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    今年8月,珠海市政府与富士康科技集团签署战略合作协议,双方将在半导体设计服务、半导体设备及芯片设计等方面开展合作;在珠海高新区,英诺赛科、鼎泰芯源、普林芯驰、中芯集成电路等数十家半导体材料、IC设计企业集聚,形成上下游良性联动的集成电路产业链……

    以上述优质企业为代表的珠海信息产业,将迎来全新的发展机遇。近日,珠海市政府常务会议审议并原则通过了《珠海市促进新一代信息技术产业发展的若干政策》(以下简称《政策》),《政策》共推出12条措施,支持珠海在做大做强软件和集成电路设计业的同时,大力发展大数据、人工智能等智慧产业,以及智能硬件、5G、信息安全等新兴产业,打造未来的产业增长支柱。

    根据部署,珠海计划于2019年设立《政策》所需的产业专项资金,连续三年每年投入约7000万元用于补助和奖励,支持新一代信息技术产业发展。珠海市科技和工业信息化局局长贺军表示,12条政策条款以较高标准来核定奖补方案,对信息产业支持力度大。

    势头

    优势产业增速排名全国第三

    根据珠海市政府与富士康签署的协议,富士康将立足集成电路产业,面向工业互联网、8K+5G、AI等新世代高性能芯片的应用需求,与珠海市在半导体产业领域开展战略合作,推动珠海打造成为半导体服务产业发展的重要基地。

    信息产业是地方经济稳增长、促就业和调结构的重要支撑,也是珠海重点打造的龙头支柱产业之一。近年来,珠海促进信息产业规模稳步增长,已形成了以智能终端制造、软件和集成电路设计为重点的信息产业体系,该产业呈现出产业规模稳步增长、布局基本成形、骨干企业快速成长等发展趋势。

    数据显示,今年1-8月,珠海电子信息制造业实现规模以上工业总产值574亿元,同比增长7.7%;规模以上工业增加值129亿元,同比增加10.3%。同时,软件和信息技术服务业实现业务收入413.87亿元,同比增长17.43%;集成电路设计服务收入24.2亿元,同比增长24%。

    值得一提的是,珠海集成电路设计产业去年规模达46亿元,在全国集成电路设计产业规模最大的10个城市中位列第9,产业增速排名全国第3。

    信息产业的快速发展并非无源之水。近年来,珠海先后出台了《关于发展软件产业的若干规定》《加快高端新型电子信息产业发展的意见》《进一步促进我市软件和集成电路设计产业发展的意见》等一系列扶持政策,并设立专项资金,扶持信息产业发展。

    尽管综合实力不断增强,新兴业态成长迅猛,但在业内人士看来,珠海信息技术产业发展仍面临诸多困难和短板。“结构相对单一、产业规模增长缺乏动力,亟须寻找新的增长点,这是当前珠海信息产业在迈向更高质量发展道路上所面临的瓶颈和难题。”

    “随着产业向纵深发展,城市之间的竞争加剧,珠海原有的信息产业扶持政策已无法满足产业发展的需求,亟须出台新的产业扶持政策。”贺军坦言。

    路径

    新措施助力做长做强产业链

    根据珠海市委、市政府的工作部署和《珠海市信息产业发展规划(2017-2021年)》指引,《珠海市促进新一代信息技术产业发展的若干政策》针对当前珠海信息产业发展的痛点,结合国家战略方向和产业发展趋势,提出支持新一代信息技术产业发展的12条措施,促进产业链上下联动,打造珠海经济未来增长支柱。

    根据《政策》,珠海将重点支持集成电路产业的发展,在原有支持集成电路设计企业流片、购买EDA工具、租用公共技术服务的扶持内容基础上,新增购买IP补贴,集成电路产品晶圆制造、封测服务补贴,支持集成电路产业链联动发展的内容,以巩固珠海集成电路设计产业发展优势,做长做强产业链。

    与此同时,《政策》对企业获得国家科技重大专项给予一定比例的资金配套,支持企业承担国家级科技重大项目。据悉,为鼓励企业承担国家(省)科技重大专项、信息化和信息产业发展重大专项等新一代信息技术产业化项目,珠海将给予其所获立项金额一定比例的配套补贴,每年最高500万元。

    按照国家、省发展新一代信息技术产业的方向,《政策》重点支持物联网、云计算、大数据、人工智能、信息安全等新兴业态发展。同时,珠海还将对中小企业租用信息技术公共技术服务给予补贴,支持公共技术服务平台的条件建设,构建完善的公共技术服务环境。

    值得一提的是,《政策》所需的产业专项资金自2019年起设立,政策有效期3年,每年资金规模约为7000万元,支持方式主要采取补助和奖励方式。

    贺军介绍,珠海市科工信局对深圳、广州、东莞等周边地区以及北京、上海、无锡、厦门、合肥、杭州等城市最新出台的产业政策进行了梳理和对比,对部分奖补标准进行了重新调整,增加了相关条款,并提高了奖补标准。“目前,除财政部门对产业扶持资金奖补有上限要求外,《政策》的其余政策条款基本能达到‘珠三角最优’。”

    力度

    高标准奖补支持工业互联网建设

    资金奖补倾斜力度大,是本次新政的一大亮点。

    《政策》提出,要充分发挥珠海发展投资基金的引领和撬动作用,引导社会资本、产业资本和金融资本投向新一代信息技术全产业链的重大项目建设,并积极争取包括国家大基金在内的各类产业基金的支持,鼓励银行业金融机构对集成电路企业给予信贷倾斜。

    为加快完善新一代信息技术全产业链,《政策》明确提出,支持云计算、大数据产业发展,支持云计算中心、大数据中心、大数据产业园区建设自备电厂,通过直供电、电费补贴等方式降低要素成本,对云计算中心、大数据中心自用宽带租赁费给予50%的补贴。

    同时,《政策》明确,对单个云计算中心、大数据中心、大数据产业园区,连续三年每年给予补贴100万元。

    当前,互联网发展正由消费互联网转向工业互联网,工业互联网成了制造业竞争的新制高点。鉴于工业互联网发展与新一代信息技术产业发展密切相关,因此《政策》特别将支持工业互联网、企业“上云上平台”、两化融合发展的内容一并纳入政策体系当中。

    比如,《政策》明确,对经评定的工业互联网平台、标杆示范项目分别给予300万元、150万元的奖励;支持工业互联网产业示范基地建设,对经国家、省评定的工业互联网产业示范基地,分别给予800万元、500万元的奖励。

    同时,对上年度主营业务收入达500万元以上的工业企业核心业务系统“上云上平台”,《政策》也明确了将对企业的应用服务费、设备接入费、网络改造费等给予补贴,以鼓励工业企业利用信息化技术推进工业制造转型,实现产能提升。 

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    近日,天岳碳化硅材料项目在浏阳高新区开工,标志着国内最大的第三代半导体碳化硅材料项目及成套工艺生产线正式开建,也为长沙碳基材料产业发展增添“新引擎”。

    据了解,天岳碳化硅材料项目系国内最大的第三代半导体碳化硅材料项目及成套工艺生产线,分两期建设:一期占地156亩,主要生产碳化硅导电衬底,预计年产值可达13亿元;二期主要生产功能器件,包括电力器件封装、模块及装置,新能源汽车及充电站装置、轨道交通牵引变流器、太阳光伏逆变器等,预计年产值达50~60亿元,税收可达5~7亿元。

    作为第三代半导体材料的碳化硅,被列入“中国制造2025”规划,是国家战略性新兴产业。而天岳则是中国宽禁带半导体材料领域当之无愧的“独角兽”。

    国际先进,主要产品应用众多技术领域

    山东天岳晶体材料有限公司的碳化硅半导体材料技术已经达到国际先进水平,个别产品全世界仅有山东天岳和美国一家企业可以批量生产,该产品是支撑关键装备的核心材料,被列入国家战略物资。据介绍,公司自2010年建立,仅用8年时间就成长为国际先进的碳化硅半导体材料高技术企业,其主要产品碳化硅衬底作为新一代半导体材料的代表,广泛应用于电力输送、航空航天、新能源汽车、半导体照明、5G通信等技术领域。

    据了解,碳化硅半导体也称第三代半导体,是继硅半导体后发展起来的新一代功率半导体,因其具有高频高压、大功率、耐高温、大幅节能等显著特点和优势,对于保障国家安全,发展高端装备制造,促进产业升级换代都具有重大战略意义,是公认的划时代材料。

    宗艳民表示,碳化硅半导体产业在节能环保和智能制造领域大有可为。他举例说,如果用半导体碳化硅LED取代全部白炽灯或部分取代荧光灯,可节省三分之一的照明用电,即1000亿千瓦时。“普通空调外挂机,如果使用碳化硅材料可以减少1/2的体积,同时节能2/3;碳化硅半导体是5G通信和物联网的基础材料,可以说没有碳化硅半导体就无法实现5G和物联网。”

    选择长沙,抢占第三代半导体制高地

    “碳化硅最大的应用市场在中国,占据全球近一半的使用量,但是我国的碳化硅产业还很不完善,而且长期以来被国外封锁。”宗艳民表示,这种局势要求企业必须自主可控、自谋出路,而这给了天岳扩大规模建设的时代要求,也是落子长沙的原因,“湖南有中车,有国防科大,既有市场需求,又有军民融合基础,落地长沙,符合我们发展选择的需要。”

    实际上,长沙正在强力推进新一代半导体产业链建设,上中下游产业落地铸就了产业生态环境,具有一定产业引进的体系优势——作为国家战略性新兴产业,2017年,碳基材料产业链被长沙市委、市政府确立为长沙22个工业新兴及优势产业链之一,并将产业链推进办公室设在浏阳高新区。自成立以来,碳基产业链办公室通过深入研究产业态势、全面推进产业招商、精心培育产业主体、着力完善保障机制等举措,助力产业建链、补链、强链、延链。

    “如今,第三代半导体产业发展迎来了前所未有的机遇窗口期,此次落户,我们希望能够抢占第三代半导体制高地,填补长沙在碳化硅产业的空白。”宗艳民表示,公司落户期待稳健推进产业生态建设,为半导体产业发展做出贡献,助力长沙打造国家智能制造中心,“我们的目标是到2020年跻身全球前两位,5-10年时间做到行业内全球第一,实现第三代半导体的中国梦!”

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    近日,聚力成半导体(重庆)有限公司奠基仪式在大足高新区举行,该项目以研发、生产全球半导体领域前沿的氮化镓外延片、芯片为主。这项拟投资50亿元的高科技芯片项目,有望突破我国第三代半导体器件在关键材料和制作技术方面的瓶颈,形成自主制造能力。

    聚力成半导体项目占地500亩,拟投资50亿元,将在大足打造集氮化镓外延片制造、晶元制造、芯片设计、封装、测试、产品应用设计于一体的全产业链基地。项目建成达产后可实现年产值100亿元以上,解决就业岗位2500个。此外,该企业还在大足建设中国区总部、科研及高管配套项目等。

    据业内人士介绍,第一代半导体材料以硅和锗为代表,第二代半导体材料以砷化镓和磷化铟为代表。近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料成为全球半导体研究的前沿和热点。因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,第三代半导体材料已成为固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在诸多领域有广阔的应用前景。

    目前,全球拥有氮化镓全产业链的仅有德国、日本、美国等国少数几家企业。我国在第三代半导体器件的研发方面起步并不算晚,但因为在关键材料和关键制作技术方面没有取得较好的突破,国内一直没有形成自己的制造能力。

    聚力成公司在大足建设的基地,是其在中国大陆的第一个生产、研发基地,将有望打破上述局面。该项目建成后,可为高铁、新能源汽车、5G通讯、雷达、机器人等行业的电力控制系统和通讯系统的核心部件提供大量的氮化镓高功率半导体和高射频半导部件。

    该项目前期由市台办搭桥引荐,得到了市经信委、市商务委、台商协会等部门的大力助推,经双方多轮磋商及长达数月的调研、专家论证,企业引入中国国际金融有限公司作为资方,于今年9月与大足区成功签约。目前,该项目运营公司聚力成半导体(重庆)有限公司核心成员已陆续入驻。

    自签约以来,大足区与企业双方精诚合作,仅用65天就实现开工。聚力成半导体基地的建设,将对大足乃至重庆实施以大数据智能化为引领的创新驱动发展战略行动计划,加快布局电子信息、集成电路等新兴产业,具有重要示范引领作用。

    据介绍。该公司研发的外延片是以氮化镓为原材料的第三代外延片,是全球半导体研究的前沿和热点,与芯片的质量有直接关系,属于半导体行业的核心技术器件。以氮化镓为材料的半导体器件可广泛应用于新能源汽车、高铁、5G通讯等领域,能让大家的生活更加智能化、更加便捷。在大足高新区建设的基地,是聚力成在大陆的首个基地,力争5年内实现产值40亿。

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    “铸锭单晶是太阳能硅材料重要的发展方向,希望铸锭单晶技术在今后1-2年重新开始大规模应用,”在近日举办的相关活动上,中国科学院院士、硅材料国家重点实验室主任杨德仁在报告中详细阐述了铸锭单晶的前世今生。会上,来自协鑫的长晶技术总监胡动力博士也在工业化应用的层面介绍了铸锭单晶技术的进展。他表示,在与直拉单晶实现同瓦输出的情况下,铸锭单晶硅片价格低0.3-0.4元/片,给客户更高的性价比。

    “第三条路线:铸锭单晶兼具低成本和高效率”

    在《铸造单晶硅材料的生长和缺陷控制》报告中,杨德仁院士表示,十余年来,多晶、单晶市场份额变化的钟摆效应,是市场政策、技术发展共同作用的结果,两种技术路线将会共存,谁也不会简单消灭谁。而第三种技术路线——铸锭单晶,利用籽晶通过铸锭的方法生长出单晶硅,把两种技术的优点结合起来,既有低成本,低能耗,也有高质量、高效率。

    “所以铸锭单晶技术在过去十年以及最近得到了非常大的关注”,杨德仁院士表示,从1977年第一次在国外杂志上发表,到2006年转换效率做到18%,再到2010年铸锭单晶技术实际上已经工业化应用,市场份额占到15%-20%。杨德仁强调,铸锭单晶的优势在于电阻率更加均匀,比多晶增加1%以上的转换效率,同时又保持了多晶的低光衰优势,光衰仅仅是直拉单晶的20%-30%。

    杨德仁院士同时指出,铸锭单晶在过去一段时间面临位错密度、单晶率、材料利用率和籽晶成本等问题挑战,其中位错是关键因素。“我们的研究团队提出增加晶界的改进方法,‘以毒攻毒’,可以有效的降低位错。我们希望这样的技术在今后1-2年重新开始大规模应用”,杨德仁院士说。

    “铸锭单晶将赠送‘阳台’和‘飘窗’实现同瓦输出”

    铸锭单晶在2010年左右规模量产,协鑫、LDK,昱辉都有大量出货。近几年来,铸锭单晶技术未能大规模应用,除了高效多晶等新技术的快速发展占领市场外,成本问题也一直是主要的突破方向。

    “目前保利协鑫铸锭单晶已经发展到第三代产品,通过籽晶多次回用,籽晶成本下降60%”,在“晶硅材料技术与装备”分会场,保利协鑫胡动力博士说,“此外,依靠G8大尺寸硅锭,薄硅片等方法,成本已经进一步下降。

    除了成本优势,胡动力博士认为,保利协鑫铸锭单晶硅片技术优势也比较显著。相比于直拉单晶15ppma,铸锭单晶研发氧含量最低到2ppma,确保更低的光衰;硅片电阻率分布更窄,效率进一步提升,与直拉单晶相差0.2%以内。

    “铸锭单晶将赠送‘阳台’和‘飘窗’”,胡动力博士形象比喻道,“转换效率差距可以用157.75mm的大尺寸硅片弥补。由于不存在缺角,铸锭单晶硅片面积100%可利用,比直拉单晶面积大2%,与同尺寸直拉单晶硅片实现同瓦输出。同时,每片价格低0.3-0.4元,经测算,选择铸锭单晶较直拉单晶收益高0.06元/W。高效铸锭单晶组件(60片)可以封装到310瓦。”

    胡动力博士指出,大尺寸化和定制化是未来技术趋势,铸锭单晶能低成本实现166mm和长方形硅片的定制化生产,未来更具优势。对于三类片的处理方法,胡动力博士表示,利用湿法黑硅技术,三类片黑硅制绒效率较产线多晶黑硅片高0.21%,与多晶黑硅外观几乎一致,而且颜色更加均一。

    目前,保利协鑫铸锭热场工艺、高纯坩埚、锭检设备已经全面升级,继金刚线切黑硅片之后,铸锭单晶硅片将成为对市场有重大影响的差异化产品。

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    日本,美国和土耳其的研究人员利用在200mm硅基板上生长的材料开发了高亮度紫外(UV)氮化铝镓(AlGaN)发光二极管(LED)技术[Yoann Robin等,Materials Science in Semiconductor Processing ,vol90,p87,2019]。 来自日本名古屋大学,美国弗吉尼亚联邦大学,土耳其Cumhuriyet大学和美国西北大学的团队使用横向外延过度生长方法来改善材料质量。 研究人员报告说:“AlN质量和结构设计的改进使光输出功率在脉冲电流下达到毫瓦范围,超过了之前报道的最高效率。”

    将LED芯片翻转并安装在具有金 - 锡共晶键合的预先图案化的AlN底座上。 使用氢氟酸/硝酸/乙酸混合物除去硅衬底。 在湿蚀刻期间,用蜡保护器件的侧面。 与蓝宝石不同,基板去除至关重要,因为硅吸收紫外线辐射。 然后将这些器件用铟粘合到铜散热器上,最后进行引线键合以进行电连接。 基于蓝宝石的比较LED是类似地制造的,但没有基板去除。

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    2017年第三季度,位于德国的沉积设备制造商Aixtron SE报告收入为6340万欧元,比上一季度的5520万欧元增长了15%,比去年同期的6220万欧元增长了2%。2018年前9个月的收入为1.809亿欧元,比1.763亿欧元增长3%。

    总裁Felix Grawert博士指出,与前几个季度一样,2018年前九个月的收入和订单收入主要是由金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统持续的需求来推动。MOCVD系统可用于生产红橙黄ROY LED,也可用于显示器、激光器、垂直腔面发射激光器(VCSEL)和边缘发射激光器(EEL),以及用于3D感测和光学数据传输。在这些年,对电力电子应用的MOCVD系统的需求也在增加,这使我们可以有更多的产能扩展订单。”

    Schulte评论道:“我们对订购的红色、橙色和黄色LED,激光器和电力电子产品的感到非常满意。”

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    总部设在新加坡的研究人员使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)直接在200mm直径的硅晶片上生长III-V异质结双极晶体管(HBT)。

    来自南洋理工大学和新加坡麻省理工学院研究与技术联盟(SMART)的团队希望该技术可以使用最有效的(001)晶体取向与主流硅互补金属氧化物半导体(CMOS)电子器件集成。

    研究人员首先在200mm(001)p型硅衬底上生长锗缓冲层。在[110]方向上将基板切割6°,HBT结构也通过MOCVD生长,产生铟镓砷磷化物(InGaAsP)合金。

    研究人员预测在于手机功率放大器的应用中,III-V异质结双极晶体管比纯硅器具有更高的高频性能。在更高的电压击穿和低噪声操作方面,带隙调谐可以进一步展现优点。

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    美国的Littelfuse公司已完成对初创的Monolith Semiconductor公司的收购,并且Monolith拥有碳化硅(SiC)功率器件技术。Littelfuse于2015年开始与Monolith合作,并在过去三年取得一系列在技术和商业产品合作方面的成绩,随后Littelfuse逐步增加其所有权。

    Littelfuse半导体产品高级副总裁兼总经理兼首席技术官Ian Highley说:“完成对Monolith Semiconductor的收购是我们战略的重要组成部分,增加碳化硅技术使我们能够更好的发展我们的产品组合,我们已经发现了一个对商业发布产品有意义的设计,并且在工业和汽车应用方面非常感兴趣。”

    Littelfuse于2017年5月首次推出商用碳化硅肖特基二极管,随后于10月推出首款商用碳化硅MOSFET。迄今为止,该公司已经发布并大量生了产20多种碳化硅产品,未来几个月计划再增加30多种。

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    美国的Qorvo公司已被美国空军研究实验室(AFRL)授予为期四年的合同,以开发统一的氮化镓(GaN)建模框架,加速GaN器件的设计。

    Qorvo将领导一个团队,其中包括Modelithics公司、帕多瓦大学、NI AWR、HRL和科罗拉多大学博尔德分校,共同进行研究,创建一个统一物理建模和制造建模的工具,以提升GaN技术。

    Qorvo表示,GaN具有强大的功率密度并且可提供很高输的出功率和效率。包括毫米波频率,这使其成为雷达、电子战(EW)以及国防和商业应用通信系统首选的半导体技术。

    Qorvo基础设施和国防产品业务总裁James Klein说:“该合同使空军能够利用Qorvo近20年的专业知识,开发业界最可靠,性能最高的GaN工艺,新的建模和仿真工具将加速GaN设计,也可以降低成本。”

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    2018年10月30日,对国内半导体行业来说,应该是被记入历史的日子。美国人开始对中国半导体企业下手了。美国政府于当天宣布,将福建晋华集成电路有限公司(简称:晋华)列入美国产品禁止出口的“实体名单”。美国政府给出的理由是,晋华将要生产的记忆体芯片将威胁到美国军用系统芯片供应商的生存能力。

    美国给的理由,表面上是令人费解的。晋华何许人也?是一家成立于2016年,处于设备安装阶段还未投产的新企业,毫无疑问,美国如果真正实施禁令,该公司将无法完成生产线,几百亿的投资将打水漂。晋华产品是DRAM内存(上述的记忆体芯片),采用从台湾联电引进的28nm技术,与行业领跑者的韩国三星电子、美国美光科技公司最新技术的1×nm也相差近两代。由此来看,美国人提到的“威胁”仅是说辞而已,回想2018年初的“晋华vs美光科技”的知识产权诉讼纠纷,想必美光科技对美国政府的政治游说起到了很大作用。10月31日,晋华技术来源的台湾联电也宣布暂停对晋华的技术协助。晋华项目及中国半导体行业何去何从,众人关切!

    当前的中美贸易战,美国的最终目的之一是压制包括半导体在内的中国高端制造的发展,确保自己的全球优势地位。意外的是,战火如此迅速烧到了半导体行业。如果说中兴事件是美国给中国半导体提了一个醒,这次的晋华事件是给国内半导体企业的一个正式警告。处于刚要发力阶段的中国半导体国产化一旦威胁到美国企业的市场空间,美国势必会强化施压力度。

    中国半导体行业该如何应对这场博弈? 长期战略如何设计?

    本文通过整理当年的“美日半导体贸易战”的经过,希望给国内半导体同仁带来一些有价值的参考信息。

    1. 导 读

    20世纪80年代后期,日本半导体制造商称霸全球。1988年占据全球制造商Top10半壁的 NEC、东芝、日立、富士通、三菱等公司,如今或灰飞烟灭、或改姓出嫁。扛着日本半导体大旗的东芝Memory公司,不经意间其会长(董事长)变成了美国人。

    日本半导体制造在20世纪90年代的没落,其原因有:日本泡沫经济的破裂、日本终端电子产品竞争力下降、日本半导体企业间的内耗(高峰时达30多家半导体企业)、电脑网络革命带来的半导体行业洗牌等。其中,从80年代初期开战并持续十三年的“美日半导体贸易战”也影响巨大???

    2. 前 奏

    “针对特定行业,为了达到抢占全球市场为目的,某国政府长年实施了包括顶层设计/资金支援/市场调控在内的政策”。

    看官,你猜,这个“某国”是哪国?

    这是1983年美国跨国半导体公司发表的文章,这里的“某国”别无旁他,是日本。原文并没有卖关子,实名指向日本。这边文章发表的稍早前,美国半导体协会也发表类似文章,批判日本半导体企业严重损害美国企业利益,而且矛头直指日本政府实施的产业导向政策。

    同年,爆发“美日半导体摩擦”。

    1983年,美日两国政府间组建有关半导体贸易的协商工作组,开始对话。然而,那句话叫什么来着? “该是你的,躲也躲不掉”。84年洛杉矶奥运会拉动了电视机/录像机的巨大消费,再加上电脑风暴,带来了巨大的半导体需求,再次让日本半导体企业赚的盆满钵满。85年受到奥运会特需的反弹,市场急速降温,这让本就处于被动的美国半导体企业日子更艰难,裁员、收缩生产、整编,一片江河日下的破落景象。

    美国人快要气炸了!

    3. 开 战

    1985年,微软针对日本7家半导体厂家的DRAM开始反倾销诉讼,AMD与NS公司(美国国家半导体,后被TI收购)也跟进群殴。事情越闹越大,时任总统的里根也亲自给商业部下达命令,调查日本的倾销问题。经过几个月折腾,在1986年9月日本通产省(商务部)被迫与美国商业部签定了“日美第一次半导体协议”。 主要内容是,限制日本半导体对美出口、扩大美国半导体在日本市场份额。

    然而,不知日本小兄弟是有意还是无意,总之美国大哥远没有满意。美国于1987年进一步发表针对日本在第三国倾销的报复措施。里根总统再次亲自出马,以日本未能遵守协议为由发表对日本产电脑/电视等征收100%的报复性关税。另外,美国政府阻止富士通对Fairchild公司的收购、等,美国人的报复措施遍地开花。

    美日关系在此时进入二战后最坏时期。

    顺便提一句,1987年美国诞生IC设计企业,以台积电为代表的代工厂也陆续创立。

    4. 抗 衡

    日本半导体厂家在这种巨大压力下,耐心搞研发,以技术抗衡。其后,1MB的DRAM市场份额最高时拿到全球90%,作为当时最高端的4MB的DRAM也席卷世界。最终,日本半导体企业在1989年获得全球一半以上市场份额,称霸一时。

    盛极必衰。日本企业凋落的钟声也同时敲响。

    美国企业以专利为武器增加对日本企业的攻击。代表案例有,1989年TI公司在日本时隔30年取得基尔比专利,这迫使日本半导体企业随后支付了数十亿美金的专利费。

    1991年6月,“日美第一次半导体协议”到期。美国继续强迫日本签订“日美第二次半导体协议”。新协议主要内容为,撤销上述的100%报复关税,增加“1992年底以前外国半导体产品在日本市场占有的份额能超过20%”等内容。

    5. 尾 声

    1992年以后,以英特尔为代表的美国企业获得转机,依靠网络的兴起重新回归世界盟主。同时期,疯狂学习日本DRAM技术的韩国三星地位渐渐突显。 随后,微软于1993年发表Windows系列产品,以此为基础,美国企业重新夺回半导体霸权。在音响家电半导体中独占鳌头的日本企业,渐渐衰弱。

    “日美第二次半导体协议”到期的1996年,在美国企业再次崛起的背景下,美国政府没有提出续签要求。美日半导体摩擦自1983年开始,历经13年后走进历史。

    6. 现 状

    1).日本

    日本半导体企业的霸主地位虽已成过往烟云,但至今仍是全球主要制造基地之一。索尼的图像传感器 、 瑞萨电子(Renesas Electronics、NEC/三菱/日立的半导体业务合并公司)的微控制器、包括功率半导体等领域,处于领头羊地位。更需要强调的是,日本的半导体设备与原料技术独树一帜。特别是材料,硅片、光罩、光阻、CMP材料…… 全球哪家半导体厂家敢说不用日本的材料呢?

    日本人认真研发的态度,成就了其在半导体行业依旧不可动摇的地位。

    2).美国

    老美变得更加聪明了。 打压日本半导体时,日本已经实际威胁到了美国企业的地位。这次针对中国,是发生在中国半导体企业处在襁褓之时。

    美日贸易战大体分三段,第一段是60年代开战的以纤维、纺织品为代表的轻工业,第二段是70年代开战的以钢铁为代表的重工业与家电,第三段是80年代开战的汽车、半导体等技术行业。因为中国发展太迅速,针对中国,把对日本的第一段和第二段一窝蜂全上,现在看来第三段也要开始了。美国对威胁到自己利益的国家实施打压策略是不会有变化的。唯一不同的是,日本是美国的小弟,不敢与老大哥真正撕破脸皮。

    无论是意识形态还是自身利益,中国不可能也不会和日本一样。

    3). 中国

    纵观电子行业发展史,本国终端产品的强大会带动半导体产业的发展。电脑成就英特尔,音响家电成就NEC等日本企业,微软成就英特尔第二春,苹果带出高通,三星手机带出三星电子。我国的华为也培养了势头强劲的海思半导体。

    中国在人工智能、自动驾驶等行业的研究深度已凸现优势,这极有可能会带出我国的相关半导体龙头企业。

    机会就在眼前!

    能否把握住机会,一是技术研发,二是资金投入。关键还是能否耐得住寂寞,潜心搞研发。OECD (经济合作与发展组织)在2017年发表的数据显示,2015年世界主要国家(地区)投入研发费用占GDP比率,前三位是韩国4.23% ,日本3.29%,台湾3.05%。美国2.79%排第五,中国2.07%排名第七。韩国/日本/台湾的研发费用中,以半导体为主的电子行业为主要投资产业,这造就了其半导体产业的强大。也可以反过来说,半导体的强大拉动了研发费用规模。其本质一样,需要烧钱。

    我国已经在资金层面开始发力。潜心研发技术是取胜的根本之道。

    还有一个大问题是人才的缺乏,主要是研发和一线工程师。即使企业重金聘请到一两个顶级技术专家,但如果没有大量优秀工程师的支持,产品良率就不可能上来。良率控制是半导体企业的生命线,低良率导致公司亏损,无法进行新技术投资,进入恶性循环从而很快被淘汰。半导体行业的技术更新速度,大家是清楚的,然而培养一个工程师,却需要5年~10年。

    新建的半导体企业已经开始大量互挖工程师,这对我国半导体发展整体来讲,是不好的现象。把有限的人才集中到几家重点培养企业,再依靠企业培育新人,形成阶梯性人才体系是必要的。否则,欲速则不达。

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