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  • 1   2019-02-22 2018年中国IC设计业收入年增23%, 海思领衔 (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    根据TrendForce最新研究报告显示,2018年,中国IC设计业的收入已经达到了2515亿元,年增长率为23%。其中,海思,紫光展锐和北京豪威位列前三。

    展望2019年,TrendForce认为,中国将继续进行芯片的自给自足,并进一步推进国内IC设计业的增长,预计2019年的收入将为2925亿元。

    但是值得注意的是,增长率在2019年将放缓到17.9%,主要是受到消费电子产品需求减弱,全球经济放缓等一系列不利因素影响。

    此外,数据显示,2018年中国IC设计公司中,有三家收入超过了10亿美元,有四家的年增长率超过了20%,但是有两家公司出现了两位数的下滑。

    具体来看,海思因为华为智能手机销量的增长以及麒麟芯片在智能手机中的占比攀升,年收入增长率接近30%。

    格科微由于市场对于CIS的强劲需求以及芯片价格的上涨,收入也实现了39%的增长。兆易创新得益于2018年上半年Nor Flash价格的上涨和MCU业务的增长,年增长率为13%。紫光国芯由于智能安全芯片业务的快速增长,年增长为28%。

    而中兴和汇顶则在过去一年中遭遇了两位数的下滑。

    其中,中兴因为禁令的负面影响,2018年的收入比2017年下降了20%。汇顶受指纹芯片出货量下降和芯片价格下跌的影响,收入下降了13%。

    TrendForce指出,中国的IC设计业在2018年取得了不错的进步,在5G基带芯片和AI芯片领域中也处于领先地位。

    比如,海思已经大规模生产世界上第一颗7nm芯片,而百度,华为等公司也都相继为终端应用和云服务推出了新的AI芯片。

    但是,目前中国IC芯片的自给率仅为15%。另一方面,此前,中国一直在减少对入门级芯片和低价芯片的以来,但是在高端芯片方面,仍然有较大的改进空间。

    展望2019年,TrendForce表示,AI,5G,边缘计算和生物识别等易燃是高科技行业的热门话题,这些应用将会带来行业格局的变化。

    中国在上述领域的关键技术方面都处于领先地位,这必将推动中国IC设计业的发展。

    其中,对于5G,TrendForce认为,随着5G商业化进程的展开以及新应用场景的出现,对于半导体的需求将会攀升。预计到2021年左右,5G的需求将会增加。

    此外,在汽车电子市场,尽管全球整体汽车的销量在下降,但是汽车电气化和智能联网汽车的普及率的提升也会推动半导体的需求。

    来源机构: 大半导体产业网 | 点击量:54
  • 摘要:

    美国加利福尼亚州森尼维尔的Infinera公司是一家垂直集成的数字光网络系统制造商,该公司拥有自己的基于磷化铟(INP)的光子集成电路(PICS),已推出第六代无限容量引擎(ICE6),用于大容量双通道800 gigabits/s(800G)的波光传输。

    作为无限网络的一部分,ICE6以Infinera的ICE4和即时带宽为基础,采用每秒1.6terabits/s(1.6t)的光学引擎,为网络运营商提供无缝路径,以满足带宽增长和日益动态、不可预测的流量。

    ICE6封装在一个跨平台的数字相干模块中,结合了Infinera的第六代光子集成电路(PIC)及其内部7nm柔性相干数字信号处理器(DSP)技术。ICE6 PIC现已上市,将在美国加利福尼亚州圣地亚哥举行的光网络与通信会议与展览(OFC 2019)上首次展出(3月5日至7日)。flexcoordinate 6 DSP将于2019年第三季度推出,年底前将推出完整的ICE6光学引擎,2020年下半年将推出由ICE6提供动力的平台。

    像800G这样的高波特率传输在模块设计中有非常严格的公差。Infinera认为,通过使用革命性的奈奎斯特副载波、深度垂直集成和掌握磷化铟(INP)光子学,它具有独特的位置,能够提供行业领先的800G解决方案。该公司声称,该公司拥有第二代概率星座成形引擎,由7nm技术和一套综合的相干技术工具包提供动力,每根光纤可提供高达45%的最大容量、简化的操作和最低的总拥有成本。

    “从历史上看,Infinera在光子集成领域一直处于领先地位,在内部开发解决方案方面处于领先地位,以大量出货的多代相干引擎为例,”市场研究公司Cignal Ai的光网络主管分析师Andrew Schmitt评论道。他补充说:“ICE6应该表现出类似的领导地位,其光学性能水平能够为网络运营商提供更大的容量和覆盖范围。”

    创始人兼首席创新官戴夫•韦尔奇博士说:“Infinera继续利用ICE6引领行业创新,提前向市场提供首个连贯的每波800G解决方案。”“与ICE4的推出类似,ICE6将通过提供内部设计的尖端技术来改变市场,使网络运营商能够在优化成本的同时快速响应对容量的永不满足的需求。”

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:116
  • 3   2019-02-20 中国新建“明星”晶圆厂的最新进展 (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    SEMI在今年年初公布的“2018 China Semiconductor Silicon Wafer Outlook”报告中指出,在致力打造一个强大且自给自足半导体供应链的决心驱使下,中国在2017~2020年间计划新建的晶圆厂数量居全球之冠,加上无论中资或外资企业在中国境内皆有新建晶圆代工或内存厂的计划,这就使得中国的整体晶圆厂产能扩张更为迅速。

    按照SEMI的报告,预计到2020年,中国大陆晶圆厂装机产能将达到每月400万片(WPM)8英寸晶圆,和2015年的230万片相比,年复合成长率(CAGR)为12%,成长速度远高过所有其他地区。

    国内这几年新增的晶圆厂比较多,当中包括Intel、三星这些存储项目,另外还有很多国内的新建工厂或者声称建工厂的,另外去年下半年还爆发了一批第三代半导体产线。为了让大家了解对国内新建晶圆厂的进展有进一步了解,半导体行业观察网站调研了几个国内近年的新建“明星”晶圆厂(本文说的是新成立的与老公司的新厂)的最新进展。

    厦门联芯

    在2014年,台湾联华电子与厦门市人民政府及福建省电子信息集团合资成立专注晶圆代工的,于福建省厦门市从事集成电路制造,提供12吋晶圆专工服务。联芯集成电路制造公司于2014年底开始筹建,2015年3月26日奠基动工,2016年第4季起进入量产,已可提供 40nm及28nm 的晶圆专工服务,规划月产能为 5 万片 12 吋晶圆,预计总投资金额达62 亿美元。

    据半导体行业观察了解,厦门联芯第一期的规划产能是25000片,现在已经做到了20000片的真实产能,主要集中在28nm工艺,40nm和80nm的产品。他们在今年也会扩充到25000片的真实产能。联芯后续还会规划另一个25000片的产能,但不会再往28nm上面走,而是聚焦在一些特色工艺。

    台积电(南京)有限公司

    2015年年底,台积电宣布,已向台湾“投审会”递件申请赴大陆设立12英寸晶圆厂与设计服务中心,设立地点确定为江苏省南京市。据悉,该厂设在南京市浦口区,投资金额大约在30亿美元,其中包括来自台湾现有晶圆厂的机台设备的价值、以及内地政府在集成电路业上的政策优惠,最终台积电的净投资金额会低于30亿美元。新厂采用16纳米技术,产能规划为2万片,2018年量产,后续产能将会扩到4万片。

    2018年11月,台积电正式对外宣布了这南京厂的量产。但据半导体行业观察的了解,他们在对外公布之前,已经在去年5月实现了量产,比计划早了6个月。南京厂将提供12寸、16nm FinFET晶圆代工业务。而台积电刘德音在南京厂量产典礼上表示。南京厂月产能为10,000片,预计今年年底前将提升为15,000片,预计将在2020年Q1达到20,000片的规模。

    格芯(成都)集成电路制造有限公司

    2017年年初,GlobalFoundries在成都宣布,将在成都设立子公司格芯半导体,计划投资90亿美元建设一条12寸晶圆代工线,FDSOI终于落户中国,至此,全球TOP3晶圆代工厂均在中国布局完成。

    据当时报道,格芯12寸晶圆代工厂分两期建设,第一期0.18um和0.13um,技术转移来自GF新加坡,2018底预计产能约2万每月;第二期为重头戏22nm SOI工艺,2018年开始从德国FAB转移,计划2019年投产,预计2019年下半年产能达到约6.5万每月。根据之前报道。GF出设备,占据51%的股份,地方政府出土地和厂房,占49%的股份,双方按股权比例出资。

    据去年10月格芯的披露,基于市场条件变化、格芯于近期宣布的重新专注于差异化解决方案,以及与潜在客户的商议,将取消对成熟工艺技术(180nm/130nm)的原项目一期投资。同时,将修订项目时间表,以更好地调整产能,满足基于中国的对差异化产品的需求包括格芯业界领先的22FDX技术。

    广州粤芯半导体技术有限公司

    2017年年底,粤芯半导体技术有限公司在广州开发区中新知识城设立,这是国内第一座以虚拟IDM (Virtual IDM) 为营运策略的12英寸芯片厂,也是广州第一条12英寸芯片生产线。

    据介绍粤芯半导体项目投资70亿元,新建厂房及配套设施共占地14万平方米。建成达产后,粤芯半导体将实现月产40,000片12英寸晶圆的生产能力,产品包括微处理器、电源管理芯片、模拟芯片、功率分立器件等,满足物联网、汽车电子、人工智能、5G等创新应用的模拟芯片需求。

    据半导体行业观察了解,粤芯的土建已经在去年10月封顶,今年三月设备将要进场,今年Q4将进行小批量量产。公司覆盖了90nm到180nm的工艺,聚焦的产品放在电源管理、电机驱动和单片机、分立器件等方面。按照规划,他们第一期的总产能是四万片/月(投资是100亿人民币)将分为两个阶段完成,今年年底力争做到两万片。公司也预计从2021年开始,投入第二期的建设,主要是以40nm到65nm的模拟芯片为目标。

    芯恩集成公司

    2018年五月,总投资额约150亿元的国内首个协同式集成电路制造(CIDM)项目——芯恩(青岛)集成电路项目正式开工,此项目正是由中国“半导体之父”张汝京博士及其团队联手打造。

    据悉,该项目一、二期总投资约150亿元,其中一期总投资约78亿元,由青岛西海岸新区管委、青岛国际经济合作区管委、青岛澳柯玛控股集团有限公司、芯恩半导体科技有限公司合作设立。项目建成后可以实现8英寸芯片、12英寸芯片、光掩模版等集成电路产品的量产。计划2019年底一期整线投产,2022年满产。

    芯恩(青岛)集成电路有限公司董事长张汝京博士表示,CIDM集成电路项目经济、社会效益显著。预计2019年第三季度进行功率器件的生产,2022年满产。

    据了解,芯恩将会在今年年底试运行。其中200nm(第一期)的工艺为90-28nm,产能最初规划是每月生产3万片,后续会根据市场的需求逐渐增加到每月6万片。设计方面是0.35-0.11um,预计要生产MEMS/MOSFET/IGBT/RF/Wire less ICPower Device、电源管理IC、嵌入式逻辑IC、MCU (8~32 bit)和模拟IC;300nm(第一期),月产量从最初的3,000片逐渐增加到1万片,根据市场需求,计划增加到月产4万片。第一期的制程预生产MCU(32 ~64 bit)/MPU/CPU/MOSFET/嵌入式逻辑IC。

    关于第二期工程,预计要建两栋月生产能力为5万片的Fab,而且是针对14nm以下的细微制程。

    中芯国际上海、深圳、天津三条线开工

    2016年10月,国内领先晶圆厂中芯国际在上海厂区举行新12寸集成电路生产线厂房奠基仪式。根据他们的介绍,这个新的工厂是应对中芯上海将来成长的需要。这条产线的规划产能是7万片/月,主要集中在14nm及以下工艺的生产。这条产线也已经完成了封顶工作,

    在2018年的半年年报上,中芯国际表示,在14纳米FinFET技术开发上获得重大进展。第一代FinFET技术研发已进入客户导入阶段。在第三季的财务会议上,中芯国际表示,虽然行业进入季节性调整,但将持续进行先进工艺平台(14nm)的客户导入与验证工作,为未来成长储备力量。上海市长应勇在日前的政府工作报告中披露,将在今年实现集成电路14纳米生产工艺量产。

    另外,在深圳方面,中芯国际也规划了一条月产能为四万片/月的12寸产线,聚焦在0.11微米到55纳米这些工艺的生产, 目前还处于建设阶段 ;天津工厂则做了一条月产能为10万片的八寸线,主要瞄准0.35微米到90纳米的工艺。 据半导体行业观察了解,中芯国际的天津新产线马上就要投产了。

    华虹半导体(无锡)有限公司

    2017年八月初,华虹宏力与无锡市政府及国家集成电路产业投资基金(简称大基金)签订了一份投资协议,三方将在无锡投资建设一座12英寸晶圆厂。据介绍,该工厂采用90-55nm工艺,面向物联网应用芯片领域。华虹无锡300mm生产线一期工程,规划投资25亿美元,按计划将于2019年Q4建成投产,规划至2022年底逐步把起初的月产能1万片增加到4万片。而嵌入式非易失性存储、射频、电源管理芯片及相关IP,将会是首批转移到12寸晶圆上的产品线。 据华虹那边的最新消息透露,无锡一期的生产厂房结构已经全面封顶,并完成了华夫板浇筑。更多消息期待今年更新。

    另外,华润微电子在去年11月宣布,将投资约100亿元在重庆西永微电园建设12英寸晶圆生产线,主要生产MOSFET、IGBT、电源管理芯片等功率半导体产品,这也将是国内晶圆厂的另一股势力。

    其他还有如英诺赛科、士兰微、北京双仪微电子等一批聚焦在第三半导体生产的产线以及国内的存储产线也在推动中,在未来,这些都会是中国晶圆厂的有生力量。其中更多的信息,我们有待后续更新。

    来源机构: 摩尔芯闻 | 点击量:105
  • 4   2019-02-15 Littelfuse推出首款650V SiC肖特基二极管 (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    美国伊利诺伊州芝加哥的Littelfuse公司提供电路保护技术(包括保险丝、半导体、聚合物、陶瓷、继电器和传感器),推出了LSIC2SD065XXA和LSIC2SD065AXXA系列第二代650V系列、AEC-Q101合格的碳化硅肖特基二极管。

    可选择电流额定值(6A、8A、10A、16A或20A),它们为电力电子系统设计人员提供各种性能优势,包括可忽略的反向恢复电流、高浪涌能力和最高工作结温度175°C,因此它们适用于高效率、可靠性和热管理的应用。

    与标准硅PN结二极管相比,650V系列SiC肖特基二极管可显著降低开关损耗,显著提高电力电子系统的效率和鲁棒性。由于它们比硅基解决方案消耗更少的能量,并且可以在更高的结温下工作,因此它们允许更小的散热片和更小的系统占地面积,从而为最终用户提供更紧凑、节能的系统的优势,以及降低总体拥有成本的潜力。

    650V系列SiC肖特基二极管的典型应用包括:功率因数校正(PFC)、DC-DC变换器的降压/升压级、反相器级的自由旋转二极管、高频输出整流和电动汽车(EV)应用。

    图1:Littelfuse的新LSIC2SD065XXA(左)和LSIC2SD065AXXA(右)Gen2 650V SiC肖特基二极管。:

    据称,650V系列SiC肖特基二极管具有以下优点:

    符合AEC-Q101标准的二极管在苛刻的应用中表现出卓越的性能。

    开关损耗远低于硅双极二极管,且具有快速、与温度无关的开关特性,使器件适用于高频功率开关。

    正温度系数使操作安全,易于并联。

    175°C的最高工作结温度提供了更大的设计裕度和宽松的热管理要求。

    LSIC2SD065XXA系列SiC肖特基二极管有TO-252-2L(DPAK)封装,采用磁带和卷轴格式,最小订购量为2500台设备。LSIC2SD065AXXA系列SiC肖特基二极管有TO-220-2L封装,50个器件封装在一个管中,最小订货量为1000个单元。样品申请可通过全球授权的Littelfuse分销商提出。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:140
  • 摘要:

    JEDEC固态技术协会(为微电子行业制定标准)表示,其最新的主要委员会JC-70(宽频带功率电子转换半导体)已经发布了其第一份出版物——JEP173:基于GaN-Hemt的功率转换器件动态电阻测试方法指南,目前可从其网站免费下载。

    JEP173解决了氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)用户群体的一个关键需求,即一种持续测量通态漏源电阻(Rds(on))的方法,包括动态效应。这些动态效应是氮化镓功率场效应管的特征,测量结果的r-ds(on)值与方法有关。

    “JEP173证明了氮化镓行业是如何迅速地聚集在一起解决这一重要问题,并开始在供应商之间建立数据表、资格鉴定和测试方法的标准,”JC-70的主席、德州仪器技术创新架构师Stephanie Watts Butler说。“jep173的发布将有助于通过确保整个供应商群的一致性,加速整个行业对gan的采用。”

    JC-70成立于2017年10月,拥有23家成员公司,目前拥有50多家成员公司,突出了行业对制定通用标准的兴趣,以帮助推动宽带隙(WBG)电力技术的采用。来自美国、欧洲、中东和亚洲的全球跨国公司和技术初创公司正在共同努力,为业界提供一套WBG功率半导体的可靠性、测试和参数化标准。委员会成员包括功率氮化镓和SiC半导体行业的领导者,以及宽频带功率器件的潜在用户,以及测试和测量设备供应商。来自大学和国家实验室的技术专家也为新的JEP173指南提供了投入。

    英飞凌Coolgan项目高级顾问、JC-70.1小组委员会主席蒂姆•麦克唐纳评论说:“委员会成员必须作出强有力的承诺来完成这项工作,以建立通用标准,以帮助推动宽带电力技术的采用。”“我们的工作组正在努力在测试、可靠性和数据表领域的其他主要GAN和SIC准则方面取得进展。”

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:115
  • 摘要:

    美国加州时间2019年2月12日 - 据SEMI在其最新的全球200毫米Fab展望中(Global 200mm Fab Outlook)报道,对移动,物联网(IoT),汽车和工业应用的强劲需求将推动从2019年到2022年生产700,000片200mm晶圆,增长14%。随着许多设备对200mm晶圆的需求,这一增长使得200mm晶圆制造厂的总产能达到每月650万片晶圆。

    SEMI Global 200mm Fab Outlook显示,200毫米晶圆的强劲增长反映了各个细分行业领域的需求。例如,从2019年到2022年,MEMS和传感器设备的晶圆出货量预计将增长25%,而电力设备和Fab厂的出货量预计分别增长23%和18%。200毫米Fab厂数量和装机容量的增加反映了持续200毫米的行业优势,继续增加产能,甚至开设新Fab厂。

    自2018年7月以来,SEMI Global 200mm Fab Outlook中增加了7个新厂房,其中包括对109个晶圆厂的160个更新,2019年到2022年间预计总共将有16个厂房或产线,其中14个为批量Fab厂。该报告也考虑了从一个工厂转移到另一个工厂的设备和恢复使用的设备,例如SK海力士和三星。

    在整个行业中,最近对memory等先进设备投资计划的突然变化引发了对2019年支出预计的两位数下降。但是,由于那些成熟设备需要使用到200毫米晶圆,毫不奇怪看到有更多200毫米新工厂计划出现,来满足不断增长的需求。

    来源机构: 大半导体产业网 | 点击量:127
  • 摘要:

    2月12日IHS报道,全球顶级原始设备制造商的全球半导体支出在2018年底清点后首次突破3000亿美元大关。

    根据IHS最近报告“设计活动工具——世界+地区——2018年下半年(Design Activity Tool – World + Regions – H2 2018)”的最新调查结果,截至2018年底,服务可用市场(served available market,SAM)的半导体支出达到3401亿美元,较2017年的2953亿美元增长了15.2%,如下图所示。

    设计活动工具分析设计支出,即OEM半导体支出的度量,受不同地点不同研发活动强度的影响。该工具还包括研发中心数据库,其中详细分析了全球近250家领先电子原始设备制造商的5000多个全球研发地点。

    今年芯片支出增加448亿美元,其中惊人的三分之二来自内存IC领域。存储器集成电路的超支主要是由于供应不足导致的价格急剧上涨。短缺始于2016年底,一直持续到2018年下半年,此后,DRAM和NAND定价开始出现下降迹象。

    内存IC在2018年也占据了原始设备制造商设计支出的最大份额,重复了其在2017年超越逻辑IC成为最大原始设备制造商设计支出组件时所取得的成就。

    然而,最大的赢家是计算机平台,到2018年底,其支出份额上升到20.6%。由于2018年上半年内存成本高昂,服务器和移动PC的稳定支出推动了这一增长。

    对于参与者来说,2018年前20家原始设备制造商的设计总花费达到2242亿美元,将他们在市场上的总份额提高到66%。综合支出的增长相当于374亿美元,接近整个市场约450亿美元增长的84%。

    亚太地区继续主导区域半导体设计支出,占44.6%,其次是美洲,占整个市场的三分之一。相比之下,欧洲、中东和非洲和日本在这两个最大地区的份额则有所下降,因为它们的支出份额分别稳定在12.9%和12.3%。

    在众多国家中,印度去年增长最大,设计支出较2017年增长18.2%,将印度在全球市场的份额提升至5.3%。为了赢得印度智能手机市场,同时远离中国充满挑战的商业环境,许多中国原始设备制造商和美国巨头(如苹果)都在印度建立了工厂和研发中心。

    印度:新中国?

    印度作为一个绿色市场对外国投资者和制造商的吸引力一直在上升,这得益于经济的稳步增长以及家庭收入和支出的增加。另外两个因素,中美贸易关系持续紧张和中国经济增长放缓,使印度成为当前动荡的偶然受益者。

    此外,印度正受益于中国和美国公司在印度的技术投资。例如,已经跻身全球最大智能手机制造商行列的中国电子巨头小米(Xiaomi)正在快速扩张其在印度的智能手机业务,其“印度制造”承诺帮助其在南亚巨头中建立一个稳固而庞大的零部件供应链。小米现在通过台湾电子合同制造公司富士康(Foxconn)在印度的六个工厂生产包括智能手机和智能LED电视在内的产品,以满足印度当地对小米电子产品的需求。

    其他电子制造商将能够利用小米在印度的扩张努力为供应链奠定的基础,进一步推动零部件需求,并推动当地印度供应商的增长,这是预计将提振印度业务活动的一部分。

    苹果预计今年也将通过富士康(Foxconn)在印度开始生产其旗舰产品iPhoneX系列设备。此举表明,随着在华业务收益的减少,苹果正将注意力从中国转移到其他规模庞大、增长迅速的经济体,如印度。

    多元化供应链的建立和持续扩张,加上印度工人的技能水平不断提高,以及印度相对较低的劳动力成本,意味着印度将有可能获得更多从中国流出的制造业投资。

    来源机构: IHS | 点击量:101
  • 摘要:

    来自美国麻省理工学院、新加坡麻省理工学院研究与技术联盟、IQE RF公司和哥伦比亚大学的团队报道[Yuhao Zhang et al, IEEE Electron Device Letters, vol40, p75, 2019].,大面积1.2千伏氮化镓垂直功率Fin-FET的开关性能创下新记录,这是“对大面积垂直氮化镓功率晶体管的电容、电荷和功率开关特性(figure of merits,FOM)的第一次实验研究”。

    垂直氮化镓结构应能在更小的尺寸上实现更高的击穿电压,并便于热管理。该团队一年多前在2017年国际电子器件会议上报告了他们的设计[www.semiconductor-today.com/news_items/2017/dec/mit_.shtml]。该器件仅使用n型材料,使外延生长更容易,减少电荷存储问题。通常关闭性能由鳍片结构和栅极金属工作功能共同实现,在零栅极电位下产生通道的完全耗尽。正常关闭操作降低了功耗,并允许故障后容易关闭。

    该器件结构的最新发展是在闸极衬垫边缘下引入了氩注入端接,“这在垂直GaN场效应晶体管中是首次”。

    研究人员使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在2英寸重氮掺杂氮化镓基板上。轻掺杂N-GaN漂移层为~9.5μm,重掺杂N+-GaN帽为300nm。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:142
  • 摘要:

    12日《科技日报》从中国信息通信科技集团获悉,我国光通信技术再次取得突破性进展,首次实现1.06Pbit/s超大容量单模多芯光纤光传输系统实验,传输容量是目前商用单模光纤传输系统最大容量的10倍,可以在1秒之内传输约130块1TB硬盘所存储的数据。

    据悉,该实验采用了国内在光传输系统技术、光器件和光芯片技术、光纤光缆技术上最领先的研究成果,所使用的核心光芯片和光纤均为自主研制,具有完全自主知识产权。标志着我国在“超大容量、超长距离、超高速率”光通信系统研究领域再次迈上了新的台阶。

    硅光相干收发芯片由国家信息光电子创新中心、光纤通信技术和网络国家重点实验室、光迅科技和烽火通信联合研制,在一个不到30mm2的硅芯片上集成了包括光发送、调制、接收等近60个有源和无源光元件,且能支持C+L波段同时工作,是目前国内集成度最高的商用光子集成芯片。这次通过工艺及技术突破,解决了单模19芯光纤的通道间串扰难题,相邻纤芯的隔离度优于-40dB,把“车道”与“车道”之间的干扰和影响降到了最低。

    该系统设备在C+L波段内产生了375个光载波,基于硅光相干收发芯片实现了25GHz通道内的178.18Gbit/s DFTs-PDM-16QAM信号光收发,在单模19芯光纤内完成了光传输验证,传输总容量达到1.06Pbit/s,净频谱效率达到了113bit/s/Hz。经第三方检测验证,此次实现的“1.06Pbit/s超大容量单模多芯光纤光传输系统”为国内首次,达到了国际先进水平。

    来源机构: 大半导体产业网 | 点击量:92
  • 摘要:

    据韩国经济日报报道,韩国政府最快将在本月底前开会,通过由SK海力士主导的芯片产业集群计划,这一集群计划将落脚在龙仁市。

    韩国政府去年宣布要发展新的芯片产业集群,以支持芯片制造业的未来,计划总价值预估将达120万亿韩元(1,068亿美元)。政府负责提供土地,企业则负责投资制造。

    在半导体业面临减缓的同时,韩国政府为了维持该国在市场上的地位,做出了这项决定。半导体业对韩国来说极为重要,该产业占韩国总出口比重为所有产业中最大,达16%,两大主要企业三星和海力士在全球DRAM市场的市占率合计则超过73%。

    据悉,为了争取这项中央政府支持的计划,许多地方政府早就开始积极运作,竞争相当激烈,不过最后韩国选择了首尔近郊的龙仁市。

    SK海力士规划在龙仁市兴建四条新芯片生产线,并将会有约50家合作厂商和供应商一起进驻。SK海力士将在购地完成后大约2022年开始着手兴建,韩国政府也将为这个聚落放宽相关管制规定。

    来源机构: 大半导体产业网 | 点击量:162