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    在半导体产业发展的大潮中,地方政府扮演了重要的角色,尤其是在制造和封装等重资产行业。因为地方政府对“重投资”的偏好和社会资本对“高风险”的规避,往往半导体制造业都带有非常强的国资属性。以半导体制造产业为例,能窥出半导体产业的独特特点:重投资、长周期、高壁垒,也因此特别需要地方政府的资金支持、税收优惠、政策扶持。因此,调动地方政府的积极性,共同参与到半导体产业的攻坚克难中就显得尤为重要。

    产业发展需要地方政府、产业扶持需要地方政府、产业规划也需要地方政府,因此每个地方政府的半导体产业发展布局,都带有非常浓厚的地方政府特色。芯谋研究深入探索了中国地方政府发展半导体的模式,忆过去,看现在,望未来。我们认为中国地方政府发展半导体产业经历了从1.0到2.0再到3.0三个阶段:

    地方政府支持半导体模式1.0(1990-2013)中央主导布局 一线城市集聚

    从908工程开始,中国半导体真正开始产业意义上的大发展,也真正开始地方政府支持半导体产业发展的模式案例,称之为1.0阶段。想当初,中国半导体产业一穷二白,基础薄弱。同时地方政府的经济实力弱,人才储备不足,所以当初的发展是举国一盘棋,可谓之:中央主导布局 一线城市集聚。从1.0之初直到本轮半导体产业大发展前夕的2013年,在此阶段,最有代表的为上海模式,与此相似的还有无锡模式和北京模式。

    以上海模式为例,在过去的三十年,上海半导体产业的发展是中国半导体产业典型的成功模式。基本原则就是:争取国家支持、利用国际资源、资本串联、制造为主-带动全局、长远战略-建设园区。在争取国家支持上,无论是909工程,还是和中央联合,引入了中投、大唐以及北京资源,共同发展中芯国际,亦或是“909工程”升级改造项目建设华力微电子,再加上最近的吸引国家大基金的扶持建设中芯南方和华力二期,都体现了国家战略、高举高打的特点。在国际资源引入上,“909工程”中与当时的半导体巨头NEC电子合作、引进台湾张汝京团队打造中芯国际;宏力发展初期和台湾团队合作,通过和国际领先公司进行策略合作,吸引全球资源,为上海的半导体产业在国际上产生重要影响奠定了坚实的基础。在资本串联上,通过政府出引导资金的“引导加配套”的模式吸引了众多社会资本,发挥产业基金和风险投资公司的串联作用,促进产业链紧密联系,上下游良性互动。在制造为主、带动全局上,以“点”(制造企业)带”线”(半导体产业),通过代工厂,串联起设计、封装和设备材料等配套产业。在长远规划、高起点规划上,在张江高科园区内重点发展半导体产业,使众多半导体企业聚集到张江园区,发挥产业的协同作用和群聚效应;对重点企业如中芯国际、华虹宏力等持续支持,政府不图单个企业的一时之利,算大账不算小账,从长计议对地方产业支撑。最终上海模式形成了包含芯片设计、制造、设备材料和服务业在内的完整产业链,全产业链产值排名全国第一,产业高地之称实至名归。

    再看无锡,虽然与上海相比“术”有不同、方向有差异,但是“道”有异曲同工之妙。纵观无锡发展半导体产业的模式,基本方针就是:国家导向、大项目(大企业)主导、集全市之力,持续发展、制造为主,全产业链协同发展。在国家导向上是以无锡华晶作为实施主体,承担了国家重大工程---“908工程”。在大项目主导上,典型的代表作是2002年引入央企华润集团,以及2005年,引入世界存储器巨头---海力士,最终引领了无锡市半导体制造业的大发展。

    和上海也比较相似,无锡发展半导体的思路一直是“制造为主、全产业链协同发展”,通过制造业(主要以晶圆制造为主,后来封装业也异军突起)的上下游带动作用,协调协同产业链的上下游全面发展。经过三十年的发展,无锡先后成为国家集成电路设计产业化基地和国家微电子高新技术产业基地,进一步确立了无锡在中国半导体产业中的特殊地位。

    国内地方政府发展半导体产业成功的模式还有“北京模式”,其与“无锡模式”、“上海模式”非常相似。三个城市在布局上都有相似特点:与中央紧密合作,得到国家支持;以制造为主,产业链上下游形成互动;政府的高度重视和持续投入;科学规划,重视长远发展;大项目带动,和有实力的实干的领先企业合作。最终都形成了链条式、规模性的产业形态,奠定了“一方霸主”的产业地位。

    每个城市的发展都是先前历史的产物,是历史塑造了现在的格局。回顾当时,因为半导体产业投资金额巨大,必须要从顶层往下Top-Down的进行筹划,无论是908还是909,都完全是由中央主导的。当时发改委有项目审批权,历数产业的重大项目全部都是中央主导布局,一线城市集聚的。

    这就是中国半导体产业发展的1.0时代,利弊也是非常明显:

    利:企业相对集聚,主体相对集中,整合了资源,聚拢了团队,形成了系统。对于单点开花的几个重要城市,奠定了产业自恰的生态链和体系系统。

    弊:其余地方政府的积极性没有调动起来、积极性缺乏。受制于地方政府投资热情不足,企业主体也就相对较少:12吋代工厂很长时间只有中芯国际和华力等寥寥几家。

    地方政府支持半导体模式2.0(2013-2018) 地方主导 一哄而上

    斗转星移。2013年之后中国半导体由“中央主导”进入“地方主导”的新阶段。称之为地方政府支持半导体产业发展的2.0阶段。

    在此阶段,尤其是自2013年至2018年的五年中,发改委简政放权,将半导体制造项目的审批权下放,地方政府有了更多的自主权和选择权。同时地方政府的经济实力、产业发展经验也不可同日而语,再加上政府官员政绩等多方面的驱动,各地方政府的产业发展热情空前高涨,纷纷重码投资,可谓遍地开花、大炼芯片。尤以此阶段的四小龙:合肥、武汉、南京、厦门为主。

    看合肥,以晶合、长鑫为主,引领众多设计公司及产业链上下游公司,全链条打造“中国IC之都”。观武汉,依然是紧抓关键项目,以长江存储、中国信科(烽火+大唐)为抓手,落地了国家存储器大战略,驱动存储和信通两个方向的产业升级。品南京,以台积电等龙头项目为支撑,以紫光-展锐、ARM、Synopsys等顶尖芯片设计企业为引领,老树发新芽。析厦门,联芯、三安、士兰等制造型IDM聚集,从12吋数字到化合物半导体到模拟IDM,后来居上。四小龙争前恐后,快速布局发展,已经俨然有挑战1.0时代老大哥的态势。

    不仅仅是四小龙,近些年百花齐放的态势已经蔓延到了神州各个地区。各地方政府还推动了德科码、德淮半导体、淮安时代芯存、淮安中璟、成都GF、重庆AOS、泉州晋华、宁波中芯、绍兴中芯、无锡华虹、无锡海力士、青岛芯恩、广州粤芯......项目遍地开花。无论是一二线还是四五线城市,地方政府的激情满溢,对产业火力全开,大有“神州处处皆芯片”的态势。

    接受也好、排斥也罢。四处开花2.0阶段就这样“存在即合理”,当然利弊依然十分明显:

    利:产业的热度调动了地方政府的积极性,各个地方政府闻芯起舞。很多一把手工程、特大项目,得到了政府的大力支持。尽管由于政府的热情,很多项目不走寻常路、先上车再买票,但毕竟迈出了第一步。

    弊:一哄而上,资源分散,缺乏统筹,各自为战,且严重影响现有资源。国资出资居多,政府主导产业,国资流失等问题严重。没有实力的地方政府贸然进入,留下不少烂尾项目。

    2018年上半年全国GDP前十五名城市半导体制造线概况

    地方政府支持半导体模式3.0(2019-未来) 管控有序 科学发展

    再回首,云遮断归途;再回首,荆棘密布。

    中国半导体产业发展模式从1.0到2.0的版本升级过程,是从管理到释放的过程,是从调控到市场的过程。在产业模式升级的回首反思中,既能看到集约发展留下的布局薄弱、空虚不足的遗憾,也看到了盲目扩张带来的资源分散、项目烂尾乱象。民间戏言,中国的政策驱动和产业布局,一管就死、一放就乱。所以我们更期待从2019年开始,中国的地方政府能找到3.0模式,也是我们产业人所最希望能看到的有收有放、管控有序的合理发展模式。

    在芯谋研究的眼里,以下的模式,才是我们最盼望的升级版:

    针对半导体的特殊性,调控政策更要精准化,更要“供给侧改革”!也就是严管综合实力不够的,大力支持综合实力优秀的。避免缺乏实力的地方政府一哄而上,鼓励有实力的地方更加重视、定位差异化!让有实力的地方政府可以在细分方向上领跑,让产业的聚集效应更加明显,优势更显优势。

    在管与放之间找到尺度。过去让有形的手化为无形,现在又要让无形的手在企业需要时候带来有形的力量。“管”与“放”,“紧”与“松”之间,非常考验政府领导的拿捏。

    政府既要积极进取,更要专业判断。在行业的下行周期中,会遇到资金难、项目难、并购难、国际合作难,要认知困难,不盲目乐观。迎难而上和知难而退应该同时存在。多少优秀的国际企业都是逆周期投资,如何精准的切入产业时间点,在上升周期与“牛市”同乐才是最考验地方政府判断力的题目。

    要审计、监督,要时刻关注关键项目的进展。必须要引入监督机制,推进权力运行公开化、规范化,健全质询、问责、经济责任审计、引咎辞职、罢免等制度。加强重点资金、重点项目的审计。

    针对地方政府发展半导体的关键战术要素拆解,芯谋研究也做了仔细的工作,细分了六大关键性成功因素:

    3.0时代已经悄然来临,不管是哪个城市,不管是哪个方向,定位要清晰、特色要鲜明、扶持有重点。希望地方政府能有科学的发展规划、明确的产业集群、精准的合作对象、务实的支持政策,站在高处、想到深处、做在实处,走在前列,勇立潮头。

    结语:

    人生到处知何似,应似飞鸿踏雪泥。产业发展离合无定,过去的路相当艰辛,但产业的每一步路,都留下了产业人的劳作、汗水、付出的痕迹。我们希望无论是中央政府、还是地方政府,无论是产业资本、还是产业人才,付出的都有回报。

    衷心希望,不管是什么模式,中国各地的政府都能找到适合自己的模式,让政府的热情有所回报。衷心希望,随着产业模式从1.0 到2.0 再到3.0 的升级,中国方政府在探索半导体产业发展的扶持之路上能找到一套符合中国特色、符合产业特色的理想模式!

    来源机构: 大半导体产业网 | 点击量:340
  • 摘要:

    在2019年消费电子展(CES)上美国的SLD Laser公司展示了其高亮度光源技术及其智能照明技术应用。

    LaserLight的优势很明显,相较于LED灯,其亮度是前者的10多倍、照明距离延伸至1公里、功耗最小化、使用寿命长、在不使用LED的前提下可实现高度定向照明。

    在CES上,SLD Laser推出了全球最小型的LaserLight车头灯概念产品,该产品的厚度仅为1.5厘米,可提供近光灯及远光灯功能。采用该纤维基技术后,SLD Laser已与HSL Italia开展合作,声称这类光源的紧凑性提供了新的车头灯设计理念。该光源可能被用于纤维基内饰或外饰重点照明。该光源可与纤维光学材料搭配,使得光源的更换尽可能地简便,类似连接耳机插口一般。

    未来LaserLight将采用基于微机电技术的(MEMS technology )的1毫米镜面,为新一代的自动驾驶应用提供照明功能。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:97
  • 摘要:

    IHS Markit研究了数据中心的功率半导体的使用情况并发布了一份报告,大多数功率半导体都存在于转换线电压的AC-DC电源单元(PSU)中。AC到DC(通常为12V),以及计算和存储服务器主板上的12V转换为服务器组件所需的低压电源轨。

    利用48V输入功率的服务器单元需要新颖的解决方案将电压降低到服务器集成电路(IC)所需的低电压。提高输入电压为创建稳定的输出轨提供了额外的挑战。我们相信将引入一系列解决方案来满足需求,包括多阶段拓扑和新控制架构,以及更多集成封装。

    超大规模云服务提供商(CSP)的服务器代表了服务器市场中增长最快的细分市场,约占总数的三分之一。IHS Markit期望掌握新型封装解决方案,将功率级和磁性结合到一个封装中,以满足功率效率需求。

    来源机构: IHS | 点击量:88
  • 4   2019-01-13 三星在CES上推出模块化微型LED显示技术 (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    在年度First Look CES(消费电子展)上,韩国三星电子有限公司推出了其最新的模块化微LED显示技术。三星的微型LED显示器具有自发光和模块化功能,功能多并可提高图像质量。电视显示器由微型LED模块组成,具有数百万无机红、绿、蓝微型LED芯片。由于其模块化特性,微LED技术实现了屏幕尺寸的灵活性,允许用户定制适应房间的尺寸。

    三星表示即使添加更多模块,微型LED显示器也可以进行缩放以提高分辨率,同时保持像素密度恒定。此外,微型LED支持从标准16:9的内容到21:9的宽屏电影,再到非常规宽高比(如32:9甚至1:1)的所有内容,而且不会影响图像质量。

    三星视觉显示业务总裁Jonghee Han表示:“我们的微型LED技术处于屏幕革命的最前沿,能制造智能、可定制的显示器。”

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:85
  • 摘要:

    美国的Cree公司签署了一项为期多年的协议,即为瑞士半导体供应Wolfspeed碳化硅(SiC)晶圆。在碳化硅功率器件的需求增长期间,该协议规定Cree向ST供应价值25亿美元的150mm碳化硅裸露和外延晶圆。

    意法半导体总裁兼首席执行官让马克奇瑞说:“目前ST是唯一一家大规模生产汽车级碳化硅的半导体公司,我们的目标是在2025年拥有市场估计超过3美元,并且占据市场领导地位。与Cree的这项协议将支持我们的雄心和计划,并有助于推动SiC在汽车和工业应用中的普及。”

    Cree首席执行官Gregg Lowe说:“我们一直致力于提高碳化硅的采用率,这一协议证明了我们的努力。作为碳化硅的全球领导者,我们将不断扩大产能以满足不断增长的市场需求。”

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:77
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    澳大利亚的BluGlass有限公司表示,在独特的生长和激活的p-GaN(AAG)技术中使用低温远程等离子体化学气相沉积(RPCVD)制造技术,来实现和展示功能性隧道结,以便能够制造级联发光二极管。

    使用单个芯片在连续垂直堆叠中通过隧道结来生长LED,以在单个芯片上互连多个LED。这种垂直布置使级联LED受益于降低的效率下降,垂直布置方案增加了单个晶圆制造的器件数量,可以降低制造成本。

    目前级联LED尚未商业化,这是因为使用现有的MOCVD制造技术很难实现GaN基材料系统中的工作隧道结,相比之下,BluGlass的RPCVD技术的低温沉积与氮等离子体结合作为氮源而不是氨,从而能够制造实用的GaN基隧道结器件。

    BluGlass表示正在优化RPCVD隧道结,以实现级联LED,以满足LED市场对亮度和外形尺寸的要求。

    来源机构: 今日半导体 | 点击量:92
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    从工业和信息化部网站获悉,《印制电路板行业规范条件》(下简称《规范条件》)和《印制电路板行业规范公告管理暂行办法》将于2019年2月1日起开始施行。

    《规范条件》按照优化布局、调整结构、绿色环保、推动创新、分类指导的原则进行制定。

    《规范条件》指出,在国家法律法规、规章及规划确定或省级以上人民政府批准的永久基本农田保护区、饮用水源保护区、自然保护区、风景名胜区、生态保护红线和生态环境敏感区、脆弱区等法律、法规定禁止建设工业企业的区域不得建设印制电路板制造项目。上述区域内的现有企业应按照法律法规要求拆除关闭,或严格控制规模、逐步迁出。

    《规范条件》鼓励印制电路板产业聚集发展,建设配套设备完备的产业园区,引导企业退城入园。严格控制新上技术水平低的单纯扩大产能的印制电路板项目。鼓励企业做优做强,加强企业技术和管理创新,提高产品质量和生产效率,降低生产成本。推动建设一批具有国际影响力、技术领先、“专精特新”的企业。

    在生产规模和工艺技术上,《规范条件》要求企业具备印制电路板产品的独立生产、销售和服务能力;研发经费不低于当年企业主营业务收入的3%,鼓励企业取得高新技术企业资质或省级以上研发机构、技术中心;生产的产品拥有技术专利;企业申报时上一年实际产量不低于实际产能的50%。

    《规范条件》同时就现有企业的人均产值、新建及改扩建项目的投资规模和投入产出比、企业及项目工艺技术提出了要求。

    在质量管理方面,企业应建立并不断完善测量管理体系,具有电测试、尺寸测量、自动光学检测(单面板除外)等检测能力。鼓励企业配备高低温循环、温度冲击、湿热等环境适应性试验能力,并通过测量管理体系认证。

    在智能制造方面,鼓励企业加强顶层设计,促进自动化装备升级,推动自动化水平提高。

    鼓励企业推动生产设备联网与数据采集,积极建设企业资源计划(ERP)、制造执行系统(MES)、供应商关系管理(SRM)、仓库管理系统(WMS)等信息化系统,推动企业数字化建设。

    在绿色制造方面,企业应持续开展清洁生产审核工作,并通过评估验收,清洁生产指标应达到《清洁生产标准 印制线路板制造业》(HJ 450)中三级水平。其中废水产生量指标应达到二级水平,并鼓励取得一级及以上水平。

    来源机构: 大半导体产业网 | 点击量:157
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    全球三大晶圆代工厂台积电、英特尔、三星,最快将在2019年导入极紫外光微影技术(EUV),值得注意的是,全球可提供EUV光罩盒的业者只有两家,家登是其中之一,且家登已经通过艾司摩尔(ASML)认证,此举无疑宣告,家登今年EUV光罩盒将大出货,公司更透露,接单强劲,目前已有供给告急压力。

    首先就台积电的部分,今年会进入采用EUV设备之7+制程的量产,而三星的7纳米制程也会采用EUV设备,并在今年进入量产阶段,至于英特尔方面,其7纳米发展进度佳,也确定会导入新一代EUV微影技术,但量产时间可能会落在2020年。

    而台积电和三星采用EUV设备的7纳米,预计在2019年导入量产,并在2020年大量,但其相关的光罩盒等设备大量采购时间会集中在2019年开始,至于英特尔,虽采用EUV的7纳米会在2020年量产,但其光罩盒采购时间,可望落在2019年下半。

    换言之,为了先进的EUV设备的7纳米制程,台积电、三星与英特尔将自2019年开始大举向家登采购相关的光罩盒,而家登新一代EUV光罩传送盒G/GP Type也在2018年底获得ASML认证通过,这意味着,家登光罩传送盒今年可望明显放量出货,营收与获利成长可期。

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    华兴集成电路近日获得1000万美元A轮融资,投资方为深创投、百度风投、联想创投以及天使轮投资方启迪之星继续跟投。此前,公司曾在2014和2015年分别获得种子和天使轮融资。

    华兴集成电路成立于2012年,公司在高性能椭圆曲线密码芯片、后量子密码芯片(格密码)、云计算全通态加密芯片方面拥有多项领先技术。产品具有完全自主知识产权,不仅可应用在智能卡芯片、云服务器、安全PC等场景,还可应用在政府电子政务、医卫系统、金融安全、移动支付等所有采用分布式计算和数据托管的场景,甚至可应用在卫星通信、雷达等尖端科研、军事场景。

    密码行业不同于其他行业,其特殊性在于不仅涉及经济利益,还涉及国家的信息安全,尤其在航天、军工等国家战略领域,技术和产品不能完全依赖于海外企业。以金融领域为例,由于涉及到国家金融安全,发改委、央行等有关部门正在采取与第二代身份证芯片的类似做法,实施金融IC卡芯片国产化。与此同时,在标准方面,2010年央行已发布最新的PBOC2.0标准,近期已经推出的PBOC3.0标准,都将强制金融IC卡采用SM2/SM3/SM4等国家密码算法标准。

    中国已经成为对密码产品需求最大的市场,单是金融领域,服务器、ATM机、POS机和主控计算机更新换代的产业链市场容量就在6,000亿元人民币左右。然而高性能安全芯片国产化少,国内市场被Cavium、英特尔、恩智浦、英飞凌等国外厂商垄断。高性能芯片在性能和安全性方面的技术门槛非常高,目前国内还没有企业可以达到很高的技术性能指标,竞争相对较少。

    华兴集成电路起步较早,经过多年技术和市场积累,已经具备很高的技术领先优势和市场优势。2017年6月,华兴集成电路量产了其第一款Serica THECC500芯片,这是一款110nm(110nm指的是芯片中CMOS工艺中晶体管的线宽,线宽越小代表相同单位面积集成的部件越多,性能也越高)的高性能椭圆曲线密码芯片,可用于线上支付、电子合同等线上交易领域。

    对于公司的第一个量产产品,华兴集成电路创始人兼CEO丁丹认为,Serica THECC500的性能只能比肩Intel同款产品低端产品,但通用性更强,99%的企业都希望直接插上芯片就能用,国外很多芯片的脚本、驱动安装时还需重新修改代码,繁杂且易出错。

    “我们的芯片,只需要按一个回车键就能操作”,丁丹表示,华兴的芯片可以无缝支持HTTPS和OPENSSL上面的开源软件,也能够根据客户的要求,在短时间内为他们定制不同的软件。现阶段,华兴集成电路已经拿到了联想的订单,进入了主流服务器市场。此外,众签电子合同在采购了一批芯片后,不仅增加了预定量,还预订了下一代芯片。

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  • 10   2019-01-06 提高III-氮化物P通道晶体管的电流性能 (编译服务:集成电路)     
    摘要:

    美国康奈尔大学和英特尔公司声称基于氮化镓或氮化铝上的二维空穴气体可以同时记录增强型P通道场效应晶体管(Pfets)的通电和通/断电流比。

    在基于GaN的器件中生产有效的p通道晶体管将开辟节能互补p/n通道电路的潜力。不幸的是,相对于更高迁移率的电子,III-氮化物材料中空穴传输的不良特性阻碍了这种发展。

    虽然从功率和射频电子学的角度来看,GaN和AlN的宽带隙是有吸引力的,但同样的性质是空穴传输迟缓性质的根源。宽间隙与大的有效孔质量和低迁移率相关。宽间隙也意味着深的价带并且产生空穴是困难的。

    对其他报告进行基准测试表明,由于电荷极化不连续,GaN/AlN方法具有明显更高的薄片电荷。 同时,空穴迁移率与大多数其他方法相当。

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