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  • 1   2021-04-18 Micro-LED挑战OLED显示器? (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    市场研究公司IDTechEx在其报告《Micro-LED》中指出,随着原始设备生产商(OEM)和显示器供应商推出各种micro和mini-LED显示器,自发光LED的显示器越来越受到投资者和用户的关注。

    许多人认为微型LED代表着下一代显示技术,在LED、显示器、OEM、材料等领域,micro-LED一直受到人们的追捧。人们普遍认为,micro-LED显示器将来可能取代机发光二极管(OLED)显示器,特别是在电视应用中。

    在液晶显示器(LCD)体制下,由于成本,生产效率等因素,以及的新生产线和行业供应链的新建,LCD制造业正在向中国大陆转移。其他地区已经开始从液晶显示器业务转移。例如,三星宣布退出LCD业务,在未来将专注于其QD LCD和OLED技术。LG Display已停止其国内LCD面板的生产。松下和JDI正在退出LCD业务。与此同时,AUO、Innolux和其他一些台湾公司正在放缓对LCD或OLED技术的投资。

    在OLED领域,韩国公司主导着OLED面板的生产,体现在有效产能、技术成熟度、上游材料设备、下游应用、供应链完整性等方面,例如SDC和LG Display支持上游材料和设备,建立了良好的生态系统。对于下游应用,三星的中小尺寸OLED面板首先供应给三星智能手机,而LG Display的大尺寸OLED面板则首先供应给LG电视。因此,三星和LG分别主导着中小尺寸和大尺寸OLED面板。

    竞争市场中的另一项技术是量子点(QD)技术,主要利用其光致发光功能。通过在LCD结构中应用QD膜,可以显着改善色域。IDTechEx表示,QD的显示器正在迎头追赶。

    Micro-LED显示器由充当子像素的自发光无机LED组成。这些LED通常在微米范围内,既没有封装也没有基板,因此使用不同于传统的拾取和放置技术的方法进行传输。报告指出,Micro-LED显示器具有很多优势,如宽色域、高亮度、低功耗、高稳定性和长寿命、宽视角、高动态范围、高对比度、快速刷新率、透明性、无缝连接和传感器集成能力。然而,基于现有的技术成熟度和成本预期,并不是上述所有的优势主都能实现,例如由于技术不成熟高分辨率的micro-LED显示器价格会很昂贵。

    因此,IDTechEx指出,至少在中短期内,micro-LED显示器是能否代替OLED还是一个问题。该报告从两个方面分析了潜在市场:一方面是现有显示器市场的替代品,另一方面则是创造一个新的展示市场。对于前者,最需要解决八个应用程序:增强/混合现实(AR/MR)、虚拟现实(VR)、大型视频显示器、电视和显示器、汽车显示器、手机、智能手表和可穿戴设备、平板电脑和笔记本电脑。

    现有应用市场中的替代产品。例如,LCD显示器几乎适用于所有65英寸以下的显示器。LCD对于更大尺寸具有局限性。OLED主要在智能手机显示器中占有很大市场份额。QD-LCD则用于高级电视,并被越来越多的消费者所接受。LED显示器在大型公共显示器中使用。 IDTechEx表示micro-LED应该确定其独特的优势,以便抢占市场。

    就成本而言,micro-LED显示器的前面板成本取决于LED的数量(比率比面积),这与OLED和LCD显示器不同。这就是为什么制造与电视具有相同分辨率的智能手机可能会产生相似的成本。因此,重要的是要了解每种应用背后的技术方法,并对它们进行清晰的评估。

    创造一个新的显示器市场需要一些替代品无法实现(或者很难实现)的功能,比如具有定制形状的显示器和具有集成传感器的显示器。IDTechEx总结说,新兴的新显示器扩展了我们的想象力,并将超越了现有的显示技术。

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  • 摘要:

    2021年4月12日,半导体工业协会(SIA)发布了总裁兼首席执行官约翰·诺伊弗(John Neuffer)的一则声明,该声明涉及拜登政府官员与半导体行业及其他领域的领导人在白宫举行的会议内容,关于全球芯片短缺的问题,以及拜登的基础设施计划和半导体供应链有关的其他问题。

    参加会议的人员包括SIA董事会成员GlobalFoundries首席执行官Tom Caulfield、英特尔首席执行官 Pat Gelsinger、Micron Technology首席执行官Sanjay Mehrotra,以及以及恩智浦(NXP)、三星(Samsung)和台积电(TSMC)的高管。

    John Neuffer:“我们感谢白宫与行业领导者能够参加此次峰会,以确保建立牢固和有弹性的半导体供应链。我们支持拜登总统为实现这一目标而提供的500亿美元用于半导体制造和研究投资的做法。半导体是美国创造就业、国家安全和教育系统的核心,涉及航空航天、汽车、云计算、医疗设备、电信等许多其他领域的增长与创新。正如拜登总统的基础设施计划那样,按照《美国芯片法案》,为芯片制造激励措施和研究投资提供资金,这将全面提高美国的半导体生产和创新能力。今天的会议标志着拜登政府与工业界之间正在继续建立牢固的伙伴关系,以通过对国内芯片制造和研究来加强美国在半导体供应链中的领导地位。”

    美国在全球半导体制造能力中所占的比例已从1990年的37%下降到如今的12%。这种下降主要归因于全球竞争对手的政府提供了大量补贴,这些补贴使美国在吸引新的半导体制造设施或晶圆厂建设方面处于竞争劣势。此外,此外,联邦政府对半导体研究的投资在GDP中所占份额几乎不变,而其他政府则在研究计划上进行了大量投资以增强自己的半导体能力。

    认识到半导体在美国未来中的关键作用,国会于1月份颁布了《美国芯片法案》,作为2021财年《国防授权法案》(NDAA)的一部分。新法要求鼓励国内半导体制造业和芯片研究投资,但必须提供资金,使这些规定成为现实。拜登总统的基础设施计划将拨款500亿美元,以支持《美国芯片法案》》中的半导体制造和研究条款。

    2月,SIA董事会以及后来由SIA领导的大部分商业领袖联盟呼吁拜登总统与国会合作,为基础设施计划中的半导体制造激励措施和研究计划提供资金。

    来源机构: 美国半导体行业协会 | 点击量:1197
  • 3   2021-04-18 硅片逻辑里的叠层III-V射频布线 (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    韩国的研究人员声称,针对栅长超过100nm的RF晶体管,采用硅电路的三维单片集成(M3D),可以实现最高截止频率和最大振荡频率。研究人员认为,III-V材料与硅电路的结合将促进毫米波范围内的混合信号射频模拟和数字逻辑功能的发展。

    III-V材料可通过分子束外延(MBE)在磷化铟(InP)衬底上生长。沟道区是砷化铟镓(InGaAs)势垒中的砷化铟(InAs)量子阱。这导致25μm栅长(LG)“长沟道”晶体管实现了7950cm2/V-s的有效迁移率,而使用InGaAs沟道的类似晶体管的有效迁移率为5550cm2/V-s。

    使用250°C原子层沉积(ALD)氧化铝(Al2O3)作为结合层和掩埋氧化物(BOX),将材料翻转并晶圆粘结到硅上。该结合包括氧等离子体活化和在200℃下在真空中的结合。用各种酸性混合物除去InP生长衬底和蚀刻停止层,得到绝缘体上InGaAs(InGaAs-OI)晶片。

    晶体管的制造始于用磷酸、过氧化氢和水的混合物进行台面蚀刻。源极/漏极使用非合金钼/金的欧姆接触。通过光刻,柠檬酸栅极凹槽蚀刻以及铂/钛/金的电子束蒸发形成了LG为125nm的T形栅极。T头的宽度为400nm。源极-漏极距离为1.7μm。处理温度被限制为小于250℃。

    125nm LG“短通道”器件的亚阈值摆幅在漏极偏置为0.05V和0.5V时分别为63.7mV /十倍和62.1mV /十倍。这些值接近?60mV /十年的理论极限。相应的开/关电流比为105和106。峰值跨导和最大漏极电流分别为0.5S / mm和650mA / mm。

    研究人员说,栅极泄漏小于10nA /μm,这主要归因于厚的In0.52Al0.48As势垒(15nm)和隔离层(3nm)。

    估计源电阻为的475.5Ω-μm。研究人员认为,其中约有78%可以追溯到厚的阻挡层,希望在以后可以减少这种阻挡层。

    使用1-40GHz范围内的测量来表征频率性能。使用合适的测试结构评估了寄生元件的影响,并对其进行了修正,以给出“去嵌入”的结果:截止频率(fT)为227GHz,最大振荡频率(fMAX)为187GHz。

    研究人员表示,在给定LG大于100nm的情况下,这些值是M3D RF晶体管中报道的最高值。

    fMAX相对较低归因于较大的寄生栅极电阻。通过调整T形栅极结构和优化的后退火工艺,可以进一步改善我们在Si上的InGaAs-OI HEMT的fMAX。研究人员还研究了其他小组的科学文献,该团队希望能够通过各种技术来改善RF性能,从而改善当前结果。

    该团队还对堆叠在硅电路上的III-V器件进行了仿真。研究人员特别关注底部器件电极和金属线的背栅效应,尤其是在使用接地层减少顶层和底层之间的串扰时。已发现这些背栅效应严重影响RF性能,但通过使用较厚的层间电介质(ILD)层可以减少寄生电容,从而可以改善这些背栅效应。

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  • 摘要:

    来自新加坡麻省理工学院科技联合项目(SMART)的低能耗电子系统(LEES)跨学科研究小组(IRG)与麻省理工学院(MIT)和新加坡国立大学(NUS)共同找到了一种方法,以量化不同铟浓度下氮化铟镓(InGaN)量子阱(QWs)中成分波动的分布。

    InGaN发光二极管因其高效率、耐用性和低成本彻底改变了固态照明。可以通过改变InGaN中铟的浓度来改变LED的发射颜色,从而使InGaN LED能够覆盖整个可见光谱。与镓相比,铟含量相对较低的InGaN LED已在通信、工业和汽车应用中获得了巨大的成功,如在蓝色、绿色和青色LED。但是,随着铟含量的增加,具有较高铟浓度的LED的效率会下降,如红色和琥珀色LED。

    当前红色和琥珀色LED使用磷化铝铟镓(AlInGaP)代替InGaN制成,由于效率下降导致InGaN在红色和琥珀色光谱方面的性能不佳,克服效率下降的问题是开发覆盖整个可见光谱InGaN LED的第一步。

    在论文《揭示InGaN发光二极管中成分波动的起源》中提到,该将亚纳米分辨率的电子能量损失谱(EELS)成像与多尺度计算模型相结合,解成分波动的起因及其对InGaN LED效率的潜在影响。想要了解较高铟浓度的LED的效率下降的原因,准确确定组成波动至关重要。

    SMART LEES的首席研究员兼美国国立大学教授Silvija Gradecak说:“迄今为止,高铟浓度InGaN LED效率下降的根源仍然未知,重要的是要了解这种效率下降,以创建能够克服这种效率下降的解决方案。为此,我们设计了一种方法,该方法能够检测和研究InGaN QW中的成分波动,以确定其在效率下降中的作用。”

    研究人员开发了一种多方面的方法来检测InGaN量子阱中的铟成分波动,这种方法结合了互补的计算方法、先进的原子尺度表征和图像处理的自主算法。

    研究发现,铟原子随机分布在铟含量相对较低的InGaN中。另一方面,在较高铟含量的InGaN中观察到部分相分离,其中随机的成分波动与富铟区域的凹坑同时发生。

    研究人员认为,这些发现有助于人们进一步了解InGaN的原子微观结构及其对LED性能的潜在影响,有助于未来研究新一代InGaN LED中成分波动的作用。

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  • 5   2021-04-18 First Solar推出系列6 CuRe光伏组件 (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    美国碲化镉(CdTe)薄膜光伏(PV)模块制造商First Solar表示,其新开发的Series 6 CuRe薄膜光伏(PV)技术可实现的0.2%年衰减率,基于现有公开信息,在所有商用光伏产品中这是最低的衰减率。该产品的衰减速度比传统的晶体硅(c-Si)产品低60%,这样可保证该模块在其30年保修期结束时,还至少保留92%的原始性能。

    Series 6 CuRe光伏组件具有优越的温度系数、光谱响应和遮光性能,并且具有接近零衰减速度,这可以提高Series 6 CuRe组件在市场上的竞争力。First Solar表示,提高性能不仅是因为半导体的创新,还得益于铜替代(CuRe)计划。CuRe是该公司在硅谷和俄亥俄州研发中心开发的一种专有半导体平台,它用V族元素的原子取代铜,从而提高性能并提供长期稳定性。

    首席技术官Markus Gloeckler表示:“我们对铜动力学进行了深入的研究,将铜退化的问题进行转变,即选择其他元素代替铜,不给铜退化留机会。我们研究了一系列替代品,发现V族元素可以有效地取代铜,作为一种稳定的掺杂剂,能够进一步实现我们的零降解目标,CuRe是这项研究的成果。”

    该公司表示,在此方面的累计投资已经超过14亿美元,First Solar的碲化镉技术拥有业内最长的模块老化验证记录。其最早的模块先于世界上大多数最大的c-Si制造商,安装在科罗拉多州国家可再生能源实验室(NREL)的室外测试设施,最近实现了25年的连续监测。这项长期研究显示,每年的退化率仅为0.48%。

    Series 6 CuRe光伏组件建立在First Solar的系列6技术基础之上。Series 6 CuRe模块技术具有-0.28%/ 0C的温度系数和有出色的光谱响应,在炎热和潮湿的环境中均优于c-Si。该公司表示,c-Si面板在阴暗条件下会出现不成比例的功率损失,与其不同的是,First Solar公司的Series 6模块具有优越的遮蔽响应,与遮蔽区域具有线性关系,可以将遮蔽损耗降至最低。

    Series 6 CuRe技术也不受许多问题的困扰,比如安装过程中处理不当或极端天气事件(大风或冰雹)而导致的电池开裂,并且也不受光诱导降解(LID)、光诱导和高温诱导降解(LeTID)机制的影响,但是这些会对c-Si模块产生影响,该公司还提供业界首个也是唯一的电池开裂保修服务。

    首席商务官Georges Antoun说:“Series 6 CuRe的设计充分考虑了客户的需求。它不仅提供了更高的性能,而且安装速度快,结构成本更低,质量、可靠性和耐用性处于业界领先水平。”

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  • 6   2021-04-14 Yole: 超过50亿美元用于micro-LED研发 (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    根据Yole Dédeveloppement在《2021年微型LED显示器——知识产权前景与分析》报告中估计,截至2021年第一季度,已经有超过50亿美元的资金用于微型LED开发。其中,苹果公司研发占比26%,其他公司研发和投资占比37%,初创企业投资占比24%,收购费用占比13%。中国企业在很大程度上占据了市场活动的主导地位,其次是韩国企业。LG和三星在2019年表现强劲,并在2020年在新应用方面保持同步。

    在专利申请方面,目前有近480个机构提交了4093项专利家族(合计8900多件专利)。在这4093项专利家族中,2020年申请的专利家族占比高达40%(1637项),近三年占比为81%。截至2020年1月,授权专利占比35%,有53%的专利处于申请状态。特别是,京东方、LG和三星都有大量处于申请状态的专利,CSOT也紧随其后。

    三星公司有130多项新专利家族重点围绕其显示部门的自组装纳米棒LED技术(通常称为量子发射二极管,即QNED)。专利表明技术正在成熟,将应对QNED从实验室转移到工厂所带来的挑战。

    CSOT和京东方在2019年引领专利申请,2020年仍接近最高水平。初创公司PlayNitride(该公司在2020年又筹集了5000万美元以扩大产能)非常活跃,这对Facebook等领先的面板制造商和原始设备制造商(OEM)构成挑战。Aledia于2019年搬进新的研发设施,2020年筹集了近9500万美元建设一家工厂,同时也在加速其专利申请,并逐步接近XDisplay等历史领袖。之前缺席的面板制造商(如Japan Display, CEC Panda, HKC and Sakai Display)目前也已开始进行专利申请。

    Micro LED这个领域越来越拥挤,但有实力的机构还有投资机会。2019年末和2020年初,Konka和Visionox宣布计划分别投资3.65亿美元和1.75亿美元用于微型和微型LED开发和生产增长。Konka仅于2019年和2017年首次提交微控专利,但两家公司都已经拥有大量待处理申请,其中一些申请显示出惊人的成熟度。

    苹果公司的专利申请在2017年达到顶峰。然而,新应用程序的质量和细节显示了该公司的技术处于领先地位。收购Tesoro意味着苹果公司正朝着实现批量生产而非基础技术开发的方向转变或扩张。台湾半导体制造有限公司(TSMC)首次出现在Yole的专利分析库中,该公司有望成为苹果的主要合作伙伴之一。

    Yole总结,第一批微型LED显示屏的商业化即将到来,Vuzix的新增强现实(AR)眼镜采用JB Display的微型LED显示屏,三星的模块组件110英寸、99英寸和88英寸电视采用PlayNitride的芯片。

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  • 7   2021-04-11 2月份全球半导体销售额同比增长14.7% (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    2021年4月5日,华盛顿半导体工业协会(SIA)今天发布,2021年2月,全球半导体工业销售额为396亿美元,比2020年2月的345亿美元增长14.7%,但比2021年1月的400亿美元相比,增长1.0%。其中月销售额数据由世界半导体贸易统计(WSTS)组织汇总,为三个月的移动平均线。SIA声称统计数据覆盖了美国半导体产业98%的营收和近2/3的非美国芯片公司。

    新航总裁兼首席执行官约翰诺伊弗(johnneuffer)表示:“今年头两个月,全球半导体销量已经超过了2020年初的销量,也就是在2020年初新冠开始在世界部分地区蔓延。进入中国市场的销售额同比增长最大,主要是因为那里的销售额在去年年初大幅下降。”

    从地区上看,所有市场的销售额都在逐年增长:中国增长了18.9%、亚太地区/所有其他地区为18.2%、美洲9.7%、日本7.6%和欧洲为6.8%。月环比销售额情况则是,亚太地区/所有其他地区增长1.5%、欧洲增长0.8%,中国持平,日本和美洲月环比销售额均有所下降,分别下降了3.4%和5.9%。

    来源机构: 美国半导体行业协会 | 点击量:926
  • 摘要:

    英国等离子蚀刻和沉积处理系统制造商牛津仪器等离子技术公司(Oxford Instruments Plasma Technology,简称OIPT)与德国柏林的现场计量系统制造商LayTec AG宣布,双方已经签署了合作协议,以实现大批量生产(HVM)高端半导体器件的需求。这项关系集成了两家公司的优势,例如LayTec准确精密的控制技术,以及OIPT在晶片处理方面丰富的专业知识。

    两家公司会共同努力,将等离子工艺解决方案与成熟的现场计量技术相结合,以提高下一代设备的性能,实现可重复的大批量生产(HVM)工艺,并缩短制造时间和提高成品率。LayTec将开发原位计量技术,而牛津仪器(OIPT)将把LayTec特有的技术融合在其晶片处理解决方案里。

    在高效功率转换器市场需求的推动下,基于砷化镓/磷化铟(GaAs/InP)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等材料的物联网(IoT)和数据通信复合半导体器件正因其优异的性能而变得越来越受欢迎。然而,将技术从小型原型转移到晶圆级HVM仍然是一个挑战。虽然器件尺寸相对较大,但通常复杂的层结构意味着需要在这些层内进行精确的加工,以实现所需的工艺稳定性和产量,并且需要降低每片晶圆的成本。

    LayTec的首席执行官Volker Blank说:“这种技术合作伙伴关系使我们能够利用LayTec在数据分析和定制高精度光学计量系统集成方面的专业知识,在传统的核心市场中进一步扩展流程链。我们公司已经为化合物半导体行业的客户提供了超过二十年的服务,我们期待着借这个新的机会进一步优化我们的工艺和设备,来更好的为客户提供支持。”

    OIPT创新与解决方案总监Frazer Anderson表示:“选择与LayTec合作是我们产品开发策略关键的一步,这也突显了我们致力于为客户提供持续的生产力改进。我们坚定的目标是改进性能和降低所需成本,以支持新兴GaN电源和射频市场的需求。与LayTec的合作将进一步提高我们的能力,使我们能在未来实现这个目标。”

    牛津仪器公司将稳定的等离子体处理平台与LayTec的精确端点技术结合在一起,用于等离子体蚀刻应用,可以提高晶片间产量所需的可控性和可重复性。联合开发和独家供应的协议将使两家公司的专家能够开发和提供独特的大批量生产(HVM)解决方案,以满足化合物半导体行业不断发展的需求。这项长期协议将涵盖牛津仪器(Oxford Instruments)等离子蚀刻和沉积系统的全部开发,并共享所产生的知识产权(IP)和协调营销活动的共享权。

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  • 摘要:

    美国Odyssey Semiconductor Technologies Inc公司以普通股定向发行125万股(每股4美元)的方式筹集了500万美元,以进一步开发和生产高压垂直导电氮化镓(GaN)电源开关器件。

    Odyssey董事长兼首席执行官亚历克斯·贝法尔(Alex Behfar)表示:“我们欢迎新股东加入Odyssey ,全世界都在关注清洁能源以及电力的发展和采用情况,我们可以为客户提供支持,在电动汽车等应用中实现更高效、更紧凑的电源转换,我们对我们的技术充满信心,相信可以为行业带来的进步。”

    众所周知垂直导电的GaN基功率器件的性能要优于使用硅和碳化硅(SiC)制造的器件,但是事实证明,使用标准方法很难制造垂直结构高压GaN器件。因此,GaN功率器件一直被归结为水平导电的低压、消费类电子产品。Odyssey已经开发了专有的GaN处理技术来生产高压功率开关器件,该器件将打破电动汽车、太阳能逆变器、工业电机和电网等应用的长期性能障碍。

    该公司计划在2021年底之前提供垂直导电GaN产品的工程样品,并根据联合电子器件工程理事会(JEDC)标准进行资格认证。

    Odyssey最近还通过其代工制造服务扩大了客户群。Odyssey团队在支持各种半导体应用方面拥有丰富的经验,包括功率器件、集成光电、化学传感和光谱学。该公司为客户提供从原型生产到全面代工的支持。

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  • 10   2021-04-11 Riber交付了首个MBE 8000系统 (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    法国Riber SA表示,已向其长期客户Intelligent Epitaxy Technology 提供了第一台MBE 8000系统,据称这是世界上最大的分子束外延(MBE)机器。此次交货是设备销售协议的一部分,该设备将用于制造超高性能垂直腔面发射激光器(VCSEL)应用的外延片。Intelligent Epitaxy Technology 位于美国德克萨斯州理查森市,成立于1999年,主要生产外延晶片。

    垂直腔表面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,即VCSEL)是一种出光方向垂直与谐振腔表面的f-p激光器,出光方向垂直于衬底表面,因此可以利用此技术来制造具有高密度发射器阵列的器件。这些新器件正逐渐取代传统激光器,被越来越多的应用领域当作基础技术而采用,涉及消费电子产品、医疗保健、汽车和电信等各个领域,例如跨3D感应(智能手机上的面部识别)和移动控制。

    Riber声称,与其他技术相比,其MBE技术具有一系列优势,如可提高沉积的半导体膜的质量、增强电导率性能以及加强的激光器性能。MBE平台适用于具有优异晶圆均匀性的高性能外延晶圆制造,且具有更高生产吞吐量,为了满足这一平台的需求,Riber开发了新的MBE 8000生产系统

    全自动MBE 8000采用超高真空沉积,是一种多晶片反应器,能够同时生长八个150mm晶片,并有可能过渡到200mm晶片。该系统使生产vcsel和其他器件结构成为可能,其精确控制可降至原子单层精度,膜厚均匀性远低于1%。

    对于IntelliEPI,MBE 8000系统将进一步增强其外延能力。除了现有的三台MBE 49、八台MBE 6000、两台MBE 7000、一台V90和一台VG100之外,新的MBE 8000生产平台能够满足VCSEL和其他市场的需求增长,特别是6英寸砷化镓(GaAs)产品。

    Riber执行董事会主席Philippe Ley表示:“MBE 8000多晶片系统可提供符合市场需求的产量。这台机器可以证明MBE技术是经得起考验的,并且与替代技术相比具有更多的优点,特别是在制造复杂半导体结构的操作和输出方面。此外,MBE 8000系统为将来的业务发展带来了巨大的前景。”

    IntelliEPI总裁兼首席执行官Yung Chung Kao表示:“这个先进的MBE 8000技术平台具有更高的吞吐量和先进的性能,将使IntelliEPI能够更好地应对新兴的高性能市场,例如开发用于汽车LiDAR的VCSEL以及用于5G RF应用的HEMT或HBT。在更大的反应器平台上,材料均匀性得到了提高,随着这些MBE 8000反应堆在我们位于美国得克萨斯州扩建的制造工厂中的部署,IntelliEPI将能够为客户提供更高价值的产品和服务。”

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