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2019年第5期(发布时间: Apr 14, 2019 发布者:沈湘)  下载: 2019年第5期.doc       全选  导出
1   2019-04-14 03:45:09.123 SEMI:全球半导体材料销售额创下519亿美元的新高 (点击量:6)

美国加州时间2019年4月2日 - SEMI Materials Market Data Subscription公布全球半导体材料市场在2018年增长10.6%,推动半导体材料销售额达到519亿美元,超过2011年471亿美元的历史高位。

根据WSTS(World Semiconductor Trade Statistics)的数据,芯片市场2017年创纪录达到了4122亿美元,2018年创下历史新高4688亿美元。

2018年晶圆制造材料和封装材料的销售额分别为322亿美元和197*亿美元,同比增长率分别为15.9%和3.0%。

台湾凭借其庞大的代工厂和先进的封装基地,以114亿美元连续第九年成为半导体材料的最大消费地区。韩国排名第二,中国大陆排名第三。韩国,欧洲,中国台湾和中国大陆的材料市场销售额增长最为强劲,而北美,世界其他地区(ROW)和日本市场则实现了个位数的增长。(ROW地区被定义为新加坡,马来西亚,菲律宾,东南亚其他地区和较小的全球市场。)

Note: Summed subtotals may not equal the total due to rounding.

* Includes ceramic packages and flexible substrates

** 2017 data have been updated based on SEMI’s data collection programs

2   2019-04-14 03:39:32.867 美国半导体行业呼吁政府增加芯片投资,放宽绿卡限制 (点击量:5)

据路透社报道,美国半导体产业协会(SIA)呼吁美国政府增加对芯片研究与科学教育的资金投入,同时放宽技术移民限制,以应对中国对芯片技术的大举投资。

SIA呼吁美国政府,把未来五年对芯片研究的联邦拨款从目前的15亿美元提高至50亿美元,并加倍向材料科学等相关领域拨款。

SIA还希望政府修改相关规定,帮助公司招聘到技术员工。短期内,这意味着来自中国和印度等国的相关行业技术移民更方便获得美国永久居留权。长期而言,则意味着增加教育投入,在2029年之前使得美国的科学与工程专业的毕业生数量增加一倍。

英特尔、美光和英伟达都是SIA的会员。美光CEO、SIA主席桑贾·梅洛特(Sanjay Mehrotra)表示,这两个做法可以增加美国国家实验室、大学与企业的研究经费,能为刚走出校门的毕业生创造更多就业机会。

“它有助于建立人才培养通道……而这正是维持这个行业全球竞争力所需要的,”他表示。

3   2019-04-14 03:43:17.96 Diodes完成收购德州仪器苏格兰晶圆厂GFAB (点击量:1)

4月1日,模拟IC厂商达尔科技Diodes官网宣布,已完成对德州仪器位于苏格兰格里诺克的晶圆制造厂和运营部门(GFAB)的收购。

正如此前所述,Diodes将整合Greenock工厂和晶圆厂业务,包括将所有GFAB员工转移到Diodes。此外,Diodes还向18位支持GFAB运营的承包商提供永久性就业机会。作为多年晶圆供应协议的一部分,当TI转移到其他晶圆厂时,Diodes将继续从GFAB制造TI的模拟产品。GFAB厂房产能高达每月21666—256000片8英寸等效晶圆,具体产能取决于产品组合。

Diodes的总裁兼首席执行官Keh-Shew Lu博士表示,GFAB的收购与Diodes的战略增长计划完全一致,特别是在汽车和工业市场的扩张,预计GFAB将在实现公司收入和利润增长目标方面发挥重要作用。随着交易的结束,Diodes现在将注意力转向在GFAB积极推进新的晶圆制造工艺和功能以支持Diodes的战略计划。

据了解,GFAB是国家半导体(National Semiconductor)在美国之外的首个FAB,也是苏格兰Silicon Glen地区早期晶圆厂之一,该工厂于1970年投产、1987年重建,2009年改建为8英寸/6英寸兼容的生产线,2011年德州仪器收购国家半导体时将GFAB收入囊中。

媒体报道称,2016年初德州仪器就曾表示未来三年内有计划关闭GFAB,GFAB逐步将产品转移到德国、日本和美国的8英寸晶圆厂。

资料显示,Diodes主要提供分立器件、逻辑器件、模拟和混合信号芯片等产品,包括二极管,整流器、晶体管、MOSFET等。此次收购完成后,Diodes在英国拥有两座晶圆厂(6英寸和8英寸),在中国上海拥有两座晶圆厂(6英寸和8英寸)。

4   2019-04-14 03:46:25.643 中芯国际拟1.13亿美元出售LFoundry70%股权 (点击量:1)

中芯国际3月31日披露,公司将以1.13亿美元的对价,将所持有的LFoundry70%股权转让给江苏中科君芯科技有限公司。如本次交易完成,买方应于2019年12月30日向卖方支付大多数股东贷款结清价。据悉,大多数股东贷款的结清价及利息约为6315.02万美元。

江苏中科君芯科技有限公司是一家专注于绝缘栅双极晶体管(IGBT)及高速整流二极管(FRD)等新型电力电子芯片研发的中外合资高科技企业。企查查显示,江苏中科君芯科技有限公司成立于2011年11月,注册资本1909.51万元,法定答代表人肖庆云,股东无锡中科君芯投资企业(有限合伙)持股17.78%、上海华芯创业投资企业持股14.11%、西藏津盛泰达创业投资有限公司持股12.4%、中国科学院微电子研究所持股11.78%。

记者查阅,中芯国际于2016年7月收购LFoundry70%的企业资本,并通过注册在香港的目标公司持有(还全资持有SMIC Sofia),LFoundry全资持有LFSofia EOOD、持有ConsorzioDelta Ti Research50%权益。彼时,这项交易的价格是4900万欧元。

资料显示,LFoundry为根据意大利法律注册成立的有限公司,主要从事摄像头芯片的开发及生产,Marsica及ISAR各自拥有占LFoundry15%已发行及流通在外企业资本的限额。根据国际财务报告准则,截至2018年12月31日止财年度及2017年12月31日止财年度,目标集团(包括目标公司、LFoundry、SMIC Sofia、LFSofia EOOD及ConsorzioDelta Ti Research)除税前或除税后亏损净额(未经审核)分别为810万美元、1490万美元。

中芯国际表示,基于扣减净资产账面值的代价,预期公司将取得交易收益7700万美元(未经审核),除去200万美元的相关交易成本外,交易所得款项净额(约1.74亿美元)将用于先进制程工艺技术及特色成熟工艺。

5   2019-04-14 03:41:32.3 国家集成电路产业投资基金二期宁波出资平台设立 (点击量:1)

近日,宁波富甬集成电路投资有限公司获市市场监督管理局核发营业执照,标志着我市参与国家集成电路基金二期的出资平台搭建成立。

国家集成电路产业投资基金是国家为发展集成电路产业,缩小与世界先进国家差距而设立的“国字号”投资基金,该基金二期规模1500亿元正在抓紧筹备当中。为积极响应并服务国家战略,我省本期拟参与出资150亿元,其中我市出资20亿元。根据省、市参与国家大基金的工作要求,根据市领导要求,并经市经信局、市国资委明确,由工投集团作为我市参与国家集成电路产业投资基金二期出资牵头主体并履行义务,并将本项目列入市属国企的政府性投资项目管理。由工投集团下属全资子公司“宁波工投产业投资基金有限公司”代表工投集团先期牵头组建宁波出资平台--宁波富甬集成电路投资有限公司,市交投集团公司共同参与该出资平台的组建。

下一步,工投集团将全力贯彻市委市政府决策部署,做好宁波出资平台的资金整合和运作管理,积极配合省出资平台履行出资义务,为我市参加国家大基金工作做好服务和执行工作。

6   2019-04-14 03:38:09.203 台积电5纳米进入试产阶段 目标锁定5G与AI市场 (点击量:2)

晶圆代工大厂台积电3日宣布,5纳米制程已进入试产阶段,在开放创新平台下,推出 5 纳米架构的完整版本,协助客户实现支持下一代先进移动、及高效能运算应用产品的 5 纳米系统单芯片设计,目标锁定具高成长性的 5G 与人工智能市场。

台积电 5 纳米制程已进入试产阶段,支持下一世代的高端移动及高效能运算应用产品,相较于 7 纳米制程,5 纳米创新微缩功能在 ARM Cortex-A72 核心上,能提供 1.8 倍的逻辑密度, 速度增快 15%,在此制程架构下,也产生出优异的 SRAM 及模拟面积缩减。

台积电指出,5 纳米制程具备极紫外光光刻技术所提供的制程简化效益,相较台积前几代制程,在相同对应的阶段,达到最佳技术成熟度,且在业界最大设计生态系统资源支持下,与客户间已展开密集的设计合作,为产品设计定案、试产活动与初期送样打下良好基础。

台积电研究发展与技术发展副总经理侯永清表示,5 纳米技术能提供客户业界最先进的逻辑制程,协助解决人工智能及 5G 所带动对更多运算能力的需求,将与设计生态系统伙伴紧密合作,以确保在客户需要时,能提供经由验证的硅智财组合与电子设计自动化工具。

台积电与包括益华国际 (Cadence)、新思科技 (Synopsys)、Mentor Graphics 及 ANSYS 等设计生态系统伙伴合作,透过台积开放创新平台电子设计自动化验证专案,来进行全线电子设计自动化工具的验证,协助客户充分利用台积的 5 纳米制程技术优势。

7   2019-04-14 03:40:35.313 总投资三亿美元ASM半导体材料项目签约落户九江经开区 (点击量:1)

4月1日,ASM太平洋科技有限公司总投资3亿美元的ASM半导体材料项目正式签约落户九江经开区。市委书记林彬杨看望,市委副书记、市长谢一平,ASM太平洋科技有限公司首席运营总监徐靖民,执行副总裁周全出席签约仪式。

谢一平代表市委、市政府对项目的签约表示热烈的祝贺,他说,举行ASM半导体材料九江项目签约仪式,这是我市深入实施“项目品质提升年”的又一重大成果。九江是一个区位优越、历史悠久的枢纽城市。近年来,全市上下紧紧围绕“融入长江经济带,振兴江西北大门,打造区域率先发展战略高地”的目标,大力实施“工业强市”战略,深入推进“555”工程,主要经济指标持续稳居全省前列。ASM太平洋科技有限公司作为全球最大的半导体、LED集成和封装设备制造商,建设九江半导体材料项目,必将进一步完善经开区电子信息产业链条,为全市高质量跨越式发展注入新的强大动力。希望ASM太平洋科技有限公司,加快项目建设进度,确保项目早开工、早投产、早见效,为九江经济社会发展注入新的动力和活力。我们一定以最优质的服务,创造“四最”营商环境,全力服务项目建设和企业发展,为企业做大做强不遗余力、竭尽全力。

徐靖民说,该项投资是公司管理层作出的重大决定,这是对半导体行业长远发展的看好,更是对九江实现高质量跨越式发展的看好。相信借助九江经济持续腾飞的东风,ASM半导体材料九江项目一定可以早日扬帆起航,使ASM材料业务跃升全球第一!

据悉,ASM太平洋科技有限公司成立于1975年,1989年在香港上市(股票代码H0522),现在业务遍布全球30多个国家和地区,在香港、成都、台湾、新加坡、德国等地设有10个卓越的科研中心。在深圳宝安、广东惠州、香港、新加坡、马来西亚及德国等地设有12个先进的智造中心。

副市长、九江经开区党工委书记罗文江主持签约仪式,省商务厅副厅长朱元发,市政协副主席徐红梅,市政府秘书长鲍成庚出席签约仪式。

8   2019-04-14 03:37:08.783 安徽光刻设备的希望 芯碁微装4.5亿元生产基地或明年投入使用 (点击量:1)

近日,合肥高新区举办了百个亿元以上高质量发展项目集中开工运营仪式,其中包括芯碁微装项目。

据合肥芯碁微电子装备有限公司官微介绍,正在建设当中的芯碁微装生产基地位于长宁大道和明珠大道交口,占地50亩,总建筑面积约3.4万平方米,总投资约4.5亿元。

芯碁微装成立于2015年6月,是一家拥有完全自主知识产权的、专业致力于半导体无掩模光刻设备、检测设备、高端PCB专用激光直写成像设备(LDI)、显示领域OLED光刻设备的研发和生产高科技企业。

据悉,芯碁微装技术团队是以曾承接国家02重大科技专项《130—65nm制版光刻设备及产业化》项目核心人员为基础,结合国内外业界精英组成的。

在2018年11月,安徽省委书记李锦斌调研芯碁微装时曾表示,芯碁微装已实现从“0”到“1”,填补了国内无掩模光刻设备的空白,下一步要做到“1+1”,让安徽光刻设备在国际上拥有一席之地。

此外,有消息显示,芯碁微装生产基地有望在2020年初投入使用,新建成的生产基地集研发中心、制造中心、系统集成中心、仓储等于一体。

9   2019-03-10 16:33:25.067 NeoPhotonics宣布推出Nano-ITLA超窄线宽外腔可调谐激光器,用于相干400G-1.2T应用 (点击量:2)

在圣地亚哥的光网络与通信会议暨展览会(OFC 2019)上,美国NeoPhotonics公司宣布推出“纳米”超窄线宽外腔可调谐激光器组件(ITLA)。

Nano-ITLA的外腔结构与NeoPhotonics的Micro-ITLA产品线相同,并通过可靠性和高性能验证。此外,Nano-ITLA拥有超窄线宽、低频相位噪声和现有产品所知的低功耗,其尺寸约为现有产品的一半。

Nano ITLA采用ASIC控制IC,可减小所需电子控制电路的尺寸,适用于400ZR小型可插拔相干模块,包括OSFP和QSFP-DD,以及用于600G和1.2T应用的紧凑子卡。

NeoPhotonics指出,要实现相干通信同时提高单波长数据速率和并降低每比特总传输成本,要求光学元件具有更高的性能,必须大幅降低尺寸和功率。将符号速率增加到64 Gbaud并使用更高阶调制可以将每波长的数据速率提高到400G或600G。然而,这种高阶调制方案对幅度和相位噪声都更敏感,因为必须减少状态之间的分离。因此,这种情况需要最稳定,超窄线宽的激光光源。新型Nano-ITLA采用小型化设计,同时保持外腔设计的性能,从而实现高输出功率,低功耗以及业界最窄的线宽,从而实现高保真度阶调制格式。

董事长兼首席执行官蒂姆詹克斯说:“很高兴我们能实现Nano-ITLA超窄线宽外腔可调谐激光器的商业销售,并为客户提供下一代400G和600G紧凑型光学模块的组件。这款Nano-ITLA与我们目前的Micro-ITLA相比具有类似的性能优势,并且激光尺寸减少了一半。”

10   2019-03-10 16:30:17.897 Acacia和Lumentum演示了CFP2-DCO模块的200G互操作性 (点击量:2)

美国的Acacia Communications公司以及Lumentum Holdings Inc公司展示了CFP2-DCO模块之间的互操作性,这些模块以200Gbps的速度运行。

该模块采用了Acacia的Meru数字信号处理器(DSP)和专用集成电路(ASIC),以及高性能8QAM和16QAM工作模式,并通过放大链路实现200G传输,标准单模光纤超过1000km。该演示验证了Lumentum和Acacia CFP2-DCO模块之间的200G互操作性,可用于新部署。

这些模块专为即插即用兼容而设计,可以快速,经济地实现200G网络。这些公司共同合作开发和验证了光学互操作性的通用规范和通用主机接口。 CFP2-DCO模块已被多个网络设备制造商(NEM)用于交换机,路由器和传输平台。 Acacia和Lumentum基于Meru的CFP2-DCO模块通过在较小的外形尺寸中将数据速率提高一倍,密度比100G CFP-DCO解决方案高四倍,可以在不减少容量和性能的情况下提供互操作性。

CFP2-DCO在高速光网络中变得越来越重要,因为它们将相干DSP集成到可插拔模块中。数字主机接口使模块和系统之间的集成更简单,从而为电信提供商提供更快的服务激活,以及按需付费的部署模式,从而可以推迟额外端口的成本。

Lumentum电信传输部高级副总裁Beck Mason说:“由于网络运营商的需求,行业趋势正朝着多厂商互操作性的方向发展,我们的CFP2-DCO模块基于我们经过验证的磷化铟(InP)光子集成电路(PIC)技术,支持100G的基于标准的互操作性,以及100G和200G的更高性能模式。”

11   2019-03-10 16:28:18.103 Lumentum展示了可用于5G无线和数据中心收发器的激光芯片 (点击量:2)

在圣地亚哥举行的光纤通信会议上(OFC 2019),美国的光学和光子光学元件及子系统制造商Lumentum Holdings Inc展示了可以支持下一代5G无线和数据中心收发器的高速激光设备。

Lumentum提供一系了列高性能激光芯片的解决方案,包括垂直腔面发射激光器(VCSEL),直接调制激光器(DML)和外部调制激光器(EML)。并表示,它正在运用其在磷化铟(INP)和砷化镓(GAAS)集成材料领域的专业知识和扩大的生产规模。

Lumentum的激光器可提供高效的数据速率,NRZ和PAM4调制格式以及定制,可在冷却和非冷却配置下运行,满足10G至400G无线和数据中心收发器的市场需求。设备具有自密封性,能够在非密封外壳中按照Telcordia GR-468标准可靠地运行。采用CWDM4的自密封DML,这为成本敏感的超大规模数据中心带来超大价值。并且,其DML具有高可靠性,采用先进的腔体设计,可在最新的5G无线系统所要求的宽温度范围内高速运行。VCSEL和PAM4利用了Lumentum在3D感应激光技术和批量生产方面的专业知识,可以作为单个裸模或1X4阵列提供,为数据中心中提供最佳性能。被PAM4应用程序优化的EML现已大量出货,以便转向下一代400G解决方案,大大降低数据中心的每比特价格。

Lumentum表示,其激光芯片可实现各种符合标准的高速网络模块,例如:400G收发器,包括QSFP56-DD DR4、FR4、LR4、OSFP FR4、LR4、CFP8 LR8;100G收发器,包括QSFP28 DR、FR、CWDM4、LR4和4WDM-20。

12   2019-03-17 18:46:14.65 EPC在高功率密度DC-DC变换器和多种高频应用中展示了eGaN性能 (点击量:2)

在IEEE应用电力电子会议上(APEC 2019),美国的高效电力转换公司(EPC)提供了氮化镓技术和相关应用的11项演示。此外,还展示了其最新的eGaN FET和采用eGaN技术的IC。

在953号展台,展示了功率在120W至3kW的DC-DC变换器,包括一个高功率密度的48V-12V非隔离双向转换器,能够提供3kW的功率。还展示了用于自动驾驶车辆的3D实时LiDAR成像传感器。同时展出的还有一款高功率谐振无线充电解决方案,能够为各种设备提供无线供电,包括手机、笔记本电脑、显示器、无线扬声器、智能手表和台灯。

此外,EPC的GaN FET和集成电路的技术演示包括:

1.转换器设计的WBG设备特征:挑战和解决方案

2.基于GaN的多电平转换器的评估

3.GaN在48伏电压下对硅的正面攻击

4.用于激光驱动器的高功率纳秒脉冲电路的设计和测量

5.在高降压比半桥转换器中评估对称和非对称缩放GaN FET

6.基于氮化镓的高密度无调节48V到X V LLC转换器,未来数据中心的效率大于或等于98%

7.提高高谐振无线电力系统的效率

8.谐振无线电力系统演示器中的整流器拓扑优化

9.高密度GaN基功率级的热设计

10.汽车的GaN可靠性 - 超越AEC-Q的测试

11.具有有源GaN基钳位电路的GaN FET的硬开关动态Rdson表征

13   2019-03-17 18:43:52.767 EU Horizon 2020 项目ULISSES开发可穿戴的片上光学式气体传感器 (点击量:2)

Senseair AB、AMO GmbH、KTH皇家理工学院、牛津仪器等离子体技术(OIPT)、Graphenea Semiconductor SL、慕尼黑联邦国防军大学、加泰罗尼亚纳米科学和纳米技术研究所以及SCIPROMSàrl推出了ULISSES项目,并且已获得地平线2020计划的资金支持。该项目旨在开发一种新小型片上光学式气体传感器,为物联网提供低成本的分布式传感器节点。

项目合作伙伴将把硅光子学与二维(2D)材料相结合,为物联网实提供集成光学式气体传感器节点。这些节点能够以低成本大批量生产,在尺寸和功耗都较小。这项开发使其能应用于可穿戴设备的气体传感器、小型无人飞行器(UAV)等。

通过利用ulisses合作开发的波导集成二维材料光电探测器,在1D纳米线中红外发射器和基于中间波导的气体传感方面取得了突破,ULISSES的目标是将传感器功耗降低三个数量级。 此外,ULISSES将实施一种新的自校准边缘计算算法,该算法利用节点到节点的通信来消除低成本气体传感器的成本动因。

在未来的四年中,合作伙伴相互依靠,却又分工明确,气体传感器供应商Senseair AB将在SCIPROM的帮助下参与ULISSES项目。AMO将制造硅光子学芯片,会利用到OIPT开发的系统,以及KTH和AMO公司开发的集成硅波导、二维材料光电探测器。二维材料将由BundeswehrMünchen和Graphenea大学提供。ICN2将提供建模和仿真支持,以优化传感器设计和效率,SENSEAR将带领各种应用演示人员,与KTH一起为物联网应用准备所需的传感器。

14   2019-03-17 18:41:54.177 IHS Markit表示,英特尔在2018年第四季度的半导体销售收入超过三星 (点击量:1)

由于面向移动手机和企业服务器的半导体市场下滑,导致半导体制造商的市场份额排名进行了重新调整。在过去五个季度里三星在半导体销售中处于领导地位,但英特尔在第四季度超过了三星。英特尔第四季度半导体销售收入达到184亿美元,而三星则为158亿美元。IHS Markit的数据显示,英特尔半导体销售额环比在2018年第四季度下降了2.3%,三星下降了24.9%。

总体上三星仍领导着2018年的整体销售,2018年,三星半导体销售收入同比增长20.3%,达到746亿美元。英特尔半导体销售收入同比增长13.4%,达到699亿美元。去年第四季度,三星半导体销售额几乎全部(87%)来自内存芯片,相比之下英特尔内存芯片销售额仅占其收入的6%。英特尔上一次的半导体销售领先是在2017年第二季度,随后三星在2017年第三季度超过了英特尔,原因是三星能够填补的手机和服务器市场内存芯片的短缺。

IHS Markit半导体制造高级分析师Ron Ellwanger表示:“三星上比英特尔更依赖于内存芯片的销售,所以当去年手机销售大幅放缓时,该司的内存芯片销售也相应减少,内存市场最后一次下跌的时间是2008年第四季度,处于全球金融危机的高峰期。”

Ellwanger说:“整个半导体市场在2018年第四季度下降了10.2%,所有市场应用和设备都在萎缩,滑的原因是多方面的,内存芯片价格持续下跌,主要原因是产能过剩和半导体芯片库存过多导致内存芯片供过于求。”

15   2019-03-17 18:35:18.107 SiFotonics在中国增加了新的生产设施,新融资3000万美元 (点击量:1)

国际硅光子器件及集成技术领先企业SiFotonics Technologies宣布公司的新一轮融资已经超过3000万美元,并将在中国南京建立新生产设施来扩大产能。

SiFotonics团队是光网络应用硅光子学的早期开拓者之一,并开发了业界最先进的硅光电子技术,拥有复杂的光子集成电路平台。随着数据中心网络连接和5G无线光传输带宽的广泛应用,SiFotonics将提供独特的的核心技术解决方案来应对这些挑战。此外,SiFotonics的硅光技术平台结合了锗硅工艺专利技术、自有设备和标准CMOS工艺量产能力,能够实现高效、快速的生产。创始人兼首席执行官董潘博士表示:“凭借新的融资和制造工厂,SiFotonics已准备好将其领先的硅光集成解决方案大规模推向全球光通信市场。”

此外,资深技术主管于让尘 (Rang-Chen Yu) 博士博士已加入SiFotonics担任首席运营官。 于博士拥有丰富的行业经验,可将新技术转化为商业模式,曾经成功地将年轻公司转变为大型企业,他的加入可推动公司发展到一个新的水平。于博士说:“我期待与SiFotonics团队合作,实现商业上的成功。”

在加入SiFotonics之前,于博士是 Oplink (被Molex 并购) 业务发展副总裁兼光电解决方案事业部总经理。加入Oplink之前,于博士曾任索尔思光电 (Source Photonics) 全球副总裁,及飞博创(其被MRV并购后改名为索尔思光电)副总裁。他还在Agility Communications及SDL (都被JDSU并购)任高级管理职位。于博士拥有宾西法尼亚大学固体物理学博士,和北京大学物理学学士学位。

16   2019-03-17 18:33:51.137 MACOM和GlobalFoundries合作将硅光子技术扩展到超大规模云数据中心和5G网络构建 (点击量:2)

美国MACOM Technology Solutions Inc公司(MACOM)和GlobalFoundries公司(GF)宣布了一项战略合作,此次合作将利用GF的90WG现代硅光子产品来升级MACOM的激光光子集成电路(L-PIC)平台,以满足数据中心和5G电信行业的需求。主要通过GF的300mm硅制造工艺来提供必要的成本、规模和容量,有望为超大规模数据中心互连和100G、400G及以上的5G网络部署实现主流L-PIC部署。

90WG采用GF的90nm SOI技术,采用300mm晶圆处理,可将光学器件(如调制器、多路复用器和检测器)以低成本集成到单个硅衬底中。据称,MACOM的L-PIC技术攻克了将激光器与硅PIC对齐技术的最后关卡。利用MACOM获得专利的蚀刻刻面技术(EFT)激光器和获得专利的自对准EFT (SAEFTTM)工艺,MACOM的激光器可以高速和高耦合效率直接对准并连接硅光子芯片,从而加速在真正的工业规模应用中采用硅光子。

该行业正在进入云数据中心及5G光学构建中的高速光学连接的漫长升级周期。预测在2019年、2020年及以后会是粗波分复用(CWDM)和PAM-4的快速增长年,2019年整体需量将达到1000万单位。MACOM将与GF合作扩大L-PIC生产,旨在满足不断增长的市场需求。GF首席执行官Tom Caulfield说:“凭借我们深厚的制造专业知识,结合MACOM强大的技术,我们可以大规模提供差异化的硅光子解决方案,加快产品上市时间,并降低数据中心和新一代5G光学网络中客户端应用的成本。”

17   2019-03-10 16:41:20.257 Qorvo的移动5G产品组合开始大批量生产 (点击量:2)

美国的Qorvo公司表示,其高度集成的前端模块(FEM)的移动5G产品组合正在进入大批量生产阶段。Qorvo支持所有主要的基带芯片组,因为它有独特的优势,能够让智能手机制造商支持全球5G网络部署和移动设备。

Qorvo高度集成的模块包括所有射频前端(RFFE)功能,这些功能用于支持早期部署中针对“重新传输”5G频段,包括滤波、发射/接收切换、功率和低噪声放大功能,在某些情况下还包括天线切换。该产品组合使用Qorvo的GaAs功率放大器和体声波(BAW)滤波器,使手机能够使用平均功率跟踪(APT)技术来满足5G的要求,包括2级功率(PC2)下的100兆赫带宽。该公司声称,领先的制造商已经使用Qorvo的技术设计了5G手机和移动热点。

Qorvo的移动5G产品组合包括QM78203模块,支持全宽5G频段n77,n78和n79; QM75041频段n41模块;QM77038中/高频段模块。该产品组合还包括天线复用器和低损耗开关,以支持复杂的5G信号路由要求。

Qorvo移动产品集团总裁Eric Creviston表示:“Qorvo已经花了数年时间为5G的RF挑战做准备,包括开发世界上第一个支持早期试验的移动5G前端。随着我们的移动5G产品系列的推出,Qorvo正在不断创新,例如我们开发了业界领先的GaAs HBT工艺。与之前从3G到4G的过渡不同,首批5G手机需要完全集成的前端,以满足5G在严格的空间限制下的卓越性能和互操作性的要求。”

18   2019-03-10 16:34:54.063 Lumentum推出980nm单模泵浦激光器系列 (点击量:2)

美国的光学和光子光学元件及子系统制造商Lumentum Holdings Inc推出了一系列980nm单模泵浦激光器,共有4个。下一代系列采用的芯片继承了Lumentum专有的高可靠性技术,可提供更高的输出功率和效率。

该系列单模泵浦激光器包括S32、S29、M31和M29器件。S29和M29模块在45°C的半冷却条件下运行,可显着降低热电冷却器(TEC)的应变,从而实现低功耗。M31模块是一款高效、低功耗的小型封装泵浦激光器,可产生900mW的工作功率。对于最高工作功率为1000mW的应用,客户可以选择功耗低、效率高的S32模块冷却泵。

这些模块符合严格的电信行业要求,包括用于密封980nm泵模块的Telcordia GR-468-CORE标准。四款新型泵激光器均符合行业标准,并于3月开始大批量生产。

Lumentum杰出技术人员Victor Rossin说道:“新泵的最大无扭结功率可以达到1100mW,效率提高了30%,比上一代产品提高了30%,显着降低了14引脚和10引脚蝶形封装中高功率泵浦激光器的功耗。”

电信运输总经理Doug Alteen说道“突破性的1100mW输出功率、低功耗和小的外形尺寸可以使高功率和高密度掺铒光纤放大器(EDFA)部署到可重新配置的光分插复用器(ROADM)刀片中。Lumentum正在满足客户对于容量和可扩展性需求,这是由C和C+L Roadm网络发展所驱动的。这一成就是基础砷化镓核心芯片技术不断发展的结果,我们将更专注于高可靠性二极管激光器,以便为电信、工业激光器和3D传感中的各种应用提供服务。”