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    美国纽约绿岛的紫外线发光二极管(UVC-led)制造商Crystal IS Inc公司及其母公司旭化成(Asahi Kasei),宣布了的第二轮紫外线加速器投资计划,该计划旨在支持采用紫外线-C(UVC)LED的新型消毒产品的开发。在第一轮投资计划于2020年6月启动,融入了两家公司之后,该计划再次启用的目的在于与具有创意的公司合作,为后疫情时代的UVC LED新应用提供创意,每笔投资最高可达25万美元。

    在旭化成美国董事总经理、Crystal IS前首席执行官Steven Berger博士的领导下,紫外线加速器已被确立为近期发展目标,并采取积极主动的措施来推动其发展。紫外线-C(UVC)LED的开发可用于阻止致命病毒和细菌传播的,并帮助提供信息,以进一步促进与COVID的斗争。

    旭化成将自行决定为每个公司提供高达25万美元的资金,以支持和加速产品开发。必要时,Crystal IS将为UVC LED光源的设计和控制提供工程专业知识。目前,对于具有基于UVC LED的消毒产品构想的组织,正在接受公司筛选和审查,预计将在今年3月开始讨论。

    在第一轮的AK紫外线加速器方案筛选过程中,收到了许多有关基于UVC的产品的创意,因此,设立和颁布了两项投资大奖。在第二轮中,将再次寻找具有创造性的产品创意,特别鼓励人们提出有关如何安全地使用基于UVC的硬件和软件的构想,以帮助人们(员工或客户)适应办公室或商业建筑内的环境。

    第二轮资助申请将于2021年3月31日结束,网址为www.uvaccelerator.com。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:269
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    澳大利亚Silverwater的BluGlass Ltd公司在其《激光二极管业务最新报告》的中表示,最近展示的标准405nm激光设计具有强大的输出功率。

    BluGlass已完成一些405nm激光器件制造工艺的光学涂层步骤,从而推动了其首款标准激光二极管产品的开发。该公司表示,其405nm激光器设计已证明其具有强大的初始性能符合目标规格。

    405nm光输出,带或不带AR-HR涂层。为了使激光器达到最佳性能,设备的两个边缘表面都涂有特种光学材料。一种是高反射(HR)涂层,可实现最大程度的光反射-实际上是镜面,可以使光线来回明亮地反射。另一层是防反射(AR)涂层,旨在让光线通过,同时确保几乎没有光损失,并且所有发光都从一端发生。

    这些专业的AR和HR涂层可显着提高设备测量的光输出。通过添加这些专业涂层,BluGlass的405nm激光输出功率增加了一倍以上,并且显示出了强大的初始性能规格,与未包装设备的期望相符。

    BluGlass激光二极管制造步骤

    这些设备目前正在美国的BluGlass工厂进行包装,然后再进行进一步的老化测试和性能测量。此时,可以根据行业标准对设备进行测试,并制定BluGlass 405nm产品设计的最终商业规格。通过公司的开发渠道和各种制造步骤,其他波长和规格的激光二极管设计也在有条不紊的进行。

    BluGlass表示,按照发布的路线图,公司有望在2021年初向客户提供样品产品,以满足其技术需求。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:174
  • 3   2021-01-19 k-Space为现场计量工具增加了新的配件 (编译服务:集成电路)     
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    位于美国密苏里州德克斯特市的k-Space Associates公司为其计量工具增加了一个新的配件kSA Insight。美国k-Space公司作为原位、在线和离线测试设备的主要制造商,主要为半导体、薄膜材料和光伏产业的研究机构和制造商提供专业的材料性能测试设备。

    该工具允许研究人员和操作人员从k-Space软件中实时查看晶圆和压板。成像系统采用高分辨率彩色摄像机,并与所有k-Space薄膜计量软件兼容,即插即用。

    首席执行官Darryl Barlett表示:“一些客户要求在沉积过程中能够从电脑屏幕上看到他们的晶圆和压盘,因此我们设计了这个工具,以便与他们现有的k-Space软件无缝集成。说。无论运行的是kSA 400、kSA BandiT、kSA MOS还是kSA ICE,都可以使用此插件在电脑上快捷地查看发热板和晶圆。”

    客户可以调整配件,以适应不同大小的视口,而且变焦镜拥有一个大的变焦范围,可以在较大距离范围内工作。实时视频可以放大或缩小,并且运用k-Space软件可以在任何时候捕捉和存储全分辨率彩色图像。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:179
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    美国纽约普莱恩维尤市(GLOBE NEWSWIRE)的外延沉积和工艺设备制造商Veeco Instruments Inc表示,该公司已经与台湾国立交通大学(NCTU)建立合作伙伴关系,该关系将维系到2035年,以推动台湾半导体生和发展。该合作联盟由领先大学和半导体制造商组成,目标是开发下一代先进的电力、通信和人工智能(AI)技术。Veeco的单晶片推进金属有机化学气相沉积(MOCVD)平台在推动该联盟方面发挥了关键作用。

    国立交通大学高级副校长、研发院长、教授Edward Yi Chang说:“国立交通大学和台湾半导体工业在很长的一段时间内都在致力于在推动全球科技大趋势的发展。Veeco拥有世界一流的技术和工艺诀窍,我们看到了他们的单晶片推进平台的巨大贡献,具有出色的性能和一致性,同时为GaN功率和RF器件的高级开发提供了可扩展性。”

    根据Allied市场研究,到2027年,GaN功率器件市场规模将以35%的复合年增长率(CAGR)增长至12.4亿美元。市场分析公司Yole Dédeveloppement估计,到2025年,GaN射频市场将以12%的复合年增长率从7.4亿美元增长到20亿美元以上,主要推动力来自电信和国防应用。

    Veeco的首席营销官Scott Kroeger评论道:“在由国立交通大学的Chang博士和其团队组的联盟中,我们很自豪能够做出关键贡献来完成这一出色工作,我们相信这一合作将改变全球半导体行业的游戏规则。Veeco的技术组合专注于为半成品和复合半成品客户带来特有的价值,我们致力于推动先进电力、通信、人工智能等领域进步。我们期待着更深入的参与,以推动下一代技术的发展。”

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:190
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    市场分析公司TrendForce表示,在高级驾驶员辅助系统(ADAS)、自动驾驶汽车(AVs)、工业、运输和智能城市等应用的推动下,激光雷达(LiDAR)市场正以34%的复合年增长率(CAGR)增长,预计2020年将为6.82亿美元,到2025年将达到29.32亿美元。

    TrendForce说,关于汽车激光雷达应用(ADA和AVs),尽管2020年COVID-19大流行对全球汽车业产生了负面影响,但汽车制造商仍在继续推出新能源汽车(NEV),并且在高阶传统车与新能源车中搭配ADAS系统。激光雷达系统是SAE 4-5级自动驾驶汽车的重要组成部分,汽车制造商正在通过搭载激光雷达建立数据库并提升精准度。此外,自动激光雷达还可用于自动巴士、机器人出租车和自动驾驶卡车。预计2025年,汽车激光雷达总收入将达到24.34亿美元。目前,主要的汽车激光雷达供应商包括Velodyne、Valeo、Quanergy Systems Inc、ibeo、Continental、LeddarTech、INNOVIZ、HESAI、LeiShen和Luminar等。主要的激光雷达供应商包括Osram、laser Components、Excelitas和Hamamatsu。

    关于配送和物流方面,电子商务的日益普及促使电商和配送公司通过各种方法来降低配送成本,如使用过无人送货机、自行车快递员、自动驾驶货车等工具,因此配送机器人的需求也相应增加。TrendForce指出,配送机器人具有自我导航和自主决策功能。目前一直在推动这些送货方式的主要电子商务公司包括阿里巴巴、亚马逊、联邦快递和京东等。

    由于大流行,工业自动化市场的增长不如预期,大多数公司考虑到预算,而推迟了先前的发展计划。尽管某些公司对未来可能出现的人力资源短缺持谨慎态度,但他们仍在为工业自动化发展投入额外资金,以应对市场下滑趋势。自2020年以来出现了各种延后的发展之后,预计欧美市场将有望在2021年第三季开始大幅拉升工业自动化需求,TrendForce预测2025年产业与物流运输的激光雷达市场产值可达4.69亿美元,目前全球主要产业与运输的激光雷达厂商包含SICK、Hokuyo、OMRON、Velodyne等。随着对ADAS、AV和工业自动化的需求增加,LiDAR的使用量将增加LiDAR的市场价值。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:208
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    国际半导体产业协会今(SEMI)在近日举行的2020年度日本国际半导体展(SEMICON Japan)公布年终整体OEM半导体设备预测报告数据显示,预计全球原始设备制造商(OEM)半导体制造设备销售总额相较2019年的596亿美元将增长16%,创下689亿美元的业界新纪录。

    SEMI也预计全球半导体设备市场增长力道在明后年持续走强,2021年将进一步增长到719亿美元,2022年更将达到761亿美元新高点。 SEMI全球行销长暨台湾区总裁曹世纶表示:“全球半导体设备市场持续走强,除了同时由半导体前段和后段设备需求增长所带动外,2021年和2022年也可望在5G和高效能运算(HPC)等应用需求支持下延续成长态势。我们看好全球市场在未来两年将有所成长。”

    该机构表示,这波明显增长是得益于半导体前段和后段设备需求同步拉动所致。前段晶圆厂设备(含晶圆制程、晶圆厂设施和光罩设备) 2020年将成长15%,达到594亿美元,预计于2021年和2022年各有4%和6%的成长;而占晶圆制造设备总销售约一半的代工和逻辑部门,受惠于今年厂商大举先进技术产能,今年支出出现双位数中段的成长幅度,达300亿美元。 NAND快闪存储芯片制造设备支出则有30%的大幅成长、超过140亿美元,DRAM则可望在2021年和2022年扮演成长主力。

    为工业4.0设计软体可配置系统

    组装和封装设备部门在先端封装应用的助长下,预估2020年成长20%,金额达35亿美元,2021年和2022年也各有8%和5%的增长;半导体测试设备市场2020年将大涨20%,达60亿美元,2021年和2022年也可望在5G和高效能运算(HPC)应用需求支持下延续增长势头。

    以地区来看,中国大陆和台湾,以及韩国为全球半导体产业在2020年贡献了主要设备支出金额。中国大陆在晶圆代工和存储部门投资持续挹注下,今年将首次在整体半导体设备市场中跃居首位;中国台湾得益于先进逻辑晶圆代工的持续投资,设备支出依旧强劲。而韩国则在存储器投资复苏和逻辑投资增加情况下,可望在2021年站稳前三。

    SEMI的报告也看好其他地区在未来两年也将有所成长。下图以10亿美元市场规模为单位表示:

    资料来源:SEMI设备市场报告(EMDS),2020年12月

    *新设备包括晶圆制程、测试以及组装和封装,整体设备不包括晶圆制造设备。个别数字相加因四舍五入未必与总和相等。

    *最新SEMI预测结果为综合市场领先设备供应商回复、SEMI全球半导体设备市场报告以及备受业界肯定的SEMI全球晶圆厂预测报告(World Fab Forecast)资料库数据资料分析而来。

    来源机构: 摩尔芯闻 | 点击量:768
  • 7   2021-01-10 意法半导体扩展了MasterGaN系列 (编译服务:集成电路)     
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    瑞士日内瓦的意法半导体(STMicroelectronics)在其MasterGaN平台基础上推出了MasterGaN2,MasterGaN2是新系列中的首款产品,其中包含两个非对称氮化镓(GaN)晶体管,可提供适用于软开关和有源整流转换器拓扑的集成GaN解决方案。

    650V常关型GaN晶体管具有150mΩ和225mΩ的导通电阻(RDS(on))。意法半导体表示与优化的栅极驱动器结合在一起,使GaN技术易于使用,像制造普通硅器件一样。通过将先进的集成技术与GaN固有的性能优势相结合,MasterGaN2进一步提高了器件效率,并使尺寸减小和重量减轻,例如有源钳位反激式。

    MasterGaN功率级封装(SiP)系列在同一封装中结合了两个GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和相关的高压栅极驱动器,并内置了所有必要的保护机制。设计人员可以将外部设备直接连接到MasterGaN器件,外部设备包括霍尔传感器和控制器,例如DSP、FPGA或微控制器。意法半导体表示,这些输入与3.3V至15V的逻辑信号兼容,这有助于简化电路设计和物料清单,以及简化组装,可以实现更小的占位面积。这种集成有助于提高适配器和快速充电器的功率密度。

    GaN技术正在推动快速USB-PD适配器和智能手机充电器的发展。意法半导体认为,MasterGaN器件可使这些器件的体积缩小到原来的80%,重量减轻到原来的70%,而充电速度是普通硅基解决方案的三倍。

    内置保护机制包括低侧和高侧欠压锁定(UVLO)、栅极驱动器互锁、专用停机引脚和过热保护。9mm x 9mm x 1mm GQFN封装针对高压应用进行了优化,高压和低压焊盘之间的爬电距离超过2mm。

    MasterGaN2现已开始生产,订购1000片的最低价格为6.50美元。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:527
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    以色列集成电路晶圆代工制造商高塔半导体(Tower Semiconductor Ltd)宣布正在参加通用微型光学系统激光器(LUMOS)计划,创建了一种集成的硅上激光光子学铸造工艺,该工艺可以将高性能III-V激光二极管与Tower的PH18生产硅光子平台相结合,LUMOS计划由美国国防高级研究计划局(DARPA)给予部分支持。高塔半导体在以色列Migdal Haemek设有制造厂,其美国子公司在加利福尼亚州Newport Beach和德克萨斯州圣安东尼奥市拥有制造厂。

    准备好后,多项目晶圆(MPW)的运行将与新工艺协调。流程开发套件(PDK)的初始版本预计在2021年发布,并将包括激光器和放大器模块。

    Tower表示,在硅上进行激光集成的好处有很多,不仅可以提高激光器的密度,还能够减少激光器与光子之间的耦合损耗,并且减少所需组件的数量以及简化封装方案。可以与Tower的无源和有源硅光子元件套件结合使用时,例如硅和氮化硅波导、Mach-Zehnder调制器(MZM)和锗(Ge)光电二极管,这种共同集成将实现目前批量半导体或光电子代工厂无法提供的新产品。

    该工艺将成为DARPA LUMOS计划的一部分,该计划旨在将高性能激光器引入先进的光子学平台,以满足商业和国防应用的需求。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:531
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    加拿大安大略省多伦多市的POET Technologies Inc与光子神经网络系统公司签订了有关人工智能(AI)应用系统的开发和供应协议。POET Technologies是一家设计和制造光电子器件的公司,产品包括用于传感和数据通信市场的光源、无源波导和光子集成电路(PIC)等。

    POET说,在摩尔定律推动下的数字半导体物理学即将达到极限,于此同时,人工智能正在前所未有地推动人们对计算的需求。晶体管的扩展正在接近极限,人工智能加速器公司正努力跟上需求的发展,特别是在需要更高功率和成本效率的“边缘”应用领域。针对人工智能工作负载的特定领域架构可以弥补晶体管发展的一些放缓,但是这种方法也有其局限性。

    有关人工智能应用芯片组的市场预计将从2020年的180亿美元左右增长到2025年的650亿美元以上。POET表示,其新的光子人工智能计算开发和供应协议代表了进入这一新的、巨大的、增长率极高的市场的一个切入点。该公司表示,这些应用程序的客户正在打破数字半导体模式,将光子学集成到人工智能工作负载的加速器中,实现人工智能计算的阶跃式改进。POET认为,利用光来执行数据并行计算比传统半导体更快、更节能、成本更低,因此光子计算改变了人工智能领域的游戏。

    POET董事长兼首席执行官Suresh Venkatesan说:“十多年来,在电信和数据通信的推动下,光子学设计和制造取得了巨大的进步。光子学已经为光学计算做好了准备,并有望成为引领AI计算快速增长的划时代技术。 POET现在处于有利位置,可以有机会参与新型大批量、高增长应用的设计制造,从而扩大公司光学引擎和光学插入器平台产品的潜在市场。除了强调POET光学中介层平台的巨大适应性之外,该项目预计今年还将以潜在初始产品的销售形式为POET带来收益。”

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:383
  • 10   2021-01-10 GaInAsSb 1.55μm电信设备 (编译服务:集成电路)     
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    瑞士苏黎世联邦理工学院(ETH Zurich)首次展示将砷化镓铟锑(GaInAsSb)作为1.55μm电信波长的吸收材料。该材料被部署在单行进载流光电二极管(UTC-PDs)中,载流子光电二极管具有274 GHz的传输受限带宽,而对均匀GaAsSb吸收器的107 GHz响应则显示出对调制信号的增强响应。通过对材料进行分级以提供184GHz带宽,可以提高GaAsSb的性能,但是仍然不足274GHz。

    以前,人们认为使用四元GaInAsSb吸收剂没有多少好处,因为合金成分具有相似的带隙。研究人员表示GaInAsSb的增强是由于改善了制造器件中的电子传输。UTC结构仅取决于快速的电子传输,这是优于PIN二极管的一个优点,而PIN二极管则受到通过常规结构的各个部分的较慢的空穴漂移运动的限制。

    研究负责人科伦坡·博洛涅西(Colombo Bolognesi)表示,ETH装置比GaAsSb吸收器的极限速度提高了近3倍,并且与类似的InGaAs基装置进行了比较,结果表明,四元GaInAsSb合金比InGaAs(业界领先的产品)优越30%到40%,尽管掺杂量比用于比较的InGaAs器件高出6.5倍。

    通过金属有机气相外延在2英寸半绝缘(100)磷化铟(InP)衬底上生长UTC-PD的半导体材料。结构为“ II型”,异质结导带和价带阶跃方向相同。光电二极管是通过沉积钯/镍/铂/金欧姆电极作为欧姆p接触,然后湿法刻蚀吸收体/集电极台面结构,对n接触进行钛/铂/金金属化而形成的,并隔离台面湿蚀刻。在基于特氟龙的回蚀平坦化工艺后添加共面波导探针垫。抗反射涂层由氮化硅组成。

    该器件的暗电流小于10nA,反向偏压可达5V,频率性能在0.2-60GHz范围内测量。输入光为1550nm波长的调制2mW信号,通过直径为3μm的透镜光纤传输。

    当器件面积小于80μm2时,3dB截止频率(f3dB)点大于所测量的60GHz。为了消除阻容(RC)延迟的影响,研究人员推断出面积为80μm2的器件的传输时间限制截止频率(fT)为274GHz。该值与具有均匀且渐变成分的GaAsSb吸收层器件的107GHz和184GHz相比。

    目前的性能限制因素是RC延迟,RC延迟可以随着器件尺寸的减小而减小。并且发现GaInAsSb四元吸收剂相对于三元GaAsSb对光刺激的响应高34%(0.094A/W比0.070A/W)。

    研究小组评论说:“GaInAsSb吸收剂的较高响应性可归因于以下几点:(i)与GaAsSb相比,Ga0.81In0.19As0.65Sb0.35的带隙更窄;(ii)由于缩短了运输时间,减少了吸收器中的载流子重组;(iii)吸收体L谷中电子的数量相对较低(减少了对InP的阻挡);(iv)与GaAsSb相比,GaInAsSb中的Auger重组寿命更长。

    相对于GaAsSb,GaInAsSb中的直接L谷与直接Γ谷之间的间接L谷分离更大,从而导致性能下降的L谷中的电子数量减少。实际上,GaAs和GaSb的间距分别为0.284eV和0.026eV,而相应的InAs和InSb的间距要大得多,分别为0.716eV和0.695eV。此外,L谷的电子迁移率要低得多。

    研究人员希望通过谐振腔结构和/或转换为波导架构来提高整体响应能力。由于当前的UTC-PD演示器的电磁仿真显示峰值光场区域与吸收层不对齐,预计响应度将有显着提高。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:95