目录
2019年第7期(发布时间: Apr 21, 2019 发布者:沈湘)  下载: 2019年第7期.doc       全选  导出
1   2019-04-17 21:46:35.263 以色列发达的半导体产业 2018年对华芯片出口猛增80% (点击量:15)

以出口高端电子芯片闻名全球的以色列,在2018年对中国出口的芯片暴增。

以色列出口协会(IsraelExportInstitute)的最新数据显示,2018年以色列对中国半导体出口猛增80%至26亿美元(约合174.5亿人民币)。同比,以色列销往美国的半导体产品下滑20%至8.6亿美元。

以色列外交部亚太司公参、前以色列驻成都总领事蓝天铭(AmirLati)在接受第一财经记者专访时透露,当前半导体出口已经占到以色列对华出口额的56%,与此同时,其他科技类产品诸如智能制造和医疗器械等都在大比例地增长。

而长期从事中以投资的磐石投资基金合伙人景谦对第一财经记者表示,以色列半导体产业与中国市场互补性很强,以色列半导体产业的优势在于优秀的设计研发能力、交互能力、整合能力以及与应用领域紧密挂钩。

与中国市场高度互补

以色列出口协会公布的数据,2018年半导体在以色列整体商品出口金额中占39亿美元,也就是说以色列出产三分之二的半导体产品销往了中国。

该协会还表示,2018年销往中国的半导体生产检测设备也大增64%至4.5亿美元(约合30.2亿人民币)。这些设备用于控制和检查半导体工厂的制造工艺,将有助于中国厂商在本土加工制造半导体产品。

以色列对中国的总体商品出口(不包括钻石)2018年增长了50%,达到47亿美元。中国由此取代英国,成为以色列第二大商品出口市场,在出口额上仅次于109亿美元的美国。这一新变化是以色列政府乐见的,蓝天铭向第一财经记者表示,以色列政府多年来一直努力深化与中国的经贸往来。

根据世界半导体贸易统计(WorldSemiconductorTradeStatistics)今年2月份公布的数据,全球半导体市场在2018年上升13.7%,达到4688亿美元(约合人民币3.15万亿元)的规模。

另据估算,2018年中国半导体市场规模达到了1.46万亿元,约占全球半导体市场的一半,预估到2025年时占全球市场的比重将进一步升至56%。

长期从事中以投资的景谦到访过很多以色列半导体企业,对于以色列半导体产业为何强大,有着深入的总结。他对第一财经记者表示,首先以色列半导体研发有生态系统支持,不仅有产业孵化器,还有商业方面的辅导。其次在产业链方面,协作不仅仅停留在国内层面,而是全球协作。

景谦对第一财经记者表示,更为重要的是,这些半导体产品与通信、交通指挥、工业物联网、远程医疗等挂钩,近来很多的半导体产品又与消费电子产品相关,“以色列半导体发展,不是为了研发芯片而研发,都是为了解决实际问题,呈现的趋势是与应用端挂钩”。

发达的半导体产业

以色列孕育了超过160家半导体企业,英特尔、高通、三星、博通等,几乎所有全球领先的国际半导体企业都在以色列安营扎寨。

蓝天铭向第一财经记者证实,在以色列迅猛增长的半导体对华出口中,英特尔的半导体产品占了大头。另据一位行业消息人士向媒体披露,这一比例至少在80%左右。

英特尔2017年宣布投资50亿美元,扩建其位于以色列南部城市凯尔耶特盖特(KiryatGat)工厂的产能,英特尔宣称该工厂能够生产世界上最小、速度最快的芯片。

2019年1月,以色列媒体更是传出消息,英特尔计划再投资约110亿美元,在凯尔耶特盖特再建造一座新的芯片生产工厂,具体细节英特尔和以色列政府仍在谈判之中。除了在以色列扩大产能,英特尔还于2017年3月以153亿美元的价格收购了以色列专注于汽车的芯片和技术公司无比视(Mobileye)。

当前,全球至少有2100万辆车配备了无比视的技术,八成以上的主要汽车制造商使用了无比视的芯片,功能在于避让撞击。根据调查,无比视的防撞预警系统在哥伦比亚避免了70%的车祸,印度则是84%。

一般大公司并购小公司后,被并购的企业通常会融入收购企业。然而在英特尔这桩并购案中,无比视不但保留原来的名称,更承担了英特尔先前全部的无人驾驶规划。

英特尔发言人表示,公司2018年从以色列出口价值39亿美元的产品,高于2017年的36亿美元。当前,英特尔已在以色列投资约350亿美元,是以色列科技领域最大投资者,在以色列拥有一万多名员工,约有60%的员工从事半导体研发工作。该公司的许多新技术都是在以色列开发的。

蓝天铭向第一财经记者表示,在国际市场,无论中国还是其他国家,都对以色列的半导体产业感兴趣并且充满信心。他特别提到了以色列著名的半导体制造商迈络思(Mellanox)的案例。迈络思以生产支持云服务的数据中心芯片及硬件组件而著名,其创始人兼CEO沃尔德曼(EyalWaldman)曾对媒体表示,他的公司得益于中国业务的迅速增长。

英伟达(NVIDIA)今年3月正式宣布,公司将以69亿美元现金收购迈络思。这是英伟达有史以来最大的一笔收购,市场分析称这将为公司数据中心芯片业务提供支持,从而降低公司对游戏业务的依赖,交易预计将在2019年年底完成。

从2018年10月起,迈络思就已成为包括微软、英特尔在内的国际科技巨头的热门收购目标。2018年底,就有消息传出,微软聘请高盛洽谈收购迈络思。英特尔则叫价60亿美元提出收购,最终英伟达出价68亿美元,在众多竞争者中胜出。

蓝天铭进而对第一财经记者表示,以色列尚有很多其他优秀的半导体企业,他认为以色列本土半导体企业的潜能尚未被完全激发。

2   2019-04-17 22:34:38.867 我科学家另辟蹊径造出9纳米光刻试验样机 (点击量:7)

科技日报记者从武汉光电国家研究中心获悉,该中心甘棕松团队采用二束激光在自研的光刻胶上突破了光束衍射极限的限制,采用远场光学的办法,光刻出最小9纳米线宽的线段,实现了从超分辨成像到超衍射极限光刻制造的重大创新。

光刻机是集成电路生产制造过程中的关键设备,主流深紫外(DUV)和极紫外(EUV)光刻机主要由荷兰ASML公司垄断生产,属于国内集成电路制造业的“卡脖子”技术。2009年甘棕松团队遵循诺贝尔化学奖得主德国科学家斯特凡·W·赫尔的超分辨荧光成像的基本原理,在没有任何可借鉴的技术情况下,开拓了一条光制造新的路径。

双光束超衍射极限光刻技术完全不同于目前主流集成电路光刻机不断降低光刻波长,从193纳米波长的深紫外(DUV)过渡到13.5纳米波长的极紫外(EUV)的技术路线。甘棕松团队利用光刻胶材料对不同波长光束能够产生不同的光化学反应,经过精心的设计,让自主研发的光刻胶能够在第一个波长的激光光束下产生固化,在第二个波长的激光光束下破坏固化;将第二束光调制成中心光强为零的空心光与第一束光形成一个重合的光斑,同时作用于光刻胶,于是只有第二束光中心空心部分的光刻胶最终被固化,从而远场突破衍射极限。

该技术原理自2013年被甘棕松等验证以来,一直面临从原理验证样机到可商用化的工程样机的开发困难。团队经过2年的工程技术开发,分别克服了材料,软件和零部件国产化等三个方面的难题。开发了综合性能超过国外的包括有机树脂、半导体材料、金属等多类光刻胶,采用更具有普适性的双光束超分辨光刻原理解决了该技术所配套光刻胶种类单一的问题。实现了微纳三维器件结构设计和制造软件一体化,可无人值守智能制造。

同时通过合作实现了样机系统关键零部件包括飞秒激光器、聚焦物镜等的国产化,在整机设备上验证了国产零部件具有甚至超越国外同类产品的性能。双光束超衍射极限光刻系统目前主要应用于微纳器件的三维光制造,未来随着进一步提升设备性能,在解决制造速度等关键问题后,该技术将有望应用于集成电路制造。甘棕松说,最关键的是,我们打破了三维微纳光制造的国外技术垄断,在这个领域,从材料、软件到光机电零部件,我们都将不再受制于人。

3   2019-04-17 21:55:33.59 IC设计服务厂创意冲刺先进制程 5纳米设计流程第4季完成验证 (点击量:3)

IC设计服务厂创意电子持续积极冲刺先进制程技术,今年3月完成5纳米测试芯片设计定案,预计投入新台币10亿元开发5纳米制程设计流程,将于第4季完成验证。

创意除与策略伙伴台积电紧密合作,本身也积极投入先进制程与关键知识产权开发,满足市场需求,并期能拉开与竞争对手的距离。

在耕耘先进制程有成下,创意去年7纳米制程业绩大幅成长,营收比重攀高至19%,并于今年3月完成5纳米测试芯片设计定案。

创意内部规划,将投入10亿元开发5纳米制程设计流程,研发费用较7纳米的3.5亿元高出1.85倍,预计今年第4季完成验证,2021年第1季量产芯片设计定案。

除5纳米制程设计流程开发外,创意也将持续优化7纳米制程,并发展SerDes与PCIe等高速界面,预估包含10亿元开发5纳米制程设计流程,创意未来2年将投入约45亿元研发费用。

4   2019-04-17 21:50:48.14 华为成立战略研究院,要布局颠覆性理论和技术 (点击量:4)

在4月16日的华为分析师大会上,华为董事徐文伟首次以华为ICT基础科学战略研究院院长的头衔发表演讲。他介绍,战略研究院将专注基础理论的突破和革命性技术的发明,比如光计算、NDA存储、原子制造等新技术。

在他看来,华为过去的创新是1.0模式,主要是产品、技术和解决方案的创新;而随着战略研究院的成立,华为要走向创新2.0:研究基础理论的突破和基础技术的发明。

实际上,早在2016年,华为创始人任正非就表达过华为已经进入无人区的焦虑。徐文伟解释称,随着香农定理和摩尔定律进入瓶颈,时代在呼唤新的理论突破。“没有基础理论的突破和革命性技术的发明,产业就没有未来。”

他透露,战略研究院将围绕信息的产生、计算存储、传送、处理、显示,通过与全球大学合作以及进行技术投资。他举了几个战略研究院正在关注的新技术:华为正在与大学和研究机构合作,研究光计算;NDA存储,1立方毫米存储700TB数据;原子制造,对原子排列组合,可以突破摩尔定律,让其提升100倍。

5   2019-04-08 10:23:01.717 Vishay推出蓝色和绿色超亮LED,采用2.3mm x 2.3mm x 2.8mm紧凑型封装并带有半球形透镜 (点击量:4)

美国的Vishay Intertechnology光电子集团推出了Vishay Semiconductors VLD.1232 ..系列,即采用无色表面贴装和半球形透镜的465nm蓝色和525nm真绿色超亮LED(分别为VLDB1232 ..和VLDTG1232 ..)。

Vishay Semiconductors VLD.1232 ..系列采用该公司最新的氮化铟镓(InGaN)/蓝宝石芯片技术,无需外部透镜即可提供±9°的窄发射角,其发光强度为16,000mcd(典型值)。具体而言,在正向电流(IF)为20mA时,真绿色VLDTG1232 .. LED的发光强度范围为7100-28,000mcd,VLDB1232 .. LED的发光强度范围为1800-7100mcd。

由于其高亮度和小巧的塑料外壳(2.3mm×2.3mm×2.8mm),LED适用于各种应用,包括交通信号和标志、内外部照明、音频视频的指示器和背光等。

该器件提供鸥翼式和反鸥翼型,具有高光通量,可承受高达2kV的ESD电压,符合JESD22-A114-B标准,并且每个包装单元均采用发光和颜色分类。符合RoHS标准,无卤素和Vishay Green,VLD.1232 ..系列LED与J-STD-020的回流焊接工艺兼容,并可根据JEDEC Level 2a进行加工。

6   2019-04-08 10:19:40.723 II-VI和Finisar合并获两家股东的支持 (点击量:2)

美国工程材料和光电元件的全球领导者II-VI公司在去年11月9日宣布收购光通信的全球技术领导者Finisar Corp of Sunnyvale公司,宣布双方已达成最终的合并协议。其中在II-VI特别会议上,参与投票的II-VI普通股中97%批准了根据合并协议发行II-VI普通股股票的提议,而在Finisar的特别会议上,99%投票批准了通过合并协议的提案。

II-VI总裁兼首席执行官Vincent D. Mattera Jr.博士表示:“自合并公告发布以来,我们的股东已经对合并所带来的长期价值创造有所了解。由于我们在支持技术、知识产权、产品组合和全球足迹上具有高度互补性,因此通信和消费者市场的主要客户也提供了然非常积极的反馈”。

Finisar的首席执行官Michael Hurlston说:“虽然两家公司继续独立运营,但整合团队正在共同努力,以确保无缝集成和过渡。我们对两个公司文化之间的积极重叠,对公司能力的相互欣赏,以及卓越的协同潜力,让我对未来充满期望。”

合并预计将于2019年中期完成。在此期间中国国家市场监管局(SAMR)正在审查该文件,联邦经济竞争委员会正在墨西哥审查,罗马尼亚竞争委员会正在罗马尼亚进行审查。

II-VI和Finisar表示,他们的合并将两家具有的能力和技术互补联合起来,形成一家光子学和化合物半导体公司,能够为快速增长的通信、消费电子、军事、工业加工激光器、汽车市等场提供服务。

7   2019-04-08 10:16:16.66 Midsummer发行债券以加速太阳能产品销售增长 (点击量:2)

面对美国市场的需求增长,瑞典柔性薄膜太阳能光伏电池设备供应商MidsummerAB正在考虑发行高达5亿瑞典克朗(5380万美元、4760万欧元)的绿色高级无担保债券,并宣布其绿色债券框架。资金将用于投资DUO生产能力,增加研发和拓宽销售渠道。

2014-018年,Midsummer的收入以97%的复合年增长率(CAGR)上升。2018年,该公司收到总额为2.65亿瑞典克朗的订单,主要是由于美国市场对其产品需求的增加。

为了利用 销售增长这一趋势,仲夏银行已授权挪威信贷银行市场和北欧地区作为潜在的四年期、以瑞典克朗计价的优先无担保绿色债券发行的联合安排方。绿色债券的框架将达到500万瑞典克朗。所得款项净额将与3月22日的绿色债券框架一致,并将包括太阳能电池板及太阳能电池的生产及分销;生产太阳能电池板制造设备;太阳能电池板,太阳能电池和太阳能电池板制造设备的研发。

为确认该框架与2018年版的ICMA绿色债券指引一致,仲夏已聘请Sustainalytics提供第二方意见。

首席执行官SvenLindström表示:“Midsummer已成为节能薄膜太阳能电池开发和供应的领导者,是蓬勃发展的城市BIPV市场的理想之选。由于太阳能产品的需求剧增,我们希望提搞生产能力、拓宽销售渠道,以便更大规模使大量柔性太阳能电池板进入市场,这包括将我们的业务模式从主要销售制造设备转移到包括为终端市场大幅增加太阳能电池板的内部生产,以及建立合同制造商网络。”

8   2019-04-08 10:14:32.78 VPIphotonics、LiGenTec和VLC简化了SiN PIC的设计流程 (点击量:4)

德国光通信仿真软件公司VPIphotonics GmbH表示,通过使用瑞士洛桑LiGenTec SA的全氮化物(AN)技术,设计人员可以从图形光子集成电路(PIC)设计和系统模拟环境开始的工作流程中获益,该工作流程与用于脚本式布局设计和DRC功能的布局设计工具无缝耦合。新的工作流程是由LiGenTec和VLC Photonics参考设计,通过VPIphotonics的仿真软件使用完成的制造芯片的测量结果来验证。

这个工作流程由新的VPItoolkit PDK LIGENTEC实现,该工具包是VPIcomponentMaker光子电路的可插拔工具包的扩展,增加了LiGenTec提供的800nm氮化硅工艺AN800对专用穿梭和支持多工程晶圆(MPW)的运行。

由于模式完全限制在波导中,AN800工艺支持的厚氮化硅波导与800nm LPCVD氮化硅提供非常紧密的弯曲半径(10匝<0.005dB),耦合损耗非常低(<1.5dB / facet),非常低的传播损耗(<0.1dB / cm)和非常高的功率处理(测试高达10W)。

VPIcomponentMaker光子电路是一种用于大规模PIC的仿真和设计环境,具有大量通用光子、电气、光电器件模型、电路优化和良率分析功能。VPItoolkit PDK LIGENTEC为AN800工艺支持的标准构建模块添加了代工厂认证的仿真紧凑模型,并支持布局感知的原理图驱动PIC设计工作流程,包括根据其所需光学功能进行芯片布局优化。重要的是,它允许设计人员构建自己的分层和自定义构建块,有效地扩展代工PDK以满足个性化需求。设计的PIC的布局可以由Luopsa Photonics自动导出到IPKISS或由Synopsys自动导出到OptoDesigner,用于DRC验证和GDS掩码生成。

9   2019-04-08 10:12:33.737 曲面镜可以降低氮化镓铟垂直腔面发射激光器的阈值 (点击量:3)

日本索尼公司通过曲面镜实现并记录了氮化镓铟(GaInN)基蓝光垂直腔面发射激光器(VCSEL)新的最低阈值电流。

研究人员表示,在垂直腔结构中加入曲面镜,可以实现横向光学限制。根据经典的高斯光学理论,电流孔径可以与衍射极限一样小,这表明可以通过曲面镜可推动GaN基垂直腔面发射激光器的进一步小型化。

研究人员发现了低阈值电流,阵列能力和高频操作可产生的应用。这类功能适用于光存储、激光打印机、投影仪、显示器、固态照明、光通信和生物传感器。低阈值是通过将当前光阑减小到3μm来实现的。曲面镜的横向限制将平面镜上的光束束腰减小到1.3μm。

外延材料生长在0001 GaN基板上。有源光产生区是介于n型和p型氮化镓触点之间的Gainn量子阱结构。在晶片的顶侧上制造添加的透明氧化铟锡(ITO)导体层和由11.5五氧化二钽/二氧化硅(Ta2O5 / SiO2)对构成的分布式布拉格反射器(DBR)。硼(B ++)注入限制了电流流到3μm直径的孔径。ITO和n-GaN上的金属电极由钛/铂/金组成。

背面制造包括基板变薄至小于50μm厚,然后进行反应离子蚀刻以形成曲面镜结构。通过真空沉积14 Ta2O5 / SiO2对完成器件,以形成弯曲的DBR背面反射器。

连续波激光的阈值为0.25mA电流(3.5kA / cm2密度)。这个值低于研究人员之前在脉冲注射设置中达到的40mA。通常由于自热效应,脉冲注入导致比连续波操作更低的阈值。

10   2019-04-17 21:59:14.283 诺存微电子发布国内首款高速NOR闪存 (点击量:3)

近日,在深圳举办的2019年中国电子展(CEF)上,苏州诺存微电子公司举办新品发布会,发布了国内首批含DTR倍速功能的Octa-SPI和Quad-SPI高速NOR闪存(64Mb-256MB)。

诺存微电子创始人彭海兵博士介绍,这一系列闪存新品具备三大特点,一是速度快,16倍于传统SPI NOR;二是引脚少,采用SOP16、SOP8 或 BGA24封装;三是可以与传统SPI完全兼容。基于这一特质,诺存微电子的新品相比美光、华邦、旺宏等老牌厂商具备更好的性价比,能够在安防、物联网、汽车电子、工控等市场得到广泛应用。

例如工控应用,诺存微电子的NM25L256FVA Octa Flash,更少的引脚可以显著减小MCU焊盘面积,提高需即时响应的工业人机互动应用速度;网络应用,NM25L256FVA Octa Flash突破了传统NOR的速度极限,可实现快速、可靠和安全的下一代企业级网络应用;消费电子及物联网应用,NM25L256FVA Octa Flash快速读写、低引脚数及体积小的优势,满足数码单反相机、无人机、家庭自动化、手持显示仪、手持投影仪和可穿戴设备等空间受限却又要求快速响应的应用。

资料显示,诺存微电子是由清华启迪、中金前海、中科创星等旗下基金投资的一家创业公司,创始人彭海兵博士本科毕业于清华大学,并在哈佛大学获得博士学位,核心团队由海归博士、国际知名技术专家和高级管理人才组成,包括Intel前副总裁、长江学者等国际顶尖人才,主导公司的管理、产品设计生产和后续市场销售工作。

但是据C114了解,闪存市场在2017年高达541亿美元,但被三星、东芝、美光、SK海力士四大巨头几乎垄断;而价值43亿美元的NOR闪存市场,赛普拉斯、旺宏、美光、华邦、兆易创新五大厂商也占据了绝大部分市场份额。毫无疑问,对创业公司来说,这一市场的门槛非常高。

彭海兵博士认可这一格局,并对C114表示,面临当前格局,诺存微电子采取"分步走"的市场策略,以技术创新冲击市场,不断壮大。短期产品注重高性价比,可竞争美光旺宏等高端产品;同时也考虑pin-to-pin兼容性,替代其他市场上流行款式。首批推出的几款含DTR倍速功能的Octa-/Quad-SPI 高速NOR闪存产品,填补国内空白,具备高速读取、高可靠性和低成本特点,2018年已经分批送样试用成功,目前在扩大市场阶段,打响品牌。中长期则主推全新的高密度存储陈列,以独特的专利技术冲击市场,引领技术创新,推出世界首款三维NOR闪存,低成本高性能,适用于代码运行和数据存储,可竞争传统NOR和NAND两者约540亿美金的市场。

彭海兵博士介绍,诺存微电子研发的NOR闪存采用全新三维架构;传统NOR闪存的平面设计已经接近物理上的极限,产品可靠性降低、成本攀升,三维化是技术变革趋势;诺存微电子基于三维架构开发新型高密度NOR闪存,兼具传统NOR和NAND两者的优势,大大降低NOR的价格,又可以兼顾传输速度和随机存取等优点,市场前景广阔。

"目前我们已经研发成功世界首款三维高密度NOR闪存原型芯片,应用前景广阔。"彭海兵博士表示,"我们期待在全球NOR闪存市场份额饼状图上,未来几年出现诺存的名字!"

随着人工智能、物联网、大数据、5G等新兴产业的涌现,NOR 闪存又找到了新的用武之地,未来几年,传统NOR闪存市场有望出现较大规模增长,这对诺存微电子来说,不仅有机会替代原有厂商的市场份额,还面临新增的市场空间。同时,诺存的高速高密度NOR闪存,成本可竞争NAND,中期产品将冲击SLC NAND市场,开拓新疆域。 彭海兵博士指出,尽管是一家创业公司,诺存微电子拥有国际化的创始团队,在产品技术和市场渠道商均有丰厚积累,而国内对集成电路产业的战略重视,让诺存微电子得以把握这一机遇,脚踏实地去提升自己,进而有机会挑战被巨头垄断的市场,致力于打造世界级的芯片企业。

11   2019-04-17 21:41:42.45 芯光润泽携手西安微电子技术研究所,推动半导体器件国产化发展 (点击量:3)

近日,西安微电子技术研究所与厦门芯光润泽科技有限公司(以下简称“芯光润泽”)签署了战略合作协议,双方将在集成电路和半导体器件领域展开深度合作,助推我国半导体电子器件的国产化发展。

西安微电子技术研究所(又名骊山微电子公司)隶属于中国航天科技集团公司第九研究院,始建于1965年10月,主要从事计算机、半导体集成电路、混合集成三大专业的研制开发、批产配套、检测经营,是国家唯一集计算机、半导体集成电路和混合集成科研生产为一体的大型专业研究所,是“中兴通讯”的创办单位。据其官网消息,自成立以来,该研究所先后承担了国家220多个重点工程及武器型号的计算机、集成电路、混合集成产品配套任务,创造了我国计算机和集成电路发展史上的“29个第一”。

芯光润泽是一家拥有集研发、生产、检测等完善产业链条的第三代半导体企业,在碳化硅功率模块器件上具备绝对的产业化能力。据芯光润泽官网介绍,该公司已与西安交大、西安电子科技大学、华南理工等院校成立联合研发中心,与美的集团、爱发科集团和强茂集团等企业签署合作。

值得注意的是,厦门日报此前报道指出,国内首条碳化硅智能功率模块(SiC IPM)生产线已于2018年在芯光润泽正式投产。

“如何打破受制于人的现状,找到我国芯片产业健康发展的突破口,成为中国半导体行业和企业的前进方向。这也是我们建设我国首条‘SiC IPM生产线项目’的初衷。”芯光润泽董事长卓廷厚还表示,公司将致力于成为新兴半导体行业的独角兽。

12   2019-04-14 21:28:03.3 紫外发光二极管性能的提高 (点击量:4)

中国研究人员使用薄膜和表面纳米结构将紫外(UV)发光二极管(LED)的性能提高了3.9倍。即在器件的厚铝氮化镓(AlnGaN)n侧上进行纳米结构化,这是通过将LED材料翻转到另一个晶片上并移除硅生长衬底来实现的。纳米结构设计用于减少由于III族氮化物材料(~2.4)和空气(1)之间的折射率的大对比而捕获光的全内反射,发光来自氮化铟镓(InGaN)多量子阱(MQW)。

苏州纳米技术与纳米仿生学研究所和中国科技大学的研究小组在(111)晶向上在硅上生长了UV LED结构。并进行了光线跟踪蒙特卡罗模拟,并选择了250纳米直径的SiO2纳米球来制作圆顶。模拟结果表明,最佳高度/直径(H / D)比为0.27,光提取效率为68%,而平坦表面为19%。

具有0.27 H / D比的纳米棒LED的集成电致发光实现了平坦参考设备的3.9倍的性能。模拟结果表明增加了3.6倍。研究人员还比较了扁平LED与具有“棒”,“梯形”和“锥形”纳米圆顶结构的器件的性能。通过不用反应离子蚀刻减少250μm直径的纳米球并且仅针对不同的处理时间执行电感耦合蚀刻来实现结构。

研究人员还研究了远场辐射模式,发现与扁平LED相比,纳米体可以向前发射更多的辐射。研究人员评论说:“这种现象对于H / D = 0.5的纳米体结构更为明显,表明纳米结构将促进沿垂直方向的光提取,这对UV固化和UV LED的其他相关应用特别有用。AlGaN纳米结构技术可以很容易地扩展到深紫外垂直LED,以增强光提取。”

13   2019-04-14 21:26:43.227 EV与中芯宁波(NSI)合作,实现硅基砷化镓RF前端模组晶圆级微系统异质集成 (点击量:3)

奥地利晶圆键合和光刻设备供应商EV集团与中国的中芯集成电路(宁波)有限公司合作开发了第一个砷化镓射频前端模组晶圆级微系统异质集成工艺技术平台。这是里程碑式的突破,可以为4G和5G智能手机和其他手机提供了所需的下一代高性能超紧凑型射频前端芯片组。

NSI开发了高压模拟、射频和光电子应用的技术平台。开发支持客户进行IC设计和产品开发,适用于智能家居,工业和汽车电子,新一代无线电通信,AR / VR / MR和其他专业系统。

作为战略合作项目的一部分,EVG为NSI提供临时键合/剥离(TB / DB)、永久键合、掩模对准光刻技术以及相关的特殊计量设备和工艺专业知识,中芯宁波将这些设备及其特种晶圆工艺专长相结合,开发出业界领先的晶圆级微系统集成技术(uWLSI ®)平台。

uWLSI® 是中芯宁波自主开发的一种中后道特种晶圆制造工艺技术平台,适用于实现多个异质芯片的晶圆级系统集成以及晶圆级系统测试,同时也消除了在传统的系统封装中所需的凸块和倒装焊工艺流程。中芯宁波开发的uWLSI® 技术平台,正是为了满足多个异质芯片通过更多的晶圆级制造工艺来实现高密度微系统集成的迫切需求。

EVG表示,其TB / DB系统在以超摩尔方法实现化合物半导体与硅器件的异构集成方面发挥着关键作用。EVG的掩模对准系统通过对载体安装和翘曲基板进行光刻图案化来支持晶圆级异质集成,这对μWLSI工艺至关重要。

14   2019-04-14 21:24:41.81 射频N极性GaN金属绝缘体半导体HEMT进行了首次演示 (点击量:3)

美国加利福尼亚大学分校(UCSB)报告了第一个射频氮极性GaN-on-GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管(MISHEMT)。使用GaN衬底能够降低位错密度,使在AB模式放大中使用的晶体管典型的低电荷密度下的载流子散射最小化。

N极取向反转了Ga极性结构,特别使移动电荷的沟道层由背势垒而不是顶部势垒引发。N极设备往往具有更高的功率输出,但效率降低。器件的外延结构通过等离子体辅助分子束外延(PAMBE)在轴上半绝缘体GaN上生长。阻挡层由10nm的1nm / 2nm AlN / GaN超晶格组成,并用2nm的AlN覆盖。该结构在20nm UID GaN沟道层中感应出二维电子气。2nm AlN层减少了阻挡界面散射。外延材料用1nm / 1nm AlN / GaN完成。

当沟道载流子密度低时,AB模式放大使晶体管偏向夹断。AB操作降低了耗散损耗,并且当偏置朝向B模式而不是A模式的折衷结束时获得更高的效率,即所谓的“深度”AB偏置。在N极装置中,这种偏置遭受电子迁移率的降低,这显然是由于从背势垒散射而产生的。相比之下,在Ga极性器件中,深AB偏置将电子推离顶部屏障界面。

进行4GHz的负载牵引测量以评估大信号性能。使用AB类偏置,漏极电流为270mA / mm,约为最大值的四分之一(-6V VGS,5V VDQ,Q)。这种优化的功率附加效率在4GHz时与增益进行权衡。输出功率密度达到0.56W / mm。最大PAE为24%。

研究人员希望在缩放和优化设备中实现深度AB偏置。例如,需要增加~15V的栅极-漏极击穿电压,以便在低电荷密度下增加增益和PAE。

15   2019-04-14 21:23:08.647 具有纳米多孔分布布拉格反射器的非极性GaN基VCSEL二极管 (点击量:3)

新墨西哥大学和美国桑迪亚国家实验室声称发明了首个采用电子注入的非极性m面氮化镓(GaN)基垂直腔面发射激光器(VCSEL),其具有导电晶格匹配的纳米多孔底部布拉格反射器(DBR)。该组先前已经报道了具有纳米多孔布拉格反射器的光学泵浦m面GaN VCSEL,并且其他人已经提出了c面器件。

VCSEL通常具有光学限制的DBR结构,这些DBR由不同折射率的半导体材料的超晶格构成。通常使用非导电介电DBR,使得接触结构的处理和制造更加复杂。

外延结构在非极性m面独立式GaN衬底上生长,使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)处理。有源发光区域由六个氮化铟镓(InGaN)量子阱(QW)组成。通过氮化铝镓(AlGaN)电子阻挡层(EBL)阻挡层阻挡电子泄漏到p型区域中。利用电感耦合等离子体的台面蚀刻暴露出n + -GaN接触层。然后在c方向上选择性地蚀刻深沟槽以暴露DBR侧壁的底部,以使n + -GaN层多孔化,从而降低其折射率。DBR由16对41nm / 60nm未掺杂/ n +掺杂的GaN层组成。所得层的折射率差为约0.83。该器件用在氮化硅腔间隔物上由四分之一波长对的二氧化硅和氮化硅(SiO2 / SiNx)构成的电介质DBR完成。

该团队报告说:“层厚度的设计是为了确保器件的有源区域与峰值对齐,并且ITO与腔体中的驻波轮廓的零点对齐,以最大化增益并最大限度地减少光学损耗。由于纳米多孔层的有效折射率的局部变化可能导致局部不同的单纵模具有相同的模数但波长不同,这可能在激光光谱内产生多个峰值。”

16   2019-04-14 21:22:04.687 IPC调研结果显示,行业前景表现积极并仍在继续改善,但因地区而异 (点击量:3)

在2019年4月10日,发布了2019年第一季度IPC全球电子行业发展前景调研结果,从业绩数据可看出部分地区和行业细分市场发展比较冷清,但电子行业仍处于当前增长周期的顶峰。

报告称,全球167家相关公司在2018年第四季度的季度销售平均增长率为8.4%。他们对2019年第一季度销售增长的平均预测在全球范围内看涨9.8%。

在2018年最后三个季度小幅下滑之后,2019年第一季度全球商业环境的前景有所好转。大多数参与公司报告当前销售、订单、订单积压和利润率都向着积极的方向发展。增加劳动力和材料成本以及招聘挑战是对当前状态得分产生负面影响的主要因素。

2019年第一季度的好转推动了未来六个月发展。原因在于销售额、产量、全职员工数量、市场、资本投资和出口增长成就了未来六个月的前景。甚至对未来12个月的业务前景也有所推动,88%的受访公司表示前景乐观。

当前强劲的现状和6个月前景主要来源于美国公司和全球企业的业绩,亚洲和欧洲的当前状态为负。在行业细分市场中,尽管所有行业细分市场在2019年第一季度都显示出正态分数,但对于原始设备制造商来说,目前的状态得分最高,而对于材料供应商而言,这一得分最低。

受访者每季度都会对推动或限制其业务增长的条件发表评论。评论显示,部件短缺已经开始缓解,而合格工人的短缺是人们越来越担心的限制增长的主要因素。劳动力问题似乎是现在所有地区和行业中最受关注的问题,其次是关税和贸易中断。