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2019年第8期(发布时间: Apr 30, 2019 发布者:沈湘)  下载: 2019年第8期.doc       全选  导出
1   2019-04-30 15:53:48.443 中科院与荣成合办研究所落户威海 (点击量:9)

4月23日,荣成市与中科院产业合作暨荣成经济开发区重点项目落地签约仪式举行,荣成微电子与智能技术产业研究院等9个项目集中签约。中国科学院微电子研究所—荣成微电子与智能技术产业研究院同时揭牌。

荣成微电子与智能技术产业研究院是荣成市与中国微电子技术领域最高学术机构——中国科学院微电子研究所合作成立的微电子与智能技术研发机构和产业化转化平台。这次荣成微电子与智能技术产业研究院落户的同时,中国科学院微电子研究所高精度多模卫星定位系统与芯片公司、低能耗物联网系统与芯片公司、智能驾驶系统公司三大“种子期项目”也一起入驻科技创业园。

中科院微电子研究所副总工程师陈杰介绍,研究院的主要研究和产业化方向为,物联网芯片与应用系统、人工智能芯片与应用系统、新能源汽车电子核心芯片、新能源汽车自动驾驶系统、精准农业、海洋产业智能系统及其他微电子及智能信息技术系统。

仪式上,除中国科学院微电子研究所—荣成微电子与智能技术产业研究院外,同时签约的还有芯长征科技功率器件封装、 达因金控儿童制药、海纳膜科技、众恒高科智慧系统、全利核工程技术、昊太智能设备、中科银河芯高性能传感芯片、中经天平信息技术等项目。

此次签约对荣成市加快新旧动能转换、补齐高新技术短板将起到重要作用,荣成市将以最大的支持、最优的服务、最好的礼遇,促成项目早开工、早投产、早见效,实现双方互利共赢。

据了解,作为荣成市“双招双引”的承接平台,科技创业园配备了32套专家公寓,与中国海洋大学、中科院海洋所等22家高校院所建立合作关系,拥有4家国家级研发机构,29家省级研发机构。

为助力园区企业快速发展,荣成市政府与中科院创业投资管理有限公司共同发起建立了中科院创业投资荣成子基金,为园区内的高新技术创新创业型企业提供资金支持。中科院创投荣成基金公司董事长朱诚在仪式上表示:下一步要将中科院更多的项目引入荣成,在这里落地、生根,加速打造新旧动能转换的‘桥头堡’。”

2   2019-04-30 15:53:06.37 中科院半导体所、北京大学等在石墨烯上外延深紫外LED研究中取得新进展 (点击量:9)

深紫外LED可以广泛应用于杀毒、消菌、印刷和通信等领域,国际水俣公约的提出,促使深紫外LED的全面应用更是迫在眉睫,但是商业化深紫外LED不到10%的外量子效率严重限制了深紫外LED的应用。AlN材料质量是深紫外LED的核心因素之一,AlN薄膜主要是通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法异质外延生长在c-蓝宝石、6H-SiC和Si(111)衬底上,AlN与衬底之间存在较大的晶格失配与热失配,使得外延层中存在较大的应力与较高的位错密度,严重降低器件性能。与此同时,AlN前驱体在这类衬底上迁移势垒较高,浸润性较差,倾向于三维岛状生长,需要一定的厚度才可以实现融合,增加了时间成本。

最近,中国科学院半导体研究所照明研发中心与北京大学纳米化学研究中心、北京石墨烯研究院刘忠范团队合作,开发出了石墨烯/蓝宝石新型外延衬底,并提出了等离子体预处理改性石墨烯,促进AlN薄膜生长实现深紫外LED的新策略。通过DFT计算发现,等离子体预处理向石墨烯中引入的吡咯氮,可以有效促进AlN薄膜的成核生长。在较短的时间内即可获得高品质AlN薄膜,其具有低应力、较低的位错密度,深紫外LED器件表现出了良好的器件性能。该成果以Improved Epitaxy of AlN Film for Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Enabled by Graphene 为题发表在《先进材料》上(Adv. Mater.,DOI: 10.1002/adma.201807345)。半导体所研究员李晋闽、魏同波与北京大学刘忠范、研究员高鹏作为论文共同通讯作者,陈召龙与刘志强为论文共同第一作者。

同时,魏同波与刘忠范团队合作提出了石墨烯/NPSS纳米图形衬底外延AlN的生长模型,理论计算和实验验证了石墨烯表面金属原子迁移增强规律,石墨烯使NPSS上AlN的合并时间缩短三分之二,同时深紫外LED功率得到明显提高,使深紫外光源有望成为石墨烯产业化的一个突破口。相关成果在Appl. Phys. Lett. 114, 091107 (2019)发表后被选为Featured article,并被AIPScilight 以New AlN film growth conditions enhance emission of deep ultraviolet LEDs 为题专门报道,也被半导体领域评论杂志Compound Semiconductor 杂志版(2019年第3期)和Semiconductor Today 同时长篇报道。

此外,针对深紫外发光器件中p型掺杂国际技术难题,刘志强提出了缺陷共振态p型掺杂新机制,该方法基于能带调控,获得高效受主离化率的同时,维持了较高的空穴迁移率,实现了0.16 Ω.cm的p型氮化镓电导率,为后续石墨烯在深紫外器件透明电极中的应用奠定基础。相关成果发表在Semicond. Sci. Technol. 33, 114004 (2018),并获该期刊2018年度青年科学家最佳论文奖,该成果也得到2014年诺贝尔物理学奖获得者Amano的积极评价。

上述系列研究工作得到国家重点研发计划、国家自然科学基金、北京市自然基金的支持。

3   2019-04-30 15:44:56.997 SK海力士宣布将停产36层和48层3D NAND产品 (点击量:5)

SK海力士今年第一季财报和当初预期相同,受存储器行情影响,营收和营益骤减,对此SK海力士准备以强化技术、调整生产线应对市场,预计今年NAND晶圆投入量将比去年减少10%以上。

据韩国科技媒体《DDaily》报导,SK海力士于25日发表2019年第一季财报,营收和营益分别为67727亿韩元、13665亿韩元。营收相较前一季下滑31.9%,和去年同期相比减少22.3%。营益相较前一季骤降了69.2%,与去年同期相比骤减68.7%。

DRAM因淡季需求放缓、服务器客户保守性购买等影响,和前一季相比,平均销售价格(ASP)下跌27%、出货量下降8%。NAND闪存则是受库存压力、同业竞争影响,平均销售价格(ASP)下跌32%、出货量下降6%。

随着之后新款智能手机采用12GB高容量DRAM,加上服务器用DRAM需求也将渐渐增加,SK海力士预期,第二季DRAM的需求将获得改善。另一方面,随着第二季进入后期,预计需求量也会逐渐恢复,NAND闪存需求将开始增加。目前NAND闪存价格已经下跌一年以上、IT对NAND的用量需求也在急速成长,未来SK海力士将扩大SSD(固态硬盘)的应用比例。

强化技术开发,应对存储器市场衰退

未来针对DRAM领域,SK海力士将着重转换细微工程。首先将逐渐扩大第一代10纳米(1X)产量,并从下半年起,将主力产品转换为第二代10纳米(1Y)产品。同时,为支援新款服务器芯片的高用量DRAM需求,将开始供给64GB模块产品。

在NAND领域中,未来将着重改善收益。将停止生产成本相对高的3D NAND初期产品-2代(36层)、3代(48层),并提高72层的生产比重。下半年则计划利用96层4D NAND产品刺激SSD、移动市场。青州新M15工厂考量目前的需求量,量产速度将比原计划慢,预计SK海力士今年的NAND晶圆投入量会比去年减少10%以上。

SK海力士对此表示:「在存储器需求不确定、期待需求恢复的市场中,将集中精力在降低成本和确保品质。

4   2019-04-30 15:19:59.813 山东泰安签下光电芯片实验室、高端芯片材料制备等项目 (点击量:3)

近日,中国泰山第五届国际高新技术、高端人才、高科技项目洽谈会暨“双招双引”项目集中签约仪式在泰安举办。

据泰山网报道,在签约仪式上共有22个项目集中签约,包括泰山芯片制造联合实验室、中韩高端芯片材料制备半导体单晶衬底和外延研发生产、复合软质材料及3D打印医学模型技术研发及产业化、新一代智能新材料研发生产等项目,涉及新一代信息技术、医养健康、高端装备制造、文化创意、现代高效农业等领域。

其中,泰山光电芯片制造联合实验室是由山东众志电子与中国科学院半导体研究所签署建设的项目,该实验室建成后将主要开发化合物半导体材料光电芯片制备技术,深入开展第三代半导体材料氮化镓外延片、氮化镓LED及光电芯片制备的研发与生产。

中国科学院半导体研究所党委副书记、纪委书记樊志军表示,这次签约合作为推动光电芯片技术的产业发展,为促进半导体所的科技成果转化,为推动泰安市的产业升级具有重要意义。

中韩高端芯片材料制备(半导体单晶衬底和外延研发生产)项目将专注于氮化镓芯片、MOCVD/LPE/HVPE装备设计制造、外延工艺等方面的研发生产。

泰安市委书记崔洪刚表示,目前泰安正处于加快新旧动能转换推动产业转型升级的重要战略机遇期和黄金发展期,泰安市集中力量培育十大产业,重点培植壮大新一代信息技术和智能制造、新材料、新能源、医养健康等新型五大产业。

5   2019-04-27 22:49:02.337 Khronos成立了3D商业标准规范指南探索小组Exploratory Group (点击量:3)

2019年4月24日,开源标准制定组织Khronos Group宣布成立一个探索性小组Exploratory Group,来研究实时3D产品可视化生产以及分销的标准和指南,这样也可共享平台和设备经验,如移动、网络和增强现实(AR)或虚拟现实(VR)解决方案。业内龙头企业共同合作,旨在探索实时3D产品模型在移动端、网页端、AR或VR等平台开发与分发的统一标准。为了收集行业意见,Exploratory Group将向所有企业开放,无需付费或IP授权业务。Khronos表示,如果有行业支持,他们将组建一个相应的工作组,以便任何感兴趣的公司都能够参与其中。

该联盟的目标是使3D虚拟产品能够在多个终端实现逼真且连贯的显示,包括搜索结果、社交媒体、广告宣传、应用程序、电子商务网站、移动AR设备和VR/AR头显以及实体店内广告等。制定的标准规范指南将协调和简化零售商、制造商、技术提供商、内容创建者以及分发和显示虚拟产品的技术平台之间的交互。

该联盟还将利用并指导现有的Khronos标准的发展,包括用于传输逼真3D模型的gITF、支持网页版交互式3D应用的WebGL、优化交互式3D显示效率的Vulkan和AR/VR应用跨平台标准OpenXR。

随着3D有望成为产品制造商、零售商和广告平台的新购物媒介,该行业的主要参与者现在正在研究如何通过优化的行业工作流程来扩大生产并实现虚拟产品的广泛分销,从而最大限度地降低成本。提出这一倡议的公司包括3XR、4D Pipeline、Adobe、Autodesk、Dassault Systèmes、Deloitte Consulting、Facebook、Ferguson Ventures、谷歌、Houzz、宜家、京东、 Lowe’s、微软、NVIDIA、 Pinterest、高通、三星、 Shopify、 Target、 ThreeKit、 Topline Furniture、 Unity Technologies、 UX3D、 Wayfair和Williams-Sonoma Inc./Outward。

6   2019-04-27 22:47:49.92 Plessey的新型原生绿色LED方法为微型LED显示器提供了高的光输出 (点击量:2)

英国普利茅斯的Plessey Semiconductors有限公司表示,它已开发出专有的二维(2D)平面氮化硅(GaN-on-Si)工艺,无需色彩转换技术即可发出绿光。

为了产生绿光,LED制造商通常将磷光体或量子点转换材料应用于天然蓝色LED。然后,这些材料将短波长(通常为450nm)蓝光转换为红色或绿色波长,转换效率通常在10%至30%之间。Plessey的原生绿色LED本身使用其专有的GaN-on-Si外延生长工艺形成,与天然蓝色LED类似,主要区别在于LED的量子阱结构中包含的铟的量。

该公司表示,由于没有颜色转换损失,原生绿色发射比微LED的颜色转换过程亮几个数量级。它的主要绿色波长为530nm,半高全宽(FWHM)为31nm,绿色适用于彩色显示器。此外,绿色发射表现出优异的波长稳定性与电流密度。

首席运营官Mike Snaith说:“Plessey已经提供了功能强大且高效的原生蓝色微型LED,通过技术创新,Plessey生产了世界领先的高性能原生绿色微型LED,为客户提供下一代显示和照明器件。”

7   2019-04-27 22:46:29.83 5N Plus完成5.75%可转换债券的赎回 (点击量:2)

加拿大的特种金属公司5N Plus宣布商已完成5.75%可转换无担保次级债券的赎回,该债券先前为于6月30日到期的所有尚未偿还的部分。

5N Plus兑换债券的总价值为2600万加元。该公司向持有人支付的赎回价格等于债券本金额,加上应计和未付利息,但不包括赎回日期,总价值为每1000加元1000美元债券的1013.71加元。

5N Plus提供纯化金属,如铋、镓、锗、铟、硒、碲等,还可生产相关的II-VI半导体化合物,如碲化镉(CdTe)、硫化镉(CdS)和锑化铟(InSb)作为前体。用于太阳能,LED和环保材料应用的晶体生长。

此外,近年来,5N Plus已扩展其特种半导体产品组合,包括基于III-V和II-VI系列材料的晶圆级产品。涉及多个增长市场,包括空间和地面应用中的医学成像、传感、安全、监视和可再生能源。去年,该公司宣布将其蒙特利尔半导体工厂的产能翻番,以跟上市场不断增长的需求。

8   2019-04-27 22:42:25.563 IPC为六个IPC标准推出了新的认证标准专家认证 (点击量:2)

2019年4月22日,为响应行业需求,IPC为公司主题专家创建了新的IPC标准认证。拥有专家认证标准(CSE)即代表高水平的专业知识,并可担任IPC标准的内部专家。CSE不需要培训,不像认证IPC培训师(CIT)需要培训以维持其认证。

候选人可以获得六项IPC标准的CSE认证:IPC-J-STD-001、IPC-A-600、IPC-A-610、IPC-6012、IPC-7711/21、IPC / WHMA-A-620。经过认证,CSE能够有效地导航IPC标准,确定标准的相关部分以解决具体问题,担任与标准有关的主题专家,并将标准应用于特定的公司需求。认证有效期为两年,可通过IPC的许可培训中心获得。

IPC教育副总裁David Hernandez说:“在与IPC成员交谈并查看内部数据后,我们意识到需要CSE级别的认证。过去,如果需要比IPC认证专家(CIS)更高水平的专业知识,即使您没有培训任何人,您也会成为IPC认证培训师(CIT)。现在,我们在没有培训部分的情况下为CIT提供了类似的认证。我们从测试中得到了非常积极的反馈,我们将继续寻找更好的方式为客户服务。此外IPC培训材料可通过在线交付获得,简化了注册和履行流程。”

9   2019-04-27 22:35:03.617 IPC发布IPC-2591,在CFX(互联工厂交互)标准下可快速轻松实现工业4.0应用程序 (点击量:2)

2019年4月22日,IPC宣布推出IPC-2591 Connected Factory Exchange(CFX)。电子行业现在已经为业内所有公司提供行业标准,使得大小公司都可以快速轻松地在制造业务中使用“工业4.0”和“智能工厂”等应用。

IPC CFX是行业标准,所以其为大小公司在工业4.0竞争或者是从机器到企业的数据通信中受益创造了一个公平的竞争环境。IPC CFX的开发也考虑到了简单性,几天甚至几周就可以将新设备投入生产线,并且在几小时内完成加载并完全可行。

IPC CFX定义了真正的即插即用工业IoT标准所需的所有三个关键元素:消息协议、编码机制和特定的内容创建。无需中间件即可实现这些优势,为制造商节省了大量成本并提高可靠性。

IPC CFX标准支持“大数据”的概念,包括来自工厂的不同类型的数据,如性能、材料、资源、用户、质量事件、产品跟踪等方面的数据。IPC CFX中包含的数据类型以多种方式使用,例如闭环反馈系统、实时生产仪表板、MES控制和主动质量管理等。这些信息会产生“大数据”环境,可用于为整个操作创造有价值的机会。

IPC标准和技术副总裁David Bergman表示:“IPC CFX为电子制造商、设备供应商、内部IT团队和具有数据传输和捕获应用程序的用户提供了巨大的价值。CFX的目标是为制造业务的各个方面提供优化技术,使自动化的采用更容易和有效,并提高灵活性。”

10   2019-04-24 17:02:37.757 为巩固半导体霸主地位,三星拟投资30万亿韩元 (点击量:2)

继存储类半导体,三星希望凭借政策东风,在非存储类半导体占据一席之地。

近日,第一财经记者从韩国三星电子及韩国半导体产业协会方面了解到,为配合韩国政府对于半导体产业的扶持计划,三星电子将出资30万亿韩元,培育非存储类系统半导体产业,并以2030年前在全球占领领先地位作为目标。

韩国半导体产业协会方面负责人告诉第一财经记者,针对韩国政府提出半导体主导的产业模式,三星和协会方面正在进行紧密的合作,而三星方面将在本月底最终公布方案,不过初步的措施和方案已经基本确定,而这也将成为韩国建国以来最大规模的产业扶持政策,涵盖政府、行业协会和企业。

第一财经记者了解到,三星电子将在月末公布的方案主要包括:投资30亿韩元,构造三星电子的科研力量,并与高校协同设立半导体学科,同步继续扶持晶圆代工等内容。

其中,三星电子的负责人向第一财经记者透露,作为三星电子扶持非存储半导体计划的首个举措,三星将在韩国京畿道华城设立极紫外光刻(EUV)工厂,作为半导体工程中的核心工序之一,每台设备的市价超过2000亿韩元,而作为利用措施的配套,三星电子正在寻求通过将EUV技术应用于10nm DRAM产线来提高EUV设备的利用率。

针对该项目三星电子将在近期发布追加投资计划,三星方面也将考虑在位于京畿道平泽地区的空余地块追加建设生产AP、CIS等非存储类半导体的工厂;不过,该负责人同时表示,这项投资计划的具体细节和规模尚未最终确定,并会在后期进行披露,而韩国业界也预计,若包括建厂计划及配套内容,三星电子应当投资的金额可能将超过100万亿韩元。

另外,三星电子将针对LG等其他竞争企业及中小企业开放生态链,并邀请本土企业作为设计及研发方参与;而作为首个具体措施,三星电子或将代工厂向LG集团旗下的Siliconworks所研发的高性能半导体设备进行开放,而此前三星电子的代工厂仅向英特尔、苹果等海外企业开放,韩国本土的中小企业则主要向TSMC等境外企业进行代工。

从技术的层面,此前作为晶圆代工的领先企业,TSMC曾唯一拥有7nm工艺的代工厂,并计划明年推出EUV版本的升级版7nm工艺,近期三星电子方面在投入7nm工艺的基础上,将6nm工艺提前在下半年投入量产。据业界人士介绍,三星电子已经基本完成5nm工艺的开发,并在此基础上正在开发并在中短期内准备推出3nm工艺的代工技术。

除此以外,三星还将联手SK海力士等本土竞争企业,在首尔国立大学等多个大学设立“半导体学科”,并在原则上保证毕业后能够进入三星电子等本土半导体企业,半导体产业协会方面预计,在2025年前类似学科的设立能为韩国业界培养1万名具有高素养的半导体设计及生产人员。

4月初,韩国总统文在寅在会议上,正式宣布韩国政府将在未来着重扶持的三大未来产业,其中非存储类半导体占据较为重要的地位,而业界人士透露,三星电子月底的战略发布时,韩国政府的高级官员及SK海力士等竞争企业的人士也将出席,以表示韩国政府和业界的重视。截至2018年年底,以销售额为准,三星电子半导体部门中,非存储半导体所占的比重为15%左右,而SK海力士所占据的比重仅为1%左右。为此,SK海力士方面正在考虑收购曾经为子公司的代工企业MagnaChip公司,该公司此前曾爆出或被中国企业收购。

三星电子在扶持非存储类半导体的背后,除了来自政策的东风,同时也有源自市场的压力。据全球半导体市场统计机构WSTS预计,2019年全球半导体市场的规模将为4545亿美元,其中三星占据优势的存储芯片的市场份额仅为1355亿美元,仅占据全球市场的三成,剩余绝大多数部分均为非存储类半导体。据三星电子发布的第一季度业绩公告显示, 三星电子在2019年第一季度的营业利润为6.2万亿韩元,同比下降60.36%、环比下降38.5%,尤其是半导体市场所面临的调整期,使三星电子的营业利润跌至2016年第三季以来最低水平。

截至2018年底,三星电子和SK海力士两大韩系制造商在2018年存储类半导体的全球市场占有率为74.6%,而根据市场调查机构DRAM Exchange提供的数据,2019年3月份以DDR4 8GB的DRAM(动态随机存取存储器)为准,市场价格为4.56美元,相比于2018年9月的峰值下跌达44.3%,其中仅在第一个季度内就下跌37%,韩国半导体产业协会的一份报告也认为,即便是在第二季度,市场价格仍将下跌10%以上,韩系制造商仍要保持高利润的时代很有可能一去不复返。

去年5月,三星电子将其代工业务从系统原有部门中分拆出来,另外设立事业部;而根据WSTS的另外一份统计显示,2019年第一季度全球半导体代工市场的占有率,台资TSMC占据第一名,达到48.1%,三星电子紧随其后,为19.1%。

韩国大信证券分析师李秀彬向第一财经记者指出,相比于DRAM等存储芯片更容易受到市场周期的影响,非存储类半导体的需求周期则更加稳定。

“尤其是三星在上一季度的财报中获得不理想的业绩,其背后和 半导体产业整体的需求过剩、全球大型企业放缓数据中心的建设等共同作用之下,高度依赖内存芯片产生利润将成为三星电子所面临的脆弱之处,并引发投资者对于三星电子收益构造的担忧。”李秀彬表示。

韩国高丽大学经营学系教授、韩国经营学会会长李斗熙告诉第一财经记者,虽然从短期来看,三星电子通过一系列措施,降低了对于市场的冲击,但考虑到三星电子占据韩国KOSPI股指市值的近20%,日均交易量更是达到30%左右,若三星电子的不振进入长期,将导致韩国的金融市场更加脆弱。

11   2019-04-24 16:46:17.217 台积电完成首颗3D封装,继续领先业界 (点击量:2)

台积电完成全球首颗 3D IC 封装,预计将于 2021 年量产。

台积电此次揭露 3D IC 封装技术成功,正揭开半导体制程的新世代。目前业界认为,此技术主要为是为了应用在 5 纳米以下先进制程,并为客制化异质芯片铺路,当然也更加巩固苹果订单。

台积电近几年推出的 CoWoS 架构及整合扇出型封状等原本就是为了透过芯片堆栈摸索后摩尔定律时代的路线,而真正的 3D 封装技术的出现,更加强化了台积电垂直整合服务的竞争力。尤其未来异质芯片整合将会是趋势,将处理器、数据芯片、高频存储器、CMOS 影像感应器与微机电系统等整合在一起。

封装不同制程的芯片将会是很大的市场需求,半导体供应链的串联势在必行。所以令台积电也积极投入后端的半导体封装技术,预计日月光、矽品等封测大厂也会加速布建 3D IC 封装的技术和产能。不过这也并不是容易的技术,需搭配难度更高的工艺,如硅钻孔技术、晶圆薄化、导电材质填孔、晶圆连接及散热支持等,将进入新的技术资本竞赛。

台积电总裁魏哲家表示,尽管半导体处于淡季,但看好高性能运算领域的强劲需求,且台积电客户组合将趋向多元化。不过目前台积电的主要动能仍来自于 7 纳米制程,2020 年 6 纳米才开始试产,3D 封装等先进技术届时应该还只有少数客户会采用,业界猜测苹果手机处理器应该仍是首先引进最新制程的订单。更进一步的消息,要等到 5 月份台积大会时才会公布。

12   2019-04-24 16:42:59.377 首款全国产固态硬盘控制芯片发布 读写速度500MB/s (点击量:3)

4月22日,国科微与龙芯中科战略合作签约暨国内首款全国产固态硬盘控制芯片发布仪式举行。

在双创的大背景下,国科微和龙芯中科进一步深化合作。双方将建立长期稳定的业务合作伙伴关系,携手打造关键信息基础设施国产化生态。根据战略合作协议,龙芯中科在后续主板方案上将国科微作为首选国产固态硬盘供应商,国科微则在后续芯片产品中将龙芯中科作为嵌入式CPU IP核首选供应商。

作为首个战略合作成果,国科微发布全新的GK2302系列芯片,搭载龙芯嵌入式CPU IP核,成为国内首款真正实现全国产化的固态硬盘控制芯片。

据悉,GK2302系列重新定义了国产化的4个标准:第一,搭载国产嵌入式CPU IP核;第二,从芯片设计到流片再到生产封装等各个环节全部在国内完成;第三,与国产整机品牌实现全面适配,第四,集成国密加解密算法,安全可信。

本次发布的GK2302系列芯片采用高速SATA 6Gbps接口与主机通讯,单芯片容量最大支持4TB,读写速度达到500MB/s。相比上一代产品,GK2302CPU性能提升15%,功耗降低6.5%,全盘性能提升18.4%。

未来,国科微将以搭载GK2302的固态硬盘形态为客户提供高性能、高安全、高可靠的存储解决方案。

13   2019-04-24 16:39:58.227 安森美收购格芯FAB10,强化市场竞争力,圆梦300毫米晶圆厂 (点击量:2)

2019年4月22日,安森美半导体(ONSEMI)和格芯半导体(GLOBALFOUNDRIES)联合宣布,双方已经就安森美半导体收购格芯半导体位于纽约东菲什基尔(East Fishkill)的300毫米晶圆厂(格芯半导体工厂内部编号Fab 10)达成最终收购协议。

协议规定,此次收购的总代价为4.3亿美元,其中1亿美元已在签署最终协议时支付,并且将在2022年底支付3.3亿美元,2023年安森美半导体将获得该工厂的全面运营控制权。

300毫米晶圆厂圆梦,强化市场竞争力

此次交易的主要交易亮点有:

1、技术团队拥有丰富的300mm制造和开发经验

2、经过多年的合作,以保证300mm的产能

3、凭借先进的CMOS功能,提升MOSFET和IGBT的生产品质

同时协议还规定,格芯半导体将从明年开始为安森美制造300毫米晶圆产品,安森美半导体在未来3年内(2020-2022)在东菲什基尔工厂安排300毫米的生产,并允许格芯半导体将其众多技术转移到该公司另外的300毫米工厂。

实际上,该份协议还包括技术转让、开发协议以及技术授权协议。通过技术转让协议,安森美半导体将获得先进的45纳米和65纳米CMOS工艺技术,并可获得该基地的所有熟练员工。这将让安森美半导体快速从200mm晶圆转换为300mm晶圆。

安森美半导体总裁兼首席执行官傑克信(Keith Jackson)表示,我们很高兴欢迎格芯半导体东菲什基尔Fab10团队加入安森美半导体大家庭。收购300毫米晶圆制造厂是我们在电源和模拟半导体领域取得领先地位的又一重大举措。此次收购增加了未来几年的额外产能,以支持我们的电源和模拟产品的增长,实现增量制造效率,强化安森美半导体产品的市场竞争力。

众所周知,位于纽约东菲什基尔300毫米晶圆厂原先是属于“蓝色巨人”IBM所有,2015年7月份格芯半导体完成收购“蓝色巨人”IBM的全球商业半导体技术业务。该300毫米晶圆厂最早运行于2003年,已通过美国国防部(DoD)的认证,成为1A类“可信代工Trusted Foundry”服务提供商。

此前,安森美半导体位于爱达荷州和俄勒冈州的两座8英寸晶圆制造通过美国国防部(DoD)的认证,成为1A类“可信代工”服务提供商,至此安森美半导体将成为美国唯一拥有8英寸和12英寸1A类“可信代工”服务提供商。

此次安森美半导体出手收购300毫米晶圆制造厂,既在意料之外,但却在情理之中。

安森美半导体的产品系列包括电源和信号管理、传感器、模拟、逻辑、时序、分立器件、光电器件及ASSP,其主要竞争对手包括德州仪器(TI)、美信(MAXIM)、意法半导体(STM)、英飞凌(Infineon)等在内都在使用300毫米制造产品。

德州仪器早在2009年主开始运营全球首座300毫米模拟晶圆厂,并在2015年开始内部第二座300毫米模拟晶圆厂的运营。德州仪器是全球模拟IC的霸主。

英飞凌于2011年收购奇梦达的300毫米存储晶圆制造厂进行改造,2013年改造成业界首个功率半导体的量产厂;最初的用途是生产家用电子设备上的功率半导体,现在开始为汽车电子应用制造功率半导体。英飞凌是全球IGBT的霸主。

意法半导体也于2015年在其内部300毫米晶圆厂生产模拟器件。

美信虽然没有300毫米晶圆制造厂,但是其在2011年就和力晶科技(Powerchip)进行合作,在力晶科技300毫米晶圆厂进行模拟产品代工。

安森美半导体此时出手收购300毫米晶圆制造厂,还面临中国内地众多晶圆制造厂的压力。

目前中国内地在建或宣布建设的300毫米模拟和功率器件晶圆厂包括华虹半导体无锡、广州粤芯半导体、士兰微厦门、矽力杰青岛、华润微电子重庆、万代半导体重庆等,一旦这些300毫米晶圆厂产能开出,势必对全球模拟和功率器件市场产生巨大影响。

而此时出手收购格芯半导体的300毫米晶圆制造厂,确实花费不多,仅仅4.3亿美元,不仅获得厂房设施和生产设备,还有技术转让,更可喜的是获得大批成熟员工。同时还可防止设备流入竞争对手或中国内地。

安森美的收购之路

1999年8月4日摩托罗拉半导体元件集团(Semiconductor Components Group,SCG)分拆成立安森美半导体,专业生产模拟电路,逻辑电路、分立小信号及功率器件。

当初,安森美半导体摩托罗拉分拆时,只拥有一大堆4英寸的小厂,只有两座6英寸工厂,之后经过一系列的并购,安森美半导体在北美、欧洲和亚洲都建有14座晶圆制造厂,其中7座8英寸,6座6英寸,还有1座5英寸。

2000年4月收购Cherrry半导体公司,获得多相控制器、驱动器、汽车/工业电源管理、汽车ASSP等产品线。

2006年收购LSI Logic一座8英寸制造厂,这是公司的第一座8英寸晶圆制造厂,帮助公司提升工艺技术。

2007年12月31日收购亚德诺半导体的稳压及热管理部,获得多相控制器、驱动器、热管理器件等产品线。

2008年3月17日收购AMI Semiconductor,获得汽车应用高压ASIC、超低功耗(ULP)SRAM存储器,LIN及CAN收发器,低功耗射频收发器,步进电机驱动器音频DSP系统,以太网供电(PoE),工业过程自动化等产品线,增强公司时钟及定时器,高端驱动器的实力;并获得一座4英寸和一座6英寸晶圆厂。

2008年收购Catalyst Semiconductor,获得数字电位计、I/O扩展器、EEPROM、NVRAM等产品线。

2009年收购PulseCore Semiconductor,获得扩频时钟产品线,增强EMI 滤波和电路保护产品组合.

2010年收购加利福尼亚微器件(CMD),增强公司静电放电(ESD)保护,电磁干扰(EMI)滤波器,接口,电源管理的实力。

2010年7月收购Sound Design Technologies, Ltd.,纳入医疗部,增强超低功耗(ULP)数字信号处理器(DSP),高密度互连技术的实力,并获得一座6英寸晶圆制造厂,以扩充产能。

2011年收购赛普拉斯的图像传感器业务部(ISBU),获得2D高性能CMOS图像传感器产品线。

2011年收购三洋半导体(Sanyo Semiconductor),获得微控制器,电机驱动器,音频/视频,电源模块等产品线;增强电源管理,专用集成电路(ASIC),存储器,MOSFET,IGBT的竞争实力;获得位于岐阜、群马和新泻的多座晶圆厂。

2014年收购CCD图像传感器商Truesense Imaging Inc.,进入CCD领域;并获得一座6英寸晶圆厂。

2014年收购CMOS图像传感器商Aptina Imaging Corp.,强化CIS产品。

2015年收购瑞士模拟和混合信号产品供应商AXSEM AG,获得RF收发器产品线。

2016年收购仙童半导体,获得一座6英寸和两座8英寸晶圆厂。

2018年收购SensL,帮助公司扩展其成像、雷达和LiDAR(激光雷达)产品供应能力,从而扩大其ADAS(高级驾驶辅助系统)和自动驾驶等汽车传感应用的市场份额。

2018年,增购富士通的两座8英寸晶圆厂的20%股权收购,目前安森美半导体持有两座晶圆厂的60%的股权。

14   2019-04-24 17:07:05.717 武汉科技成果转化签下“MEMS传感器(芯片)”项目 将填补国内空白 (点击量:2)

19日,武汉市科技成果转化签约现场, 东莞市麦姆斯科技有限公司与武汉清大科创股权投资基金就“MEMS传感器(芯片)”项目签订合作协议。

MEMS是利用传统的半导体工艺和材料,用微米技术在芯片上制造微型机械,并将其与对应电路集成为一个整体的技术。简单来讲,是一种芯片设计、制造和封装技术。利用MEMS技术制造的芯片尺寸差不多只有一个成人指甲盖大小,比如我们使用的智能手机,其内部的芯片基本上都是MEMS技术制造。

长期以来,MEMS芯片技术被行业巨头英飞凌和索尼等国外公司垄断,目前国内还没有一家企业可以整体实现MEMS芯片的设计、制造和封装。 东莞市麦姆斯科技有限公司现已完成6寸MEMS芯片的测试和小批量生产,计划于2019年8月份在武汉设立全资公司,进行8寸MEMS芯片的设计、制造和封装,实现弯道超车,填补国内市场空白。

随着汽车、智能装备、家电类产品领域的迅速增长,MEMS芯片用量将大大增加。此外,物联网、云计算、大数据、智慧城市更为MEMS芯片创造了良好的市场空间。农业、环保、食品检测、智慧医疗、健康养老、可穿戴设备、机器人、3D打印也为MEMS芯片技术的提升和应用创新拓展了思路。