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    英飞凌(Infineon)宣布,其已收购一家名为 Siltectra 的初创企业,将一项创新技术(Cold Spilt)也收入了囊中。“冷切割”是一种高效的晶体材料加工工艺,能够将材料损失降到最低。英飞凌将把这项技术用于 SiC 晶圆的切割上,从而让单片晶圆可出产的芯片数量翻番。据悉,本次收购征得了大股东 MIG Fonds 风投的同意,报价为 1.24 亿欧元(1.39 亿美元 / 9.7 亿 RMB)。

    Siltectra 成立于 2010 年,一直发展并拥有 50 多项专利知识产权组合。英飞凌 CEO Reinhard Ploss 博士表示:

    此次收购有助于我们利用 SiC 新材料,并拓展我司优秀的产品组合。我们对薄晶圆技术的系统理解和独特的专业知识,将与 Siltectra 的创新能力和冷切割技术相辅相成。

    与普通锯切割技术相比,Siltectra 开发出了一种分解晶体材料的新技术,能够将材料损耗降到技术。

    该技术同样适用于碳化硅(SiC),并将在其现有的德累斯顿工厂、以及英飞凌(奥地利)菲拉赫工厂实现工业化生产。作为唯一一家量产 300mm 硅薄晶圆的企业,英飞凌能够很好地将薄晶圆技术应用于 SiC 产品。预计未来五年内,英飞凌可实现向批量生产的转进。

    随着时间的推移,冷切技术有望得到更广泛的应用,比如晶锭分割、或用于 SiC 之外的材料。

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    近日,山东省在集成电路领域已出台了《山东省人民政府关于贯彻国发〔2014〕4号文件加快集成电路产业发展的意见》,全省集成电路产业发展较快,初步形成涵盖集成电路设计、制造、封装测试、材料等环节的完整产业链。

    集成电路设计方面,山东省产品特色突出。济南市被认定为国家集成电路设计产业化基地,拥有中维世纪、华芯、概伦等数十家集成电路设计企业,在音视频解码芯片、安全存储控制芯片等领域具备较好基础。概伦电子自主研发世界一流水平的半导体工艺器件建模平台并占据主要市场份额,高云半导体成功研发国产FPGA芯片。青岛市在传感器、专用集成电路设计方面具备一定国内比较优势。烟台市艾睿光电的非制冷红外成像芯片在国内处于领先水平。

    晶圆制造方面项目建设加速。淄博美林与台湾强茂电子合资成立山东强茂电子,建设6英寸半导体晶圆生产线,年产5亿支汽车用半导体分立器件,已投入批量生产。青岛市芯恩协同式集成电路制造项目已开工建设,12英寸模拟集成电路制造项目在儒商大会期间签约。

    封装测试方面,山东省的细分领域优势较为明显。济南市盛品电子是国内少数拥有MEMS智能传感器封装制造核心技术的企业,是华为、紫光等龙头企业的快速封装服务商。淄博市智能卡封装测试产品市场占有率居全国前列,聚集了山铝电子、凯胜电子、泰宝防伪等一批IC卡封装测试企业和RFID(射频识别)生产企业。淄博美林、威海新佳等一批电力电子生产企业在功率半导体封装测试和生产领域具备较好基础。

    材料方面,山东省也形成了良好的发展基础。山东天岳研发的碳化硅材料打破国际垄断。烟台鲁鑫贵金属的键合金丝生产规模国内领先,连续多年被认定为全国电子百强企业。德邦科技自主研发集成电路关键封装材料,获国家集成电路产业投资基金投资。有研科技在德州市投资建设8英寸、12英寸硅片规模化生产基地。烟台金宝、莱芜金鼎、济宁科大鼎新等也在国内占有重要地位。

    同时,山东省集成电路产业也面临着产业基础薄弱、投入不足、重大项目偏少等问题。据介绍,刚刚出台的《山东省新一代信息技术产业专项规划(2018-2022年)》已将其作为一个补短板的核心领域进行重点突破。山东省将按照“先两头(设计、封装测试)、后中间(制造)”的思路,巩固材料环节优势,壮大设计、封装测试环节,全力突破制造环节,打造集成电路“强芯”工程。到2022年,培育3-5家集成电路龙头企业,20家具备较强竞争力的细分领域领军企业。

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    福州瑞芯微电子股份有限公司(简称“瑞芯微”)股权结构近日发生变化,引进了多家投资机构。其中,国家集成电路产业投资基金(“大基金”) 入股占公司7%股份、上海武岳峰入股占公司5.29%股份。

    此外,入股瑞芯微的投资机构还包括深圳、北京、上海等多个地方政府背景基金。如深圳市达晨创联股权投资基金合伙企业(有限合伙)持股1.41%、北京亦合高科技产业投资合伙企业(有限合伙)持股0.61%、上海科技创业投资有限公司持股0.24%等。

    瑞芯微官网显示,公司成立于2001年,总部福州,在上海、北京、深圳、杭州均有研发中心,是中国极具创新和务实的集成电路设计公司。瑞芯微电子为 AI人工智能领域、智能音箱、手机拍摄协处理器、手机快充、平板电脑、电视机顶盒、ARM 处理器PC、嵌入式行业应用、VR、机器人、无人机、影像处理、车载导航、IoT物联网和多媒体音视频等多个领域提供专业芯片解决方案。

    据悉,瑞芯微曾拟登陆创业板,计划募集资金4.23亿元,用于基于14/16nm工艺处理器芯片升级项目、IVP影响及视觉处理芯片和研发中心建设项目。不过2017年7月被证监会否决。

    国家大基金专注于对我国集成电路产业链中的关键薄弱环节如制造、设备等领域进行投资,不过伴随大基金一期投资基本完成、二期基金募集完成,业内人士表示,大基金将提高对芯片设计业的投资比例。

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    今年8月,珠海市政府与富士康科技集团签署战略合作协议,双方将在半导体设计服务、半导体设备及芯片设计等方面开展合作;在珠海高新区,英诺赛科、鼎泰芯源、普林芯驰、中芯集成电路等数十家半导体材料、IC设计企业集聚,形成上下游良性联动的集成电路产业链……

    以上述优质企业为代表的珠海信息产业,将迎来全新的发展机遇。近日,珠海市政府常务会议审议并原则通过了《珠海市促进新一代信息技术产业发展的若干政策》(以下简称《政策》),《政策》共推出12条措施,支持珠海在做大做强软件和集成电路设计业的同时,大力发展大数据、人工智能等智慧产业,以及智能硬件、5G、信息安全等新兴产业,打造未来的产业增长支柱。

    根据部署,珠海计划于2019年设立《政策》所需的产业专项资金,连续三年每年投入约7000万元用于补助和奖励,支持新一代信息技术产业发展。珠海市科技和工业信息化局局长贺军表示,12条政策条款以较高标准来核定奖补方案,对信息产业支持力度大。

    势头

    优势产业增速排名全国第三

    根据珠海市政府与富士康签署的协议,富士康将立足集成电路产业,面向工业互联网、8K+5G、AI等新世代高性能芯片的应用需求,与珠海市在半导体产业领域开展战略合作,推动珠海打造成为半导体服务产业发展的重要基地。

    信息产业是地方经济稳增长、促就业和调结构的重要支撑,也是珠海重点打造的龙头支柱产业之一。近年来,珠海促进信息产业规模稳步增长,已形成了以智能终端制造、软件和集成电路设计为重点的信息产业体系,该产业呈现出产业规模稳步增长、布局基本成形、骨干企业快速成长等发展趋势。

    数据显示,今年1-8月,珠海电子信息制造业实现规模以上工业总产值574亿元,同比增长7.7%;规模以上工业增加值129亿元,同比增加10.3%。同时,软件和信息技术服务业实现业务收入413.87亿元,同比增长17.43%;集成电路设计服务收入24.2亿元,同比增长24%。

    值得一提的是,珠海集成电路设计产业去年规模达46亿元,在全国集成电路设计产业规模最大的10个城市中位列第9,产业增速排名全国第3。

    信息产业的快速发展并非无源之水。近年来,珠海先后出台了《关于发展软件产业的若干规定》《加快高端新型电子信息产业发展的意见》《进一步促进我市软件和集成电路设计产业发展的意见》等一系列扶持政策,并设立专项资金,扶持信息产业发展。

    尽管综合实力不断增强,新兴业态成长迅猛,但在业内人士看来,珠海信息技术产业发展仍面临诸多困难和短板。“结构相对单一、产业规模增长缺乏动力,亟须寻找新的增长点,这是当前珠海信息产业在迈向更高质量发展道路上所面临的瓶颈和难题。”

    “随着产业向纵深发展,城市之间的竞争加剧,珠海原有的信息产业扶持政策已无法满足产业发展的需求,亟须出台新的产业扶持政策。”贺军坦言。

    路径

    新措施助力做长做强产业链

    根据珠海市委、市政府的工作部署和《珠海市信息产业发展规划(2017-2021年)》指引,《珠海市促进新一代信息技术产业发展的若干政策》针对当前珠海信息产业发展的痛点,结合国家战略方向和产业发展趋势,提出支持新一代信息技术产业发展的12条措施,促进产业链上下联动,打造珠海经济未来增长支柱。

    根据《政策》,珠海将重点支持集成电路产业的发展,在原有支持集成电路设计企业流片、购买EDA工具、租用公共技术服务的扶持内容基础上,新增购买IP补贴,集成电路产品晶圆制造、封测服务补贴,支持集成电路产业链联动发展的内容,以巩固珠海集成电路设计产业发展优势,做长做强产业链。

    与此同时,《政策》对企业获得国家科技重大专项给予一定比例的资金配套,支持企业承担国家级科技重大项目。据悉,为鼓励企业承担国家(省)科技重大专项、信息化和信息产业发展重大专项等新一代信息技术产业化项目,珠海将给予其所获立项金额一定比例的配套补贴,每年最高500万元。

    按照国家、省发展新一代信息技术产业的方向,《政策》重点支持物联网、云计算、大数据、人工智能、信息安全等新兴业态发展。同时,珠海还将对中小企业租用信息技术公共技术服务给予补贴,支持公共技术服务平台的条件建设,构建完善的公共技术服务环境。

    值得一提的是,《政策》所需的产业专项资金自2019年起设立,政策有效期3年,每年资金规模约为7000万元,支持方式主要采取补助和奖励方式。

    贺军介绍,珠海市科工信局对深圳、广州、东莞等周边地区以及北京、上海、无锡、厦门、合肥、杭州等城市最新出台的产业政策进行了梳理和对比,对部分奖补标准进行了重新调整,增加了相关条款,并提高了奖补标准。“目前,除财政部门对产业扶持资金奖补有上限要求外,《政策》的其余政策条款基本能达到‘珠三角最优’。”

    力度

    高标准奖补支持工业互联网建设

    资金奖补倾斜力度大,是本次新政的一大亮点。

    《政策》提出,要充分发挥珠海发展投资基金的引领和撬动作用,引导社会资本、产业资本和金融资本投向新一代信息技术全产业链的重大项目建设,并积极争取包括国家大基金在内的各类产业基金的支持,鼓励银行业金融机构对集成电路企业给予信贷倾斜。

    为加快完善新一代信息技术全产业链,《政策》明确提出,支持云计算、大数据产业发展,支持云计算中心、大数据中心、大数据产业园区建设自备电厂,通过直供电、电费补贴等方式降低要素成本,对云计算中心、大数据中心自用宽带租赁费给予50%的补贴。

    同时,《政策》明确,对单个云计算中心、大数据中心、大数据产业园区,连续三年每年给予补贴100万元。

    当前,互联网发展正由消费互联网转向工业互联网,工业互联网成了制造业竞争的新制高点。鉴于工业互联网发展与新一代信息技术产业发展密切相关,因此《政策》特别将支持工业互联网、企业“上云上平台”、两化融合发展的内容一并纳入政策体系当中。

    比如,《政策》明确,对经评定的工业互联网平台、标杆示范项目分别给予300万元、150万元的奖励;支持工业互联网产业示范基地建设,对经国家、省评定的工业互联网产业示范基地,分别给予800万元、500万元的奖励。

    同时,对上年度主营业务收入达500万元以上的工业企业核心业务系统“上云上平台”,《政策》也明确了将对企业的应用服务费、设备接入费、网络改造费等给予补贴,以鼓励工业企业利用信息化技术推进工业制造转型,实现产能提升。

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  • 摘要:

    近日,天岳碳化硅材料项目在浏阳高新区开工,标志着国内最大的第三代半导体碳化硅材料项目及成套工艺生产线正式开建,也为长沙碳基材料产业发展增添“新引擎”。

    据了解,天岳碳化硅材料项目系国内最大的第三代半导体碳化硅材料项目及成套工艺生产线,分两期建设:一期占地156亩,主要生产碳化硅导电衬底,预计年产值可达13亿元;二期主要生产功能器件,包括电力器件封装、模块及装置,新能源汽车及充电站装置、轨道交通牵引变流器、太阳光伏逆变器等,预计年产值达50~60亿元,税收可达5~7亿元。

    作为第三代半导体材料的碳化硅,被列入“中国制造2025”规划,是国家战略性新兴产业。而天岳则是中国宽禁带半导体材料领域当之无愧的“独角兽”。

    国际先进,主要产品应用众多技术领域

    山东天岳晶体材料有限公司的碳化硅半导体材料技术已经达到国际先进水平,个别产品全世界仅有山东天岳和美国一家企业可以批量生产,该产品是支撑关键装备的核心材料,被列入国家战略物资。据介绍,公司自2010年建立,仅用8年时间就成长为国际先进的碳化硅半导体材料高技术企业,其主要产品碳化硅衬底作为新一代半导体材料的代表,广泛应用于电力输送、航空航天、新能源汽车、半导体照明、5G通信等技术领域。

    据了解,碳化硅半导体也称第三代半导体,是继硅半导体后发展起来的新一代功率半导体,因其具有高频高压、大功率、耐高温、大幅节能等显著特点和优势,对于保障国家安全,发展高端装备制造,促进产业升级换代都具有重大战略意义,是公认的划时代材料。

    宗艳民表示,碳化硅半导体产业在节能环保和智能制造领域大有可为。他举例说,如果用半导体碳化硅LED取代全部白炽灯或部分取代荧光灯,可节省三分之一的照明用电,即1000亿千瓦时。“普通空调外挂机,如果使用碳化硅材料可以减少1/2的体积,同时节能2/3;碳化硅半导体是5G通信和物联网的基础材料,可以说没有碳化硅半导体就无法实现5G和物联网。”

    选择长沙,抢占第三代半导体制高地

    “碳化硅最大的应用市场在中国,占据全球近一半的使用量,但是我国的碳化硅产业还很不完善,而且长期以来被国外封锁。”宗艳民表示,这种局势要求企业必须自主可控、自谋出路,而这给了天岳扩大规模建设的时代要求,也是落子长沙的原因,“湖南有中车,有国防科大,既有市场需求,又有军民融合基础,落地长沙,符合我们发展选择的需要。”

    实际上,长沙正在强力推进新一代半导体产业链建设,上中下游产业落地铸就了产业生态环境,具有一定产业引进的体系优势——作为国家战略性新兴产业,2017年,碳基材料产业链被长沙市委、市政府确立为长沙22个工业新兴及优势产业链之一,并将产业链推进办公室设在浏阳高新区。自成立以来,碳基产业链办公室通过深入研究产业态势、全面推进产业招商、精心培育产业主体、着力完善保障机制等举措,助力产业建链、补链、强链、延链。

    “如今,第三代半导体产业发展迎来了前所未有的机遇窗口期,此次落户,我们希望能够抢占第三代半导体制高地,填补长沙在碳化硅产业的空白。”宗艳民表示,公司落户期待稳健推进产业生态建设,为半导体产业发展做出贡献,助力长沙打造国家智能制造中心,“我们的目标是到2020年跻身全球前两位,5-10年时间做到行业内全球第一,实现第三代半导体的中国梦!”

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  • 摘要:

    近日,聚力成半导体(重庆)有限公司奠基仪式在大足高新区举行,该项目以研发、生产全球半导体领域前沿的氮化镓外延片、芯片为主。这项拟投资50亿元的高科技芯片项目,有望突破我国第三代半导体器件在关键材料和制作技术方面的瓶颈,形成自主制造能力。

    聚力成半导体项目占地500亩,拟投资50亿元,将在大足打造集氮化镓外延片制造、晶元制造、芯片设计、封装、测试、产品应用设计于一体的全产业链基地。项目建成达产后可实现年产值100亿元以上,解决就业岗位2500个。此外,该企业还在大足建设中国区总部、科研及高管配套项目等。

    据业内人士介绍,第一代半导体材料以硅和锗为代表,第二代半导体材料以砷化镓和磷化铟为代表。近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料成为全球半导体研究的前沿和热点。因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,第三代半导体材料已成为固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在诸多领域有广阔的应用前景。

    目前,全球拥有氮化镓全产业链的仅有德国、日本、美国等国少数几家企业。我国在第三代半导体器件的研发方面起步并不算晚,但因为在关键材料和关键制作技术方面没有取得较好的突破,国内一直没有形成自己的制造能力。

    聚力成公司在大足建设的基地,是其在中国大陆的第一个生产、研发基地,将有望打破上述局面。该项目建成后,可为高铁、新能源汽车、5G通讯、雷达、机器人等行业的电力控制系统和通讯系统的核心部件提供大量的氮化镓高功率半导体和高射频半导部件。

    该项目前期由市台办搭桥引荐,得到了市经信委、市商务委、台商协会等部门的大力助推,经双方多轮磋商及长达数月的调研、专家论证,企业引入中国国际金融有限公司作为资方,于今年9月与大足区成功签约。目前,该项目运营公司聚力成半导体(重庆)有限公司核心成员已陆续入驻。

    自签约以来,大足区与企业双方精诚合作,仅用65天就实现开工。聚力成半导体基地的建设,将对大足乃至重庆实施以大数据智能化为引领的创新驱动发展战略行动计划,加快布局电子信息、集成电路等新兴产业,具有重要示范引领作用。

    据介绍。该公司研发的外延片是以氮化镓为原材料的第三代外延片,是全球半导体研究的前沿和热点,与芯片的质量有直接关系,属于半导体行业的核心技术器件。以氮化镓为材料的半导体器件可广泛应用于新能源汽车、高铁、5G通讯等领域,能让大家的生活更加智能化、更加便捷。在大足高新区建设的基地,是聚力成在大陆的首个基地,力争5年内实现产值40亿。

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    “铸锭单晶是太阳能硅材料重要的发展方向,希望铸锭单晶技术在今后1-2年重新开始大规模应用,”在近日举办的相关活动上,中国科学院院士、硅材料国家重点实验室主任杨德仁在报告中详细阐述了铸锭单晶的前世今生。会上,来自协鑫的长晶技术总监胡动力博士也在工业化应用的层面介绍了铸锭单晶技术的进展。他表示,在与直拉单晶实现同瓦输出的情况下,铸锭单晶硅片价格低0.3-0.4元/片,给客户更高的性价比。

    “第三条路线:铸锭单晶兼具低成本和高效率”

    在《铸造单晶硅材料的生长和缺陷控制》报告中,杨德仁院士表示,十余年来,多晶、单晶市场份额变化的钟摆效应,是市场政策、技术发展共同作用的结果,两种技术路线将会共存,谁也不会简单消灭谁。而第三种技术路线——铸锭单晶,利用籽晶通过铸锭的方法生长出单晶硅,把两种技术的优点结合起来,既有低成本,低能耗,也有高质量、高效率。

    “所以铸锭单晶技术在过去十年以及最近得到了非常大的关注”,杨德仁院士表示,从1977年第一次在国外杂志上发表,到2006年转换效率做到18%,再到2010年铸锭单晶技术实际上已经工业化应用,市场份额占到15%-20%。杨德仁强调,铸锭单晶的优势在于电阻率更加均匀,比多晶增加1%以上的转换效率,同时又保持了多晶的低光衰优势,光衰仅仅是直拉单晶的20%-30%。

    杨德仁院士同时指出,铸锭单晶在过去一段时间面临位错密度、单晶率、材料利用率和籽晶成本等问题挑战,其中位错是关键因素。“我们的研究团队提出增加晶界的改进方法,‘以毒攻毒’,可以有效的降低位错。我们希望这样的技术在今后1-2年重新开始大规模应用”,杨德仁院士说。

    “铸锭单晶将赠送‘阳台’和‘飘窗’实现同瓦输出”

    铸锭单晶在2010年左右规模量产,协鑫、LDK,昱辉都有大量出货。近几年来,铸锭单晶技术未能大规模应用,除了高效多晶等新技术的快速发展占领市场外,成本问题也一直是主要的突破方向。

    “目前保利协鑫铸锭单晶已经发展到第三代产品,通过籽晶多次回用,籽晶成本下降60%”,在“晶硅材料技术与装备”分会场,保利协鑫胡动力博士说,“此外,依靠G8大尺寸硅锭,薄硅片等方法,成本已经进一步下降。

    除了成本优势,胡动力博士认为,保利协鑫铸锭单晶硅片技术优势也比较显著。相比于直拉单晶15ppma,铸锭单晶研发氧含量最低到2ppma,确保更低的光衰;硅片电阻率分布更窄,效率进一步提升,与直拉单晶相差0.2%以内。

    “铸锭单晶将赠送‘阳台’和‘飘窗’”,胡动力博士形象比喻道,“转换效率差距可以用157.75mm的大尺寸硅片弥补。由于不存在缺角,铸锭单晶硅片面积100%可利用,比直拉单晶面积大2%,与同尺寸直拉单晶硅片实现同瓦输出。同时,每片价格低0.3-0.4元,经测算,选择铸锭单晶较直拉单晶收益高0.06元/W。高效铸锭单晶组件(60片)可以封装到310瓦。”

    胡动力博士指出,大尺寸化和定制化是未来技术趋势,铸锭单晶能低成本实现166mm和长方形硅片的定制化生产,未来更具优势。对于三类片的处理方法,胡动力博士表示,利用湿法黑硅技术,三类片黑硅制绒效率较产线多晶黑硅片高0.21%,与多晶黑硅外观几乎一致,而且颜色更加均一。

    目前,保利协鑫铸锭热场工艺、高纯坩埚、锭检设备已经全面升级,继金刚线切黑硅片之后,铸锭单晶硅片将成为对市场有重大影响的差异化产品。

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    日本,美国和土耳其的研究人员利用在200mm硅基板上生长的材料开发了高亮度紫外(UV)氮化铝镓(AlGaN)发光二极管(LED)技术[Yoann Robin等,Materials Science in Semiconductor Processing ,vol90,p87,2019]。 来自日本名古屋大学,美国弗吉尼亚联邦大学,土耳其Cumhuriyet大学和美国西北大学的团队使用横向外延过度生长方法来改善材料质量。 研究人员报告说:“AlN质量和结构设计的改进使光输出功率在脉冲电流下达到毫瓦范围,超过了之前报道的最高效率。”

    将LED芯片翻转并安装在具有金 - 锡共晶键合的预先图案化的AlN底座上。 使用氢氟酸/硝酸/乙酸混合物除去硅衬底。 在湿蚀刻期间,用蜡保护器件的侧面。 与蓝宝石不同,基板去除至关重要,因为硅吸收紫外线辐射。 然后将这些器件用铟粘合到铜散热器上,最后进行引线键合以进行电连接。 基于蓝宝石的比较LED是类似地制造的,但没有基板去除。

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  • 摘要:

    2017年第三季度,位于德国的沉积设备制造商Aixtron SE报告收入为6340万欧元,比上一季度的5520万欧元增长了15%,比去年同期的6220万欧元增长了2%。2018年前9个月的收入为1.809亿欧元,比1.763亿欧元增长3%。

    总裁Felix Grawert博士指出,与前几个季度一样,2018年前九个月的收入和订单收入主要是由金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统持续的需求来推动。MOCVD系统可用于生产红橙黄ROY LED,也可用于显示器、激光器、垂直腔面发射激光器(VCSEL)和边缘发射激光器(EEL),以及用于3D感测和光学数据传输。在这些年,对电力电子应用的MOCVD系统的需求也在增加,这使我们可以有更多的产能扩展订单。”

    Schulte评论道:“我们对订购的红色、橙色和黄色LED,激光器和电力电子产品的感到非常满意。”

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  • 摘要:

    总部设在新加坡的研究人员使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)直接在200mm直径的硅晶片上生长III-V异质结双极晶体管(HBT)。

    来自南洋理工大学和新加坡麻省理工学院研究与技术联盟(SMART)的团队希望该技术可以使用最有效的(001)晶体取向与主流硅互补金属氧化物半导体(CMOS)电子器件集成。

    研究人员首先在200mm(001)p型硅衬底上生长锗缓冲层。在[110]方向上将基板切割6°,HBT结构也通过MOCVD生长,产生铟镓砷磷化物(InGaAsP)合金。

    研究人员预测在于手机功率放大器的应用中,III-V异质结双极晶体管比纯硅器具有更高的高频性能。在更高的电压击穿和低噪声操作方面,带隙调谐可以进一步展现优点。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:274