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    截止5月14日, J11P8H井口负压采气工艺先导试验效果明显, 平均单井增产气量4792方/天, 累计增产气量38336方, 有效提高了低压气井产量, 助力2018年低压气田保产增产工程取得开门红。华北油气分公司目前共有气井1751口, 压力低于4MPa气井占总井数的75.6%, 整体表现为低压特征, 其中56%气井压力已接近管网压力, 井口已无输压空间, 排水采气难度大。一方面、气井压力降低直接影响泡沫起泡和稳泡效果、造成泡排工艺适应性逐渐变差、泡排效果不好、积液减产井增多、限制气井产能发挥; 另一方面、低压气井降压带液频繁、不仅引起压力快速递减而伤害储层、而且大量的天然气直接放空、造成资源的浪费、污染了环境。因此, 急需开展排水采气新工艺试验来释放低压气井产能, 有效保障低压气田长期稳产。

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    中国石化新闻网讯 5月14日, 记者从西北油田分公司生产会议上获悉, 其主力油田塔河油田累产油气当量突破1亿吨大关。截至4月30日, 塔河油田累计生产原油9291万吨、天然气88亿立方米, 折算油气当量1.02亿吨, 创效近千亿元, 成为我国以海相碳酸盐岩油藏为主的油气当量1亿吨油田。西北油田分公司相继发现雅克拉、阿克库木、塔河油田等8个层系10多个油气田, 其中塔河油田是该公司的主力油田塔河油田是我国首个海相碳酸盐岩大油田, 1997年发现以来探明原油储量达13.8亿吨, 年产油能力约600万吨, 是中国石化第二大油田。

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    5月15日, 从中石化科技部传来喜讯, 西北油田《缝洞型油藏堵水关键技术研究及规模应用技术》被中石化科技部鉴定, 已国际领先水平。该技术体系填补世界缝洞型碳酸盐岩油藏大尺度空间选择性封堵的技术空白。井周通道识别难、高温高盐环境下大尺度空间封堵难以及堵不住和堵太死的工艺难题, 是碳酸盐岩缝洞型油藏堵水的三大世界级难题该油田经过5年的研究攻关, 取得了巨大的突破首创了缝洞型油藏井周出水通道识别技, 研发了适用不同通道类型的耐温抗盐选择性堵剂, 创新了形成缝洞体系自适应堵漏及逐级注入工艺和系统集成基于矿场应用的多因素堵水决策技术。

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    中国石化新闻网讯记者王孝祥黄勇报道: 5月10日至12日, 全国页岩气勘探开发学术研讨会在成都召开。中国工程院党组书记李晓红, 中国工程院院士、集团公司副总经理马永生出席并作专题报告会议以 "页岩气勘探开发创新与发展" 为主题、交流学术报告32个、13位中国科学院和中国工程院院士、以及国内有关大学、研究院 (所) 和企业的教授、专家、技术人员共260人参加研讨。据了解, 我国自2009年开始钻探页岩气以来, 勘探成果十分显著, 形成了涪陵页岩气开发区和长宁威远、昭通页岩气开发区, 建成产能超过100亿立方米, 2017年页岩气产量超过90亿立方米, 近期还在四川盆地及周缘的丁山、永川、大足、武隆及中扬子宜昌等地区海相页岩气勘探取得新发现。

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    "油" 是安身立命根本 "气" 是未来发展希望。今年前4个月, 大庆油田累计生产天然气15.85亿立方米, 同比上年再创新高, 为大庆油田全年完成天然气产量43亿立方米夯实基础。 通过 "措施挖潜增一点、生产用气省一点、化工用气限一点、调峰用户停一点、错峰运行削一点" 等具体措施, 大庆油田在今年4月中旬圆满完成了冬季保供任务, 得到了国家发改委的通报表扬。 今年年初以来, 大庆油田天然气开发系统坚持强化顶层设计, 超前谋划, 周密部署, 统筹协调产、供、销各环节存在的矛盾和问题, 多措并举挖潜力, 实现了天然气总产量的持续增长和经济效益的稳步提升。仅一季度, 大庆油田已累计生产天然气12.18亿立方米, 同比增长13.26%, 完成年度计划的29.19%; 销售天然气7.59亿立方米, 同比增长113.61%, 完成年度计划的27.9%, 继续保持产销两旺的良好态势。

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    美国油服公司贝克休斯 (贝克休斯) 周五 (5 发表11日) 公布数据显示, 截至5发表11日当周, 美国石油活跃钻井数增加10座至844座, 3 月初以来首次连续六周录得增长, 续刷2015失落3月来新高。去年同期美国石油活跃钻井数为712座。 其中超过半数的钻井数是来源于二叠纪盆地, 本周增加5座至463座, 为2015失落1月来最高。美国能源信息署 (EIA) 预期5月二叠纪盆地原油产量将增加至纪录新高的近320万桶/日, 约占全面产量的三成。 更多数据显示, 截至5发表11日当周美国石油和天然气活跃钻井总数增加13至1045座。

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    5月14日, 消息人士称, 道达尔或将退出伊朗SouthPars天然气项目 (中国石油天然气集团有限公司 "以下简称") 中国石油, 有望获得道达尔离开后留下的权益, 控制SouthPars天然气项目80%以上的股份。 中国石油相关负责人在接受北京商报记者采访时表示, 对于此事不予评论 资料显示, SouthPars天然气项目位于波斯湾海域, 是世界上最大的气田之一, 于上世纪80年代开始开发, 总储量为240万亿立方英尺, 可生产液化气30亿桶, 目前开采量为6亿立方米/日。 2017年7月, 法国道达尔集团牵头与中国石油、伊朗Petropars合作开发SouthPars气田道达尔持有该项目50.1%的股权; 中石油目前持有该项目30%的股权; 伊朗Petropars持有余下19.9%的股权, 合同期限20年, 价值约48亿欧元。该项合作是西方国家取消对伊朗的禁令后, 外国石油公司首次与伊朗签订的石油开发合作协议。

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    美国宣布退出伊朗核协议已经有几天时间了, 伊朗的欧洲买家仍在继续购买伊朗石油。但一些炼油厂及贸易商表示, 融资问题可能会阻止他们与伊朗的石油贸易 美国退出伊朗核协议后, 美国针对伊朗的石油销售, 在180天的缓冲期后重新对伊朗实施制裁。 前台2012年对伊朗实施制裁后, 伊朗石油产量大幅下降。但2016年制裁取消后, 伊朗石油产量大幅反弹。 因美国给欧洲180天的缓冲期, 欧洲买家并没有急于立即取代伊朗的石油供应。预计制裁将于今年11月生效。所有的买家都表示, 他们目前已在遵守美国对伊朗贸易实施的任何制裁, 未来也将如此。一些买家预计, 银行业问题可能因制裁而产生, 比如获得贸易融资的问题。

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    根据美国国家科学基金会(NSF)科学和工程指标2018年发布的报告,美国是全球科技领先的国家。然而,随着其他国家——尤其是中国——继续崛起,美国在全球科技活动中的份额正在下降。

    国家科学委员会(NSB)是国家科学基金会的理事机构,每两年发布一份国会授权的美国科学与工程(S&E)企业报告。2018年的报告显示,美国在研发方面的投资最多,吸引了最多的风险投资,获得了最先进的学位,提供了最多的商业、金融和信息服务,并且是高科技制造业的最大生产商。这份完整的报告涵盖了国内和全球科学和工程领域的数据,可在网上找到。

    NSF的主管法国科多瓦说:“NSF的科学和工程指标是美国科学和工程企业在国内和国际上表现的最高质量和最全面的信息来源。”2018年的报告提供了大量容易获取的、重要的数据。它为科学和工程研究和发展如何与经济和劳动力发展以及STEM教育在美国和国外的关系提供了深刻的见解。

    “今年的报告显示了一种趋势,即美国仍以许多科技措施领先,但在某些对我们国家很重要的领域,我们的领先地位正在下降,”NSB主席、麻省理工学院(Massachusetts Institute of Technology)研究副主席Maria Zuber说。“这一趋势引起了人们对我们经济和劳动力的影响的担忧,并对我们的国家安全产生了影响。”从基因编辑到人工智能,科学的进步伴随着固有的风险。我们必须站在科学的最前沿,以减轻这些风险。

    中国的经济增长继续以超常的速度增长。

    研发支出反映了一个国家对扩大科技能力的承诺,而这反过来又推动了创新。虽然美国在研发支出方面的领先世界为4.96亿美元(占全球总份额的26%),但中国在这一领域的排名第二,达到了21%(4080亿美元)。自2000年以来,中国的研发支出迅速增长,平均每年增长18%。它的重点主要是发展而不是基础或应用研究。与此同时,美国的研发支出仅增长了4%。尽管新兴经济体的起点较低,因此增长速度会更快,但中国的增长率是例外的。

    2016年,支持新兴技术商业化的风险投资总额超过1300亿美元。尽管美国吸引了最多的投资(近700亿美元),占全球总投资的一半以上,但26%的风险投资资金流向了中国。中国的风险投资从2013年的大约30亿美元上升到2016年的340亿美元,从全球份额的5%上升到27%,这是任何经济体中增长最快的。

    知识和技术密集型产业是全球经济的重要组成部分,科技密集型产业是全球经济的重要组成部分,占全球国内生产总值(GDP)的近三分之一。美国在提供商业、金融和信息服务方面领先,占全球份额的31%,其次是欧盟(EU),占21%。中国是这些服务的第三大生产国(占全球份额的17%),并且继续以比美国和其他发达国家更快的速度增长(19%年增长率)。美国是全球最大的高科技制造国(占全球份额的31%)。这包括飞机和航天器、半导体、计算机、制药和测量和控制仪器的生产。中国位居第二,为24%,比过去10年增加了一倍多。

    高等教育提供了在知识密集型的全球经济中所需要的先进的工作技能。根据最新的估计,美国获得了世界上最大的科技博士学位(40000),其次是中国(34000)、俄罗斯(19000)、德国(15,000)、英国(14000)和印度(13000)。相比之下,美国的学士学位却落后了。2014年,印度获得了超过750万的科学学士学位,其中印度获得了25%的学位,紧随其后的是中国(22%)、欧盟(12%)和美国(10%)。在中国获得的所有学位中,有近一半是在科技领域。自2000年以来,中国颁发的S&E学士学位数量增长了300%。

    在过去的二十年里,学生们的流动性越来越强,越来越多的国家开始为他们作为科技工作者的潜在雇员而竞争。美国的国际学生人数在2016年秋季和2017年秋季之间下降,在计算机科学(13%下降)和工程(下降8%)的研究生水平上降幅最大。国际学生占美国计算机科学和工程专业毕业生人数的57%以上,这些学生是这些高需求领域美国劳动力的重要组成部分。百分之七十九的外国博士研究生在完成学位后选择留在美国工作。

    企业领导美国研发

    到目前为止,商业领域是美国最大的研发者。在2015年总计4950亿美元中,占72%。多年来,企业研发业绩的年度增长,在美国总体研发的增长中占了很大比重。在这三种主要的研发类型中——基础研究、应用研究和实验开发——企业在应用研究领域的领先地位(总计970亿美元)和实验开发(总计3140亿美元的88%)。高等教育机构继续在美国基础研究中占有最大的份额(总计830亿美元)。

    商业部门在研发投资方面也处于领先地位,2015年的研发投资占全国总投资的67%(3330亿美元)。与此形成鲜明对比的是,联邦政府在2015年达到了历史最低点,为美国提供了24%的资金。联邦政府曾是研发的主要投资方(1964年为67%)。这种下降主要是由于商业部门的研发投资增长更快。此外,自2011年以来,联邦政府资助的研发一直处于下降趋势(从2011年的1270亿美元到2015年的1200亿美元)。

    尽管如此,联邦政府仍然是基础研究的最大资助者(369亿美元,占总份额的44%),是创新研究和科学、技术、工程和数学(STEM)劳动力培训的主要动力。2015年,商业部门占了227亿美元(占总份额的27%)。

    研发——基础、实验和应用——是推动美国商业发展的动力。我们将基础和实验研究成果转化为实际应用的能力是传奇的素材,”bb0的NSB成员、副总裁兼首席互联网布道者文顿·瑟夫说。“如果我们不能采取强化这一无限机会的政策,我们就有可能继续获得美国企业的成功。”是时候扭转联邦研究支持的下降趋势,重振美国的创新精神了。

    ———文章发布于2018年1月18日

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    技术创新既需要对过去的理解,也需要对未来有清晰的展望——正如memristive devices的发展所阐明的那样。

    这个月标志着惠普实验室的研究人员报告了10年。乍一看,他们的单片纳米级记忆装置就像一个普通的双端电阻,但仔细观察就能发现更复杂的东西。横截面视图显示设备的三层:一层由二氧化钛夹在两个铂电极之间的“存储”层。这种内部存储层可以通过电刺激进行动态的重新配置,这种重构会产生一种记忆效应,设备的阻力取决于流经它的电流的历史。至关重要的是,一旦电源被移除,这个程序状态就不会消失。这种无源器件的功能不能被任何基本的双端电路元件(电阻、电容和电感器)的任何组合所复制,因此,它被标记为丢失的电路element2。

    忆阻器的历史是迷人的,而且是长久的。在本期《自然电子》(Nature Electronics)杂志的逆向工程专栏文章中,Leon Chua解释了如何在1964年的普渡大学(Purdue University)修改过时的电路分析课程,让他第一次提出了这个装置。在1971年,Chua报告了他对一种装置的预测,这种装置的行为就像一个带有记忆的非线性电阻,然后他将其称为记忆体(记忆和电阻器的收缩)。37年后,由r·斯坦利·威廉姆斯(R. Stanley Williams)领导的惠普实验室(Hewlett Packard Labs)的团队将他们的实验观察与Chua的理论预测联系在一起,发现了第四种基本电路元素。

    虽然这个基本的叙述——一个长期的理论概念和实验确认的例子——是有吸引力的,但记忆装置的历史更复杂。对非易失性的电阻转换的研究——换句话说,是记忆性行为——早在1960年就开始了。值得注意的是,对这种行为的研究可以追溯到1800s4早期,因此比电阻器(1827年的欧姆)和电感器(1831年的法拉第)都早。

    一项新兴技术最初被抛弃或遗忘的原因可能有很多。对早期的记忆技术来说,时机很可能是一个问题:20世纪70年代,硅技术和数字计算革命取得了巨大进展。只要硅技术继续取得重大进展,人们就不太可能把注意力集中在记忆技术上。

    最近,硅技术的进步已经减弱,对记忆技术的兴趣也在增强。魏鲁和他的同事们在基于记忆系统的电子产品的未来上撰文指出,记忆技术可以在三个方面有所帮助:芯片内存和存储,内存计算,以及生物激发的计算。以电阻性随机存取存储器的形式,密集封装的memristive devices可以直接集成在处理器芯片上。这样的配置可以通过消除处理器和内存之间的缓慢和能量密集型的芯片外通信来提高整体的能源效率和计算速度。内存中的计算采用了将处理器和内存之间的通信减少到极点的想法,创建了在计算和内存之间没有物理分离的系统。通过神经形态计算系统,记忆装置被设计成模拟生物突触和神经元。

    正如鲁和他的同事所解释的那样,记忆装置具有许多对电子产品有利的特性。它们可以按比例缩小到低于10 nm的特征尺寸,保持记忆状态数年,并使用纳秒级的时间尺度转换。此外,这些设备可以提供长时间的写擦力,并且可以使用低电流的水平来编程(关于纳米安培的顺序)。然而,作者也承认,将上述所有属性结合起来的单一材料系统仍然难以捉摸。

    对于任何设备的技术开发来说,关键是要了解管理其操作的底层流程。在设备层面,近年来已经获得了相当多的关于内存转换的见解,主要是由于开发了高级的特性工具,可以探测驱动转换的过程。在这一期的一篇评论文章中,Yuchao Yang和Ru Huang研究了在氧化物记忆电阻器中用于描述记忆转换的不同技术,并基于每种方法的相对优势和弱点,提出了对这些器件进行物理表征的一般框架。

    对记忆行为的研究超越了威廉姆斯及其同事在惠普实验室的工作,而对过去的了解当然是研究中必不可少的。但观察(或重新观察)的价值是什么,却没有意义?威廉姆斯和他的同事们,以蔡美儿37年前的富有想象力的洞察力为基础,重建了记忆技术,并激发了新一代的研究人员去追求这项技术。在2008年的论文中,惠普实验室的研究小组建议,记忆电阻器可以用来传递诸如“ultradense,半非易变的记忆和学习网络,需要类似突触的功能”的应用。今天,这些应用程序exist5。它往往既是对过去的理解,也是推动创新的未来的清晰愿景。

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