目录
2019年第6期(发布时间: Apr 17, 2019 发布者:沈湘)  下载: 2019年第6期.doc       全选  导出
1   2019-04-14 03:11:06.77 7nm EUV芯片来临!三星宣布今年6月开启大规模生产 (点击量:2)

据businesskorea报道,三星电子将于今年6月开始大规模生产7纳米(nm)极紫外(EUV)芯片。

三星电子计划在6月份推出Exynos 9825,这是一款应用处理器(AP),采用7纳米EUV工艺制造。这款处理器预计将搭载于Galaxy Note 10旗舰机型,该机型将于今年下半年发布。到目前为止,新款Galaxy Note手机搭载的处理器与年初推出的Galaxy S手机使用的处理器相同,如果这次预测成真,那此次三星的计划将与往年不同。

与传统的ArF技术相比,EUV光刻技术可以在较短的波长下更精确地绘制出详细的半导体电路图形。三星电子解释说,与目前的10纳米工艺相比,7纳米EUV工艺可以将芯片尺寸缩小约40%,并将电能效率提高约50%。尽管台积电在开始7纳米制程方面领先于三星电子,但三星是第一家将EUV设备投入大规模生产的公司。

台积电还急于大规模生产麒麟985,这是华为使用的一种AP,采用7纳米EUV工艺。与三星一样,华为很少在下半年为新产品发布新的AP。麒麟985可能会在今年上半年推出,搭载于华为Mate 30智能手机。

三星电子副董事长金基南(Kim Ki-nam)在上月的股东大会上表示,相信公司将能够先于竞争对手大规模生产7纳米EUV产品。但台积电有可能在几天内成为第一家大规模生产7纳米EUV芯片的公司。

然而,即使台积电先于三星电子大规模生产产品,半导体行业观察人士指出,台积电并不将EUV设备应用于整个生产过程,而是只应用于少数几个生产过程。

前端进程的战场已经从7纳米移动到5纳米。台湾媒体报道,台积电最近完成了用于5纳米工艺的半导体设计基础设施的建设。台积电多年来一直是苹果AP的独家生产商,预计将在A14上采用5纳米工艺,A14是苹果明年产品的AP。

英伟达的举动可能会决定晶圆制造业公司未来的命运。目前已知的7纳米EUV客户包括苹果、三星电子的移动部门、高通、华为和AMD,能够利用最先进工艺的无晶圆厂企业并不多。英伟达首席执行官Jensen Huang表示:“我们今年没有推出7纳米显卡的计划。”

到2020年底产量稳定时,英伟达可能会选择5纳米制程。三星电子晶圆制造部门总裁郑恩胜(Jung euun -seung)在一次半导体设备国际会议上表示:“我们验证了3nm工艺的性能,并正在提高该技术的完整性。如果英伟达选择三星电子的代工工厂,它与台积电之间的差距将显著缩小。”

2   2019-04-12 10:41:56.79 2018年我国集成电路产业销售额6532亿元 (点击量:3)

2018年我国集成电路产业销售额6532亿元,产业链各环节齐头并进,产业结构更加趋于优化。

在8日深圳举行的2019年全国电子信息行业工作座谈会上,工业和信息化部电子信息司集成电路处处长任爱光介绍了我国集成电路产业发展的最新情况。

任爱光介绍,从集成电路设计业、制造业、封测业三类产业结构来看,2018年,我国集成电路设计业销售收入2519.3亿元,所占比重从2012年的35%增加到38%;制造业销售收入1818.2亿元,所占比重从23%增加到28%;封测业销售收入2193.9亿元,所占比重从2012年的42%降低到34%,结构更加趋于优化。

与此同时,我国集成电路产业规模复合增长率是全球的近三倍。2018年,全球半导体市场规模4779.4亿美元,2012年到2018年的复合增长率为7.3%;2018年,中国集成电路产业销售额6532亿元,2012年到2018年的复合增长率20.3%。

任爱光介绍,目前,我国集成电路设计业产业规模不断壮大,先进设计水平达到7纳米,但仍以中低端产品为主;集成电路制造业,存储器工艺实现突破,14纳米逻辑工艺即将量产,但与国外仍有两代差距;集成电路封装测试业是与国际差距最小的环节,高端封装业务占比约为30%,但产业集中度需进一步提高。

3   2019-04-14 03:33:47.277 专攻全球最前沿新一代芯片 上海构建新型产业生态圈 (点击量:4)

“类脑芯片”是一类模仿人脑结构和运行机制的芯片,随着欧盟“人脑计划”等科研计划的实施,这类新一代芯片已成为全球关注的前沿科技领域。近日,上海市类脑芯片与片上智能系统研发与转化功能型平台在长阳创谷投入运行,旨在促进产学研协同创新,为上海开展这一国际前沿探索构建充满活力的生态圈。

“这是上海首个由民营企业牵头发起的研发与转化功能型平台,”市科委基地建设与管理处处长谭瑞琮介绍,“既发挥了民营企业机制灵活的特点,也能为民营企业带来一批高科技项目等资源。”上海近日发布的《关于进一步深化科技体制机制改革增强科技创新中心策源能力的意见》提出,“鼓励社会力量兴办新型研发机构,支持运行模式和运行机制创新”。类脑芯片与片上智能系统功能型平台运行后,有望为社会力量兴办新型研发机构打造新的样板。

民企有动力建非营利机构

类脑芯片与片上智能系统功能型平台由上海新氦类脑智能科技有限公司运营,这家企业由新智数字科技有限公司、上海复旦资产经营有限公司、上海杨浦创业投资有限公司联合投资成立,新智数字这家民营企业占股60%。

根据功能定位,研发与转化功能型平台是非营利性的新型研发机构,主要从事共性技术研发与转化,提供共性技术服务,不做产品销售,平台收入只用于自身发展,不对投资方进行分配。那么,民营企业为何有动力参与建设这种非营利机构呢?谭瑞琮分析说,投资建设功能型平台,可以让民营企业获得更多高水平的科研资源,如联系高层次科技专家、聘用高水平技术人才、开展高质量产学研合作;同时可以联合高校、科研院所和其他企业打造创新生态圈,并通过投资、孵化科技项目,在生态链下游创造赢利机会。

新氦类脑智能市场总监马锐介绍,新智数字的主营业务与类脑芯片、片上智能系统密切相关,新氦类脑智能研发的技术可以用于新智数字提供的应用场景。此外,新氦类脑智能与产业界、资本界保持良好的互动关系,能发挥产业资源聚集优势,对培育的优秀项目进行多元赋能,还能向科研团队反馈最新的市场动态。

今年2月,首批项目团队入驻这个功能型平台,将研发类脑芯片、片上智能系统以及其它人工智能技术。在位于长阳创谷的新氦类脑智能公司,项目团队不仅能使用人工智能高速芯片验证实验室、产品设计中心等区域的一流硬件设备,还能与新氦类脑智能研发团队交流合作,得到技术服务。

在人工智能高速芯片验证实验室,记者看到了多台高端芯片设计测试设备。据谭瑞琮介绍,采购这些设备的资金来自市区两级政府,市发改委、市科委、杨浦区政府承担类脑芯片与片上智能系统功能型平台的3年建设和运行经费。以后,市区两级政府将根据平台的服务成效,按规定给予一定的后续补贴支持。

模拟人脑研发颠覆性技术

脉冲神经网络芯片是一种典型的类脑芯片。邹卓博士将在功能型平台的支持下,从事相关研究。这种颠覆性技术旨在模仿人脑的结构和运行机制,有望实现比目前主流芯片能效更高、可塑性更强的计算。

“传统的计算机都是冯·诺依曼结构,与人脑有很大差别。”邹卓解释说,冯·诺依曼型计算机的计算模块和存储模块是分开的,CPU(中央处理器)执行命令时,要先从存储模块读取数据,这就产生了大量的功耗浪费。人脑的计算频率虽然远不如冯·诺依曼型计算机,但功耗要低几个数量级,仅为20瓦左右,功率密度仅为15毫瓦/立方厘米左右。

这种优势源自人脑的结构:它有850亿—1000亿个神经元,通过海量的突触传递神经信号。这种网状结构具有扁平化、并行化特点,以神经信号传导为中心,从而形成了能耗低、可塑性强等优势。

随着摩尔定律“尺缩”难度日益增大,许多科学家开始模拟人脑,研发脉冲神经网络芯片与系统、存算一体化架构、利用忆阻器实现神经拟态计算等新兴技术。其中,脉冲神经网络芯片与系统是未来神经拟态计算机的基础,它用大规模并行处理单元模拟神经元,并用网络化互联模拟突触。

在这个领域,曼彻斯特大学团队研制的SpiNNaker(脉冲神经网络架构)已具有国际影响力。在欧盟“人脑计划”支持下,这台拥有100万个处理器核、1200个互连电路板的超级计算机去年完成升级,能同时进行200万亿次操作。而在美国,IBM、英特尔等巨头企业也在加紧研发脉冲神经网络芯片及其系统。

如何在这个尚处于探索阶段的前沿领域,加速我国科研团队的研发与成果转化?类脑芯片与片上智能系统功能型平台能助一臂之力。马锐表示,平台致力于打造基于类脑计算与人工智能芯片的产业发展引擎,构建集人才、技术、数据、产品及行业应用场景于一体的产业生态平台,力争最大限度地发挥产业集聚和资源共享功能。

4   2019-04-14 03:09:11.283 SEMI报告:2018年全球半导体设备销售额跃升至创纪录的645亿美元 (点击量:6)

美国加州时间2019年4月10日 – 国际半导体产业协会SEMI报告,全球半导体制造设备销售额从2017年的566.2亿美元飙升14%至2018年的645亿美元历史新高。 该数据现已在全球半导体设备市场统计报告(WWSEMS)中提供。

韩国连续第二年成为最大的新半导体设备市场,销售额达到177.1亿美元,其次是中国大陆,首次成为第二大设备市场,销售额达131.1亿美元,中国台湾地区销售额为101.7亿美元,滑至第三名。 中国大陆、日本、世界其他地区(主要是东南亚)、欧洲和北美的年度支出率上升,而中国台湾和韩国的新设备市场在收缩。 日本、北美、欧洲和世界其他地区的2018年设备市场排名从2017年起保持不变。

全球晶圆加工设备市场销售额增长15%,而其他前端设备销售额增长9%。 封装设备销售额增长2%,总的测试设备销售额增长了20%。

根据SEMI会员和日本半导体设备协会(SEAJ)提供的数据,全球半导体设备市场统计(WWSEMS)报告是对每月全球半导体设备行业月度数据的总结。类别包括晶圆加工、封装、测试和其他前端设备。其他前端设备包括掩模/掩模版制造,晶圆制造和晶圆厂设备。

按地区划分的年度账单数据如下(单位:十亿):

Source: SEMI (www.semi.org) and SEAJ, April 2019

5   2019-04-14 02:57:46.767 三星开始量产5G芯片 (点击量:1)

据美国科技网站ZDNet报道,三星电子近日宣布,已开始量产5G芯片。

这其中包括Exynos Modem 5100,包含了5G多模芯片组。这也是Galaxy S10 5G手机所使用的芯片组,这款手机周三刚刚在韩国上市。

早在去年8月,三星就发布了Exynos Modem 5100,也是全球首款与 3GPP的5G New Radio (5G-NR)标准相兼容的5G Modem 。

除了Exynos Modem 5100,新的单芯片射频收发器Exynos RF5500和电源调制解决方案Exynos SM 5800芯片也已开始量产。这些技术也都应用在Galaxy S10 5G手机中。

其中,Exynos RF 5500拥有供了14个接收器以供网络下载,支持4x4 MIMO和256 QAM以最大化5G网络速率。

而Exynos SM 5800则是一款低功耗调制芯片,支持高达100MHz的包络追踪ET带宽,可以减少多达30%的功耗,优化ET带宽,使得5G网络更高效、更可靠地传输数据。这三款芯片均支持5G-NR、亚6千兆赫(GHz)频谱和传统无线接入技术。

一直以来,三星都积极寻求在5G领域的主导地位。虽然如此,对于在国外销售的Galaxy S10 5G手机,部分将使用高通的X50 Modem芯片。

6   2019-04-14 03:00:37.887 意法半导体的先进芯片组为通信连接和智能建筑应用 (点击量:1)

2019年4月4日意法半导体的新芯片组让用户可以利用最新的以太网供电(PoE)规范IEEE 802.3bt,快速开发性能可靠、节省空间的用电设备(PD)。

PM8804和PM8805可用于用电设备的PoE转换器电路,支持功率等级最高71W的8级PoE设备。新芯片组可节省电路板空间,增强产品可靠性,缩短上市时间,适用于下一代通信连接设备,包括5G“小型蜂窝”、WLAN接入点、交换机和路由器。意法半导体的新PoE芯片组的目标应用还包括智能建筑和智能办公设备,例如,IP摄像头、门禁系统、显示面板、灯具、电动窗帘或百叶窗控制器、视频通话系统、IP电话和桌面控制台。

PM8804可实现一个功能完整的用于48V隔离式反激式或正激式转换器的PWM控制器,以及用于高效有源钳位正激式转换器拓扑的双低边栅极驱动器。工作频率可选,最高1MHz,可以在高功率密度应用中使用小外部滤波器和去耦元器件。PM8804还具有20mA输出的高压启动稳压器,有助于节省电路板空间和物料清单。

PM8805配套芯片包含2个有源电桥、1个用于驱动高边MOSFET的电荷泵、1个热插拔FET,IEEE 802.3bt标准接口。集成有源桥可以节省8个分立MOSFET及其驱动电路所占用的空间。PM8805产生一个电源就绪信号,用于启用PM8804和其它电路(例如,LED驱动器)并支持维持功率签名(MPS)电流控制,允许用电设备进入省电待机状态而不会断开连接。

这两款产品都已量产。PM8804采用3mm x 3mm、0.5mm间距的VFQFPN-16封装。PM8805采用裸焊盘的8mm x 8mm散热增强型VFQFPN-43封装。

7   2019-04-14 02:51:16.08 新华三集团投资50亿元在成都高新区设立半导体公司 投资运营芯片设计开发基地 (点击量:1)

迎接5G挑战,成都新添一座高端路由器芯片设计开发基地。4月4日,记者从成都高新区获悉,紫光旗下新华三集团与成都高新区签订协议,新华三将在成都高新区成立新华三半导体技术有限公司(下称“新华三半导体技术公司”),并投资运营芯片设计开发基地。

记者了解到,此次签约是成都2019年投资促进暨“百日擂台赛”期间的一次重要成果,项目总投资约50亿元。根据签约协议,新华三芯片设计开发基地将瞄准世界前沿芯片技术开展研发,提供高性能的高端路由器产品与解决方案,并逐步扩展至物联网以及人工智能芯片开发业务。

新华三是业界领先的数字化解决方案领导厂商,在中国企业网市场保持多年领军地位,并在企业级无线网络、安全硬件、政务云、网络管理、云管理等诸多领域在国内市场排名第一。

“新华三是云计算、大数据、大互联、信息安全、安防和物联网等领域的佼佼者,与成都高新区发展战略高度契合。”成都高新区相关负责人表示,近年来成都高新区丰沃的创新土壤吸引了多个领域领军企业入驻,新华三看好成都并持续投资,先后设立新华三成都研究院和芯片设计开发基地,相信此次新华三半导体技术公司的成立,也将为成都高新区电子信息产业注入发展新动能。

迎接5G时代机遇

新华三发力自主芯片研发

当前,5G被视为全球数字化变革的竞争热点。随着5G时代的到来,预计2020年起5G将开始规模化部署,无线接入网络带宽相对4G会有10倍以上的提高,开启万物广泛互联、人机深度交互的新时代。

新华三集团联席总裁兼首席技术官尤学军介绍,要使5G的带宽优势得到充分发挥,运营商将会掀起新一轮骨干承载网的大规模建设与扩容浪潮。同时,5G的各种丰富的场景化应用也会促使各类互联网、云计算公司以及大型企业网用户升级数据中心,进而催生市场对高端路由器的强劲需求。

他表示,“新华三正是在这一大趋势背景下,成立半导体技术公司并投资运营芯片设计开发基地,其将聚焦于新一代高端路由器芯片的自主研发,为相关客户提供高性能的高端路由器产品与解决方案,助力它们进一步提升业务能力。未来,新华三半导体技术公司的自主芯片研发,还将逐步扩展至物联网以及人工智能等领域。”

记者了解到,2017年7月,基于新华三云计算中心在成都的优异业务表现,以及成都强大的人才储备和对IT人才的吸引力,新华三集团在成都高新区扩大规模,斥资10亿建立面向云生态技术的新研发中心暨成都研究院,聚焦于5G技术和下一代存储技术的创新研发和产业化。此次再投资50亿元,成立半导体技术公司,发力高端路由器芯片自主创新。

抢抓集成电路发展机遇

助力四川打造首个万亿级产业

此次新华三将在成都高新区投资运营的芯片设计开发基地倍受关注。实际上,俗称“芯片”的集成电路,被喻为国家的“工业粮食”,是所有整机设备的“心脏”,它是国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业,其技术水平和发展规模已成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志之一。

早在2018年的政府工作报告即提出“推动集成电路、第五代移动通信、飞机发动机、新能源汽车、新材料等产业发展。”日前,四川省印发《集成电路与新型显示产业培育方案》,提出全力推动全省“一芯一屏”重点突破和整体提升,助推四川省电子信息产业结构升级和发展转型、支撑四川省实现“中国制造”西部高地战略。

成都是中国软件名城、国家集成电路设计产业化基地、信息产业国家高技术产业基地、国家信息安全成果产业化基地。当前,成都聚焦“一芯一屏”,加快构建“5+5+1”现代化产业体系,深化产业功能区建设,加快构建产业生态圈,电子信息产业正加快迈向万亿级。

可以说,电子信息产业作为四川省和成都市的龙头和支柱产业,对先进制造业转型升级和经济高质量发展起着重要的支撑作用。

作为成都电子信息产业功能区核心区和引领区,成都高新区凭借优良的投资环境和政务服务,目前已聚集集成电路企业100余家,包括英特尔、德州仪器、紫光展锐、新华三等知名企业,2018年集成电路产业实现产值890.4亿元,年均增加20.6%。

去年,成都高新区围绕英特尔、德州仪器、联发科等集成电路产业链龙头企业,开展针对性招商引资服务,签约宇芯、莫仕、芯源、先进功率等5个扩建增资项目,吸引豆萁、西部芯辰、矽能等10家配套企业落户。

电子信息产业是成都高新区的三大主导产业之一。2018年,成都高新区123家规上电子信息制造业企业累计实现产值3000.5亿元,同比增长20.41%,产值总额占成都高新区工业产值规模84%;实现工业增加值552.05亿元,同比增长10.08%;固定资产投资额超过225亿元。

“我们正以产业生态圈建设为核心,积极从全球吸引顶尖产业资源、参与全球电子信息产业分工,融入全球电子信息产业链高端和价值链核心。”成都高新区相关负责人表示,成都高新区将不断优化国际化营商环境,紧扣建设电子信息产业生态圈和高品质宜居生活城两个重点,加快建成产业特色鲜明、区域边界清晰、体制机制专业、功能配套完善、区域识别突出的电子信息产业功能区,积极融入全球电子信息产业链高端和价值链核心,助力成都建设中国电子信息产业核心城市和全球电子信息产业部分领域的支点城市、领军城市。

8   2019-04-14 03:05:47.7 高质量二维碘化铅晶体----又薄又软的半导体新材料制作微纳光电器件 (点击量:2)

性质柔软、厚度只有几纳米、光学性能良好……记者近日从南京工业大学获悉,该校王琳教授课题组制备出一种超薄的高质量二维碘化铅晶体,并且通过它实现了对二维过渡金属硫化物材料光学性质的调控,为制造太阳能电池、光电探测器提供了新思路。该成果发表在最新一期国际期刊《先进材料》上。

“我们首次制备的这一超薄碘化铅纳米片,专业术语称为‘原子级厚度的宽禁带二维PbI2晶体’,是一种超薄的半导体材料,厚度只有几个纳米。”论文第一作者、南京工业大学博士研究生孙研说,他们采用了溶液法来合成,这种方法对设备要求很低,具有简单、快速、高效的优点,能够满足大面积和高产量的材料制备需求。合成出的碘化铅纳米片具有规则的三角形或者六边形形状,平均尺寸6微米,表面光滑平整,光学性能良好。

科研人员把这一超薄的碘化铅纳米片与二维过渡金属硫化物结合,进行人工设计,把它们堆叠到一起,获得不同类型的异质结,因为能级排列方式不一样,因此碘化铅能够对不同二维过渡金属硫化物的光学表现起到不同影响。这种能带结构可以有效地提高发光效率,有利于制作像发光二极管、激光这类的器件,应用在显示与照明中,并可以利用在光电探测器、光伏器件等领域。

这一成果实现了超薄碘化铅对二维过渡金属硫化物材料光学性质的调控,与传统以硅基材料为主体的光电子器件相比,该成果具有柔性、微纳特点,因此可以应用在制备柔性化、可集成的光电子器件方面,基于碘化铅纳米片的二维半导体异质结,在可集成化的微纳光电器件领域有着广阔的应用前景,为制造太阳能电池、光电探测器等等,也提供了一个新思路。

9   2019-03-23 20:23:32.287 MACOM 将亮相 EDICON China 2019 展示为 5G 连接及基站打造的全新射频产品解决方案 (点击量:1)

在中国举行的电子设计创新大会(EDI CON China 2019)上,MACOM公司展示了其高性能射频产品组合,包括行业领先的MMIC、二极管、AlGaAs开关、功率放大器、前端模块 (FEM) 和氮化镓器件。还重点展示了在针对5G连接、无线基站、雷达、测试和测量以及工业、科学和医疗(ISM)RF应用方面经过优化的新产品。

具体来说,MACOM突出显示:

可靠的高性能射频组件:展示MACOM的高性能产品组合,可服务于各种市场,如测试和测量、卫星、雷达、有线和无线网络、汽车、工业,医疗和移动设备等市场。

5G连接:适用于 4G/5G的完整产品组合,提供可靠的高性能无线接入前端组件和模块。

启用下一代无线基站:GaN-on-silicon Doherty功放模块,平均功率为60W。

射频能量:MACOM的GaN-on-Si系列产品可提供主流射频应用所需的性能、规模、电源安全性和浪涌能力支持。

相互对照工具:MACOM相互对照工具可协助客户查找所需的MACOM产品。

MACOM公司的产品管理、工程和应用团队成员也亲临了515号展位,解答现场来宾的提问。设备制造商将审查和讨论GaN制造的状态,涵盖可靠性,先进的散热技术,新的封装创新,硅与碳化硅(SiC)基板,毫米波(mmWave)GaN器件等主题的使用 用于各种器件类型的GaN,以及中国GaN半导体生产的状态。

10   2019-03-23 20:22:23.833 安森美半导体推出符合工业和汽车标准的SiC MOSFET (点击量:1)

美国的安森美半导体公司推出了两款新的碳化硅(SiC)MOSFET器件,即工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101认证标准的汽车级NVHL080N120SC1,这把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到了重要的高增长终端应用领域,如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不间断电源及服务器电源。

此次发布促进了安森美半导体SiC生态系统的发展,该生态系统包括SiC二极管和SiC驱动器等互补器件,以及器件仿真工具,SPICE模型和应用信息等重要设计资源,可帮助设计和系统工程师挑战开发高频电路。

安森美半导体表示,其1200V、80mΩ规格的SiC MOSFET坚固耐用,可满足现代高频设计的需求。高功率密度与高效运行相结合能使设备占地面积更小,从而显着降低运营成本和整体系统尺寸。这些特性使需要的热管理更少,进一步减少物料单(BoM)成本、尺寸和重量。

新器件的关键特性和相关设计优势包括领先同类的低漏电流、具低反向恢复电荷的快速本征二极管,从而大大降低功耗,支持更高频率工作和更高功率密度,低导通损耗(Eon)及关断损耗(Eoff) / 快速导通及关断结合低正向电压降低总功耗,因此减少散热要求。低电容支持以很高频率开关的能力,减少恼人的电磁干扰(EMI)问题;同时,更高浪涌、雪崩能力和强固的短路保护增强整体强固性,提高可靠性和延长总预期使用寿命。

安森美半导体表示,其新型SiC MOSFET器件的另一个独特优势是获得专利的端接结构,增加了可靠性和坚固性,并增强了操作稳定性。 NVHL080N120SC1设计用于承受高浪涌电流,并提供高雪崩能力和抗短路能力。 符合AEC-Q101标准认证的MOSFET,可以被用于因增加的电子含量和动力系统电气化而出现的越来越多的车载应用。

11   2019-03-23 20:20:16.977 Khronos发布OpenXR 0.90临时规范,为VR和AR设备的高性能访问提供了统一的接口 (点击量:2)

2019年3月18日,Khronos®集团公开发布OpenXR™0.90临时版规格。penXR是统一的免费授权开源标准,可提供对增强现实和虚拟现实的高性能访问。新规范可以在Khronos网站上找到,并以临时形式发布。

Open XR 0.90临时规范提供了一个标准虚拟世界与拥有追踪、渲染和显示功能的移动设备之间的接口。OpenXR 0.90临时规范指定了一个跨平台的应用程序编程接口(API),使XR硬件平台供应商能够公开其运行时的系统功能。通过访问与应用程序生命周期、呈现、跟踪、帧定时和输入相对应的一组常见对象和函数,软件开发人员只需最少的移植工作就可以在多个XR系统中运行其应用程序,而这可以显著降低行业的碎片化现象。

Khronos OpenXR工作组于2017年初成立,得到XR公司的支持和参与。在整个规范的开发过程中,多个Khronos成员一直在开发独立的实现,以确保稳健和完整的规范。开发者可以评估其中一系列的实现,包括Collabora的“Monado”OpenXR开源实现,以及微软日前为WMR头显发布的OpenXR运行时。另外,Epic的Unreal引擎计划继续支持OpenXR。

OpenXR工作组主席Brent Insko说道:“OpenXR旨在简化AR / VR软件开发,使应用程序在无需移植或重写其代码的情况下能够被使用到更广泛的硬件平台,并允许平台供应商通过支持OpenXR而接入更多的应用程序领先。OpenXR临时规范将在推出的未来几周运行,来实现应用程序和引擎开发人员的实际操作,跨平台测试,以确保OpenXR 1.0规范真正满足XR行业的需求。

12   2019-03-23 20:15:44.02 NIST在365nm处将AlGaN / GaN纳米线UV LED电致发光提升五倍 (点击量:2)

美国国家标准与技术研究院(NIST)对其制造的紫外发光二极管(LED)采用了特殊类型的外壳,使LED光强度比简单外壳设计的同类LED高出五倍。

NIST在制造高质量氮化镓(GaN)纳米线方面的专业技术让LED变得更亮。最近,研究人员一直在试验由掺杂硅的GaN(具有额外电子)制成的纳米线核心,这些核心由掺杂镁的GaN(具有多余的缺失电子的空穴)制成的壳体包围,以促进电子和空穴复合,因此通过电致发光释放能量作为光。

NIST集团曾展示过GaN LED,它们产生的光归因于注入壳层的电子与空穴重新结合。新型LED在壳层中添加了少量铝,从而减少了电子溢出和光重吸收造成的损失。

更亮的LED由具有p-i-n结构的纳米线制成,三层设计将电子和空穴注入纳米线。向壳中添加铝有助于将电子限制在纳米线核心,使电致发光增强五倍(发射波长为365nm)。铝的作用是引入电流的不对称性,阻止电子流入壳层,这会降低效率,反而将电子和空穴限制在纳米线核心。纳米线测试结构长约440nm,壳厚度约为40nm。最终包括外壳的LED,几乎大了10倍。研究人员发现,加入到制造结构中的铝量取决于纳米线直径。

集团领导人Kris Bertness表示,至少有两家公司正在开发纳米线的微型LED,并且NIST与其中一家公司签订了合作研究与开发协议(CRADA),以开发掺杂剂和结构表征方法。

13   2019-03-23 20:14:45.257 Aledia扩充Veeco设备产品组合,以开发和生产3D微型LED (点击量:1)

法国的Aledia S.A扩大了美国维易科精密仪器有限公司(Veeco Instruments Inc.)的薄膜工艺设备产品组合,以支持3D微型LED的开发和生产。Aledia借用了Veeco在某些方面成熟经验,如化合物半导体应用、硅氮化镓(GaN-on-Si)生长性能以及全系列高质量生长外延膜,这是影响其决策的关键因素。

Aledia的联合创始人兼首席技术官Philippe Gilet表示:“我们对Veeco的Propel GaN金属有机化学气相沉积(MOCVD)平台的性能非常满意。Veeco的解决方案符合我们对材料质量和系统交付要求,特别是材料通量稳定性和可重复性,我们很高兴能与Veeco一起生产下一代3D微型LED。”

这些公司表示,他们之间的合作生产的微型LED和其他先进LED给未来的显示器带来了希望。微型LED具有更高的效率、亮度和可靠性,并且响应时间更短,可使显示器变得更轻、更薄、更灵活的、具有节能。适用于可穿戴设备、智能手机、汽车等。根据市场分析公司YoleDéveloppement最近的一份报告显示,有125家公司集体提交了近1500项与微型LED显示器相关的专利,其中大部分发生在2012年之后。

Veeco化合物半导体业务部高级副总裁兼总经理Gerry Blumenstock表示:“Veeco扎实的材料工程专业知识使我们处于一个独特的位置,我们可以为客户提供新的薄膜沉积技术,挑战并解决复杂的半导体研究、开发和生产。”

14   2019-03-31 16:23:47.217 IQE合作开发5G基础设施的DLINK无线通信项目 (点击量:1)

英国的Epiwafer铸造厂和基板制造商IQE plc参与了一项新研究项目DLINK,并由英国工程与物理科学研究委员会(EPSRC)给予超过85万英镑的资助,旨在让英国走在下一代毫米波无线通信技术(用于5G基础设施)的最前沿。

该项目中兰卡斯特大学和格拉斯哥大学、BT、诺基亚贝尔实验室、IQE、Filtronic、Optocap和Teledyne e2v等主要工业合作伙伴合作解决了5G无无线连接的挑战。该项目旨在通过利到目前为止未被使用的D波段(151-174.8GHz)部分,提供具有数据速率和传输距离的“光纤空中”通信链路。D波段与5G联系密切,因为它非常宽,可以实现高数据速率大约45Gb / s的无线传输。

DLINK的目标是使用新型发射器实现1km距离的数据传输,该发射器能够承受雨水和其他大气条件下的高衰减。IQE在DLINK中的作用是在完成程序(iBROW)的基础上提供高质量磷化铟(InP)基共振隧穿二极管(RTD)结构的外延需求,其中IQE在提供InP经验技术方面发挥了重要作用,例如其专有的硅锗(Ge-on-Si)模板工艺在InP和硅衬底上生长的RTD结构。

IQE副总裁Wayne Johnson博士说:“IQE提供的5G材料解决方案,包括增强效率的砷化镓(GaAs)异质结双极晶体管(HBT)PA,采用IQE专有的cREO技术的新型RF滤波器产品,以及高性能用于移动设备的开关,用于无线基础设施的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),用于高速振荡器和光电二极管的InP产品等等。这个DLINK计划是另一个例子,说明IQE生产的化合物半导体在向5G平台过渡时将如何继续推动互联世界的发展。”

15   2019-03-31 16:20:33.603 IHS Markit显示,DRAM市场将在2019年大幅萎缩 (点击量:1)

最近对市场状况的担忧加上平均销售价格急剧下滑,将导致DRAM市场在2019年达到770亿美元,同比下降22%。根据IHS Markit(纳斯达克股票代码:INFO)报道,价格下跌和需求疲软可能会持续到2019年第三季度。

IHS Markit副主任Rachel Young表示:“面对需求的减少,美光公司近期做出削减内存芯片产量的决定并不令人意外,事实上,大多数存储芯片制造商正在采取措施来管理供应产量和库存水平,以应对需求疲软的状况。”

未来几年供需增长将保持在20%的范围内,保持市场普遍平衡。但是,由于服务器和移动设备领先于需求类别,预计会出现供应过剩或供应不足的时期。

从长远来看,自亚马逊、微软、Facebook、谷歌、腾讯、百度、阿里巴巴等其他超大规模公司对服务器DRAM有着很大的需求,意味着服务器市场将从2018年的大约28%的需求增长到超过50%。自2016年以来,智能手机单位出货量和内容增长显着放缓,但智能手机仍是排名第二大DRAM消费领域。从2019年到2023年,将有28%的DRAM位需求来自智能手机。

此外,三星将继续在DRAM产量方面处于领先地位,但2018年第四季度的差距较小。三星发布了2019年第一季度盈利预警,因为它面临着极具挑战性的半导体环境,特别是在DRAM定价压力方面。尽管如此,在2018年第四季度,三星在SK海力士的市场份额领先8个百分点,并领先于美光科技16个百分点。

16   2019-03-31 16:17:56.73 5G将推动蜂窝RF功率放大器市场的发展 (点击量:1)

Strategy Analytics RF&Wireless Components在一份新的报告中预测,5G将推动功率放大器(PA)市场恢复增长,包括手机和其它蜂窝用户设备中的射频(RF)功率放大器(PA),但供应商会面临巨大的定价压力。

功率放大器模块是集成的基石,并可图减少RF前端的部件数量。此外,随着5G的新sub-6频段、许可共享接入、上行链路载波聚合和上行链路MIMO即将到来,功率放大器模块将继续增加其复杂性。这对Skyworks、Broadcom、Qorvo、Murata、Qualcomm及其供应合作伙伴降低生产成本造成了压力。

在2G、3G、LTE和早期5G设备架构的基础上,该报告着眼于近期市场,并提供市场收入和PA单位出货量到2023年的预测,包括分立PA模块、PA双工器、S-PAD(开关,功率放大器和双工器)、PAMiD(带集成双工器的功率放大器模块)和TRM(总无线电模块)。

报告作者、RF和无线组件总监Christopher Taylor说:“5G将使PA模块的内容将增加,包含更多频段、具有更多RF开关、滤波和功率放大元件。随着市场的发展,更复杂的PA模块将从旗舰智能手机转向中低端设备。”

Strategy Analytics战略技术副总裁Stephen Entwistle表示:“将几乎整个射频前端覆盖多个频段和技术放入少数功率放大器模块中,这会迫使大多数较小的功率放大器供应商退出市场。压力将随着5G而增加,可能有利于前四大供应商的规模和研发预算,以满足OEM的需求。”

17   2019-03-31 16:15:29.747 IPC发布2019年2月的PCB行业业绩 (点击量:1)

2019年3月27日,IPC 发布了了其北美印刷电路板(PCB)统计计划2019年2月的调查结果。2月份销售和订单均实现了稳定的同比增长,订单出货比率增加至1.06。根据行业的修订数据,1月份的业绩比原先报告的要强得多。

与去年同期相比,继1月份增长15.5%之后,2019年2月北美PCB总出货量增长了13.9%。 2月份的年初至今销售增长率为14.7%,与前一个月相比,2月份出货量下降了5.2%。2月份PCB预订量同比增长10.7%,而1月份下降1.7%。 2月份年初至今的订单增长率为4.4%。 2月份的预订量比上个月增加了8.8%。

北美印刷电路板行业的1月修订数据给2019年的商业业绩带来了可喜的变化,在2018年下半年经济增长放缓后,2019年的增长已经恢复。订单出货比从1月的修正水平1.02反弹至2月的1.06,表明未来几个月销售有增长的趋势。

详细数据

IPC的北美PCB市场报告2019年第一季度包含IPC PCB统计计划的详细数据,将于5月出版。季度报告提供了有关刚性PCB和柔性电路销售和订单的详细调查结果,包括单独的刚性和弹性订单出货比率、产品类型和公司规模等级的增长趋势、原型需求、军事和医疗市场的销售增长和其他及时的数据。

IPC每月PCB行业统计数据基于在美国和加拿大销售的刚性PCB和柔性电路制造商的代表性样本提供的数据。IPC在每个月末发布PCB订单出货比,当月的统计数据通常在下个月的最后一周提供。

18   2019-03-31 16:12:13.203 硅基铟镓砷量子阱晶体管 (点击量:2)

瑞士的IBM Research宣布称硅基射频III-V金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的高频截止值最高,并且他们的设备优于最先进的硅RF-CMOS。

研究人员使用由磷化铟阻挡层定义的铟镓砷(InGaAs)量子阱(QW)通道,减少了边界陷阱对测量频率范围内跨导的影响。

使用直接晶圆键合将QW沟道材料集成在硅基掩埋氧化物(BOX)上,其中氧化硅上的硅层不是有意掺杂的。替代金属栅极制造工艺始于沉积非晶硅伪栅极。氮化硅用于源极/漏极间隔,使用原子层沉积(ALD)和反应离子蚀刻的组合实现间隔物形成。用于接触延伸的空腔由受控氧化和蚀刻的“数字”循环形成。数字蚀刻还从源极/漏极接触区域移除了顶部InP阻挡层。通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)用n-InGaAs填充接触延伸腔。然后移除伪栅极并用氧化铝和二氧化铪高k栅极绝缘体以及氮化钛和钨栅极金属层代替。

20nm栅长MOSFET的输出电导比没有顶部InP屏障的参考器件高50%。顶部屏障的存在消除了半导体/栅极氧化物界面处的缺陷散射。当栅极长度为120nm时,QW MOSFET的峰值跨导比参考器件的峰值跨导大300%。在20nm的短栅极长度下,改善降低至60%。QW通道的有效移动性为1500cm2 / V-s,而没有顶部InP屏障的通道的有效移动性为500cm2 / V-s。研究人员评论说:“这种差异是因为使用QW减少了氧化物界面陷阱和表面粗糙度散射。”

20nm栅极长度MOSFET的截止频率(ft)为370GHz,最大振荡(fmax)为310GHz。该装置具有两个4μm宽的门指从中心杆分支。这些值代表了硅片上III-V MOSFET报告的最高组合ft和fmax。