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  • 摘要:

    在中国举行的电子设计创新大会(EDI CON China 2019)上,MACOM公司展示了其高性能射频产品组合,包括行业领先的MMIC、二极管、AlGaAs开关、功率放大器、前端模块 (FEM) 和氮化镓器件。还重点展示了在针对5G连接、无线基站、雷达、测试和测量以及工业、科学和医疗(ISM)RF应用方面经过优化的新产品。

    具体来说,MACOM突出显示:

    可靠的高性能射频组件:展示MACOM的高性能产品组合,可服务于各种市场,如测试和测量、卫星、雷达、有线和无线网络、汽车、工业,医疗和移动设备等市场。

    5G连接:适用于 4G/5G的完整产品组合,提供可靠的高性能无线接入前端组件和模块。

    启用下一代无线基站:GaN-on-silicon Doherty功放模块,平均功率为60W。

    射频能量:MACOM的GaN-on-Si系列产品可提供主流射频应用所需的性能、规模、电源安全性和浪涌能力支持。

    相互对照工具:MACOM相互对照工具可协助客户查找所需的MACOM产品。

    MACOM公司的产品管理、工程和应用团队成员也亲临了515号展位,解答现场来宾的提问。设备制造商将审查和讨论GaN制造的状态,涵盖可靠性,先进的散热技术,新的封装创新,硅与碳化硅(SiC)基板,毫米波(mmWave)GaN器件等主题的使用 用于各种器件类型的GaN,以及中国GaN半导体生产的状态。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:36
  • 摘要:

    美国的安森美半导体公司推出了两款新的碳化硅(SiC)MOSFET器件,即工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101认证标准的汽车级NVHL080N120SC1,这把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到了重要的高增长终端应用领域,如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不间断电源及服务器电源。

    此次发布促进了安森美半导体SiC生态系统的发展,该生态系统包括SiC二极管和SiC驱动器等互补器件,以及器件仿真工具,SPICE模型和应用信息等重要设计资源,可帮助设计和系统工程师挑战开发高频电路。

    安森美半导体表示,其1200V、80mΩ规格的SiC MOSFET坚固耐用,可满足现代高频设计的需求。高功率密度与高效运行相结合能使设备占地面积更小,从而显着降低运营成本和整体系统尺寸。这些特性使需要的热管理更少,进一步减少物料单(BoM)成本、尺寸和重量。

    新器件的关键特性和相关设计优势包括领先同类的低漏电流、具低反向恢复电荷的快速本征二极管,从而大大降低功耗,支持更高频率工作和更高功率密度,低导通损耗(Eon)及关断损耗(Eoff) / 快速导通及关断结合低正向电压降低总功耗,因此减少散热要求。低电容支持以很高频率开关的能力,减少恼人的电磁干扰(EMI)问题;同时,更高浪涌、雪崩能力和强固的短路保护增强整体强固性,提高可靠性和延长总预期使用寿命。

    安森美半导体表示,其新型SiC MOSFET器件的另一个独特优势是获得专利的端接结构,增加了可靠性和坚固性,并增强了操作稳定性。 NVHL080N120SC1设计用于承受高浪涌电流,并提供高雪崩能力和抗短路能力。 符合AEC-Q101标准认证的MOSFET,可以被用于因增加的电子含量和动力系统电气化而出现的越来越多的车载应用。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:16
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    2019年3月18日,Khronos®集团公开发布OpenXR™0.90临时版规格。penXR是统一的免费授权开源标准,可提供对增强现实和虚拟现实的高性能访问。新规范可以在Khronos网站上找到,并以临时形式发布。

    Open XR 0.90临时规范提供了一个标准虚拟世界与拥有追踪、渲染和显示功能的移动设备之间的接口。OpenXR 0.90临时规范指定了一个跨平台的应用程序编程接口(API),使XR硬件平台供应商能够公开其运行时的系统功能。通过访问与应用程序生命周期、呈现、跟踪、帧定时和输入相对应的一组常见对象和函数,软件开发人员只需最少的移植工作就可以在多个XR系统中运行其应用程序,而这可以显著降低行业的碎片化现象。

    Khronos OpenXR工作组于2017年初成立,得到XR公司的支持和参与。在整个规范的开发过程中,多个Khronos成员一直在开发独立的实现,以确保稳健和完整的规范。开发者可以评估其中一系列的实现,包括Collabora的“Monado”OpenXR开源实现,以及微软日前为WMR头显发布的OpenXR运行时。另外,Epic的Unreal引擎计划继续支持OpenXR。

    OpenXR工作组主席Brent Insko说道:“OpenXR旨在简化AR / VR软件开发,使应用程序在无需移植或重写其代码的情况下能够被使用到更广泛的硬件平台,并允许平台供应商通过支持OpenXR而接入更多的应用程序领先。OpenXR临时规范将在推出的未来几周运行,来实现应用程序和引擎开发人员的实际操作,跨平台测试,以确保OpenXR 1.0规范真正满足XR行业的需求。

    来源机构: Khronos Group | 点击量:13
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    美国国家标准与技术研究院(NIST)对其制造的紫外发光二极管(LED)采用了特殊类型的外壳,使LED光强度比简单外壳设计的同类LED高出五倍。

    NIST在制造高质量氮化镓(GaN)纳米线方面的专业技术让LED变得更亮。最近,研究人员一直在试验由掺杂硅的GaN(具有额外电子)制成的纳米线核心,这些核心由掺杂镁的GaN(具有多余的缺失电子的空穴)制成的壳体包围,以促进电子和空穴复合,因此通过电致发光释放能量作为光。

    NIST集团曾展示过GaN LED,它们产生的光归因于注入壳层的电子与空穴重新结合。新型LED在壳层中添加了少量铝,从而减少了电子溢出和光重吸收造成的损失。

    更亮的LED由具有p-i-n结构的纳米线制成,三层设计将电子和空穴注入纳米线。向壳中添加铝有助于将电子限制在纳米线核心,使电致发光增强五倍(发射波长为365nm)。铝的作用是引入电流的不对称性,阻止电子流入壳层,这会降低效率,反而将电子和空穴限制在纳米线核心。纳米线测试结构长约440nm,壳厚度约为40nm。最终包括外壳的LED,几乎大了10倍。研究人员发现,加入到制造结构中的铝量取决于纳米线直径。

    集团领导人Kris Bertness表示,至少有两家公司正在开发纳米线的微型LED,并且NIST与其中一家公司签订了合作研究与开发协议(CRADA),以开发掺杂剂和结构表征方法。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:24
  • 摘要:

    法国的Aledia S.A扩大了美国维易科精密仪器有限公司(Veeco Instruments Inc.)的薄膜工艺设备产品组合,以支持3D微型LED的开发和生产。Aledia借用了Veeco在某些方面成熟经验,如化合物半导体应用、硅氮化镓(GaN-on-Si)生长性能以及全系列高质量生长外延膜,这是影响其决策的关键因素。

    Aledia的联合创始人兼首席技术官Philippe Gilet表示:“我们对Veeco的Propel GaN金属有机化学气相沉积(MOCVD)平台的性能非常满意。Veeco的解决方案符合我们对材料质量和系统交付要求,特别是材料通量稳定性和可重复性,我们很高兴能与Veeco一起生产下一代3D微型LED。”

    这些公司表示,他们之间的合作生产的微型LED和其他先进LED给未来的显示器带来了希望。微型LED具有更高的效率、亮度和可靠性,并且响应时间更短,可使显示器变得更轻、更薄、更灵活的、具有节能。适用于可穿戴设备、智能手机、汽车等。根据市场分析公司YoleDéveloppement最近的一份报告显示,有125家公司集体提交了近1500项与微型LED显示器相关的专利,其中大部分发生在2012年之后。

    Veeco化合物半导体业务部高级副总裁兼总经理Gerry Blumenstock表示:“Veeco扎实的材料工程专业知识使我们处于一个独特的位置,我们可以为客户提供新的薄膜沉积技术,挑战并解决复杂的半导体研究、开发和生产。”

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:19
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    在IEEE应用电力电子会议上(APEC 2019),美国的高效电力转换公司(EPC)提供了氮化镓技术和相关应用的11项演示。此外,还展示了其最新的eGaN FET和采用eGaN技术的IC。

    在953号展台,展示了功率在120W至3kW的DC-DC变换器,包括一个高功率密度的48V-12V非隔离双向转换器,能够提供3kW的功率。还展示了用于自动驾驶车辆的3D实时LiDAR成像传感器。同时展出的还有一款高功率谐振无线充电解决方案,能够为各种设备提供无线供电,包括手机、笔记本电脑、显示器、无线扬声器、智能手表和台灯。

    此外,EPC的GaN FET和集成电路的技术演示包括:

    1.转换器设计的WBG设备特征:挑战和解决方案

    2.基于GaN的多电平转换器的评估

    3.GaN在48伏电压下对硅的正面攻击

    4.用于激光驱动器的高功率纳秒脉冲电路的设计和测量

    5.在高降压比半桥转换器中评估对称和非对称缩放GaN FET

    6.基于氮化镓的高密度无调节48V到X V LLC转换器,未来数据中心的效率大于或等于98%

    7.提高高谐振无线电力系统的效率

    8.谐振无线电力系统演示器中的整流器拓扑优化

    9.高密度GaN基功率级的热设计

    10.汽车的GaN可靠性 - 超越AEC-Q的测试

    11.具有有源GaN基钳位电路的GaN FET的硬开关动态Rdson表征

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:27
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    Senseair AB、AMO GmbH、KTH皇家理工学院、牛津仪器等离子体技术(OIPT)、Graphenea Semiconductor SL、慕尼黑联邦国防军大学、加泰罗尼亚纳米科学和纳米技术研究所以及SCIPROMSàrl推出了ULISSES项目,并且已获得地平线2020计划的资金支持。该项目旨在开发一种新小型片上光学式气体传感器,为物联网提供低成本的分布式传感器节点。

    项目合作伙伴将把硅光子学与二维(2D)材料相结合,为物联网实提供集成光学式气体传感器节点。这些节点能够以低成本大批量生产,在尺寸和功耗都较小。这项开发使其能应用于可穿戴设备的气体传感器、小型无人飞行器(UAV)等。

    通过利用ulisses合作开发的波导集成二维材料光电探测器,在1D纳米线中红外发射器和基于中间波导的气体传感方面取得了突破,ULISSES的目标是将传感器功耗降低三个数量级。 此外,ULISSES将实施一种新的自校准边缘计算算法,该算法利用节点到节点的通信来消除低成本气体传感器的成本动因。

    在未来的四年中,合作伙伴相互依靠,却又分工明确,气体传感器供应商Senseair AB将在SCIPROM的帮助下参与ULISSES项目。AMO将制造硅光子学芯片,会利用到OIPT开发的系统,以及KTH和AMO公司开发的集成硅波导、二维材料光电探测器。二维材料将由BundeswehrMünchen和Graphenea大学提供。ICN2将提供建模和仿真支持,以优化传感器设计和效率,SENSEAR将带领各种应用演示人员,与KTH一起为物联网应用准备所需的传感器。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:30
  • 摘要:

    由于面向移动手机和企业服务器的半导体市场下滑,导致半导体制造商的市场份额排名进行了重新调整。在过去五个季度里三星在半导体销售中处于领导地位,但英特尔在第四季度超过了三星。英特尔第四季度半导体销售收入达到184亿美元,而三星则为158亿美元。IHS Markit的数据显示,英特尔半导体销售额环比在2018年第四季度下降了2.3%,三星下降了24.9%。

    总体上三星仍领导着2018年的整体销售,2018年,三星半导体销售收入同比增长20.3%,达到746亿美元。英特尔半导体销售收入同比增长13.4%,达到699亿美元。去年第四季度,三星半导体销售额几乎全部(87%)来自内存芯片,相比之下英特尔内存芯片销售额仅占其收入的6%。英特尔上一次的半导体销售领先是在2017年第二季度,随后三星在2017年第三季度超过了英特尔,原因是三星能够填补的手机和服务器市场内存芯片的短缺。

    IHS Markit半导体制造高级分析师Ron Ellwanger表示:“三星上比英特尔更依赖于内存芯片的销售,所以当去年手机销售大幅放缓时,该司的内存芯片销售也相应减少,内存市场最后一次下跌的时间是2008年第四季度,处于全球金融危机的高峰期。”

    Ellwanger说:“整个半导体市场在2018年第四季度下降了10.2%,所有市场应用和设备都在萎缩,滑的原因是多方面的,内存芯片价格持续下跌,主要原因是产能过剩和半导体芯片库存过多导致内存芯片供过于求。”

    来源机构: IHS | 点击量:29
  • 摘要:

    国际硅光子器件及集成技术领先企业SiFotonics Technologies宣布公司的新一轮融资已经超过3000万美元,并将在中国南京建立新生产设施来扩大产能。

    SiFotonics团队是光网络应用硅光子学的早期开拓者之一,并开发了业界最先进的硅光电子技术,拥有复杂的光子集成电路平台。随着数据中心网络连接和5G无线光传输带宽的广泛应用,SiFotonics将提供独特的的核心技术解决方案来应对这些挑战。此外,SiFotonics的硅光技术平台结合了锗硅工艺专利技术、自有设备和标准CMOS工艺量产能力,能够实现高效、快速的生产。创始人兼首席执行官董潘博士表示:“凭借新的融资和制造工厂,SiFotonics已准备好将其领先的硅光集成解决方案大规模推向全球光通信市场。”

    此外,资深技术主管于让尘 (Rang-Chen Yu) 博士博士已加入SiFotonics担任首席运营官。 于博士拥有丰富的行业经验,可将新技术转化为商业模式,曾经成功地将年轻公司转变为大型企业,他的加入可推动公司发展到一个新的水平。于博士说:“我期待与SiFotonics团队合作,实现商业上的成功。”

    在加入SiFotonics之前,于博士是 Oplink (被Molex 并购) 业务发展副总裁兼光电解决方案事业部总经理。加入Oplink之前,于博士曾任索尔思光电 (Source Photonics) 全球副总裁,及飞博创(其被MRV并购后改名为索尔思光电)副总裁。他还在Agility Communications及SDL (都被JDSU并购)任高级管理职位。于博士拥有宾西法尼亚大学固体物理学博士,和北京大学物理学学士学位。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:33
  • 摘要:

    美国MACOM Technology Solutions Inc公司(MACOM)和GlobalFoundries公司(GF)宣布了一项战略合作,此次合作将利用GF的90WG现代硅光子产品来升级MACOM的激光光子集成电路(L-PIC)平台,以满足数据中心和5G电信行业的需求。主要通过GF的300mm硅制造工艺来提供必要的成本、规模和容量,有望为超大规模数据中心互连和100G、400G及以上的5G网络部署实现主流L-PIC部署。

    90WG采用GF的90nm SOI技术,采用300mm晶圆处理,可将光学器件(如调制器、多路复用器和检测器)以低成本集成到单个硅衬底中。据称,MACOM的L-PIC技术攻克了将激光器与硅PIC对齐技术的最后关卡。利用MACOM获得专利的蚀刻刻面技术(EFT)激光器和获得专利的自对准EFT (SAEFTTM)工艺,MACOM的激光器可以高速和高耦合效率直接对准并连接硅光子芯片,从而加速在真正的工业规模应用中采用硅光子。

    该行业正在进入云数据中心及5G光学构建中的高速光学连接的漫长升级周期。预测在2019年、2020年及以后会是粗波分复用(CWDM)和PAM-4的快速增长年,2019年整体需量将达到1000万单位。MACOM将与GF合作扩大L-PIC生产,旨在满足不断增长的市场需求。GF首席执行官Tom Caulfield说:“凭借我们深厚的制造专业知识,结合MACOM强大的技术,我们可以大规模提供差异化的硅光子解决方案,加快产品上市时间,并降低数据中心和新一代5G光学网络中客户端应用的成本。”

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:32