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  • 摘要:

    美国NeoPhotonics Corp(新飞通)公司宣布已向一位领先的云相关客户提供了其新的400ZR ClearLight OSFP收发器的样品。该产品利用NeoPhotonics的硅光子相干光学组件(COSA)和低功耗,超窄线宽Nano-ITLA可调激光器,并结合了最新一代的7nm节点数字信号处理(DSP)技术,可提供完整的400ZR传输,采用标准数据中心OSFP外形封装,可直接插入交换机和路由器。该公司表示,通过消除网络设备层和一组短距离客户端收发器,这大大简化了数据中心互连(DCI)网络并降低了成本。

    NeoPhotonics指出,随着超大规模云架构已从集中的数据中心演变为分布在城市区域的多个位置,对相距不超过120公里的数据中心之间无缝互连的需求急剧增长。 ClearLight OSFP收发器直接插入交换机或路由器的前面板,以与一个数据中心内部的连接几乎相同的方式在城域距离上提供400G连接。符合OIF 400ZR实施协议,并且可以与使用标准前向纠错(FEC)编码器和解码器的其他制造商的400ZR模块互操作。

    ClearLight OSFP模块是使用NeoPhotonics内部生产的集成相干光学解决方案构建的,包括新的紧凑型低功耗Nano-ITLA和硅光子COSA。根据OIF协议的规定,这种新的OSFP模块能够调谐到75GHz或100GHz间隔的波长信道,并以400ZR模式运行,适用于Cloud DCI应用。对于更长距离的地铁,该模块设计为支持400ZR +模式。NeoPhotonics还提供阵列波导光栅,在75GHz和100GHz波长通道间隔进行复用和解复用,分别支持85和64个通道,并针对高波特率相干信号优化了滤波器响应。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:109
  • 摘要:

    提供电路保护技术的Littelfuse 公司推出了栅极驱动评估平台(GDEV),用于评估碳化硅MOSFET,碳化硅肖特基二极管和其他外围组件(如栅极驱动器电路),以便设计人员更好地了解碳化硅技术在连续工作条件下如何在转换器应用中发挥作用。

    与大多数其他SiC评估平台不同,GDEV提供快速连接插头引脚端子,可以快速而一致地比较不同的栅极驱动电路。 GDEV支持800V直流链路输入电压和高达200kHz的开关频率。

    GDEV的典型市场和应用包括:汽车EV / HEV充电站、工业电源、数据中心服务器、电信基站、太阳能/风能逆变器。

    Littelfuse表示,Gate Drive评估平台使用户能够:

    评估碳化硅功率MOSFET和二极管在额定电压和额定电流下的连续运行,为负载提供有功功率;

    分析与基于SiC的设计相关的系统影响,包括效率提高、EMI排放和无源组件;

    在定义明确且已优化的测试条件下比较不同栅极驱动器解决方案的性能;

    在连续工作条件下测试栅极驱动器电路,以评估栅极驱动器的热性能和EMI抗扰性。

    Littelfuse功率控制总监Corey Deyalsingh说:“栅极驱动器评估平台(GDEV)是碳化硅技术产品组合的重要拓展。GDEV可帮助工程师了解碳化硅器件的工作特性。 通过利用此评估平台,设计师将能更好地了解碳化硅技术带来的难以置信的节能机会。 掌握这些知识之后,我们预计设计师将更有可能将碳化硅纳入他们的未来设计中。”

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:113
  • 3   2020-01-19 硒化铟扩大了2D结构材料的应用 (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    英国,西班牙和葡萄牙的研究人员发现,二维(2D)硒化铟(InSe)具有优先在平面内的红外发射,可能是由于于激子-束缚的电子-空穴对-偶极矩的面外取向引起的。这个发现会扩展2D光电的功能。

    其他2D半导体往往具有激子,其偶极子直接在面内(IP),且发射方向指向半导体平面之外。平面内偶极子定向对于通过垂直结构将辐射耦合输出是理想的。然而,对于平面内光子波导电路,平面外取向更为有用。

    这些材料的2D性质是通过从块状材料到逐渐变薄的层到单层(ML)来实现的。对厚90nm的InSe层上的光致发光(PL)的光的偏振和方向性的研究表明,激子发射的面外偶极分布为97%。实验的基材是硅上的105nm二氧化硅层。将薄片厚度减小到8nm,二维InSe的面外分布显示为95%。与90nm的薄片相比,从1.244eV发射的5meV的发射发生了蓝移。蓝移归因于2D量子限制增加了有效带隙。

    研究人员还研究了MoSe2和WSe2,因为可能存在“灰色”平面激子,其状态分裂导致允许和禁止的跃迁。具有高NA(数值孔径)物镜的ML WSe2和WS2的低温PL测量表明,灰色激子对发射的PL信号有显着贡献,这使得这些半导体的低温PL并非仅来自于半导体。平面偶极子,但来自平面内和平面外偶极子的组合。但是,仍然没有定量,明确地确定灰色激子对W基TMD室温PL的贡献。实验表明,对于WSe2,室温下的面内贡献实际上是100%。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:109
  • 摘要:

    英国兰开斯特大学的研究人员展示了他们发明的新型存储设备,非易失性储存器,这将改变计算机、智能手机和其他设备的工作方式。新的NVRAM器件消耗的功率非常小,其速度与DRAM一样快,但仅消耗了NAND或DRAM存储器写入位所需的能量的1%。

    将单个存储单元以阵列的方式连接在一起以制造RAM,并预测这种芯片与DRAM的速度性能相匹配,但效率要高出100倍,并且具有非易失性的优势。由于砷化铟(InAs)和锑化铝(AlSb)具有非凡的能带偏移,因此实现了非挥发性,从而提供了较大的能垒(2.1 eV),可防止电子逃逸。根据仿真结果,提出了一种NVRAM体系结构,该体系结构由于用于写入和擦除的量子力学谐振隧道机制而可预测极低的干扰率。

    新的非易失性RAM(NVRAM)被称为“ULTRARAM”(一种利用量子现象以发挥其操作优势的复合半导体电荷存储存储器)。这款储存器结合了DRAM和闪存的优点,其速度与DRAM一样。Lancaster团队表示,它已通过利用共振隧穿的量子力学效应解决了通用存储器的悖论,该效应使势垒可以通过施加小电压从不透明切换为透明。

    这项工作还提出了一种用于存储单元的读出机制,该机制应将逻辑状态之间的对比度提高许多数量级,从而允许将单元以大阵列连接。它还表明,谐振隧道势垒的不透明性和透明性之间的急剧过渡促进了具有高位密度的高度紧凑的体系结构。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:111
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    波兰华沙电子技术研究所最近在进行分子束外延(MBE)项目,研究人员在该项目中专注于优化利用MBE技术生长的磷化铟(InP)基量子级联激光器(QCL)的生长条件。

    为此,波兰华沙电子技术研究的Riber Compact 21T MBE系统配备了德国柏林LayTec AG的EpiTT 3W工具,以对表面形态和层厚进行原位分析。EpiTT可在950nm、633nm、405nm波长下提供反射率。

    在这些相当厚的波导层生长期间,尤其是在405nm和633nm处,通过EpiTT原位测量工具测量的反射率对缺陷驱动的表面形态变化高度敏感。实验数据显示,在520°C的生长温度下,所有三种折射率信号均明显下降,并且验证了在480°C的最佳生长条件下,波导层的表面保持光滑。LayTec指出,使用新配方生长的QCL显示出较低的阈值电流并大大提高了斜率效率。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:111
  • 摘要:

    1月9日消息,据国外媒体报道,日本昭和电工日前宣布,计划建设上海第二工厂,增产半导体材料。昭和电工株式会社(简称昭和电工)表示,为了强化电子材料用高纯度气体事业,决定在上海的生产基地-上海昭和电子化学材料有限公司(以下简称“SSE”)的旁边取得第二工厂建设用地,建设高纯度一氧化二氮和高纯度八氟环丁烷的生产设施,以及高压气体危险品仓库。第二工厂拟于2021年下半年投产。 上海第二工厂计划面积约10,000平方米,计划高纯度一氧化二氮年生产能力1,000吨,计划高纯度八氟环丁烷年生产能力600吨。 高纯度一氧化二氮主要是半导体及显示屏制造时的氧化膜的氧来源的特种气体,高纯度八氟环丁烷主要是这种氧化膜的微细加工(蚀刻)时的特种气体。 昭和电工表示,由于5G等信息通信领域的发展,预计今后中国大陆的半导体及显示屏市场(有机EL电视机等)将会扩大。 另外,昭和电工还表示,由于预计中国台湾地区的半导体市场同样也会扩大,本公司的现地生产子公司“台湾昭和化学品生产股份有限公司”也将新建年产150吨高纯度八氟环丁烷的生产设施(计划2020年春投产)。本次在上海和台湾的投资总额约为30亿日元(约合人民币1.9亿元)。 目前,昭和电工在川崎事业所和韩国基地生产高纯度一氧化二氮,并在川崎事业所和上海基地(SSE第一工厂)生产高纯度八氟环丁烷。

    来源机构: 大半导体产业网 | 点击量:531
  • 7   2020-01-16 美国科学家创造出全球首个活体机器人 (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    1月14日消息 全球首个活体机器人诞生了!美国佛蒙特大学计算机科学家和塔夫茨大学生物学家共同创造出100%使用青蛙DNA的可编程的活体机器人xenobots,这项最新的研究结果已经于2020年1月13日在美国国家科学院院刊上发表。

    这些机器的名字来源于非洲爪蛙(Xenopus laevis),这也是为其提供干细胞的青蛙种类,机器人的宽度不到一毫米(0.04英寸),能按照计算机程序设计的路线移动,还能负载一定的重量,可以在人体内部移动。他们可以步行、游泳,没有食物也可以生存数周,并且可以一同合作工作。

    佛蒙特大学说,这些是“完全新的生命形式”。

    干细胞是非专业细胞,具有发展为不同细胞类型的能力。研究人员从青蛙胚胎中刮取了活的干细胞,并使其孵化。然后,根据佛蒙特大学的新闻稿,这些细胞被切割并重塑成由超级计算机设计的特定“身体形态”,即“自然界从未见过的形态”。

    然后这些细胞开始孵化,皮肤细胞形成机器人的整体结构,而心肌细胞进行搏动使机器人能够自行移动。Xenobot甚至具有自我修复功能,当科学家把它们进行切割时,机器人会自行愈合并继续移动。

    佛蒙特大学的首席研究员之一约书亚·邦加德(Joshua Bongard)在新闻稿中说:“这些都是新颖的活体机器。”“它们既不是传统的机器人,也不是已知的动物物种。它是一类新的人工制品:一种活的可编程生物。”

    Xenobot机器人看起来不像传统的机器人,它们没有闪亮的齿轮或机械臂。取而代之的是,它们看起来更像是一团移动的肉团。研究人员说,这是有意的,这种“生物机器”可以实现钢铁和塑料机器人通常无法做到的事情。

    研究人员在周一发表于《美国国家科学院院刊》上的研究中说,传统的机器人“随着时间的流逝会退化,并可能产生有害的生态和健康副作用。”而生物机器人对人类健康更环保,更安全。

    这些生物机器人预先装载了自己的脂质和蛋白质沉积物食物来源,使它们能够生存一周以上的时间,但它们无法繁殖或进化。但是,在营养丰富的环境中,它们的寿命可以长达几周。

    这项研究表明,这种活体机器人有可能被用于许多任务,该研究部分由美国国防高级研究计划局提供资金,该局是监督军事技术发展的联邦机构。Xenobots可用于清除放射性废物,在海洋中收集微塑料,在人体内部运输药物,甚至进入我们的动脉以清除斑块。活体机器人可以在水性环境中存活几天甚至几周,而无需额外的营养,这使它们适合体内药物输送。

    除了这些直接的实际任务,活体机器人还可以帮助研究人员更多地了解细胞生物学,从而为人类健康和长寿的未来发展打开大门。

    研究人员说:“如果我们可以按需制作3D生物形式,我们可以修复先天缺陷,将肿瘤重编程为正常组织,在外伤或退行性疾病后再生并战胜衰老。”这项研究可能“对再生医学产生巨大影响(构建身体部位并诱导再生)。”

    来源机构: 大半导体产业网 | 点击量:334
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    12月13日 讯 - 前几日,英特尔的制造工艺路线被披露,虽然ASML擅自在路线图中增加了7nm、5nm、3nm、2nm和1.4nm的标注,但总体2年一次更替的摩尔定律仍在进行之中。

    而在目前最新的消息显示,英特尔(Intel)最近招揽了前格芯(GlobalFoundries)CTO、前IBM微电子业务主管Gary Patton博士。当然,为了做好新的CPU/GPU架构,Intel还批量挖走了Raja Koduri、Jim Keller等一大批业界牛人。

    目前来说,格芯已经改变了投资策略,取消了7nm、5nm的工艺研发,专注进行14/12nm方面工艺和专用性的22FDX、12FDX。所以Gary Patton这样的人才仍然可以再一线研发对他来说是一件好事。

    目前来说,在晶圆厂之战已变为“三分天下”的格局,这三家分别是英特尔、台积电、三星。

    英特尔方面,日前报道中爆料的2年一更新的制程之路来说,虽然这是一个乌龙事件,但这是第一个被ASML爆料出的1.4nm工艺。当然,英特尔还强调了在每个流程节点之间,将会有迭代的+和++版本,以便从每个流程节点提取性能。但在EUV方面,仍然需要至2021年才会上EUV设备。

    台积电方面,众所周知在EUV工艺上属于“熟练掌握”的玩家,诚然晶圆厂在标注制程方面通常也会使用一些技巧导致台积电7nm工艺与英特尔10nm工艺性能并无二异。但单纯从数字上面来看,目前台积电已在5nm方面进入量产倒计时,3nm与2nm已提上了日程并且远比英特尔要早。不过有了之前的经验,或许性能方面仍然不会有差别。

    三星方面,则稳扎稳打,从14nm、10nm、7nm、3nm四个主要节点进行规划,而在3nm节点以后,三星要放弃FinFET转向GAA晶体管,3GAE工艺和3GAP工艺的优化改良之路还远矣。

    摩尔定律的2年一更新仍然在持续之中,而如若走在在1nm制程以下,摩尔定律该如何继续延续,这将成为一个严肃的问题。

    来源机构: 摩尔芯闻 | 点击量:259
  • 摘要:

    在比利时的纳米电子研究中心上,Imec展示了III-V-on-Si和GaN-on-Si作为CMOS兼容技术的潜力,使射频前端模块能够应用于5G以外的应用。

    为使射频前端模块应用于5G以外成为可能,Imec探索了与CMOS兼容的III-V-on-Si技术。Imec正在研究前端组件与其他基于CMOS的电路的集成,以降低成本和外形尺寸,并使新的混合电路拓扑能够解决性能和效率问题。Imec正在探索两条不同的路线:第一条是硅上的磷化铟(InP),针对毫米波和100GHz以上的频率。第二条是硅上的GaN基器件,针对较低的毫米波波段,并满足需要高功率密度的应用。对于这两种途径,Imec在已经获得了具有令人满意的性能特征的首个功能性设备。

    已经证明在300mm硅上生长的功能性GaAs / InGaP HBT器件是实现基于InP的器件的第一步。通过使用Imec独特的III-V纳米脊工程(NRE)工艺,获得了位错密度低于3x106cm-2的无缺陷器件堆栈。据说该器件的性能大大优于参考器件,因为它在带有应变松弛缓冲层(SRB)的硅基板上制造了GaAs。

    此外,通过比较三种不同的器件架构 HEMT、MOSFET、MISHEMT,制造了基于200mm硅的CMOS兼容GaN / AlGaN基器件。结果表明,MISHEMT设备在设备可扩展性和高频操作的噪声性能方面优于其他设备。对于300nm的栅极长度,获得了大约50/40的fT / fmax峰值截止频率,这与报道的SiC上GaN器件一致。除了进一步进行栅极长度定标外,以AlInN作为阻挡层材料还存在进一步性能改善的可能,从而将器件的工作频率提高到所需的毫米波波段。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:371
  • 10   2020-01-12 氮化铟镓发光二极管中的热降 (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    美国Soraa 公司表示,在氮化铟镓(InGaN)发光二极管(LED)的研究中发现,外部量子效率(EQE)的热下降主要是由传输效应引起的,例如载流子过冲。

    热降是指结点通过高温运行或由于连续运行的设备中不良的散热(焦耳加热)导致的加热时效率的损失。这与电流下降相反,后者是指高电流注入时的效率损失。

    先前报道的温度依赖性效应可归因于两个因素,一个是在异质外延样品中,其他与位错相关的效应可能导致不同的热活化。另一个是以前的研究从EL(电致发光)测量中得出了寿命,在这种情况下,重组效应和传输效应没有被解开。研究小组的测量直接探测了低缺陷材料中的有效区域重组,因此可以更直接地了解热降的本质。

    因此,LED的EL性能下降是由于器件有源QW区域的复合问题引起的。 SQW LED由30nm p-i-n结构和AlGaN电子阻挡层组成。组装LED时,将芯片倒装到银色p触点上。银接触的一个目的是高光提取效率,大概是通过反射回到设备顶部来实现的。热下降归因于传输效应。研究人员进行了一项时间分辨的研究,该研究可以测量QW中的载流子逃逸时间,指数温度依赖性与热电子发射一致。

    MQW结构可减少从有源区到p接触区的逸出。 产生捕获时候,可能还会产生补偿效应。这种补偿可以部分解释HC的性能。SQW LED在100°C下的峰值EQE相对下降了15%,而MQW结构下降了5%。下降不受载波扩展影响,因为它是考虑的峰值EQE,而与电流无关。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:271