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    排放,科学家致力研发可再生能源,吴永豪自研究生时期起,就投身利用太阳能分解水分,以提取氢气制造可再生能源的研究,他参考植物须利用叶绿素方能进行光合作用,想到可借此提高太阳能的转换效能。

    吴永豪利用不同材料,如取自海沙的氧化钛、氧化铜、钒酸铋等制成各种半导体,放入水中充当“叶绿素”,在光线照射下,能催化水分子分解成氢气和氧气,形成人造光合作用,收集的氢气也可用作发电。

    他指现有以分解碳化合物为主的氢燃料生产技巧,过程中会生产大量二氧化碳,导致“生产清洁能源却造成污染”;人造光合作用唯一的副产品是水,“无论是生产还是使用此方法所得的氢原料,都不会造成污染。”

    吴永豪正研究把生活废水转化为能源,因污水中含有大量有助产生氢气的有机物质。此外,该技术也能净化水质,只需2至3小时,就能把1公斤污水中的污染物降解,把水净化至符合美国排放的标准。

    该项研究获香港研究资助局资助60万元(港币,下同),并获亚太经合组织创新、研究与教育科学奖。他透露,半导体的原料成本由数元至百元不等,相信大量生产会进一步降低成本,“计划3年内把技术应用至手提电脑或手机等电子产品的燃料电池,推出市场,日后也有望用于燃料电池车。”

    来源机构: 大半导体产业网 | 点击量:57
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    摩尔定律的延伸受到物理极限、巨额资金投入等多重压力,迫切需要别开蹊径延续工艺进步。而通过先进封装集成技术,可以更轻松地实现高密度集成、体积微型化和更低的成本。封装行业将在集成电路整体系统整合中扮演更重要的角色,也将对产业的格局形成更多影响。随着先进封装的推进,集成电路产业将展现出一些新的发展趋势,有先进封装的集成电路产业样貎将会有所不同。

    先进封装增速远超传统封装

    当前社会正处于新技术与新应用全面爆发的背景下,移动设备、大数据、人工智能、5G通信、高性能计算、物联网、智能汽车、智能工业等快速发展。这些技术与应用必将对底层芯片技术产生新的需求。据麦姆斯咨询的介绍,支持这些新兴大趋势的电子硬件需要高计算能力、高速度、更多带宽、低延迟、低功耗、更多功能、更多内存、系统级集成、更精密的传感器,以及最重要的低成本。这些新兴趋势将为各种封装平台创造商机,而先进封装技术是满足各种性能要求和复杂异构集成需求的理想选择。

    目前来看,扇出型封装(FOWLP/)、系统级封装(SiP)、3D封装是最受关注的三种先进封装技术。扇出型封装是晶圆级封装中的一种,相对于传统封装具有不需要引线框、基板等介质的特点,因此可以实现更轻薄短小的封装。根据IC Insight预计,在未来数年之内,利用扇出型封装技术生产的芯片,每年将以32%的增长率持续扩大,2023年扇出型封装市场规模将超过55亿美元。

    系统级封装可以将一个或多个IC芯片及被动元件整合在一个模块中,从而实现具有完整功能的电路集成,它也可以降低成本,缩短上市时间,同时克服了SoC中诸如工艺兼容、信号混合、噪声干扰、电磁干扰等难题。

    3D封装通过晶圆级互连技术实现芯片间的高密度封装,可以有效满足高功能芯片超轻、超薄、高性能、低功耗及低成本的需求,被大多半导体厂商认为是最具有潜力的封装方法。

    总之,在市场需求的带动下,越来越多先进封装技术被开发出来,先进封装的市场占比将会进一步扩大。统计数据显示,从2017年到2023年,整个半导体封装市场的营收将以5.2%的年复合增长率增长,而先进封装市场将以7%的年复合增长率增长,市场规模到2023年将增长至390亿美元,传统封装市场的复合年增长率则低于3.3%。

    展现三大发展趋势

    随着先进封装技术的发展以及市场规模的扩大,其对于整个集成电路产业结构将产生越来越大的影响。首先是中段工艺的出现并逐渐形成规模。随着传统封装技术向先进封装过渡,有别于传统封装技术的凸块(Bumping)、再布线(RDL)、硅通孔(TSV)等中段工艺被开发出来,并且开始发挥重要作用。中芯长电半导体首席执行官崔东表示,仅靠缩小线宽的办法已经无法同时满足性能、功耗、面积,以及信号传输速度等多方面的要求,因此半导体企业开始把注意力放在系统集成层面来寻找解决方案,也就是通过先进的硅片级封装技术,把不同工艺技术代的裸芯封装在一个硅片级的系统里,兼顾性能、功耗和传输速度的要求。这就产生了在硅片级进行芯片之间互联的需要,进而产生了凸块、再布线、硅通孔等中段工艺。而中段硅片加工的出现,也打破了前后段芯片加工的传统分工方式。

    其次,制造与封装将形成新的竞合关系。由于先进封装带来的中段工艺,封测业和晶圆制造业有了更紧密的联系,在带来发展机遇的同时,也面临着新的挑战。中段封装的崛起必然挤压晶圆制造或者封装测试业的份额。有迹象表明,部分晶圆厂已加大在中段封装工艺上的布局。晶圆厂有着技术和资本的领先优势,将对封测厂形成较大的竞争压力。传统封测厂较晶圆制造业相比属于轻资产,引入中段工艺后,设备资产比重较传统封装大大增加,封测业的先进技术研发和扩产将面临较大的资金压力。

    最后,推动集成电路整体实力的提升。后摩尔时代的集成电路产业更强调产业链的紧密合作,强化产业链上下游之间的内在联系,要求各个环节不再是割裂地单独进行生产加工,而是要求从系统设计、产品设计、前段工艺技术和封测各个环节开展更加紧密的合作。企业对于先进封装业务的竞争,最终还需表现为产业链之间综合实力的竞争。

    中国应加快虚拟IDM生态链建设

    近几年中国集成电路封测产业实现了高速发展,有了长足的进步,然而国内集成电路封测产业链整体技术水平不高也是不争的事实。半导体专家莫大康认为,中国现在非常重视集成电路产业,推动先进封装业的发展就是非常必要的了。中国的封装测试是集成电路三业(设计、制造、封测)中起步最早的,与国际水平差距也比较小,因此完全有能力发展起来。

    华进半导体总经理曹立强在近日的演讲中再次提出,推动国内“EDA软件—芯片设计—芯片制造—芯片封测—整机应用”集成电路产业链虚拟IDM生态链的建设,以市场需求牵引我国集成电路封测产业快速发展。集成电路的竞争最终会表现为产业链之间综合实力的竞争,先进封装的发展需要从工艺、设备和材料等方面的协同。

    在新的技术趋势和竞争环境下,集成电路产业越来越表现为产业链整体实力的竞争。过去几年,国际半导体制造公司纷纷加大力度向先进工艺挺进,在持续大规模资本投入扩建产能的带动下,一些半导体制造大厂同样具备了完整的先进封装制造能力。

    应对这样的产业形势,曹立强指出,重点在于突破一些关键性技术,如高密度封装关键工艺、三维封装关键技术、多功能芯片叠层集成关键技术、系统级封装关键技术等。建设立足应用、重在转化、多功能、高起点的虚拟IDM产业链,解决集成电路产业领域的关键技术,突破技术瓶颈。

    来源机构: 大半导体产业网 | 点击量:56
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    当今世界以互联网、大数据、人工智能为代表的新一代信息技术蓬勃发展。集成电路产业作为现代信息产业的基础和核心产业之一,是关系国民经济和社会发展全局的基础性、先导性和战略性产业。面对世界级的产业发展机遇,杭州正聚焦打造全国数字经济第一城,以集成电路设计业为核心,坚持“整机应用牵引,设计带动制造”的理念发展集成电路产业,现已涵盖设计、制造、封测、材料和装备等全产业链领域。

    产业变革中瞄准战略核心产业

    伴随着新一轮以信息化、智能化为核心的产业革命所带来的生产方式和生活方式的变革,世界范围内对芯片技术要求不断提升,数量需求不断增加。因广阔的发展空间和巨大的市场潜力,集成电路产业已成为各国制造业抢占未来战略竞争优势的核心产业。据WSTS(世界半导体贸易统计)发布的数据,2018年全球半导体市场规模为4780亿美元,其中集成电路4016亿美元。预计到2021年,全球集成电路产业规模将达到5000亿美元。

    早在2013年,习近平总书记曾经批示:“要将芯片产业作为战略性新兴产业,紧抓不放,实现赶超”。2018年,李克强总理在《政府工作报告》中,也将集成电路放在实体经济发展的第一位。

    杭州是最早的8个国家集成电路设计产业化基地之一,经科技部批准于2001年10月成立。经过多年发展,杭州集成电路产业在设计、晶圆制造、封装测试、新型半导体材料和高端大直径单晶硅片大生产线建设、电子化学品生产等领域,都相继上马了一批重大固定资产投资和技术改造项目。

    凭借积累的产业基础和资源优势,杭州已形成比较完整的集成电路产业链,尤其是在芯片特色工艺制造、特殊工艺集成电路设计制造一体化等方面在全国具有较强的优势与综合竞争力,已拥有5条芯片制造生产线。面对产业发展机遇,杭州在不断完善自身实力的同时,也将更有信心参与到国际竞争中。

    聚焦设计杭州城核心区域

    中国集成电路市场需求接近全球1/3,但产值却不足全球10%。2018年,中国进口集成电路4175.7亿个,总金额20584.1亿元(人民币,下同),占中国进口总额的14.6%。同年,中国集成电路产业产值约6648.7亿元,产量为1739.5亿块。预计到2021年,中国集成电路产业总营收将超过8000亿元。

    目前,在集成电路产业的设计、制造和封装测试这三大领域中,集成电路设计业处于产业链的上游,主要根据终端市场的需求设计开发各类芯片产品,兼具技术密集型、人才密集型、资金密集型等特征。2018年中国集成电路设计产业销售为2576.96亿元。

    可以说,集成电路设计产业是整个集成电路产业的智慧中枢。杭州作为浙江省集成电路产业的核心区域,以集成电路设计业为发展核心。全省80%以上的设计企业和90%以上的设计业务收入集中在杭州。2018年杭州集成电路设计产业产值达118.34亿元,增速达57.56%。杭州在嵌入式CPU、微波毫米波射频集成电路、数字音视频等集成电路设计细分领域已经处于中国领先水平,拥有士兰微、国芯科技、晟元、中天微等知名企业。其中杭州士兰微电子股份有限公司是国内唯一一家集成电路芯片设计与制造一体化企业。杭州中天微系统公司是国内唯一一家自主知识产权32位嵌入式CPU供应商。

    政府支持“芯火”平台聚势

    此外,集成电路行业是一个非常需要政府支持引领的产业。2017年9月,杭州发布的《杭州市集成电路产业发展规划》指出,杭州将以集成电路设计业为突破口和主要抓手,打造自主“芯片—软件—整机—系统—信息服务”产业链协同格局,打造从IP、芯片到整机服务的自主技术生态。到2020年底,杭州市集成电路产业主营业务收入力争达到500亿元。2017年12月,浙江省政府出台的《关于加快集成电路产业发展的实施意见》指出,建设以杭州为轴心,北以嘉兴、南以宁波和绍兴为两翼的集成电路设计业金三角。

    除省市两级的政策利好,国家层面也在大力扶持杭州的集成电路产业。2018年3月,全国第五家国家“芯火”双创基地(平台)落地杭州。杭州国家“芯火”平台将在原浙江省集成电路设计公共技术平台的基础上,进一步提升技术服务和产业孵化能力,建成立足杭州、覆盖浙江、辐射周边的集成电路产业创新创业服务平台。为此,在当年7月杭州印发了《进一步鼓励集成电路产业加快发展专项政策》,内容包括扶持重点项目、企业,统筹安排各级专项资金、鼓励金融机构给予信贷优惠等。

    如今,在政府、企业、院校等多方的共同努力下,杭州的集成电路产业取得了累累硕果,特别是集成电路设计业在全国范围内已经形成较大影响力。杭州蕴藏的无限潜力和动能,能够带来裂变式效应,相信很快就能显现。

    来源机构: 大半导体产业网 | 点击量:60
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    2019年9月12日,根据SEMI最新更新的世界Fab厂预测报告,2020年开工建设的新Fab厂项目投资预计将达到近500亿美元,比2019年增加约120亿美元。 见图1。

    总投资额为380亿美元的15个新Fab厂项目将于2019年底开始建设,预计2020年将有18个Fab厂项目开工建设。其中有10个Fab厂项目总投资额很有可能超过350亿美元。另外8个总投资额超过140亿美元,实现的概率很低。

    Figure 1: Total investments (construction and equipment) for new fabs and lines (greenfield, shell, new line) starting construction through 2020

    2019年开始建设的工厂将在2020年上半年开始配备设备,其中一些可以在2020年中时开始提高产能。这些新的Fab厂项目每月将增加超过740,000片晶圆(200毫米晶圆计)。大部分额外产能将专用于代工厂(37%),其次是内存(24%)和MPU(17%)。在2019年的15个新工厂项目中,约有一半用于200毫米晶圆尺寸。见图2。

    Figure 2: Fab Count by wafer size for new fabs and lines (greenfield, shell, new line) starting construction in 2019 and 2020

    预计2020年开工建设的Fab厂项目每月将生产超过110万片晶圆(200毫米晶圆计)。这些晶圆厂和生产线大多数将于2021年开始配备设备。Fab厂每月很有可能将增加650,000片晶圆(200毫米计),每月增加500,000片晶圆(200毫米计)是比较低概率的情况。 大部分产能将用于各种晶圆尺寸的代工厂(35%)和存储器(34%)。

    由SEMI的行业研究和统计小组发布,世界Fab厂预测报告(the World Fab Forecast)涵盖新建、计划中和现有的Fab厂,以及建设和装备,产能扩张和技术节点的Fab厂支出。按季度和产品类型,有超过1,300家前端Fab厂列表。 总而言之,该报告已经进行了192次更新,自2019年6月上一次出版以来增加了64个新工厂和产线。World Fab Forecast还包括对2020年以后开工建设的晶圆厂和产线的预测。

    来源机构: 大半导体产业网 | 点击量:56
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    在爱尔兰都柏林举行的欧洲光通信会议(ECOC 2019)上,光互联网论坛(OIF)的12家成员公司将举办多厂商400ZR,CEI-112G和IC-TROSA的互通测试,成员包括ADVA、安费诺、Cadence设计系统、Credo、Finisar、Inphi、Keysight Technologies、Marvell、Molex、MultiLane、TE Connectivity和山崎电子。

    OIF物理层和链路层互通工作组主席Steve Sekel表示:”让更多的人理解并亲眼看到400ZR,CEI-112G和IC-TROSA这些技术如何实现互通应用,对于构建行业信心,加快行业部署非常重要。”

    400ZR和IC-TROSA演示

    OIF的400ZR项目不仅降低了400GbE 80km DWDM网络的成本和复杂性,而且进了相关器件和互补的应用的发展。IC-TROSA在单个封装内实现了相干所需的所有光学功能。这次展示不仅包括了IC-TROSA的重要特性,也包括了实时的EVM测量。此外一个硬件版本的400ZR演示也将在展台进行。

    CEI-112G演示

    OIF正在制定每差分对112Gbps的电气接口标准,CEI-112G 的展示将包括多家芯片提供商基于匹配的板上通道和DAC直连电缆,共同展示112Gbps操作的可行性,此外还将包括OSFP和QSFP-DD。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:59
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    意法半导体(STMicroelectronics)将为雷诺-日产-三菱联盟即将上市的电动汽车的车载充电器(OBC)提供高效碳化硅(SiC)电力电子设备。ST还将为雷诺-日产-三菱联盟提供相关组件,包括标准硅器件。带有ST碳化硅的车载充电器计划于2021年投入批量生产。

    雷诺-日产-三菱联盟计划利用新的碳化硅动力技术制造更高效、更紧凑的高功率OBC,通过缩短电池充电时间和提高续驶里程,进一步提高电动车的吸引力。ST作为雷诺-日产-三菱联盟选择的SiC技术合作伙伴,将提供设计支持,以帮助优化OBC的性能和可靠性。

    雷诺-日产-三菱联盟已经为雷诺Zoe车型创造了一个22kW的OBC,可以在大约1小时内充满电。现在,升级版OBC利用ST的SiC功率半导体(MOSFET和整流二极管)可以进一步减小尺寸、重量和成本,同时提高能效。

    意法半导体市场营销、传播及战略发展总裁Marco Cassis表示:“SiC技术可以减少车辆对化石燃料的依赖度,提高能源的使用效率,有助于世界环保。ST已成功开发出SiC制造工艺并建立了符合工业标准的商用SiC产品组合(包含汽车级产品)。在长期合作的基础上,我们正在与雷诺-日产-三菱联盟合作,实现SiC给电动汽车带来的诸多优势。此外,该合作项目还将提供性能优越且价格合理的高性能SiC芯片和系统,通过提高规模经济效益以确保取得成功。”

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:61
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    美国UV LED消毒技术公司(AquiSense Technologies)宣布将参与十个航空航天项目。

    2015年,AquiSense被选中参加BIOWYSE,这是属于欧盟“地平线2020计划”的一个项目,致力于下一代载人空间站的设计和测试水监测和处理系统的开发。从那时起,其他几个航空航天项目也在表示需要AquiSense的水处理技术,这些项目包括给私人航天公司提供产品设计和硬件,如Bigelow Aerospace、Thales Alenia Space Italia、KBR Wyle和Aero Sekur,还有多个NASA集团,包括Jet Propulsion Laboratory(喷气推进实验室)、Johnson Space Center(约翰逊宇航中心)和Marshall Space Flight Center(马歇尔太空飞行中心)。这些项目包括如何在空间温室保持生长系统的清洁,减少封闭系统中生物膜形成的维护负担,以及宇航员在国际空间站(ISS)上饮用水的消毒。

    AquiSense Technologies Europe产品开发科学家Rich Simons博士说:“我们在独特环境中对系统的设计和UV-C LED应用的领先知识使我们得到了这些项目,这些类型的应用对我们来说非常令人兴奋,因为它们推动了我们技术的创新,使我们能够更好地了解UV-C LED消毒的可能性和限制。”

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:88
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    Transphorm公司,已宣布推出其首款Gen III PQFN88晶体管。新型650V器件有两种版本:TP65H070LSG(源极片)和TP65H070LDG(漏极片),并提供72mΩ的导通电阻。

    Transphorm声称其Gen III器件(2018年6月推出)作为最高质量,最高可靠性的[Q + R] GaN FET上市。他们将定制设计的低压MOSFET与GaN FET配对,提供:

    更安静的切换;

    在外部电路最小的情况下,电流水平增加时性能更高;

    提高抗噪性(4V时的阈值电压);

    增加栅极稳健性(+/- 20V)。

    Gen III漏极和源极PQFN88封装包括更宽的引脚,可提高板级可靠性(BLR),从而提高多层印刷电路板(PCB)设计的可靠性。提供漏极和源极接头配置还可适应高侧和低侧开关位置。当大焊盘焊接到非开关节点时,这提供了增强的辐射抗扰度。此外,将PQFN88器件添加到现有的第三代TO-XXX FET列表中,使工程师有机会使用Transphorm的最新技术探索GaN驱动的表面贴装应用。

    全球技术营销和北美销售副总裁Philip Zuk说:“我们的重点仍然是提高GaN FET的可靠性,同时提供更高的功率密度。随着市场对高压GaN技术的兴趣持续增长,我们还致力于为客户提供适合各种潜在应用的器件选择。为此,72mΩ源极和漏极PQFN88器件的推出使我们能够在填写现有产品系列时满足所有三个目标。”

    Transphorm指出,高压GaN功率电子产品的采用率正在上升,该公司已宣布多家客户使用各种终端产品[例如服务器和工业电源,游戏PC耗材,便携式太阳能发电机等]。

    650V TP65H070LSG和TP65H070LDG(72mΩ)FET目前的批量为1000片,单价为7.47美元。支持设计资源包括:

    TP65H070L系列数据表;

    TP65H070L系列香料型号;

    1.2 kW半桥降压或升压评估套件[TDHBG1200DC100-KIT];

    TP65H070L半桥子卡[TDHB-65H070-DC];

    '推荐用于Transphorm GaN FET的外部电路'应用说明。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:82
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    德尔福科技(Delphi Technologies PLC)和科锐(Cree)公司宣布合作开发汽车碳化硅(SiC)器件,为未来的电动汽车提供更快、更小、更轻、更强大的电子系统( EV)。

    科锐碳化硅(SiC)基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术与德尔福科技的牵引驱动逆变器、DC/DC转换器和充电器技术的结合,将推动电动汽车(EV)提高行驶里程以扩展驱动范围和缩短充电时间,同时还将减轻重量、节约空间、降低成本。科锐碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)最初将用于德尔福科技为某一全球顶级汽车制造商设计的800V电控逆变器。

    随着汽车产业正在从内燃机向电动汽车(EV)转变,碳化硅(SiC)基功率解决方案的采用在整个汽车市场快速地增长。IHS预计,到2030年,高电压电动轻型汽车将售出3000万台,占全球全部汽车销售的27%。电控逆变器是最具价值的电气化部件之一,其对于汽车性能众多方面都可以带来产业变革性的影响。

    德尔福科技的首席执行官Richard F.(Rick)Dauch表示:“德尔福科技致力于为汽车制造商提供开创性的解决方案,并且我们的合作将为汽车制造商带来巨大的利益,能帮助汽车制造商满足日趋严格的全球排放法规和消费者对电动汽车的需求,消除驾驶员对于电动汽车(EV)行驶里程、充电时间和成本等方面的忧虑,为整个行业带来好处。”

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:82
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    日前,北京大学教授、半导体业资深人士周治平称,中国至少需要“5到10年时间”才能在半导体领域赶上美国、韩国等国家,因为提升整个生态系统需要时间,尤其是在其他国家(在硬件、软件、服务和知识产权方面)实施技术封锁的时候,必须要自己开发出相关的设备、工具和技术。

    长期以来,中国作为全球最大电子产品制造国家与消费国家,电子信息产品的核心半导体元器件以及集成电路高端制造装备和原材料严重依赖进口。现在,随着以美国为首的西方发达国家对中国进口装备与原材料进行严格的审查和限制,禁止中国企业通过市场的方式并购相关企业,甚至直接对中国企业进行禁运,使得中国发展半导体的战略性、迫切性都提高到新的水平。

    在这种背景下,除了以国家大基金以及相关企业为主的国家队外,各地政府、社会资金纷纷加入半导体投资的队伍,数量之多,规模之大,业内担忧有泡沫之嫌。

    半导体行业具有投资大、风险高、周期长、见效慢的特点,是一场马拉松比赛,一旦胜出,就会产生赢家通吃的垄断现象。因此,半导体投资需要耐心和定力,在技术上不断积累,在资金上持续投入。但是,现在如此高门槛的半导体业竟然也成了投资风口,大量地方政府出钱搞半导体项目。半导体投资注定在短期内不可能盈利,因此,只能是政策“风口”,而不会是市场风口。

    最大的问题是,地方政府在投入数亿或数十亿资金购置设备、技术之后,还有没有能力每年持续投入数亿在一项几年内几乎不可能赚钱的项目上?更重要的是,一旦不能持续投入,这些项目就会技术落后,设备几乎不值钱,即使能够成功投产,竞争对手也可以用价格战打击。

    各地政府半导体新上项目一窝蜂式的做法,与传统刺激投资大干快上的做法类似,但半导体是一个具有很高专利门槛的行业,投资的不仅仅是设备,是否有核心技术能力非常关键。因此,在立项时需要评估技术的先进性。

    大部分地方政府重视技术来源,在中国各地竞争式地上项目之际,大量二三线企业将自己落后的技术要出高价。这种情况应该避免。

    大规模资金涌入半导体行业与半导体人才供给不足也形成了冲突,很多地方项目不得不高薪聘请经理人或技术专家,而有限的行业精英人才决定了大多数项目得不到满足,不得不矮子队里选将军。这在以人才为核心竞争力的半导体行业,决定了企业发展的潜力有限。

    当前,中国半导体行业发展不仅受益于“自主可控”带来的机会和市场,更重要的是,从行业发展规律看,目前中国半导体也有弯道超车的有利时机。这是因为,进入5G时代后,半导体行业出现了技术突变,与传统上用于电脑、手机、家电等不同,现在需要解决大数据、自动驾驶、物联网等需求。以芯片为例,人工智能芯片越来越成为新的需求,中国企业在这个领域并未落后很多。5G时代的半导体需求出现爆炸式增长,中国率先进入5G与物联网时代,巨大的市场需求以及技术突变为中国在半导体领域实现弯道超车创造了有利条件。

    但是,中国半导体行业发展不应该是一窝蜂式的,半导体行业与传统制造业不同,它是一个产业链长并以聚集形成完整生态为优势的行业,不是一个地方政府搞一个项目就能振兴半导体业,需要进行科学的产业规划和布局。与此同时,需要时间和耐心,技术积累和创新没有快车道,更没有投机的可能。

    现在,国家大基金作为行业领导者进行了全产业链布局,正在提升成线能力。应该强化在一些优势地区建立专门的集成电路装备产业园区,带动设计、制造、封装、测试等企业扎堆,形成资源和人才的聚集效应,并提升整个产业链条的创新效率。同时,协同下游企业加强国产装备材料以及元器件的应用,为国内产品提升质量提供用户基础。作为一项国家战略,要有细心、耐心,也要集中资金,而不能过于分散。

    来源机构: 摩尔芯闻 | 点击量:417