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  • 摘要:

    通过建成芯片设计、封装测试、应用开发在内的集成电路全产业链,重庆正着手培育集成电路千亿产值规模。8月14日,重庆日报记者从市经信委获悉,截至去年底,全市集成电路产业实现产值约180亿元,集聚规模以上企业9家。

    集成电路全产业链已初步建成

    重庆是国内发展集成电路产业最早的城市之一,我国第一块大规模集成电路芯片,就出自位于永川的中国电子科技集团公司第24研究所。

    “全市集成电路产业正在快速发展,目前已初步建成较完整的集成电路全产业链。”重庆市经信委电子处负责人介绍,全市现有集成电路企业约20家,覆盖了集成电路芯片设计、制造、封装等全产业链环节。

    其中,芯片设计企业包括西南集成、中科芯亿达、伟特森电子、锐迪科、原璟科技、雅特力科技、弗瑞思科、烈达半导体、物奇科技、渝芯微等企业,主要涉及功率、射频、通信、驱动、物联网、数据传输、微控制器等设计领域。

    晶圆制造及整合元件制造商企业,包括中国电科集团覆盖模拟集成电路、电荷耦合元件的两条6英寸芯片生产线,华润微电子公司8英寸功率及模拟芯片生产线,以及万国半导体公司12寸电源管理芯片生产线及封测线。

    封装测试及原材料供给方面,包括SK海力士公司在渝建设其全球最大封装测试基地,平伟实业、嘉凌新科技等企业从事功率器件封装测试;超硅公司生产大尺寸集成电路用硅片,奥特斯公司生产半导体封装载板。

    重庆市经信委称,以上述企业为基础,重庆将逐步建成为国内重要的功率半导体基地。

    拓展与行业龙头企业合作空间

    围绕集成电路产业发展规律,重庆提出将重点发展电源管理芯片、存储芯片、先进工艺生产线、汽车电子芯片、驱动芯片、人工智能及物联网芯片、集成电路设计业。

    其中,重庆市将加强平台建设,以集成电路设计为重点,做大晶圆制造规模,提升封装测发展水平,完善原材料及配套体系,带动全产业链均衡发展。同时加大对集成电路相关知识产权、技术诀窍的研发、积累和引进力度,推动设计企业孵化和创新成果产业化,并大力引进、培育集成电路核心人才团队,增强产业支撑。

    重庆市经信委表示,目前在集成电路资本、技术、项目等多个项目领域,重庆正在努力拓展与国内行业龙头企业合作空间,重点围绕人工智能、智能硬件、智能传感、汽车电子、物联网等产品方向,加快引进培育一批集成电路设计龙头企业,形成集成电路设计产业集聚区。

    接下来,全市将重点推动发展电源管理芯片及功率模组,支持化合物半导体等多品种、小批量特殊工艺线建设,引进及合资合作建设一批大尺寸、窄线宽先进工艺晶圆制造重大项目,尽快实现12寸芯片生产线本地量产。另外,全市还将持续发展高密度、高可靠性先进封装工艺,扩大封装测试产业规模,争取在淀积、刻蚀、离子注入等核心工艺和动力净化专用装备领域取得突破。

    来源机构: 大半导体产业网 | 点击量:53
  • 摘要:

    法国的Riber SA公司已报告其生产分子束外延(MBE)系统以及蒸发源和渗出电池使同比收入增长36%,从2017年上半年的1250万欧元增加到1700万欧元。 2018年上半年,亚洲贡献了74%的收入(从84.2%下降),欧洲20%(从12.2%上升)和美国6%(从3.4%上升)。

    系统收入从仅仅90万欧元增加到410万欧元,翻了两番,这反映了四台机器(包括三个研究单位)的与一台研究机器(2017年上半年的)的差别。

    蒸发器收入(电池和电池)从880万欧元增长到1040万欧元,增长了18%,原因是屏幕行业的交付量很高。

    Riber预计2018年下半年的收入将比2017年下半年有所上升。参考计划交付的时间表,该公司预计直到2019年,2018年全年的收入增长率至少为15%,并且2018年上半年的盈利数据将于9月27日公布。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:194
  • 3   2018-08-12 VisIC宣布9kW GaN半桥无需并联 (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    以色列的VisIC技术有限公司宣布推出一款新的水冷式V22N65A-HBEVB半桥评估板,展示使用其GaN开关(先进的低损耗开关)来实现的高功率性能。

    评估平台可以在任何半桥拓扑结构中进行操作,并且仅使用单个V22N65A晶体管进行降压和升压拓扑测试,最高功率可达9kW。据说这是市场上第一款基于GaN的解决方案,可提供高达9kW的功率,无需并联,适用于混合动力和电动汽车中的高密度车载充电器(OBC)。

    该公司表示,V22N65A All-Switch SMD是一种分立式顶部冷却器件,其采用先进的隔离封装设计,使导热量和开关损耗量处于超低状态,也可最大化的实现每个GaN器件的性能。低寄生电感功率和栅极环路设计与高阈值电压(5V)相结合,使设计人员能够在多功率范围和高功率应用中安全地采用VisIC GaN开关。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:178
  • 4   2018-08-12 国防和5G推动RF GaN市场突破10亿美元 (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    RF氮化镓市场金额在2017年继续增加,收入同比增长超过38%,到2022年将超过10亿美元,其中国防部门需求略高于商业收入。Strategy Analytics的战略组成部分应用(SCA)集团预测:2017-2022, GaN正在各种射频装置中得到应用,增长主要是由于商用无线基础设施的推广以及军用雷达,电子战(EW)和通信应用的需求。

    2017年军用部门的射频GaN需求同比增长72%,年复合平均增长率(CAAGR)将在2022年达到22%。军用雷达部门仍将是GaN器件的最大用户。在国防部门中,特别是海军陆战队的AESA雷达,其大量生产活动正在不断的推动RF GaN需求量的增长,并且之前正在开发的许多系统已投入生产。

    Strategy Analytics总结道,虽然增长驱动因素仍在不断变化,但是依旧看好RF GaN的应用前景。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:171
  • 摘要:

    诺斯罗普·格鲁曼公司推出首款采用高功率和高效氮化镓天线技术的AN/TPS-80 G/ATOR (Ground/Air Task-Oriented Radar) 型 S 波段 3D 多功能 AESA 雷达。为了进一步改进系统的运营能力,处于低速率初始生产(LRIP)阶段的第七个G / ATOR系统提前交付给了美国海军陆战队。

    诺斯罗普格鲁曼陆地和航空电子C4ISR部门副总裁Roshan Roeder说:“海军陆战队是第一批采用这种多功能的AESA雷达的战队,采用这种先进的GaN技术,并且这种先进的雷达生产技术是海军陆战队特有的。”海军陆战队和诺斯罗普格鲁曼公司将继续为执行全速生产计划做好充分准备,并打算于2019年初开始执行计划。

    此外,鉴于AN / TPS-80的开放式架构设计,Northrop Grumman于2016年通过国防部战略能力办公室获得了一份合同,以增加一个消防控制任务。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:170
  • 摘要:

    到今年结束时,世界顶级工业和电子制造商将在半导体上花费超过3000亿美元,这是一个首次超越的门槛,因为七个主要市场对芯片的大量使用和需要,这使芯片的高需求量持续不减。

    预计今年服务市场(SAM)的半导体设计支出费用将达到316.8亿美元,这一新纪录将打破去年SAM芯片设计支出费用为296.8亿美元的记录。

    昂贵的存储器元件在2017年推广到芯片市场后,其高价格持续到2018年,因此2018年仍将保持大量的设计支出费。去年的繁荣让存储器公司有盈余现金以增加对产能的投资并提升产出,改善NAND和DRAM供应。但随着今年供需形势出现稳定迹象,昂贵的内存芯片可能即将结束。

    来源机构: IHS | 点击量:165
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    加州大学洛杉矶分校的电气和计算机工程师团队创建了一个物理人工神经网络,一个模拟人类大脑工作原理的设备,可以分析大量数据并以实际光速识别物体。该设备是使用加州大学洛杉矶分校Samueli工程学院的3D打印机打造的,并于7月26日发表在“科学”杂志上。

    该研究的首席研究员,加州大学洛杉矶分校校长电气和计算机工程教授Aydogan Ozcan说:“这项工作为使用基于人工智能的设备提供了新的根本性机会,可以及时分析数据,图像并对物体进行分类。这种光学人工神经网络设备直观地模拟了大脑处理信息的方式,它可以应用到新的摄像机设计和独特的光学组件,在医疗技术,机器人,或图像和视频数据的处理等发面进行运用。”

    来源机构: 美国科学促进会网站 | 点击量:604
  • 摘要:

    在AIP出版社的应用物理杂志上,利兹大学的研究人员报告了一种玻璃的激光辅助研究,该研究显示了宽带平面波导放大器材料的前景。这种材料是由一种锌,钠和碲制成的玻璃和稀土元素铒掺杂而成。掺铒波导放大器引起了人们的关注,因为铒的电子跃迁发生在1.5微米的相同波长,这是电信技术的标准。

    调查人员研究了喷在玻璃上的微小陨石坑的形状和特征,了解到制造过程中产生的凹坑的形态对于控制孔隙率,表面积和材料散射或吸收光的能力等是很重要的。

    Mann说:“这些性质对于工程中的其它介电材料具有重要的作用,它们在光催化、传感、燃料和太阳能电池以及光提取中也有着重要的应用。我们研究的下一阶段将涉及更精确的放大器,传感器和其他设备的薄膜和波导工程。”

    来源机构: 智慧新闻 | 点击量:580
  • 摘要:

    作为Solliance和EnergyVille的合作伙伴,比利时鲁汶的纳米电子研究中心imec报告称其四端钙钛矿硅串联光伏电池的太阳能转换效率为27.1%,击败了效率最高的独立硅太阳能电池。据估计,钙钛矿材料的进一步改造可将效率提高至30%以上。

    imec 和EnergyVille的博士研究员Manoj Jaysankar说:“我们两年来一直在研究这种串联技术,与以前版本最大的区别在于钙钛矿吸收剂的改造和加工,调整其带隙以优化硅串联配置的效率。”

    Imec 和 EnergyVille薄膜光伏组织负责人Tom Aernouts总结道:“在工业硅光伏上添加钙钛矿可能是进一步提高光伏效率最具成本效益的方法,因此,我们邀请所有正在寻求更高效率光伏价值链的公司与我们合作并探索这条充满希望的道路。”

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:575
  • 10   2018-08-05 用于增强氮化铟镓LED中的光提取的结构 (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    台湾国立成功大学的Yu-Lin Lee和Wen-Chau Liu一直致力于通过使用台面顶面和侧壁的纹理来增强氮化铟镓(InGaN)发光二极管(LED)中光的提取,于2018年7月4日在IEEE Transactions on Electron Devices上发表。

    特别是,研究人员在顶面上创建了一个微孔阵列,并在侧壁上形成45°锯齿或凸面图案。这些措施的目的是增加光子从结构中逃逸到外部世界的可能性。基于InGaN的器件易于让光在GaN 和空气的界面处反射回器件中。由于GaN和空气之间的折射率差异很大,发生全内反射,从而为光子提供了相对窄的逃逸锥。纹理设计旨在减少全内反射,提高光提取效率。

    一种这样的结构与没有微孔阵列或侧壁纹理的参考器件相比,光输出功率,光通量,外量子效率和壁插效率分别增加了20.9%,24.3%,20.5%和21.3%。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:576