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2017年第11期(发布时间: 2017-12-29 发布者:郭文姣)  下载: 2017年第11期.doc       全选  导出
1   2017-12-28 09:50:44.98 以csbr改性介孔TiO2珠为电子选择性接触,提高钙钛矿太阳能电池的效率 (点击量:2)

快速提取光产生的电荷载体对于实现高效率的钙钛矿太阳能电池至关重要。本文介绍了一种新型的介观结构,作为PSCs的电子选择性接触器,介绍了一种纳米直径为纳米直径的纳米二氧化钛珠。固有的双峰孔隙分布这些电影产生一个非常大的接触面积200平方米g−1钙钛矿其访问的光吸收器是通过粒子之间的间隙空间。CsBr对TiO2表面的改性进一步加强了其与钙钛矿的相互作用。结果,光产生的电子被快速地提取出来,产生一个非常高的填充因子,接近80%的有机化合物,即1.14 V的VOC,而PCE则高达21%,可以忽略不计。

——文章发布于2017年12月20日

2   2017-12-28 09:44:09.707 为高性能的非对称超级电容器和高效的氧演化,合理构建中空核-枝的CoSe2纳米阵列 (点击量:2)

金属硒化物在电化学储能方面具有很大的潜力,但研究相对较少。在此基础上,利用预设计的CoO纳米球果的表面硒化反应,设计了一种新型的碳布中空核-支CoSe2纳米阵列。首次对超电容器中CoSe2的电化学反应机理进行了详细的研究。与CoO相比,空心的core -branch CoSe2具有较大的比表面积和较高的电导率。当测试作为超级电容器正极,CoSe2提供比电容高759.5 F g−1 1 mA厘米−2,比这大得多的首席运营官nanocones(319.5 F克−1)。此外,CoSe2电极表现出良好的循环稳定性,可以保持电容保留94.5%的马在5000年之后的充放电周期在5厘米−2。非对称超级电容器使用CoSe2作为阴极和一个n型碳nanowall阳极进一步组装,显示高能量密度的32.2 Wh公斤−1 W功率密度为1914.7公斤−1,并维护24.9 Wh公斤−1 W当功率密度增加到7354.8公斤−1。此外,CoSe2电极也比CoO具有更好的氧演化反应活性。

——文章发布于2017年12月18日

3   2017-12-27 09:52:26.127 机械激活离子通道压电晶体结构 (点击量:1)

压电和压电是机械激活离子通道,介导触觉感知、本体感受和血管发育。Piezos与其他离子通道不同,其结构仍不明确,阻碍了对其浇注和离子渗透性能的详细研究。本文报道了一种高分辨率的小鼠压电晶体结构。净化-溶解复合物采用三桨叶螺旋桨的形状,带有弯曲的跨膜区域,每一个protomer至少包含26个跨膜螺旋。灵活的螺旋桨桨叶可以采用不同的构象,由一系列四跨膜螺旋束组成,我们称为“压电重复”。羧基末端的区域排列在中心离子孔上,而通道在胞溶胶中被收缩封闭。一种螺旋形的螺旋形波束和锚定义域将压电片重复到孔中,并准备以不同的方式控制门脉。这种结构提供了一个跳板来进一步分析压电片是如何被机械力调节的。

——文章发布于2017年12月20日

4   2017-12-27 09:49:13.17 一种高性能的石墨烯场效应晶体管,具有良好的柔性,由iCVD共聚物栅极介电 (点击量:1)

通过采用一种称为启动化学气相沉积的无溶剂过程,实现了表面-能量工程的共聚物门介电体,证明了一种具有优良机械柔性的高性能顶栅石墨场效应晶体管。由1,3,5 -三甲基- 1,3,5 -三甲基环三硅氧烷和1 -维立咪唑(VIDZ)组成的两个单体合成了超薄、柔性的共聚物介电体。共聚物介质使石墨烯装置表现出优异的介电性能,大大提高了机械的灵活性。石墨烯的p -掺杂水平可以通过改变共聚物介质中的极性维兹分数来调节,而石墨烯FET的狄拉克电压(VDirac)可以得到系统的控制。特别是,VDirac在共聚物介电介质中具有较高的VIDZ浓度,从而使载体散射最小化,从而提高了石墨烯器件的电荷传输。因此,20 nm厚的石墨烯场效应晶体管共聚物电介质展览场效应空穴和电子迁移率值超过7200和3800 cm2 V−1 s−1,在室温下分别。这些电特性即使在弯曲半径1毫米处仍保持不变,对应的拉伸应变为1.28%。针对高频柔性器件的应用,进一步研究了具有共聚物栅极电介质的形成栅极。

——文章发布于2017年12月18日

5   2017-12-19 21:41:52.613 半导体发光二极管的电子全息研究 (点击量:1)

半导体发光二极管(led),特别是基于gana的异质结构,在光照明中得到广泛应用。摘要纤锌矿晶体结构的反演对称性和异型界面的晶格失配导致了大极化场,自发极化和压电极化都有贡献,从而导致了明显的量子限制斯塔克效应。如果局部静电场和带线诱导的电荷再分布可以在异质结构中被定量地确定,就有可能减轻这种效应。在此基础上,综述了电子全息技术在半导体发光二极管研究中的应用。在离轴电子全息图的基础上,讨论了基于ganbased的量子阱、其他基于ganbased的量子阱和其他基于ganbased LED材料的异质结构,重点讨论了局部电位滴、极化场和电荷分布。此外,还简要讨论了基于gaas的LED异质结构。在线电子全息术方案强调大面积应变的能力映射在领导异质结构与高空间分辨率和精度,结合定量静电测量和其他先进透射电子显微镜特征提供一个整体纳米尺度的角度领导设备进一步改善他们的电气和光学性质。

——文章发布于2017年12月4日

6   2017-12-18 18:09:52.333 基于纺织品的可穿戴电子技术的最新进展:对材料、设备和应用的全面审查 (点击量:2)

可穿戴电子产品正在成为下一代人友好的电子设备的平台。一种具有多种功能和对人体可适应能力的新型设备是必不可少的。这些新的概念装置很可能是一组各种功能设备,如显示器、传感器、电池等,它们的工作条件非常不同,在人体上或在人体上。在这些方面,电子纺织品似乎是一种非常合适的可能性,因为纺织品的独特的特性,例如重量轻、弹性好,以及它们固有的温暖性和符合的特性。因此,电子纺织品已发展成为以纤维为基础的电子服装或身体可连接的类型,以促进具有可适应格式的关键部件的大规模工业化。虽然这些进展值得注意,但它们的电气性能和设备特性仍然不能满足消费者水平的电子纺织系统。为了解决这些问题,创新的结构和材料设计,以及新的加工技术已经被引入到电子纺织系统中。综述了近年来有关功能材料和设备的研究进展,包括其增强的光电性能和力学性能。此外,还讨论了剩余的挑战,并提出了促进电子纺织系统全面实现的有效策略。

——文章发布于2017年12月4日