GaN IL可以改善InAlGaN结构中的迁移率,并且硅的使用应降低材料成本。

    研究人员使用硅衬底生长各种异质结构。InAGaN四元势垒在875°C温度和100Torr压力下生长。 GaN IL在相同压力下于1080°C生长。通过在0-12s范围内改变生长时间来改变厚度,从而得到五个标记为A-E的样品。

    研究提示IL的增长时间过长会导致InAlGaN势垒的表面退化,适合进行“阶梯流”生长,从而使表面更光滑,降低了样品深处的界面粗糙度。更光滑的界面粗糙度将减少载流子散射,提高迁移率。

    实验中基于样品A的HEMT在2V的栅源极电势差和10V的漏极偏置下实现了943mA / mm的最大漏极电流密度,而样品B的最大漏极电流密度为1490mA / mm。相比于样品A的204mS / mm,样品B的较高电子迁移率还导致在2V栅极时具有401mS / mm的更高的峰值非本征跨导。

    研究人员为样品B的HEMT性能更好提供了两种可能的解释:“(1)由于界面粗糙度的改善,合金和界面粗糙度的散射得到了有效抑制,从而提高了GaN IL样品的电子迁移率; (2)与直接在AlN上生长InAlGaN的样品相比,由于InAlGaN和GaN之间的晶格失配较少,可以通过GaN IL改善InAlGaN势垒层的晶体质量。”

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:397
  • 摘要:

    RENA Technologies推出Inception单晶圆平台,将其从湿法处理平台产品组合中扩展出来,该平台在研发到生产过程中起过渡作用,并能够处理所有半导体湿法工艺,例如清洁、蚀刻、剥离并干燥。

    第一个Inception产品已经交付给主要的化合物半导体客户,该客户将在酸洗工艺中利用其功能。

    RENA Technologies NA的首席执行官Ed Jean说:“如果您只有一把锤子,那么一切就像钉子一样。批量浸入、喷涂和单晶圆工具在湿法工艺领域都占有一席之地。但是,大多数设备供应商都提供了一种万能的方法,试图将您的应用程序“锤碎”到他们提供的唯一平台中。通过将Inception单晶圆工具添加到RENA的产品阵容中,RENA为任何湿法清洁,蚀刻或剥离应用提供了合适的平台。”

    RENA Technologies NA Spray产品经理Heath Phillips说:“ Inception单晶片平台为的客户提供了测试的一致性,以开发记录过程并使流程自动化。”

    Inception单晶片工具的功能包括:

    FEoL线前端(酸)和BEoL线后端(溶剂)加工应用;

    自动晶圆处理(手动加载可选);

    直径最大为200mm的晶片和最大宽度为7 x 7的掩模;

    带有独立化学生产线的双移动喷雾臂;

    用于DI和N2的固定式底部喷嘴;

    蚀刻均匀性超过批处理系统;

    标准双槽设计,提供多步处理(4槽可选);

    单或双负载端口;

    公用事业消耗低;

    占地面积小,36英寸宽x 83英寸高x 76英寸长;

    高度灵活的软件可实现快速的流程开发。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:356
  • 摘要:

    紫外线LED产品制造商Seoul Viosys 表示,中国最大的空调制造商格力电器公司在其新的Fresh Air品牌采用了其Violeds技术,UV LED技术是第一种被证明能够对新冠状病毒进行杀菌的技术。

    Violeds UV LED技术可对蒸发器表面进行强力消毒,并对吸入到空调中的任何室内空气传播污染物进行灭菌,包括各种有害病毒和细菌,Fresh Air采用此技术以确保正常使用。常规的家用空调通常将外部空气吸入AC单元,并在冷却和过滤后将其排放到内部,并在内部进行连续再循环。在室内空气再循环条件下,病毒可能通过气溶胶传播增加感染风险。

    在中国广州微生物研究所(CGMT)的测试中,格力展示了采用Violeds UV LED技术的Fresh Air具有良好的灭菌效果,可以对99.15%的病毒和细菌、98%的肠病毒(如EV71和H1N1)以及99%的金黄色葡萄球菌进行灭菌。此外,根据高丽大学研究小组在4月和5月进行的测试结果,已证明Violeds UV LED技术可在30秒内对99.9%的新冠状病毒进行灭菌。

    首尔Viosys执行副总裁Chae Hon Kim指出:“我们提供了一种优化的解决方案,在使用空调的同时,可以对空气进行消毒,实现空气净化。随着越来越多的应用采用Violeds技术来支持健康生活,预计UV LED的成本将降低到更接近可见白光LED的水平。首尔Viosys的Violeds技术不仅被中国空调制造商格力采用,而且还被美国领先的管道内空气处理供应商RGF环境集团采用,Violeds UV LED显然已被公认为是空气净化器和空调系统的必要技术。”

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:379