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2019年第9期(发布时间: May 16, 2019 发布者:沈湘)  下载: 2019年第9期.doc       全选  导出
1   2019-05-15 09:10:11.987 国务院常务会议:延续集成电路和软件企业所得税优惠政策 (点击量:12)

国务院总理李克强5月8日主持召开国务院常务会议,部署推进国家级经济技术开发区创新提升,打造改革开放新高地;决定延续集成电路和软件企业所得税优惠政策,吸引国内外投资更多参与和促进信息产业发展。

会议指出,目前我国共有219家国家级经开区,生产总值、财政收入均占全国10%左右,进出口贸易、利用外资占20%左右,主要指标增速超过全国平均水平,同时还有很大新潜力有待释放。要贯彻党中央、国务院部署,加快推进国家级经开区开放创新、科技创新、制度创新,激发市场活力,发挥好其培育经济增长新动力、促进高质量发展的优势。

一要支持经开区优化营商环境,推动在“放管服”改革方面走在前列。

简化投资项目审批,推行容缺审批、告知承诺制等。将招商成果纳入经开区考核激励。对创业创新人员在户籍、子女入学、创业投资等方面给予便利。各地要主动作为,赋予经开区更大改革自主权,放出活力,管出公平。

二要推动创新发展。

经开区要率先将国家科技创新政策落实到位,成效明显的可加大政策先行先试力度。支持建设国家大科学试验装置和国家科技创新基地。区内科研院所转化职务发明成果收益给予参与研发的科技人员现金奖励,符合规定的可减按50%计入工资、薪金所得缴纳个人所得税。对经开区与职业院校共建人才培养基地等加大支持。

三要提升开放水平。

支持经开区引入民营资本和外资开发运营特色产业园等,鼓励港澳地区及外国机构、企业、资本参与国际合作园区运营。支持设立综合保税区。支持在有条件的经开区开展资本项目收支便利化等试点。

四要促进产业升级。

国家重大产业项目优先在区内布局。实施先进制造业集群培育行动、现代服务业优化升级行动。推动“双创”上水平。鼓励各类资本投资发展数字经济。

会议指出,集成电路和软件产业是支撑经济社会发展的战略性、基础性和先导性产业。通过对在华设立的各类所有制企业包括外资企业一视同仁、实施普惠性减税降费,吸引各类投资共同参与和促进集成电路和软件产业发展,有利于推进经济结构优化升级,更好满足高质量发展和高品质生活需求。会议决定,在已对集成电路生产企业或项目按规定的不同条件分别实行企业所得税“两免三减半”(即第一年至第二年免征、第三年至第五年减半征收)或“五免五减半”(即第一年至第五年免征、第六年至第十年减半征收)的基础上,对集成电路设计和软件企业继续实施2011年《国务院关于印发进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》中明确的所得税“两免三减半”优惠政策。2018年度所得税汇算清缴也按上述规定执行。同时,有关部门要抓紧研究完善下一步促进集成电路和软件产业向更高层次发展的支持政策。

2   2019-05-15 09:27:45.61 美计划研制全球最快E级超算 (点击量:3)

美国能源部7日宣布,将斥资6亿美元授权美国克雷公司(Cray)和超威公司(AMD)研制代号“前沿”(Frontier)的E级超算。其浮点运算速度可达每秒150亿亿次,预计2021年交付。美国能源部称,“前沿”有望成为全球最快超级计算机。

“前沿”到底有多强?超威公司公布的资料显示,“前沿”的计算速度相当于当前全球速度最快的160台超算的总和,网络带宽是普通家庭互联网的2400万倍,足以在一秒钟内下载10万部高清电影。该系统将安装在美国能源部橡树岭国家实验室,实际占地面积将近700平方米,电缆长度达到145公里。

“前沿”因何而强?其采用克雷公司的Shasta超级计算系统及Slingshot高性能互连设备,超威公司将针对高性能计算和人工智能应用为其定制霄龙中央处理器(CPU)和Radeon Instinct图形处理器(GPU)。

超级计算机都是耗电能手。“前沿”由100个机柜组成,每个机柜的额定功率为300千瓦,整个系统的功率超过30兆瓦。相比之下,当前全球最强超算、同样位于橡树岭国家实验室的“顶点”(Summit),功率为13兆瓦。

事实上,“前沿”已经够省电了。它的计算速度超过“顶点”7倍,功率却不到其3倍。相比5年前科学家们对E级超算用电量的评估,“前沿”节约了50%的能耗,这主要得益于克雷和超威公司共同设计的CPU-GPU异构并行计算结构。此外,6亿美元的预算也不算高,“顶点”的成本已经高达2.14亿美元。

3   2019-05-15 09:19:41.137 IC Insights评出十大模拟IC厂,业绩普遍增长 (点击量:2)

近日,据IC Insights最新报告显示,德州仪器2018年来自模拟产品的销售额增至108亿美元,继续扩大其作为全球顶级 模拟IC 供应商的领先地位。

报告显示,英飞凌排在全球模拟产品销售的第三位;ST的年度增长最多,达到了26%。前十大模拟IC供应商的销售额共占模拟IC市场总量的60%,共计361亿美元,2017年时为330亿美元,占总量的61%。

IC Insights的报告中对前50大半导体供应商进行了排名,并列出了几个主要产品类别的领先公司,包括DRAM、闪存、微处理器、微控制器和模拟IC。下图显示了2018年最大的10家模拟供应商。

凭借模拟销售额108亿美元和18%的市场份额,德州仪器继续保持领先地位。IC Insights指出,2018年的模拟销售额增长了9亿美元,几乎是排名第二的ADI公司的两倍,超过排名第10的瑞萨电子10倍,瑞萨电子是前十名中仅有的两家销售额下滑的公司之一。德州仪器2018年的模拟收入占IC销售额139亿美元的78%,占其半导体总收入149亿美元的72%。

德州仪器的主要目标是工业应用(占2018年营收的36%)、个人电子(占2018年营收的23%)和汽车应用(占其模拟产品营收的20%)。德州仪器表示,这三个领域利润都很高,为其提供了未来增长的最佳机会。值得注意的是,工业和汽车应用占据了德州仪器去年总收入的56%,而仅在5年前,这一比例仅为42%。

排在第二的ADI去年模拟IC销售额增长了7%,达到55亿美元。ADI的收入数据包括Linear Technology的销售额,ADI于2017年第一季度以158亿美元的现金和股票收购了这家公司。2018年,在ADI的客户中没有一家的销售额能够占ADI销售额的10%以上。而在此之前,ADI最大的客户苹果,分别占据了其2017年和2016年总收入的14%和12%。

欧洲三大IC供应商中的每一家在2018年都是前十大模拟供应商。这三家公司共占全球模拟市场份额的15%。英飞凌上升一位至第三,其模拟销售额增长14%至38亿美元,占市场份额的6%。英飞凌继续扩大了其在汽车(2018年销售额的43%)和电力管理(2018年销售额的31%)应用方面的业务,而工业电源控制(17%)和芯片卡和安全性(9%)则完善了英飞凌其他主要的终端应用。

ST的模拟产品销售额增长了26%,达到32亿美元(5%的市场份额),在十大模拟产品供应商中增长最多。ST的大部分模拟IC销售目标是运动控制(电机驱动IC和高压驱动IC),自动化(智能电源开关)和能源管理(电力线通信IC)应用。

恩智浦是2018年第六大模拟供应商,销售额增长10%,达到26亿美元(市场份额为4%)。恩智浦将其模拟器件销售到许多系统功能中,但其主要增长领域之一是汽车,其模拟芯片是新兴的LiDAR、车辆网络和5G系统中必不可少的组件。

安森美半导体的模拟销售额增长了11%,达到20亿美元,占市场份额的3%。安森美的销售额增长率为11%,此前2017年和2016年分别为35%和16%。安森美连续三年实现强劲模拟销售增长,部分原因是该公司于2016年9月收购了仙童半导体,另外,安森美还在汽车市场上销售了大量电源管理产品,特别是用于主动安全、动力总成、车身电子和照明应用的产品。

Microchip Technology的模拟IC销售额在2018年增长了22%。2018年5月,Microchip以83.5亿美元收购了Microsemi,从而推动了Microchip在计算和通信应用领域的模拟业务。

4   2019-05-16 12:31:28.593 美国公布3千亿美元中国商品关税清单; 可能会严重伤害半导体产业 (点击量:1)

美国时间5月13日,美国贸易代表办公室(USTR)发布了一份价值约3000亿美元的中国商品清单,其中包括半导体供应链中的一些商品,这些商品将面临加征25%关税。SEMI正在与会员一起评估对产业的影响,并将在6月中旬举行的公开听证会上提交书面意见并作证反对关税。

SEMI鼓励会员审查这次的征税清单并确定影响程度。

此份公告是在上周五从中国进口2000亿美元的关税上调10%至25%之后发布的。总而言之,美国已经对2500亿美元的中国商品征收关税,其中包括对半导体制造至关重要的材料和机器。周一公布的扩大清单将对从中国进口的所有进口商品征收关税。就这件事而言,中国已经宣布了报复性关税,后续可能会有更多应对方案。

SEMI坚决反对这些全球商业发展障碍的关税。在过去一年中,SEMI提交了大量书面评论,并就关税对半导体行业的破坏性影响提供了证据。虽然SEMI强烈支持加强知识产权保护,但我们认为关税增加无助于解决对中国贸易行为的担忧,反而增加业务成本,引入了不确定性和扼杀创新来损害半导体供应链中的公司。

5   2019-05-12 10:26:14.127 IHS Markit表示,半导体市场将在2019年陷入十年来最严重的低迷状态 (点击量:2)

自今年年初以来,全球半导体市场的状况迅速恶化,商业信息提供商IHS Markit(纳斯达克股票代码:INFO)将2019年的半导体芯片销售额,与之前的预测相比下调了10个百分点。

据IHS Markit应用市场预测工具的最新数据,今年全球半导体芯片行业的营收将下降7.4%。营收将从2018年的4820亿美元下降至2019年的4462亿美元。

与去年12月份的预测相比,这代表了市场前景的重大波动,去年预计今年市场将增长2.9%。但是目前最新预测市场将下降7.4%,这是自2009年大衰退以来,半导体行业的年度最大跌幅,2009年当年的半导体芯片销售额曾一度暴跌近11%。

经济快速衰退原因是需求的日益疲软以及第一季度库存水平的快速上升。这些对一些半导体产品部门的影响比其他产品更大。严重受影响的产品有DRAM、NAND闪存、通用微处理器(MPU)、32位微控制器(MCU)和模拟专用集成电路(ASIC)等,与2018年第一季度相比这些产品的收入均下降了两位数。

DRAM市场状况也不容乐观,平均销售价格的急剧下降以及需求疲软都削弱了2019年的DRAM收入预测。在NAND闪存领域,持续的供应过剩也一直是造成价格大幅下跌的原因。另一个急剧下滑的细分市场是逻辑应用专用标准产品(ASSP),其需求主要由移动手机业务推动,但是由于接近全球性饱和,所以手机市场处境艰难。

半导体市场下滑状况将持续到第二季度。今年上半年的急剧下滑使半导体市场陷入十年来最严重的低迷状态。然而,IHS Markit Technology预测第三季度半导体销售将出现复苏。复兴将由固态硬盘和高端智能手机中使用的NAND闪存部件引领。笔记本电脑和数据中心服务器中使用的MPU也将有助于恢复整体半导体销售增长。

6   2019-05-15 09:22:54.717 Cree将投资10亿美元,扩大SiC碳化硅产能 (点击量:1)

2019年5月7日,美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 – Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布,作为公司长期增长战略的一部分,将投资10亿美元用于扩大SiC碳化硅产能,在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料超级工厂。这项标志着公司迄今为止最大的投资,将为Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化镓业务提供动能。在2024年全部完工之后,这些工厂将极大增强公司SiC碳化硅材料性能和晶圆制造产能,使得宽禁带半导体材料解决方案为汽车、通讯设施和工业市场带来巨大技术转变。

Cree首席执行官Gregg Lowe先生表示:“我们不断地看到在汽车和通讯设施领域采用SiC碳化硅的优势来驱动创新所产生的巨大效益。但是,现有的供应却远远不能够满足我们对于SiC碳化硅的需求。今天,我们宣布了公司迄今在生产制造的最大投资,将大幅地提升供应,帮助客户为市场提供变革性的产品和服务。这项在设备、基础设施、公司人力方面的巨大投入,将为我们显著扩大产能。与2017财年第一季度(也就是我们开始扩大产能的第一阶段)相比较,能够带来SiC碳化硅晶圆制造产能的30倍增长和材料生产的30倍增长。我们相信这将使得我们能够满足Wolfspeed SiC碳化硅材料和器件在未来5年乃至更长远的预期增长。”

这项计划将为业界领先的Wolfspeed SiC碳化硅业务提供附加产能。通过增建现有的建筑设施,作为面积253,000平方英尺的200mm功率和RF射频晶圆制造工厂,迈出满足预期市场需求的第一步。新的North Fab将被设计成能够全面满足汽车认证的工厂,其生产提供的晶圆表面积将会是今天现有的18倍,刚开始阶段将进行150mm晶圆的生产。公司将把现有在达勒姆的生产和材料工厂转变为一座材料超级工厂。

Cree首席执行官Gregg Lowe先生同时还表示:“这些SiC碳化硅制造超级工厂,将加速当今最快增长市场的创新。通过提供解决方案,帮助提高EV电动汽车的行驶里程并减少充电时间,同时支持5G网络在全世界的部署。我们相信这代表着SiC碳化硅和GaN氮化镓技术和制造有史以来最大的资本投资,也是一种在财政上负责任的方式。通过采用现有工厂和安装绝大部分的整新工具,我们相信我们可以实现提供最先进技术的200mm fab,并且成本大约仅为一座新fab的1/3。”

扩大的园区将创造高科技就业机会,并提供先进制造人才发展计划。Cree计划与州、当地和四年制院校开展培训项目,为新工厂所带来的长期、高端就业和成长机遇提供人才储备。

7   2019-05-16 10:38:48.197 Intel宣布第二代10nm处理器Tiger Lake:GPU大变 (点击量:1)

在近日的投资者会议上,Intel向外界展示了未来三年的雄心壮志,在制程工艺上Intel还会继续坚持三条路——14nm不放弃、10nm量产、7nm加速。10nm工艺这几年来让Intel吃尽了苦头,不过2019年就要正式量产了,6月份就会发布10nm Ice Lake处理器,当天Intel也正式宣布了第二代10nm工艺的处理器Tiger Lake,将会使用全新的CPU内核及GPU内核。

说起来现在的10nm处理器断代跟之前的不同了,实际上第一代10nm工艺是前两年的Cannonlake,但是只出了一款酷睿i3-8121U处理器之外就放弃了,现在的Ice Lake、Tiger Lake应该是第二代、第三代10nm处理器了,但因为Cannonlake被废,Ice Lake变成了真正量产的第一代10nm处理器,Tiger Lake则是第二代。

2019年Intel的主要工作就是两款处理器——10nm Ice Lake及混合架构、3D封装的Lakefiled处理器,后者主要用于低功耗产品,Ice Lake从是笔记本、台式机所用的CPU。

关于Ice Lake,之前Intel已经公布了详细信息,CPU会使用全新的架构,具体来说是Sunny Cove核心,还会用上Gen11核显,号称性能是前代的三倍。此外,它还是首个集成WiFi 6及雷电3的处理器。

在Ice Lake之后,2020年Intel还会推出第二款10n处理器Tiger Lake,CPU架构也是全新的,不过它应该还是Sunny Cove核心,但GPU架构在Tiger Lake上会有重大变化,使用全新的X图形引擎,猜测应该是跟Xe独显架构一个体系的。

Tiger Lake处理器还会在显示技术、I/O技术上作出创新,Intel没有提及详情,不过2020年是时候支持PCIe 4.0、DDR5内存了,否则明年会大幅落后给AMD了。

8   2019-05-15 09:26:24.803 NASA正研发软体机器人 有望处理月球和火星任务 (点击量:4)

据外媒CNET报道,未来太空中的机器人可能看起来不像R2-D2,Wall-E和Robby。它们可能看起来更像是巨大的湿软蠕虫。美国宇航局(NASA)兰利研究中心实习生Chuck Sullivan和Jack Fitzpatrick正在开发软体机器人设计,有朝一日可以在太空、月球甚至火星上处理“危险、肮脏或无聊”的任务。

这些机器人没有大多数科幻电影中机器人的锐角和坚硬表面。研究人员正在开发具有柔软硅胶外壳的机器人执行器,可以弯曲和扩展。

“当您启动软体机器人时,它会改变您使用材料属性的方式,” Fitzpatrick说道。“一块橡胶从平面变成手指的形状,它将材料变成其他东西。” 视频显示了这一概念的实际应用。

视频中的机器人看起来像活生生的、扭曲的生物。它们根据腔室内的空气量移动。研究人员看到了软体机器人越过月球表面并共同创建临时避难所的未来。

NASA对软体机器人的兴趣是更大趋势的一部分。麻省理工学院于2018年初推出了一种软体机器鱼。科学家们正在研究可拉伸的液态金属,美国陆军研究实验室正在研究受无脊椎动物启发的软体机器人。

9   2019-05-12 10:15:49.47 Exagan开设电源解决方案中心,以扩展应用和市场范围 (点击量:0)

法国的氮化镓技术初创企业Exagan继续加速采用硅半导体上的氮化镓(GaN)技术,并在图卢兹开设了一个新的电源解决方案中心,以扩大应用支持和市场范围。该企业与CEA Tech紧密合作,于去年10月在台湾台北推出了Exagan 的首个GaN应用中心。

图卢兹工厂使用高度专业化的电子设备为客户提供新的应用开发和产品验证功能。它还使Exagan能够掌握GaN解决方案的新架构,同时提高当前拓扑结构的功率转换效率。G-FET功率晶体管可以在现有的200mm CMOS晶圆厂中制造,此为多源供电,具有易扩展性和最佳的成本性能优势比。

凭借其fab-lite商业模式,Exagan可控制GaN技术集成,从原材料到最终产品的全面实施,实现产品优化和批量生产。该公司的产品组合涵盖各个功率级别和应用,包括小型快速充电系统、数据中心、车载汽车充电器、电动汽车快速充电站等。

总裁兼首席执行官FrédéricDupont说道:“我们有强大的GaN技术和产品组合,Exagan现在正在欧洲和亚洲部署GaN电源解决方案中心,我们的目标是优化GaN器件在功率密度、功效、可靠性和系统成本等方面达到业界领先水平。”

根据市场研究公司YoleDéveloppement的数据,预计到2023年,电力电子领域的GaN市场将以93%的复合年增长率(CAGR)增长。

10   2019-05-12 10:12:01.43 Imec演示了GaN半桥与驱动器的完全单片共同集成 (点击量:1)

在德国举行的的PCIM欧洲展上(Power Conversion Intelligent Motion),比利时的纳米电子研究中心imec展示了一种功能性GaN半桥与驱动器单片共同集成。该芯片安装在降压转换器测试板上,可将48V的输入电压转换为1V的输出电压,脉冲宽度调制信号为1MHz。该成果利用了imec在GaN-on-SOI和GaN-on-QST技术平台氮化镓,降低了寄生电感并提高了换向速度。

目前的GaN功率电子器件是由现成的分立元件主导。为了充分发挥GaN功率技术的潜力,imec在一个GaN-IC芯片中单片集成了半桥和驱动器。通过使用低压逻辑晶体管,一套低欧姆和高欧姆电阻的无源元件,一个MIM电容器可以在单个芯片上实现高端集成电源系统。

Imec的解决方案基于imec的GaN-on-SOI和GaN-on-QST技术平台,通过掩埋氧化物和氧化物填充的深沟槽隔离,实现功率器件,驱动器和控制逻辑的电流隔离。这种隔离方案不仅消除了对半桥的高侧开关产生负面影响的有害反向选通效应,而且还降低了干扰控制电路的开关噪声。通过设计用于驱动高侧开关的共同集成电平转换器,避免重叠栅极输入波形的死区时间控制器,以及片上脉冲宽度调制电路,可以制造高度集成的降压和升压转换器。

业务开发经理丹尼斯马肯说:“有人可能会认为,通过使用SOI或QST晶圆代替硅晶片将导致更昂贵的技术。相反,采用imec的GaN-IC技术,包括驱动器和模拟模块等在内的完整转换器是片内的,然后可以采用简单的封装技术封装,因为频率敏感元件已经在芯片上连接,这大大节省了最终电力系统的成本。”

11   2019-05-12 10:14:32.127 Fraunhofer IAF实现了更紧凑的氮化镓功率集成电路芯片,集成传感器成为GaNIAL项目的一部分 (点击量:1)

德国弗莱堡弗劳恩霍夫应用固态物理研究所(IAF)称,通过将电流和温度传感器以及600 V级功率晶体管,续流二极管和栅极驱动器集成到GaN基的半导体芯片上,大幅提升了氮化镓功率集成电路电压转换器的功能。该研究为为电动汽车中实现更紧凑,更高效的车载充电器铺平了道路。

对于单片集成,研究团队利用沉积技术使硅基氮化镓(GaN-on-Si)电子器具有独特的横向材料性质,即电流平行于芯片表面流动,所有连接都位于芯片顶部并通过导体路径连接。GaN组件的这种横向结构有利于在单个芯片上单个集成若干组件,如晶体管、驱动器、二极管和传感器等。与碳化硅等其他宽禁带半导体材料相比,氮化镓具有大的市场优势: 氮化镓可低成本、大面积的硅衬底上实现沉积,更适合于大规模的工业生产。

Fraunhofer IAF多年来一直致力于电力电子单片集成的研究。这项研究工作需要利用第三代半导体材料氮化镓(GaN)将功率器件、控制电路、传感器等器件集成到同一个半导体芯片上。2014年,Fraunhofer IAF在600V级功率晶体管上集成了本征续流二极管和栅极驱动器。 2017年,氮化镓半桥单片集成电路首次实现在400V下工作。

在最新研究成果中,首次将电流和温度传感器以及600 V级功率晶体管,续流二极管和栅极驱动器集成到单片氮化镓功率集成电路芯片上。作为GaNIAL项目(基于氮化镓的集成和高效电力电子)的一部分,研究人员对氮化镓功率集成电路进行了功能验证,实现了电力电子集成密度的突破。与传统的电压转换器相比,新电路不仅可以实现更高的开关频率和更高的功率密度,还可以在芯片内部进行快速准确的状态监测。

12   2019-05-08 16:30:19.247 硅光子收发器2024年产业规模约41.4亿美元 (点击量:1)

积体光学(PIC)收发器的市场将从2018年的约40亿美元成长到2024年的约190亿美元,数量从约3000万台增加到约1.6亿台。 根据产业研究机构Yole Développement(Yole)的研究指出,对PIC的最大批量需求是数据和电信网络中的数据中心互连(或DCI),新的应用将出现,如5G无线技术、汽车或医疗传感器。 如Google、苹果、Facebook、亚马逊和微软等大型网络公司如今已成为部署硅光子技术的推动力。

PIC由许多不同的材料构建,在特制的制造平台上,包括硅(Si)、磷化铟(InP)、二氧化硅(SiO2)、铌酸锂(LiNbO3)、氮化硅(SiN)、聚合物或玻璃。 PIC旨在将半导体,特别是晶圆级制造的优势带入光子学。 与传统光学组件相比,PIC的优势包括更小的光子芯片、更高的数据速率、更低的功耗、更低的每位数据成本和更好的可靠性。 PIC正在逐步取代垂直共振腔面射雷射(VCSEL),以增加Datacom网络中的带宽和距离。 PIC用于连续或非连续模式的高数据速率收发器(100G及以上)。 将来,当需要紧密整合电子和光子学时,将需要PIC。

硅光子的年复合平均成长率最高为44%,市场规模将从2018年的约4.55亿美元成长到相当于130万套,到2024年达到约40亿美元,相当于2350万套。 从地铁到长途/海底的DCI是最大的市场,连贯的电信和传感器只是一小部分。 5G即将到来,未来也可能涉及大量产品。 硅光子市场目前只涉及一些参与者:Luxtera/Cisco、Intel、Acacia和InPhi。 英特尔于2016年推出支持100G通讯的硅光子QSFP收发器。 该公司每年出货100万套产品于数据中心,英特尔的400G产品预计将在2019年下半年投入量产。

英特尔已成为硅光子的光学收发器第二大供货商,该公司的收发器包含两个独立的模块,该发送器通过在倒装芯片配置中的主硅芯片上进行键合,整合了多个InP雷射和CMOS芯片。 在主芯片上,Mach-Zehnder调制器对讯号进行编码,其他组件聚焦或隔离信号。 使用来自MACOM的四信道25G光CDR组件处理数据。 接收器功能由四个锗光电二极管管芯和TIA电路执行。

13   2019-05-12 10:10:21.853 Synopsys和Arm将合作扩展到Fusion Compiler,以加速Arm的下一代客户端和基础架构核心的实施 (点击量:0)

亮点:

通过使用Synopsys Fusion设计平台和采用Arm最新Cortex-A76和Neoverse N1处理器使SoC流片成功,这表明了协作优势。

Synopsys的快速启动实现工具包(Qiks)正在得到增强,可以使用Fusion Compiler为关键核心提供最佳的功率、性能和区域(PPA),包括下一代Arm处理器。

Synopsys公司(纳斯达克股票代码:SNPS)宣布,Synopsys和Arm已扩大合作,提供支持Synopsys Fusion Compiler™解决方案的快速启动实现工具包(Qiks),这是业界唯一的完全集成的RTL-to-GDSII实施系统。Fusion Compiler旨在为基于Arm®的处理器提供最快的结果时间(TTR)并提高功率性能和区域(PPA)、加速实施以实现客户的高度差异化产品,包含Arm的新产品和未来的核心架构。

这项最新工作建立在之前的合作基础之上,这些合作可让Synopsys进一步优化其基于Arm的SoC工具设计流程,从而让设计人员满足其功率、性能和区(PPA)目标,其中包含Arm的Cortex®-A76和Neoverse™N1处理器。

Fusion Compiler是Synopsys融合设计平台的最新产品,其独特的架构使设计团队能够以融合的方式实现最佳PPA,以确保最快和最可预测的TTR。Fusion Compiler部署单一,高度可扩展的数据模型并本地集成利用业界黄金签收分析工具技术的分析主干,确保在整个RTL-to-GDSII设计流程中高效,有效地优化关键PPA指标。 Fusion Compiler通过高度杠杆化和融合的优化框架实现同类最佳PPA,从而实现完全统一的物理综合和优化方法,行业领先的Synopsys技术可在整个流程中的任何位置进行部署,以实现最佳效果和最佳效果整体趋同。与使用前端和后端工具的经典组合相比,这种突破性的方法可使结果的时序质量(QoR)提高20%,总功率提高10-15%,面积提高5%。

Synopsys设计集团联合总经理Deirdre Hanford表示:“Fusion Compiler是Fusion设计平台不可或缺的一部分,提供高度差异化的解决方案,以实现Arm下一代内核所针对的应用所需的最佳PPA。”

14   2019-05-04 19:56:43.63 WiBotic和GaN Systems合作为无人机和自动机器人提供高功率无线充电 (点击量:0)

加拿大的GaN Systems公司与美国的WiBotic公司合作为快速发展的机器人生态系统提供现成的高功率无线充电,包括无人机和机器人所需的功率水平和增加天线范围。

该合作伙伴旨在提升移动工业机器人的能力,使他们摆脱限制性充电方法所带来的不便,从而实现持续运营。公司指出,需要通过无线充电站来使移动机器人更高效、灵活且不间断地工作,而不是要求操作员建立的物理连接。

GaN功率半导体通过在高开关频率下工作满足这些条件,提供高功率能力以及无需人为干预的充电系统设计所需的空间自由度(大气隙),从而实现所需的自主无线充电。

WiBotic的全自动智能无线电源系统包括采用GaN Systems技术的组件,效率极高。该系统可实现:

1. 数百瓦甚至更高的快速充电;

2. 多个地点自动充电,每天多次,无需花时间对接;

3. 更长的机器人正常运行时间(因此需要更少的机器人来完成相同的工作量);

4. 没有电线和活动部件(因此系统可以提供的充电次数没有限制)。

WiBotic首席执行官兼联合创始人Ben Waters说:“我们之所以选择GaN Systems作为战略合作伙伴,是因为其独特的GaN技术。通过合作可以研发新的无线电源解决方案,可在应用中提供更高的功率输出。”

首席执行官Jim Witham表示:“高功率工作的GaN功率半导体正在实现无线充电优势,从更高的功率容量到多个行业所需的大量空间自由度。”

15   2019-05-04 19:55:47.033 分布式反馈光栅用于氮化铟镓激光二极管 (点击量:1)

沙特阿拉伯国王阿卜杜拉科技大学(KAUST)声称在工作中实现了迄今为止铟氮化镓(InGaN)分布式反馈(DFB)激光二极管(LD)的最高侧模抑制比(SMSR),这个值为36.9dB。研究人员评论说:“这样可以在各种应用中实现窄线绿色激光二极管,例如原子冷却、光谱学、光学通信。”

窄线发射通常需要外部复杂和庞大的滤波技术,以减少相对于主峰的侧模的存在。一种替代方案是将DFB光栅单片集成到激光二极管的结构中,这种方法在用于红外化合物半导体系统中构造的激光二极管中已经很常见。此外,DFB已应用于蓝色和紫外线InGaN器件,但具有较低的SMSR值。

KAUST研究人员使用了Osram PLP520激光二极管,用聚焦离子束曝光将DFB光栅蚀刻到器件表面中以产生凹槽。假设激光二极管材料中的有效折射率为2.5,光栅周期为4.12μm,目标是输出波长为515nm。 绿色激光二极管的法布里-珀罗(FP)腔长度为905μm,脊宽为4μm。生产了两个装置(A和B),第一个器件A使用DFB,它分为三个阶段(DFB + 1- + 3),部分由22个沟槽/半导体对组成。SMSR随着DFB的延长而增加。在300mA(8.28kA / cm2)连续波电流注入和温度保持在20°C时,没有DFB的原始设备的SMSR为0.2dB,而当DFB建立到第三+3阶段时,SMSR增加先后步进:0.34dB,1.45dB和2.23dB。

研究人员认为改进可能来自制造参数的优化,例如脊宽和长度,光栅顺序和占空比,蚀刻深度和钝化。

16   2019-05-04 19:54:40.92 Moortec为Arm的Neoverse N1系统开发平台提供嵌入式监控解决方案 (点击量:0)

Moortec宣布将其TSMC 7nm FinFET制程上的芯片内监控解决方案提供给新的Arm®(安谋)Neoverse™ N1系统开发平台(SDP)。

作为市场领导者的Moortec乐意将其工艺、电压和温度(PVT)传感子系统技术集成和利用到该平台,从而实现由Arm Neoverse解决方案提供动力支持的新一代云端到边缘基础架构。Neoverse N1 SDP是业界首个7nm基础架构专用系统开发平台,可以通过CCIX互连架构实现非对称计算加速。Moortec和Arm之间的合作创造了一个能够动态感知芯片内状况的解决方案,如此可帮助减少功耗,最大程度优化系统速度并提高设备可靠性。Neoverse N1 SDP能够被硬件和软件开发商用来进行硬件原型设计、软件开发、系统验证、性能分析/调整。

Arm基础设施业务营销副总裁Mohamed Awad表示:“Arm Neoverse解决方案旨在为世界提供云端到边缘基础设施所需的性能和效率。我们与Moortec在N1 SDP测试芯片上的合作展示了IP在Neoverse平台中的应用,加速了基础设施中基于Arm的解决方案的开发和采用。”

Moortec首席执行官Stephen Crosher说:“我们正在合作提高Arm在7nm上的下一代计算技术的性能和效率。通过将我们的高精度嵌入式传感结构用于Neoverse N1 SDP的开发,我们使客户能够从机器学习,人工智能和数据分析应用将拥有更高的性能和可靠性。”

关于Moortec

Moortec于2005年成立,能够为监控提供引人注目的嵌入式子系统IP解决方案,主要是针对40纳米直至7纳米的高级节点CMOS(互补金属氧化物半导体)技术。Moortec的芯片内传感解决方案支持满足半导体设计领域对提升设备可靠性,以及加强性能优化与改进电源管理控制系统的需求。

17   2019-05-04 19:52:56.383 金刚石衬底增强了热管理能力从而提高了氮化镓晶体管的功率 (点击量:0)

美国海军研究实验室(NRL)的一组研究人员声称记录了氮化铝镓(AlGaN)阻挡高电子迁移率晶体管(HEMT)的直流功率密度。通过用金刚石替换硅衬底,在金刚石上生长III族氮化物器件层来增强热管理,从而提高氮化镓晶体管的功率。

在以前的工作基础上,NRL领导的团队倒转了GaN / Si衬底并去除了硅衬底。蚀刻暴露的N极III-N成核层留下约700nm的GaN缓冲层。在Element Six Technologies(E6,De Beers Group的一部分)的厚多晶金刚石层的化学气相沉积(CVD)之前施加30nm氮化硅(SiN)阻挡层。

E6专注于人造金刚石和碳化钨的生长过程。除热管理外,这些“超级材料”的应用还包括石油和天然气开采、汽车、航空零件、采矿、建筑、消费电子、光学、机械系统磨损等领域。

NRL器件结构采用20nm Al0.2Ga0.8N阻挡层,台面等离子体蚀刻,钛/铝/镍/金欧姆源极-漏极接触沉积和退火,镍/金肖特基栅极沉积,钛/金接触垫覆盖层完成和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅钝化。在用金刚石替换硅衬底之前和之后进行器件制造。优化氮化硅钝化以避免在脉冲操作下的电流崩塌。

基于金刚石的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNDi-2)实现了低至2.95°C-mm / W的热阻。早期版本的GanDi-1工艺的器件具有3.91°C-mm / W的热阻。相比之下,GaNDi-2样品实现了“尖锐的GaN-金刚石界面和更低的热阻”,原始硅衬底(GaNSi-1和2)上的GaN HEMT的热阻显着更高。

18   2019-05-04 19:51:55.887 氮化镓发光二极管用镓掺杂氧化锌透明导体 (点击量:1)

韩国光州科学技术研究所使用镓掺杂氧化锌(ZnO)透明导电层(TCL)来提高氮化铟镓(InGaN)发光二极管(LED)的性能。研究人员发现,与使用氧化铟锡(ITO)作为TCL的器件相比,ZnO TCL减少了InGaN发光材料中的应变,增加了光输出功率并降低了正向电压。

ZnO在制造成本方面优于ITO,因为铟是一种昂贵的稀有元素,并且ITO还具有热不稳定性,在结温较高的高功率LED中尤为重要。

拉曼光谱表明,越厚的ZnO层使有源层的压缩应变松弛。对于0nm的ZnO层(具有180nm ITO TCL的LED A),180nm(B)和500nm(C),来自拉曼位移测量的双轴应变的估计值分别为-6.76%、-5.67%、-4.57%。放松压缩应变使发光的辐射波长峰在光致发光(PL)实验中从464.1nm下降到456.9nm。与此同时,估计的内部量子效率(IQE)增加了16.5%。

在电偏压下,LED的峰值波长在100mA注入时会聚到445nm和454nm之间。在10mA注入时,LED A的峰值为460.3nm,LED C的峰值为455.7nm。 LED A与10mA注入的蓝移6.13nm的会聚是由于注入载流子屏蔽压电场并填充导带。 LED B和C分别记录了1.99nm和1.93nm的较小偏移。 B和C的较小偏移反映了由于较小的应变而减小的压电场。

与LED A的性能相比,LED B和C的100mA光输出功率分别增加了26.9%和30.9%这种改进归因于由于应变减少而导致的辐射复合增加,以及与ITO相比,ZnO的较高折射率的光提取增强。

研究人员评论说:“与ITO相比,ZnO具有透射率更高,电阻率更低,温度稳定性更好,成本更低,无毒性的优点”

19   2019-05-03 10:43:38.64 深圳先进电子材料国际创新研究院正式落户宝安 (点击量:1)

近日,在第一届粤港澳大湾区先进电子材料高峰论坛上,宝安区与中国科学院深圳先进技术研究院正式签署了共建深圳先进电子材料国际创新研究院合作协议。

国家新材料战略咨询委员会专家组组长干勇、国家科学技术部高新技术发展及产业化司副司长曹国英、中国科学院深圳先进技术研究院院长樊建平、宝安区人民政府区长郭子平、深圳市科技创新委员会副主任钟海、宝安区人民政府副区长高志远等领导共同见证了签约仪式。

郭子平在致辞中表示,中科院深圳先进院作为深圳的科技“国家队”,致力于建设国际一流的工业研究院,获得了诸多骄人成绩,成为引领深圳自主创新最为知名的新型研发机构之一。宝安作为全市的产业大区、工业强区,一直致力于电子信息技术、先进制造的发展(全区电子信息业产值3356亿元,占高新技术产业66.1%;3941家国高企业中,电子信息类企业占54.6%;37家上市公司有25家的主要产品与电子信息产业相关)。在今年公布的“中国创新百强区”排行榜中,宝安区位列第二。她指出,先进院的入驻将进一步提升宝安的源头创新能力和综合创新实力。她表示,宝安将以此次揭牌和签约为契机,继续全力支持、全情投入,争取早见成效,一是创新合作模式,按照市财政扶持资金等额配套资助,并给予科技成果转化配套支持; 二是加快研发空间供给速度,由我区国企统租福永龙王庙工业区,腾出空间用于先进院入驻,争取上半年入驻;三是人才配套支持,在生活补贴、住房安居、医疗保健等方面给予人才政策配套。

据悉,深圳先进电子材料国际创新研究院是经市政府常务会议审定同意、中国科学院深圳先进技术研究院承担建设的深圳市十大基础创新平台之一,与宝安区的产业结合度非常紧密。作为首家落户宝安的应用型基础研究机构,通过重点针对宝安企业的人才培养、检验检测设备共享、科技成果转化等精细化服务,深圳先进电子材料国际创新研究院不仅填补了宝安作为中国电子信息产业大区至今没有高端源头创新资源的短板,也将为宝安在以5G为核心的电子信息领域技术创新和产业集聚方面做出重大贡献。先进院项目的落户将有力推动宝安基础研究水平的提升,并最大化放大宝安电子信息产业的核心优势,为宝安的科技产业发展和全球顶尖人才集聚提供最佳的产学研一体化的桥梁,为深圳电子信息产业高质量发展提供重要支撑,为深圳市建设粤港澳大湾区国际科技产业创新中心贡献宝安力量。

近年来,宝安区委区政府勾画“湾区核心、智创高地、共享家园”发展蓝图,以电子信息技术为核心,以先进制造业为基石,并以全国第二、全省第一的国家级高新技术企业群体为向心力,逐步形成了科技创新的独特优势。

2018年,宝安区高新技术产业增加值1092亿元,增长8.3%,占GDP的比重接近1/3,电子信息技术和先进制造业两大行业领域的产值比重接近全部高新技术产值的90%。全区创新氛围浓厚,拥有国家级企业技术中心3个(欣旺达、银宝山新、航盛电子)、院士工作站10个、博士后工作站34个,产值5亿元以上工业企业研发机构实现全覆盖。2018年向300个人才团队、9100名各级各类人才发放人才专项补贴4.96亿元。专利授权量32000件,增长61.3%,居全市第二名。