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  • 1   2019-05-25 Aixtron第一季度的毛利率和盈利超出预期 (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    2019年第一季度,德国的沉积设备制造商Aixtron SE报告收入为6870万欧元,比上一季度的8790万欧元下降了22%,但比去年同期的6240万欧元增长了10%。总裁Bernd Schulte博士表示2019年第一季度的业务发展符合预期,并且对核心市场的中期和长期积极评估没有任何变化。

    具体而言,设备收入为5610万欧元,比去年同期的5080万欧元增长10%(增长81%至总收入的82%)。与此同时,备件和服务的收入从一年前的1160万欧元增长到了1250万欧元,增长了0.9%。

    根据2019年第一季度的业绩和对需求发展的内部评估,Aixtron维持其在2月份的年度报告中对2019年全年的预测。因此,与2018年相比,该公司预计销售发展将继续保持稳定增长。根据Q1 / 2019年度的结果,目前对订单情况和预算汇率的评估为1.20美元/欧元,Aixtron预计2019年全年的订单为220-260万欧元(低于2018年的3.025亿欧元)。这包括OLED客户对大规模测试系统的预期订单,作为OLED显示器行业OVPD技术持续认证过程的一部分。预计销售收入为2.6-2亿欧元(2018年为2.688亿欧元),Aixtron预计毛利率为35-40%(低于2018年的44%),息税前利润为8-13%(低于15%)。此外,该公司应该产生1500万至2500万欧元的自由现金流(从2018年的440万欧元起)。对2019年的期望包括APEVA子公司的业绩,包括继续OLED开发活动的所有必要投资。

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  • 2   2019-05-25 超纯氮化硼产生的热导率是铜的两倍 (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    布里斯托尔大学设备热成像与可靠性中心(CDTR)教授Martin Kuball领导的团队发现,制造出了超纯氮化硼,并证明其具有高导热性。第一次导热率550W / mK为铜的两倍,这一发现为更安全、更高效的电子设备铺平了道路,包括移动电话、雷达甚至电动汽车(通过控制硼同位素浓度调节六角形氮化硼的导热系数)。

    Martin Kubal:“大多数半导体电子产品在使用时都会发热,温度越高,他们降级的速度就越快,他们的表现也就越差,随着电子设备的广泛运用,找到可吸收余热的高导热性的材料变得越来越重要。氮化硼是一种这样的材料,预计其导热系数为550W / mK,是铜的两倍。然而,目前所有测量结果似乎都表明它的导热系数要低得多大约为220-420WmK,通过使这种材料'超纯',我们能够首次证明其具有非常高的导热能力。具体而言,对于单同位素10B h-BN,测量的面内导热系数高达585WmK在室温下,比具有无序同位素浓度的h-BN高约80%(52%:10B和11B的48%混合物)。”

    库巴尔表示,下一步是开始用氮化硼制造有源电子器件,并将其与其他半导体材料集成。为了展示超纯氮化硼的潜力,他们现在有一种材料可以在不久的将来用于制造高性能、高能效的电子产品。随着手机和电动汽车的使用,人们对电子产品的依赖只会增加,使用更有效的材料(如氮化硼)来满足这些需求将更好的造福人类。

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  • 摘要:

    2019年5月23日,Tempo Automation获得了IPC验证服务计划授予的IPC-A-610和三级IPC J-STD-001 QML和IPC J-STD-001 Space QML。

    经过IPC的初步审核,Tempo Automation成为值得信赖的供应商之一,这基于IPC两项最重要的标准:IPC-A-610,电子装配可接收性和IPC J-STD-001 QML,焊接电气和电子组件的要求。 Tempo Automation还获得了IPC J-Std-001GS的QML,空间和军事应用,IPC J-Std-001G焊接电气和电子组件要求的电子硬件附录。

    Tempo Automation以其快速交付和高品质的内置产品而闻名。在IPC验证服务QML审核期间,Tempo Automation达到或超过了电子行业最严格的3类分类要求,该分类适用于高性能电子组件。该公司现已被列为IPC认可的可靠来源,能够按照行业最佳实践进行生产。

    Tempo Automation工厂技术总监Dan Radler说:“Tempo Automation利用IPC标准作为建立世界顶级制造公司的基础, IPC认证项目在该组织中具有无可估量的价值,通过被认证可以证明我们的质量的卓越。”

    IPC的认证服务QPL / QML计划旨在促进供应链验证和认可,还提供电子公司产品的审核和认证,并确定符合IPC标准的流程。

    认证服务IPC主管Randy Cherry说:“与其他审计计划不同,IPC的验证服务计划提供符合IPC标准的产品和流程的技术和深入评估,我们很高兴Tempo Automation通过了IPC合格制造商(QML)认证。”

    来源机构: 爱比西公司 | 点击量:2
  • 摘要:

    新闻摘要:

    1.推出Space Analytics空间分析解决方案,让共享办公空间、商业办公室与酒店等物业管理人员更好地了解和预测空间利用率和可用性。

    2.利用现成的物联网设备提供分析,带动更高的营收、更低的营运费用并强化住户体验。

    3.Dogpatch Labs是爱尔兰领先的创业中心,拥有80家创业公司,已经部署该解决方案以优化共享办公空间,同时加深对成员动向的了解。

    2019年5月20日,Arm宣布推出Space Analytics,作为Arm Pelion Smart Spaces的解决方案,Space Analytics可以协助物业管理人员透过实际数据,优化空间利用率。Space Analytics让饭店、共享办公空间与商业大楼的物业管理人员,可以清楚地看到他们的建筑空间被何时利用、如何利用以及用到何处。

    Space Analytics基于Pelion IoT平台,可以安全地收集和分析现成物联网设备的数据,如智能照明、传感器、锁、IP摄像机、徽章阅读器等,以提供有价值的数据并预测空间的可用性。透过这个解决方案的机器学习能力,我们可以将空间与资源的使用量提供可执行的数据分析,从而带动更高的效率,并让营收极大化。

    Space Analytics可在共享空间市场展现其价值。预计2019年欧洲将有2.55亿平方英尺的商业地产用于共用空间,其主要原因是自由职业者数量的增长,以及新创公司想要拥有更大的弹性,并节省费用。这就是爱尔兰的Dogpatch实验室选择Space Analytics作为其都柏林港区的创业中心的原因。通过部署该解决方案,Dogpatch Labs将提升整个设施的空间动态管理,这还将协助它为其近400个创业家社群优化空间并强化使用性。

    来源机构: ARM | 点击量:2
  • 摘要:

    2019年5月21日,美国各电子公司的高层主管在华盛顿签署了拟议中的《美墨加三国协议》(USMCA),并呼吁特朗普政府和国会推出支持先进制造业的政策。

    IPC(国际电子工业联接协会)在2万亿美元的电子供应链中代表5300多个成员工厂,举办其年度美国宣传活动。IPC委托的经济学家Shawn DuBravac在其撰写的新发布的报告中表示,他相信USMCA会对电子行业产生一个积极影响,今年应该得到美国国会的批准。该报告还指出,2017年美国与加拿大和墨西哥的电子产品贸易总额为1555亿美元。电子产品出口占美国所有制成品、自然资源和墨西哥能源出口的31%。

    除了基础经济学之外,USMCA的一些具体规定会有利于该行业,包括包含有关中小型企业,数字服务和知识产权保护的方面。另一方面,IPC也对日落条款和建议的汽车区域内容要求的变化表示关注,这两种变化都会产生不确定性。

    IPC成员公司高管今天与国贸易代表丹尼尔沃森和美国大联盟的首席谈判代表会面,以表达业界的支持。该小组将与参议院财政委员会和众议院筹款委员会的高级职员会面,两者都负责监督贸易政策。

    除了倡导USMCA之外,高层管理人员还与国会和行政部门的领导人会面,讨论其他问题,包括国防电子、EPA法规、劳动力教育和培训等问题。

    来源机构: 爱比西公司 | 点击量:2
  • 摘要:

    聚焦三大重点领域发展,上海市科协成立人工智能、集成电路、生物医药专业委员会。

    18日上午,上海市科协举行第十七届学术年会暨第十四届上海工程师论坛开幕式和主题报告会。

    本届学术年会以“聚焦三大重点领域发展,推进上海科创中心建设”为主题,围绕市委市政府工作重点,将在人工智能、集成电路、生物医药三大领域,开展近60场学术交流活动。

    开幕式上,市科协新成立的上海市集成电路专业委员会、上海市生物医药专业委员会、上海市人工智能专业委员会的3位主任获颁聘书,集成电路专业委员会由中国科学院院士、复旦大学校长许宁生教授担任主任,生物医药专业委员会由中国科学院院士、中科院上海药物研究所陈凯先研究员担任主任,人工智能专业委员会由中国科学院院士、上海交通大学副校长毛军发教授担任主任。

    澎湃新闻记者从上海市科协获悉,成立专委会,是为更好发挥院士专家作用,在产业发展方向、战略定位、关键环节、人才培育等方面汇众智,解决集成电路主要卡脖子的难题,推动人工智能未来发展,助力生物医药转化应用,推动科研与企业、产业更加紧密结合。同时,联合市社团局,开展“建设与科创中心相适应的学会调研和与能力提升”专题研究,主动发现和解决学会工作的痛点和难点。

    同时,今年也是上海市科技精英评选创办30周年,前15届获奖者中产生了67名两院院士,成为了上海高层次科技人才举荐培养的重要途径和组成部分,开幕式上还为新评选出来的第16届上海市科技精英颁奖。

    来源机构: 大半导体产业网 | 点击量:26
  • 7   2019-05-19 铝镓氮化物壳纳米线紫外光发光二极管 (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    美国国家标准与技术研究院(NIST)和美国科罗拉多大学报告称铝氮化镓/氮化镓(AlGaN / GaN)壳/核纳米线发光二极管(LED)的其光输提高了出约为5倍。

    利用AlGaN / GaN来开发诸如365nm波长的紫外LED可以广泛应用于杀毒、消菌、印刷、通信和特殊照明等领域。这些领域有的一些需要深紫外LED,即UV波长更短,小于300nm。纳米线结构有助于提高传统技术下的高铝含量AlGaN LED的效率(大多数低于10%)。

    首先,使用等离子体辅助分子束外延(PAMBE)在具有氮化硅掩模的(111)硅上的氮极性GaN / AlN模板上生长有序的纳米线阵列。硅掺杂的n-GaN核在860℃的衬底温度下生长。核心长度约为2μm,修改纳米线生长过程以包括对p-i-n LED的掺杂。LED p接触电极由垂直入射的20nm / 200nm镍/金沉积构成,接着是45nm的200nm金。使AlGaN / GaN LED经受延长的电流注入似乎对p接触具有电退火效应,从而提供增加的电致发光(EL)强度和更低的串联电阻。进一步开发优化的p接触金属化和退火工艺有望降低老化效应并提高整体器件性能。

    研究人员比较了AlGaN / GaN异质结LED与先前由该组报道的GaN / GaN同质结纳米线器件的性能,AlGaN / GaN LED的导通电压高于GaN / GaN,可能与降低的电子溢流电流和增加的Al摩尔分数预期的空穴注入势垒有关。对于给定的电流注入,AlGaN / GaN纳米线LED中的集成EL强度约为GaN / GaN基准的5倍。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:27
  • 摘要:

    经过两年的发展,全球微控制器(MCU)市场将在2019年停滞不前,原因很多,包括电子行业的低迷,地缘政治紧张局势的加剧以及汽车业务的销售放缓。

    与2018年相比,2019年的MCU市场收入预计将增长0.2%,其他大型半导体业务在2019年半导体业务的业绩为十年来最糟糕,销售额下降7.4%,与之相比算是好的。但是,与自身2017年的13.6%的增长率和2018年的5.4%增长相比,仍然是一个巨大的落差。

    MCU市场增长受到的影响因素与半导体业务的相同。在2019年之前,半导体行业蓬勃发展,从2015年到2018年的复合年增长率(CAGR)为11.7%。人工智能(AI)和汽车高级驾驶辅助系统(ADAS)等新技术的激动引发了巨大的数量芯片业务活动,吸引新的竞争对手,并推动针对汽车领域的众多新产品(如专用集成电路(ASIC))的创建。然而,地缘政治形势对汽车芯片需求产生了负面影响。销售额下降导致芯片过剩和库存积累,这迫使供应商减少生产并降低价格以清算库存。

    地缘政治因素来自多方面,如2019年出现了美国历史上最长时间的政府关闭,随后便是全球最大的MCU市场中国经济放缓。与此同时,美国与中国之间的关税与贸易争端给市场带来了不确定性。汽车市场在2018年整体下滑,并在2019年继续下滑汽车行业占全球MCU市场的30%以上,这一市场停滞使汽车MCU收入同比下降3%。

    尽管目前存在行业,经济和地缘政治问题,但预计到2020年半导体和MCU市场将恢复正常增长,全年收入增长4.9%。

    来源机构: IHS | 点击量:45
  • 摘要:

    印度理工学院声称在使用p型铝钛氧化物(AlTiO)栅极绝缘材料条件下,首次实现了氮化铝镓/氮化镓(AlGaN / GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在增强模式(e模式)下工作。并称实验中使用p型AlTiO的高电子迁移率晶体管(HEMT)的ON-state性能很好,与目前最佳报告结果相当。

    金属氧化物半导体(MOS)栅极叠层结合了氧化钛的高k介电特性(k大于60)和由氧化铝掺杂(k~9)提供的p型特性。简单的GaN HEMT是耗尽模式,并且需要特殊的额外处理来将阈值电压推向正方向以提供增强模式,通常是关闭性能。在栅极下方放置诸如镁掺杂的p-GaN的p型材料是一种用于移动到增强型器件的方法。与肖特基栅极HEMT相比,高k电介质可提高栅极下电流的静电控制,同时具有更尖锐的导通(低亚阈值摆幅),同时减少栅极泄漏。

    通过使栅极凹陷来减小势垒使得能够获得正阈值电压。屏障厚度为8nm时,阈值为+ 0.5V。得到的晶体管以增强模式工作,器件处于OFF状态,栅极电位为0V。更薄的屏障还改善了通道控制,降低了关断状态电流(降低了100倍),并且在73mV /十倍频率下降低了亚阈值摆幅。

    具有优化的p-氧化物和不同的阻挡层厚度的HEMT的传输特性,当栅极下的势垒厚度缩放时,阈值(VTH)从负值变为正值。漏极电流-栅极电压双扫描的阈值电压滞后分别为~30mV和~40mV,漏极偏压分别为0.1V和15V。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:16
  • 10   2019-05-19 石墨烯/蓝宝石新型外延衬底的深紫外LED (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    我国研究人员使用石墨烯(Gr)来改善纳米图案蓝宝石衬底(NPSS)上的氮化铝生长,作为氮化铝镓(AlGaN)深紫外(DUV)发光二极管(LED)的模板。从而开发出了石墨烯/蓝宝石新型外延衬底,并提出了等离子体预处理改性石墨烯,促进AlN薄膜生长实现深紫外LED的新策略。该团队由中国科学院半导体研究所照明研发中心与北京大学纳米化学研究中心、北京石墨烯研究院刘忠范团队组成。

    石墨烯的存在改善了生长于表面的铝迁移率,通过准范德华外延(QvdWE)提高了晶体质量。反过来,这也改善了在AlN模板上生长的AlGaN LED的性能。

    深紫外LED可以广泛应用于杀毒、消菌、印刷、通信和特殊照明等领域。纳米图案的蓝宝石衬底由400nm深的纳米凹锥图案组成,在蓝宝石表面上通过纳米压印光刻(NIL)产生1μm周期。通过1050℃无催化剂的APCVD生长大约0.7nm厚的石墨烯层。石墨烯生长过程需要三个小时。对石墨烯进行反应离子蚀刻以引入缺陷。NPSS上的石墨烯是在暴露于氮等离子体30秒之前制备的,然后加载到金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应器中以进行AlN生长。

    1200℃的AlN生长在氢载气中使用三甲基铝和氨前体。没有石墨烯中间层,在NPSS上生长两小时会导致粗糙、不均匀的AlN层。相比之下,石墨烯中间层使AlN快速聚结,形成连续的平坦表面。这表明石墨烯层增加了铝吸附原子的迁移率。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:13