您当前的位置:首页 > 编译报道
  • 摘要:

    刚公告要在南京投资80亿元建集成电路先进封测产业基地,华天科技又加码国际化,拟携手控股股东华天电子集团要约收购马来西亚主板上市公司Unisem75.72%股权,合计要约对价达到29.92亿元。华天科技13日公告,公司拟与控股股东华天电子集团、马来西亚主板上市公司Unisem之股东John Chia等(以下合称“马来西亚联合要约人”),以自愿全面要约方式联合收购Unisem,初步确定要约价格为每股3.3林吉特。 目前,Unisem已发行股份总额7.34亿股,剔除674.52万股库存股后,Unisem流通股为7.27亿股,马来西亚联合要约人直接持股1.77亿股,约占Unisem流通股总额的24.28%,本次华天科技及华天电子集团要约所涉及股份约占Unisem流通股总额的75.72%。 据此,华天科技及华天电子集团本次要约收购对价不超过18.17亿林吉特,约合29.92亿元;其中,上市公司收购最高比例为60%,收购对价不超过14.4亿林吉特,约合23.71亿元。 资料显示,Unisem成立于1989年6月,1998年7月上市,主要从事半导体封装和测试业务,在马来西亚霹雳州怡保、中国成都、印度尼西亚巴淡设有三个封装基地,拥有bumping、SiP、FC、MEMS等封装技术和能力,可为客户提供有引脚、无引脚以及晶圆级、MEMS等各种封装业务,封装产品涉及通讯、消费电子、计算机、工业控制、汽车电子等领域。 财务数据显示,Unisem2016年、2017年、2018年1至6月的营业收入分别为13.23亿林吉特、14.66亿林吉特、6.65亿林吉特,归属于母公司所有者净利润分别为1.62亿林吉特、1.59亿林吉特、3719.6万林吉特。 有业内人士对记者表示,此次收购Unisem,华天科技最看重的可能是标的公司的欧美高端客户。据公告,Unisem公司主要客户以国际IC设计公司为主,包括Broadcom、Qorvo、Skyworks等公司,其2017年销售收入的近六成来自欧美地区。 华天科技表示,通过本次要约的有效实施,公司能够进一步完善全球化的产业布局,快速扩大产业规模,完善和优化客户结构,快速提高公司在欧美地区的市场份额和占比,同时可有效提升公司的国际化管理水平和在国际市场的竞争力

    来源机构: 大半导体产业网 | 点击量:120
  • 2   2018-09-21 虹识技术成功流片乾芯ASIC芯片QX8001 (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    9月17日,武汉虹识技术有限公司(简称“虹识技术”)在公司总部所在地武汉光谷未来科技城宣布:虹识技术研发团队经过七年坚持不懈的技术攻关,投入数千万元资金,集中公司优势资源,聚焦核心芯片技术,成功设计并流片虹膜生物识别乾芯ASIC芯片QX8001,该芯片已经通过严格的功能和性能测试。

    虹膜是人体唯一外部可见的内部器官,用虹膜来验证个人身份具有身份唯一性、终生稳定性和安全防伪性等其它认证方式无可比拟的优势;自上世纪80年代发现以来,虹膜生物识别技术仅局限在政府、执法、金融等领域应用,无法实现像指纹识别技术那样广泛普及,主要原因是虹膜生物识别设备价格贵、体积大和功耗大。

    作为业界第一款虹膜生物识别ASIC芯片,QX8001芯片的成功流片和量产标志着彻底解决了价格贵、体积大和功耗大三个难题,使虹膜生物识别技术和产品的普及应用成为必然。

    QX8001芯片采用40nm半导体制作工艺,具有QFN44和QFN68两种封装,体积分别为5毫米x5毫米x1毫米和7毫米x7毫米x1毫米,时钟频率为100兆赫兹,平均功耗仅为0.1瓦,能处理1920x1080像素的高清图像,图像编码速度为100毫秒,比对速度为9万模板/秒,单目错误接受率为10-7,单目错误拒绝率为10-3。

    由于其独有的高性价比,QX8001既能被智能手表、智能手机、智能门锁、智能门禁等通用智能终端设备厂家集成作为登录、开机、加密、支付、开门等一般应用,也能被虹膜采集器、警务通、通关闸刀机等专用终端设备厂家集成作为虹膜生物特征建库、黑白名单查找、边境和出入境管控等特殊应用。

    QX8001的成功流片标志着虹膜生物识别技术的应用进入一个全新的时代,对中国乃至全球虹膜生物识别行业和信息安全产业的发展具有里程碑式的重大意义。

    虹识技术始终坚守使命,不忘初心,以敢为人先的技术创新和持续不断的应用突破,打造虹膜生物识别的核心竞争力,实现虹膜生物识别“无时不在,无处不在”的企业愿景和目标,为中国高科技的腾飞和发展贡献自己的一份力量。

    武汉虹识技术有限公司2011年成立于素有“中国光谷”之称的武汉东湖高科技开发区,是一家专注虹膜生物识别核心技术和应用产品研发的国家高新技术企业,拥有自主知识产权的虹膜生物识别软核算法、硬核算法和集成电路芯片布版设计,聚焦智慧城市、智慧安防、智慧金融、智能家居和移动支付应用,为客户提供虹膜识别通用和专用终端设备应用解决方案和大规模高安全行业一站式应用解决方案。

    来源机构: 大半导体产业网 | 点击量:123
  • 3   2018-09-21 中国移动采用高通C-V2X芯片组解决方案 (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    中国移动研究院、中国移动全资子公司中移物联网有限公司和高通子公司Qualcomm Technologies近日正式发布了基于Qualcomm 9150C-V2X芯片组解决方案的全新符合3GPP Release 14 LTE-V2X直接通信的路侧单元。由中移物联网和中国移动研究院开发的该全新路侧单元将在9月15至9月18日举行的2018世界物联网博览会A1展馆的中国移动展台展示。通过此次合作,中国移动研究院、中移物联网和Qualcomm Technologies三方进一步拓展了长期战略合作至汽车和交通领域,探索智慧汽车方面的新技术和应用,共同推动中国网联汽车产业的发展和不断成熟。

    LTE-V2X,也被称为C-V2X PC5直接通信,是智能交通运输系统(ITS)的核心技术,国家政策层面也在大力支持该技术的发展。LTE-V2X是车对万物(V2X)通信的全球解决方案,拥有强大的5G新空口(5G NR)演进路径,旨在提升汽车安全性、改善自动化驾驶和提升交通效率。它是现今唯一一项遵循全球3GPP规范的V2X通信技术,基于PC5的直连通信模式是指在统一的5.9GHz智能交通系统(ITS)频段上支持车对车(V2V)、车对基础设施(V2I)及车对行人(V2P)通信,无需使用SIM卡、成为蜂窝用户或蜂窝网络协助。通过在汽车及路侧单元中部署LTE-V2X技术,道路上的车辆和路侧单元可以直接进行通信,驾驶员可快速高效地获取相关路侧单元信息,能支持交通信号相位及配时等使用场景。C-V2X目前已获得包括5G汽车联盟(5GAA)在内的全球通信标准协会及汽车生态系统领域的广泛支持。中国移动和Qualcomm Technologies均为5G汽车联盟的董事会成员,该联盟通过众多C-V2X现场演示表明,该技术已为最早于2019年启动商用部署做好准备。

    中国移动研究院副院长魏晨光表示:“智能交通系统的发展对通信网络提出了更高的要求,需要具备更低时延,更高可靠,更大带宽的特征。为了应对上述挑战,中国移动研究院致力于LTE-V2X关键技术的研究与产业的推进,与产业各方合作,在标准确立、试验频谱发放、规模技术试验等方面均取得了长足的进展。此次我们联合中移物联网,基于Qualcomm Technologies芯片组解决方案开发的路侧单元,也在无锡LTE-V2X城市级示范应用项目中得到了应用,取得了良好的效果。本着开放合作的心态,我们期待与中移物联网、Qualcomm Technologies,以及其他产业各方继续展开深度合作,充分发挥各方的技术、产业、市场优势,共同构建产业生态,加速技术与产业成熟,促进通信产业与汽车产业的跨产业合作,树立行业深度合作典范。”

    中移物联网有限公司总经理乔辉表示:“中移物联网一直致力于发挥在技术、产业、市场方面的优势,依托中国移动公众物联蜂窝网络,打造车联网“云-管-端”整体解决方案。随着4G的更加普及和5G的探索,车联网成为实现万物互联愿景的重要一环。此次携手移动研究院、QualcommTechnologies共同提供路侧单元,也展示了业已成熟的PC5直连通信技术将极大推动C-V2X技术在中国的发展,这对于推动整个车联网行业发展和探索全新商业模式意义重大。”

    Qualcomm Technologies, Inc.产品管理副总裁Nakul Duggal表示:“我们很高兴将我们的9150 C-V2X芯片组集成于中移物联网全新的路侧单元之中。与通信行业的领袖如中国移动研究院和中移物联网合作,是Qualcomm Technologies持续扩大生态系统合作以推动LTE-V2X在中国商用落地的又一例证。我们包括C-V2X在内的众多突破性技术和高性能汽车解决方案正在变革整个网联汽车产业的面貌。我们期待携手中国移动研究院、中移物联网和其他领先厂商,进一步加强汽车行业和电信行业的紧密协作,为中国汽车厂商铺平道路,共同打造更安全、更加互联的网联汽车生态。”

    来源机构: 大半导体产业网 | 点击量:119
  • 摘要:

    近日,中国半导体行业协会副理事长于燮康介绍,上半年,中国集成电路产业实现收入2726.5亿元,同比增长23.9%。其中,集成电路制造领域收入737.4亿元,同比增长29.1%。

    技术水平提高

    中科院微电子研究所所长叶甜春表示,集成电路制造既可以带动国产装备和材料发展,又可以服务于集成电路设计企业,是集成电路产业的中枢环节。国内集成电路制造工艺已取得长足进步,65纳米、40纳米、28纳米工艺相继量产,14纳米技术研发取得突破,特色工艺竞争力提高。 “尤其是长江存储,以自主知识产权为基础,提出了3D NAND技术新构架XTacking。这是中国企业首次在集成电路领域提出重要的新构架和技术路径。”叶甜春说。

    中芯国际执行副总裁李智介绍了公司14纳米制程工艺进展,并表示相关工厂建设已经封顶,二季度第一代14纳米FinFET技术研发已进入客户导入阶段,预计明年上半年进入量产阶段。 李智表示,国内集成电路产业尽管有一定规模,但价值链整合能力不强。“各地掀起建厂、投资热潮,竞争日趋激烈,人才、设备、材料等各项成本升高。”

    国家集成电路产业投资基金股份有限公司总裁丁文武表示,各地集成电路制造产线存在低水平、同质化、重复建设,导致资源分散、人才竞争激烈,应该理性发展集成电路产业,注重上下游联动。

    “材料是集成电路制造的基础,集成电路制造所需要的300毫米大硅片,国内还没有真正的产业级产品。”中科院院士、浙江大学硅材料国家重点实验室主任杨德仁表示,到2020年全球所需300mm大硅片约640万片,需求增长快但供应严重不足,大硅片价格涨势将持续到2020年。

    发展需要再定位

    叶甜春认为,集成电路产业形成“从无到有”的产业链布局后,不能一味追求建厂扩产,应该“升级”发展战略,重新对产业进行定位。下阶段,集成电路产业应该“以产品为中心,以行业解决方案为突破口”,促进系统应用、设计、制造和装备材料融合发展,通过产业链协同,推动技术创新与商业模式创新并行。

    中国半导体行业协会理事长、中芯国际集成电路制造有限公司董事长周子学认为,“人才缺乏”可能成为进一步发展的掣肘。 对于集成电路产业人才缺乏的问题,华润微电子常务副董事长陈南翔表示,需要加大高校人才培养力度,同时需要半导体企业具备“人才吸引与保留的关键因素”。 陈南翔表示,国内半导体企业“出生率”高,但“成功率不高”。这显示出行业景气、社会支持度与关注度高,同时意味着产业研发资源与创新动能的分散,甚至导致同质化竞争。

    来源机构: 大半导体产业网 | 点击量:160
  • 摘要:

    英国的Plessey半导体公司宣布与Jasper Display Corp( JDC)建立战略合作关系。主要是Plessey的单片微型LED显示器和 JDC的硅背板驱动进行联合开发。

    JDC于1月在拉斯维加斯举行的消费电子展(CES 2018)上公布,eSP70硅背板专为满足微型LED器件的需求而量身定制。Plessey表示,使用JDC的eSP70背板将使Plessey能够灵活地将其GaN-on-Si平台用于微型LED,提供高亮度,在中等功耗或低功耗运行的同时保持日光可用的亮度水平。

    Plessey首席技术官Keith Strickland博士说:“JDC的微型LED专用硅背板使Plessey能够以入门级8μm像素尺寸快速推出我们的单片全彩微LED阵列。我们已经克服了将微型LED阵列与背板精确对准和粘合所面临的重大挑战。我们期待与JDC合作,继续开发,减少像素和显示器尺寸。”

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:439
  • 6   2018-09-17 氮化镓高电子迁移率晶体管的磁传感 (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    英国斯旺西大学和塞尔维亚尼斯大学的研究人员声称首次制造了氮化镓(GaN)磁性高电子迁移率晶体管(MagHEMT)。

    这些器件采用分流式漏极,可以评估由与磁场相互作用而引起的电子路径偏差。 并且这些器件的相对灵敏度由漏极端子之间的电流差相对于特斯拉(T)中磁场上的总漏极电流产生。

    磁传感器广泛用于工程系统中的控制,涵盖航空、汽车和工业应用。研究人员使用实验结果来校准一系列旨在优化性能的模拟。该模型表明,在参数变化的器件中,L =65μm,W =20μm,LS =5.5μm,WS =5.0μm,可以在零栅极电位和0.5V漏极偏压下实现23.29%/ T的灵敏度提高,此时WDD =5μm,LG =5.0μm,LGD =10μm。

    研究人员进一步在高达500K的温度下进行了模拟,表明在恶劣环境下更有希望进行GaN磁传感器的操作。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:436
  • 7   2018-09-17 CVD设备公司建立了独立董事的职位 (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    美国纽约州Central Islip的CVD设备公司(是一家化学气相沉积、气体控制和其他用于开发和制造材料涂料设备的设计者和制造商)声称其董事会已经建立了独立董事的新职位,该公司的董事一致推选Lawrence J. Waldman担任这个新成立的职位。

    Waldman的职责包括协调独立董事们的活动,并担任总裁、首席执行官和其他独立董事之间的联络人,帮助促进董事会的监督和股东回应。

    董事会主席兼首席执行官兼董事长Leonard A. Rosenbaum表示:“我们为了公司更好的发展而进行治理实践,并相信增加一名独立董事将有助于加强公司监督,很高兴拉里会担任这一新角色,他广泛的经验对CVD和我们的股东都有很大的帮助。”

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:422
  • 摘要:

    PowerAmerica研究所发布了2018年的项目征集,该项目征集了2019年7月1日至2020年6月30日的项目。

    PowerAmerica目的是在电力电子系统中通过加速开发和大规模采用由碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)制造的宽带隙(WBG)半导体技术,从而节约能源和创造美国制造业岗位。2018年的“项目征集”主要致力于制造碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体器件,宽带隙电力电子架构和组件,以及发掘具有改进性能,降低成本和具有建立美国制造的潜力的封装和制造工艺。并且WBG器件在高容量商业可行的电力电子应用中进行演示是必要的。而且需要在公司之间以及公司/国家实验室/大学之间进行组合。所有项目都需要1:1的成本份额。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:407
  • 摘要:

    在美国俄勒冈州波特兰市的第10届IEEE能源转换大会暨展览会(ECCE 2018)上,加拿大渥太华的GaN Systems公司展示了其最新产品和设计工具,来扩展GaN功率晶体管的功能。GaN Systems是一家开发氮化镓基功率开关半导体来用于电源转换和控制应用的公司。

    览会上展示了100V,120A,5mΩ的GaN E-HEMT器件(声称是最高电流和最节能的100V GaN功率晶体管);120A,650V,12mΩGaiE-HEMT(据称是世界上额定电流最高的GaN功率晶体管);和无线功率放大器(100W和300W),可以用于高功率消费,工业和运输应用中的无线充电。此外,还将展示简化设计过程的参考设计和评估套件。

    该公司还提供应用演示,并专注于工业、汽车和可再生能源应用。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:371
  • 10   2018-09-09 存储器IC占2018半导体资本支出总数的53% (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    IC Insights预测,今年半导体资本支出总额将增至1020亿美元,这是该行业一年来第一次在资本支出上花费超过1000亿美元。

    其中超过一半的行业资本支出预计用于内存生产,主要是DRAM和闪存,包括对现有晶圆厂线和全新制造设施的升级。总的来说,预计今年内存将占到半导体资本支出的53%。存储设备的资本支出份额在六年内大幅增加,几乎翻了一番,从2013年的27%(147亿美元)增加到2018年的行业资本支出总额的53%(540亿美元)。

    两年来资本支出大幅增加,一个问题是高水平的支出是否会导致产能过剩和价格下降。储存市场的历史先例表明,过多的支出通常会导致产能过剩和随后的价格疲软。IC Insights认为,未来3D NAND闪存市场需求过高的风险正在持续高涨。

    来源机构: IC Insights | 点击量:442