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2019年第13期(发布时间: Jul 13, 2019 发布者:沈湘)  下载: 2019年第13期.doc       全选  导出
1   2019-07-12 23:28:38.837 全球芯片销售额5月同比下降近15% 在华下降9.8% (点击量:10)

新加坡《联合早报》7月2日报道,据美国半导体行业协会官网7月2日发布的数据,5月全球半导体销售额为331亿美元(1美元约合6.9元人民币),比去年同期减少14.6%,比今年4月增长1.9%。

报道称,与去年同期相比,所有区域市场的销售均下降,其中欧洲下降9.0%,中国下降9.8%,亚太其他地区下降12.6%,日本下降13.6%。美洲下降最多,达到27.9%。

美国半导体行业协会总裁兼首席执行官约翰·诺伊弗表示:“全球半导体销售额今年5月没有达到去年同月的销售额,这是连续第五个月出现同比负增长。”

报道介绍,美国半导体行业协会是美国半导体行业主流机构之一,该协会成员的销售额占美国半导体行业所有销售额的90%以上,著名芯片制造商英特尔公司、博通公司、美光科技等都是该协会成员。

2   2019-07-13 00:53:02.713 反击日本制裁 韩国投万亿研发自主半导体供应链 (点击量:1)

由于二战劳工赔偿问题上没能达成一致,日本政府突然宣布将对韩国执行经济制裁,限制日本半导体材料、OLED显示面板材料的对韩出口,7月4日起正式施行。

日本限制出口韩国的材料主要有三大品类,分别是电视和手机OLED面板上使用的氟聚酰亚胺(Fluorine Polyimide)、半导体制造中的核心材料光刻胶和高纯度氟化氢(Eatching Gas)。

日本之所以能够对韩国实施制裁,很大程度上是因为掌握了全球过半份额的半导体材料市场,其中氟聚酰亚胺、氟化氢材料市场近乎垄断,分别占全球份额的90%、70%之多,不仅韩国依赖日本供应,美国、中国、欧盟的半导体厂商也要看日本脸色。

半导体及显示面板是韩国的支柱产业,日本此举势必会在短时间内影响韩国公司的生产运营,此前有分析称SK海力士的库存不足三个月,日韩双方没有解决纠结的话将会影响韩国半导体、面板产业,进而会对全球的内存、闪存、面板带来涨价风险。

不过,正如美国封杀中国公司会刺激中国掌握核心技术一样,日本此举也严重刺激了韩国发展国产半导体供应链的决心。媒体报道称,韩国国会与政府进行了讨论,为了应对日本对半导体材料的管制,韩国将投资1万亿韩元(约合59亿人民币)推动韩国国产半导体供应链的发展,涉及半导体装备、零件及材料等多个行业。 此外,以日本制裁为契机,韩国还会在本月内宣布新的半导体产业强化策略,提高竞争力,加快国产装备及材料的研发速度。

3   2019-07-12 17:14:13.36 ASML开发新一代 EUV产品High-NA 预计2025年量产 (点击量:1)

当前半导体制程微缩已经来到10纳米节点以下,EUV极紫外光光刻技术已成为不可或缺的设备,包括现在的7纳米制程,以及未来5纳米、3纳米甚至2纳米制程都将采用该技术。

藉由EUV设备导入,不仅可以加快生产效率、提升良率,还能降低成本,除了晶圆代工业者积极导入,连DRAM存储器生产厂商也考虑引进。

为了因应制程微缩的市场需求,全球主要生产EUV设备的厂商ASML正积极开发下一代EUV设备,就是High-NA(高数值孔径)EUV产品,预计几年内就能正式量产。

根据韩国媒体《ETNews》报导,High-NA的EUV设备与目前EUV设备的最大不同点,在于使用EUV曝光时,透过提升透镜解析度,使解析度(resolution)和微影叠对(overlay)能力比现行EUV系统提升70%,达到业界对几何式芯片微缩(geometric chip scaling)的要求。

ASML利用德国蔡司半导体业务部门的技术提升透镜解析度,就为了此目的,ASML于2016年正式收购了德国蔡司半导体业务部门24.9%股权。

针对下一代High-NA的EUV产品,ASML之前也已从3个主要客户取得4台订单,并售出8台High-NA EUV产品的优先购买权。这些订单中,晶圆代工龙头台积电也是其中之一。

事实上,2018年时,台积电就宣布增加3亿美元资本支出,为下一代EUV设备的预付款,也就是已预购新一代High-NA的EUV设备。针对新一代High-NA EUV设备,ASML预计2025年正式量产。

4   2019-07-12 23:12:31.493 5G推升需求,GaAs射频器件2020年总营收将达64.92亿美元 (点击量:2)

根据集邦咨询旗下拓墣产业研究院报告指出,由于现行射频前端器件制造商因手机通讯器件的功能需求,逐渐以GaAs晶圆作为器件的制造材料,加上随着5G建设逐步展开,射频器件使用量较4G时代倍增,预料将带动GaAs射频器件市场于2020年起进入新一波成长期。

拓墣产业研究院指出,由于射频前端器件特性,包含耐高电压、耐高温与高频使用等,在4G与5G时代有高度需求,传统如HBT和CMOS的Si器件已无法满足,厂商便逐渐将目光转移至GaAs化合物半导体。而GaAs化合物半导体凭借本身电子迁移率较Si器件快速,且具有抗干扰、低噪声与耐高电压等特性,因此特别适合应用于无线通讯中的高频传输领域。

由于4G时代的手机通讯频率使用范围已进展至1.8~2.7GHz,传统3G的Si射频前端器件已不够使用,加上5G通市场正步入高速成长期,其使用频段也将更广泛(包含3~5GHz、20~30GHz),因此无论是4G或5G通讯应用,现行射频器件都将逐渐被GaAs取代。

若以目前市场发展来看,2018年下半年受到手机销量下滑、中美贸易战影响,冲击GaAs通讯器件IDM厂营收表现,预估2019年IDM厂总营收将下滑至58.35亿美元,年减8.9%。

然而,随着5G通讯持续发展,射频前端器件使用数量将明显提升,如功率放大器(PA)使用量,由3G时代的2颗、4G的5-7颗,提升至5G时代的16颗,将带动2020年整体营收成长,预估GaAs射频前端器件总营收将达64.92亿美元,年增11.3%。

整体而言,随着各国持续投入建设5G基站等基础设施,预估在2021、2022年将达到高峰,加上射频前端器件使用数量较4G时代翻倍,将可望带动IDM大厂Skyworks(思佳讯)、Qorvo(威讯)新一波营收成长动能,而台厂射频代工制造业稳懋、宏捷科及环宇等,也将随着IDM厂扩产而取得订单,逐渐摆脱营收衰退的阴霾。

5   2019-07-12 23:16:00.143 立昂微子公司成功拉制出第一根量产型 集成电路用12英寸硅单晶棒 (点击量:2)

近日,杭州立昂微电子股份有限公司再传佳报,浙江省第一根拥有完全自主知识产权的量产型集成电路用12英寸硅单晶棒在衢州拉制成功。7月2日上午,在立昂微子公司金瑞泓微电子(衢州)有限公司宽阔明亮的现代化标准单晶厂房内,一根长1.5米、两头呈锥形,重达270公斤,通体如乌金般发亮的12英寸半导体级硅单晶棒在经过100多个小时的连续超高温融化生长后顺利出炉,这标志着立昂微半导体硅材料业务板块的12英寸大硅片产业化布局取得了初步成效,在最核心最关键的拉晶环节取得了重大技术突破。可以说,立昂微在半导体硅材料领域即将迎来一次质的飞跃,12英寸硅片产业化进程跨上一个新的台阶。

硅单晶棒是生产硅片的关键性步骤,拉晶过程是硅片制造的重中之重,核心技术中的核心,对工艺、材料和设备的要求极高,之后再经切割、研磨、清洗、抛光以及外延等数十道工序制备成硅抛光片或硅外延片,然后成为芯片的“地基“。硅片直径越大对材料和技术的要求越高,制造难度也越大。长期以来,12英寸半导体硅片由日本、德国、韩国等国家的公司占据全球97%以上的市场份额。目前为止,我国集成电路用12英寸硅片正片几乎全部依赖进口。

据了解,立昂微是我国少有的具有硅单晶锭、硅研磨片、硅抛光片、硅外延片及芯片制造的完整产业链的集成电路企业,涉及半导体硅材料、半导体功率器件、集成电路制造三大业务板块,其中半导体硅材料作为立昂微最核心的业务板块之一,早在2016年底就在浙江衢州投资建设了除宁波以外的第二个半导体硅片生产基地,先后成立了金瑞泓科技(衢州)有限公司和金瑞泓微电子(衢州)有限公司。该基地经过近一年的建设,8英寸硅外延生产线在2018年4月建成投产并实现批量销售,8英寸的单晶、切、磨、抛厂房也将在2019年三季度建成投产,届时将全线拉通8英寸硅单晶、硅抛光片、硅外延片生产线。而今,随着12英寸半导体级硅单晶的技术突破,将有效带动立昂微向高端产品发展,逐渐提升在半导体硅材料上的竞争新优势,也将形成良好的产业生态,推动行业不断进步,共同推进我国集成电路产业国产化加快发展。

6   2019-07-12 17:06:05.157 中国突破了NAND和DRAM存储芯片技术 (点击量:3)

在早前长江存储宣布它已研发出64层NAND flash芯片之后,近日合肥长鑫也宣布已解决DRAM芯片的技术难题并已进入小规模生产,这意味着困扰中国制造业的 芯片产业 取得了重大突破,这为中国制造业的转型升级提供有力的支持。

中国 存储芯片 逐渐起步

早几年前的统计数据显示,中国进口芯片的金额超过了石油,而芯片被喻为“工业粮食”,是制造业的核心技术,这对于贵为全球最大制造国的中国来说,芯片产业的重要性不言而喻,因此在2014年中国成立了 集成电路产业基金,以推动 国产芯片产业的发展。

在华为海思、紫光展锐、瑞芯微等芯片企业的努力下,中国在移动芯片市场已占有一席之地,甚至华为海思和紫光展锐已成为全球六大 手机芯片 企业,不过早两年国产芯片在存储芯片行业几乎为零,存储芯片主要由三星、SK海力士、东芝、镁光等把持。

面对国外企业在存储芯片行业所拥有的垄断优势,中国开始在存储芯片行业投入巨资,其时中国有长江存储、合肥长鑫、福建晋华等三家存储芯片企业介入这个行业,经过数年的发展,它们在前年开始逐渐取得一些成绩。

面对中国存储芯片产业逐渐见到起色,国外存储芯片企业相当担忧,其中镁光率先发难,导致福建晋华遭遇了一些困难;今年华为又受美国因素的影响导致在芯片供应方面遇到阻碍,其中镁光已暂停向华为供应存储芯片。这都让中国认识到存储芯片产业的重要性,更激发了中国发展自己的存储芯片产业的决心。

长江存储在去年投产32层的NAND flash存储芯片,不过由于当前主流的3D NAND flash技术为64层技术,长江存储的NAND flash在技术和成本上都不占优势,因此它并没进行大规模投产,到今年其成功研发出64层NAND flash技术,跟上了市场的主流技术,预计在明年开始大规模投产。

合肥长鑫吸取了福建晋华的教训,其技术来源于已破产的德国芯片制造商英飞凌旗下公司Qimonda,此举让它避免了福建晋华的遭遇,而且其芯片制造工艺接近国外DRAM芯片企业的技术水平,其当下试产的DRAM采用了19nm工艺,这是全球第四家采用20nm以下工艺的DRAM芯片企业,它预计到2021年将采用17nm工艺生产DRAM,到时候将赶上三星、SK海力士等主流DRAM芯片企业。

中国可望逐渐降低对外国存储芯片的依赖

当下长江存储已在推进64层NAND flash的生产,合肥长鑫也在为DRAM的大规模生产做准备,回顾中国在液晶面板行业花了近十年时间才赶上国外液晶面板行业的技术水平,中国的存储芯片产业刚开始投产就已接近国外同行的水平,可见国产存储芯片产业的起点是相当高的。

中国是全球最大制造国,2018年中国采购的存储芯片占全球的比例超过两成,这庞大的市场将有助于推动国产存储芯片产业的发展,而在当前面临众所周知的美国因素影响下,中国或许将加大对存储芯片行业的支持力度,加快存储芯片产业的发展,尽早降低对国外存储芯片的依赖。

对于中国的企业来说,华为、中兴的遭遇也将刺激它们加大对芯片行业的支持力度,格力已宣布将投资500亿发展空调芯片,华为在手机芯片上已取得巨大的成就,业界甚至推测华为或会对长江存储、合肥长鑫等存储芯片企业提供支持。在面板行业,华为已与京东方达成合作,去年的mate20 Pro部分采用了京东方的OLED面板,今年的P30 Pro全数采用京东方的OLED面板,目前颇受关注的华为折叠手机mateX也是它们共同合作的成果,如此也就难怪业界推测华为可能支援国内存储芯片产业的发展了。

中国制造业拥有成本优势,这种成本优势也将在存储芯片行业有所体现,也正是这种成本优势让美日韩担忧随着中国存储芯片企业进入该行业,目前正处于价格下跌周期的存储芯片可能将因此进一步下跌,这对于中国制造业来说或许是利好消息,这将有助于在全球采购大量存储芯片的中国制造业进一步降低成本提升竞争力。

众志成城之下,国产存储芯片的发展或许将会加速,国产存储芯片企业将逐渐崛起。

7   2019-07-04 23:37:14.34 SK海力士宣布:全球首款128层4D NAND下半年开卖 (点击量:2)

SK海力士于26日宣布,将量产全球首款128层的1Tb(Terabit) TLC 4D NAND闪存,并计划下半年开始销售。

这是SK海力士去年10月发表96层4D NAND后,时隔8个月再次发表新产品。据韩媒《朝鲜日报》报导,SK海力士为使用TLC设计(每个Cell单元上安装3bit)开发新产品,应用垂直蚀刻、多层薄膜颗粒形成、低电力回路设计等技术,制造出堆栈3600亿以上NAND颗粒、128层的1Tb产品,不仅达到业界最高堆栈数,也超越三星电子量产的90层NAND。

虽然先前已有96层QLC 1Tb规格的产品,但TLC的性能、处理速度皆优于QLC,在NAND市场中,TLC产品市占率更达85%。因此SK海力士首次以TLC技术开发出高容量NAND,备受外界关注。

特别的是,虽然该产品将原本96层NAND产品增加32层,制程手续却减少5%,加上128层4D NAND的每硅片位元生产率比96层4D NAND高4成,即使不使用PUC技术(外围电路),128层4D NAND的位元生产率仍然能提高15%以上。SK海力士对此说明,通过此方式能节省转换新制程的花费,和上一代转换投资费用相比,约能减少6成。《朝鲜日报》指出,这是SK海力士活用去年10月开发的4D NAND工艺平台,并优化制程的成果。

SK海力士计划下半年开始销售128层4D NAND闪存。SK海力士相关人士表示,该产品即使在低电压(1.2V)环境,也能达到1400Mbps数据传输速度,适合应用在高性能、低耗电的移动解决方案,以及企业用SSD(固态硬盘)中。

8   2019-07-12 17:07:53.657 三星高等技术研究院展示世界级设备的AI数据压缩算法 加强其系统半导体竞争力 (点击量:2)

据BusinessKorea报道,三星电子推出了一项新技术,可以大大提高神经处理单元(NPU)的性能,该公司的目标之一是到2030年成为全球系统半导体领域的第一名。

据介绍,新技术基于深度学习压缩关键数据,将人工智能(AI)的运行速度提高了大约8倍,同时大大降低了功耗。

三星电子于7月2日在全球最大的计算机视觉会议上宣布,在计算机视觉和模式识别(CVPR)方面,三星高等技术研究院最近展示了世界级设备的AI数据压缩算法。

该技术的关键是半导体识别特定情况下,在保持准确性的同时,将深度学习数据的大小减少八分之一。其目的是通过学习仅量化整个信息的重要范围,从而在提高操作速度的同时降低功耗。

该公司的实验结果表明,处理4位的32位深度学习算法时,通过选择核心数据,它可以获得与其他技术相比更高的精度。另外,当仅使用1/40至1/120的半导体晶体管时,它同样获得了相同的计算结果。

三星电子表示,“与通过云服务器执行复杂操作的普通AI设备不同,该技术允许在设备上执行数百或数千个操作。该技术的核心是高速计算大量数据并且没有消耗太多的能量。”

该公司强调,这种设备上的AI技术降低了构建云服务器的成本,同时通过自动驾驶和虚拟现实(VR)情况下的自我计算提供快速稳定的操作。该公司计划通过将设备上的AI算法应用于移动片上系统(SoC)(如Exynos系列以及存储器和传感器)来提高其竞争力。

与此同时,三星电子表示,它将把专业人员的规模增加10倍,达到2000人,并开展必要的并购,以开发将人类大脑类AI半导体NPU商业化的原创技术。

9   2019-07-12 17:19:27.093 欧洲蓝脑计划牵手东南大学,为探索脑和类脑智能提供基础 (点击量:0)

7月8日,欧洲蓝脑计划和东南大学在南京签署合作协议,这是欧洲蓝脑计划首次与中国学术机构签署大规模的关于神经元形态学研究和脑模拟方面的合作协议。

蓝脑计划项目主任Sean Hill先生认为双方的合作将进一步推动脑科学的发展,加强对脑基本单元神经元的研究。

两个学术机构均表示,希望通过此次的合作协议,建立一条高效、精确的神经元重建流水线,通过人机协智、机器视觉和虚拟现实,实现高通量大规模的脑神经元重建,为探索脑和类脑智能提供基础。

蓝脑计划于2005年由瑞士洛桑联邦理工学院脑与心理研究所创办,旨在研究生物学数据重建和哺乳动物大脑模拟,以此识别大脑结构和功能对身体健康的影响。

东南大学—艾伦脑科学研究所联合研究中心成立于2018年,结合美国艾伦脑科学研究所在全球处于领先地位的研究优势,在全脑神经元重建和建模等领域进行了开创性的研究。

10   2019-07-12 17:11:47.717 台积电打造40纳米无线系统SoC (点击量:0)

台积电、Ambiq Micro2日共同宣布,采用台积电40纳米超低功耗(40ULP)技术生产的Apollo3 Blue无线系统单芯片(SoC)缔造领先全球的最佳功耗表现。

台积电业务开发副总经理张晓强博士表示,很兴奋见证Ambiq设计技术、台积电制程专业所打造的成果。他强调,台积电凭借业界最具规模的设计生态系统,持续开发55ULP、40ULP到22ULL等的完备低操作电压制程组合,乐观未来协助客户生产智能化的互联设备,使产品能随时以简单、直观方式与使用者互动。

Ambiq Micro营销副总裁Aaron Grassian则说,采用台积电低操作电压制程技术来打造下一代具备SPOT能力的设备。Ambiq Micro持续提升产品能源效率,协助客户将真正智能化功能置入电池供电的移动设备。

台积电表示,借由Ambiq的亚阈值功率优化技术(Subthreshold Power Optimized Technology, SPOT)平台与台积电40ULP低操作电压(low-Vdd)制程,具备TurboSPOTTM技术的Apollo3 Blue树立起能源效率的新标准。

并说明,Apollo3 Blue将ARM Cortex M4F核心运算能力提升至96MHz,操作功耗降至6uA/MHz以下,可支持电池供电的设备产品。该芯片卓越性能让Ambiq业务延伸到电池供电的智能家庭设备,以及需随时保持开启的声控应用,如遥控器与耳戴设备等产品等崭新市场。

台积电指出,40ULP技术藉由低漏电晶体管来进行节能,其中包括闸极及接面在内的所有漏电路径皆经过仔细的优化。此外,台积电亦提供超低漏电晶体管(eHVT)及超低漏电(ULL)静态随机存取存储器的单位元,低操作电压解决方案结合数种不同临界电压晶体管与完备的设计基础架构,包括支援0.7伏操作电压并具备时序签核方法的标准元件库、支援低操作电压的优化设计流程、以及涵盖低操作电压且具有准确性与宽广范围的SPICE模型。

另外,继40ULP之后,台积电扩展低电压组合至22ULL以支持极低功耗应用,提供更佳的射频与加强的类比功能,以及低漏电eHVT装置与超低漏电静态随机存取存储器的单位元。台积电透露,此项技术支援低电压设计,将操作电压降至0.6伏,并且搭配芯片上的磁阻式随机存取存储器(MRAM)及电阻式随机存取存储器(RRAM)以实现低漏电嵌入式非挥发性存储器解决方案,支援物联网产品的应用。

11   2019-07-12 22:35:07.71 比利时微电子中心或9月落户无锡 (点击量:1)

近日,无锡市政府副市长王进健会见了来访的比利时微电子研究中心(IMEC)鲁迪·劳伦斯副总裁一行。

王进健表示,无锡高新区有较好的微电子产业基础,目前行业区域排名仅次于上海。大量的无锡集成电路企业普遍都有人才培养需求,希望IMEC与无锡市、无锡高新区加快成立IMEC中国学院,力争9月在无锡物博会上落地签约。

IMEC副总裁鲁迪·劳伦斯在交流中指出,IMEC经过这几年的大力发展,来自中国的业务持续增长,与华虹、华为等企业已有深度合作。

比利时微电子研究中心创办于1984年,总部位于比利时鲁汶,是在纳米电子和数字技术领域处于世界领先地位的研发和创新中心。研究方向主要聚焦于半导体制造工艺、集成电路设计、新材料与器件、微系统、太阳能电池、无线通信和生物电子等七大领域。

12   2019-07-08 22:02:31.307 帮助打造行业未来:通过2020年计划的申请,成为IPC新兴工程师或Mentor IPC (点击量:0)

IPC的新兴工程师计划为职业生涯早期的专业人士提供了向行业导师学习IPC标准发展的机会,并可获得专业的教育和培训。目前IPC正在积极鼓励行业人才申请成为2020新兴工程师计划的工程师和导师。

申请成为新兴工程师,要求专业人员必须在该行业工作不到5年或者是大学生。申请成为导师,要求必须在该行业工作至少7年,并在IPC委员会工作至少五年。

新兴工程师可获得:

专业发展的教育和指导

计划参与者及其公司的认可和行业意识

IPC APEX EXPO免费全程套餐注册,为期三年

免费注册IPC SummerCom,其中包括Panelpalooza

有限数量的大学生新兴工程师有资格获得旅行、房间和杂费的报销

导师可获得:

丰富职业生涯经验和拓宽关系

展示领导技能和技术专长的机会

计划参与者及其公司的认可

注册认可午餐会

IPC总裁兼首席执行官John Mitchell说:“IPC新兴工程师计划为新工程师提供了早期职业生涯的支持。它使行业专家有机会与下一代工程师分享他们的经验和专业知识。我们正在共同努力,使我们的行业更加强大。”

IPC现在正在接受2020年新兴工程师计划的申请,并且可以获得有限数量的大学学生职位。

13   2019-06-30 16:31:12.69 IPC赞扬美国环保署关于减少用于回收的副产品的提案并寻求最终TSCA CDR规则的说明 (点击量:1)

电子行业支持美国环保署对《有毒物质控制法》(TSCA)化学数据报告(CDR)要求的许多提议变更,并将继续与环保署合作,保护人类健康和环境,同时简化报告要求。

IPC在机构提交的评论中说,协会的长期目标是拟议中的TSCA CDR规则为印刷电路板制造商提供监管救济,并且随后在场外回收他们制造的副产品。考虑到IPC在CDR问题上与EPA的长期合作记录,IPC说:“我们希望看到我们的关注的问题得到更好的解决,改善CDR的前景为未来的救济提供了一个大纲,可以解决我们所关心的问题。”

例如,IPC支持更好地协调TSCA和毒物释放清单(TRI)计划下的报告要求。IPC还支持建议使用NAICS代码,以便进行行业特定的分析,从而提高一致性和可比性。

IPC还要求环境保护局说明如何使用这些数据,考虑到这些副产品都是在美国境内的工厂进行回收利用的,因为这些副产品通常在管道、罐和容器中进行管理,所以工人或公众很少或根本没有机会接触到它们;而且副产品中的任何化学物质都没有列入美国环保署2014年对TSCA化学品评估工作计划的更新中。

IPC EHS政策和研究主管KeIlly Scanlon说:“我们感谢环保署决定打消电子行业在拟议的CDR规则中的担忧,也感谢环保署愿意继续与我们交流,以便更好地将报告与环保署的其他项目协调起来,并将成员活动带来的环境和人类健康风险降到最低。”

14   2019-06-30 16:29:31.523 美国众议院批准了促进航空航天、国防、汽车、医疗领域无铅电子产品研发的法案 (点击量:0)

国际电子工业协会(IPC)赞赏美国众议院批准的一项法案,该法案将促进无铅电子产品在航空航天、国防、汽车和医疗设备等可靠性领域的研发。

众议院本周以327-101票通过了由Annie Kuster(D-NH)和Rep. Brad Schneider(D-IL)提出的《国防授权法案》(H.R.2740)修正案,以“增加和减少国防科研、开发、测试和评估账户500万美元,以支持开发无铅国防电子产品的资金,确保国防工业能够集成先进民用技术,满足军事需求”。“增加-减少”的说法是国会要求政府机构在现有预算范围内为特定的要求寻找资金。

由于航空航天、国防和高性能(ADHP)电子部门仍然依赖于铅基焊料和组件,因此IPC正在领导保护这些资金的宣传工作,即使商业部门由于人类健康和环境问题已经基本上逐步停止使用铅(PB)。ADHP产品比消费类电子产品有更高的性能要求,因为它们需要在恶劣的环境和安全相关的应用中完美地发挥作用。然而,到目前为止,在无铅产品的性能和互操作性方面还没有足够的研究和开发。尽管一些公司和大学继续在工作,但国防部在过去十年内的预算削减阻止了一个“无铅曼哈顿项目”的完成。

15   2019-06-30 16:28:16.38 2019年消费者和移动设备光传感器报告 (点击量:1)

光传感器市场是一个新的(飞行时间)传感器市场,日益流行的(心率)传感器为标准光传感器市场增加了健康收入。与MEMS话筒市场一样,光传感器市场也是传感器ASP因性能和包装而发生巨大变化的市场,这一事实已纳入报告的讨论中。光传感器报告和数据库在以下方面展示和讨论光传感器信息。

报告

各终端产品在移动和消费市场的传感器采用趋势。

概述顶级光传感器供应商(AMS、Heptagon、Avago、Vishay等)及其最大客户。

概述了最大的智能手机传感器买家、供应商和传感器采购。

数据库

传感器和最终产品分类的详细装运和收入。

智能手机OEM传感器的详细消耗量(单位/美元)。

传感器供应商单位和收入的详细市场份额数据。

由智能手机OEM进行详细的供应链分析。

一个传感器的ASP表。

16   2019-06-30 16:23:03.597 随着企业转向混合云和多云,SUSE为本机、集装箱化的云应用程序提供了平台 (点击量:1)

为了满足当前和未来的需求,企业正在改变他们的IT环境,随着SUSE Linux Enterprise 15 Service Pack 1的发布,SuSE®为不断增长的集装箱化工作奠定了基石。

作为DevOps方法的一部分,企业需要能够设计、部署和运行基于云的微服务应用程序。他们必须能够通过协调工具(如Kubernetes)交付现代集装箱化应用程序,这些工具支持从边缘到企业预置型到混合到多云环境的安全、敏捷的开发和部署。同时,传统系统被广泛用于承载任务关键的工作负载,如数据库和ERP系统。今天的企业拥有运行多模式工作负载的多模式IT基础设施,而SUSE Linux Enterprise是传统和云之间的桥梁——世界上第一个多模式操作系统,使企业能够不断创新、竞争和增长。

SUSE Linux Enterprise 15 SP1通过增强通用代码库、模块化和社区开发的核心原则,同时强化关键业务属性(如优化的工作负载、数据安全性和减少的停机时间)来改进多模式操作系统模型。亮点包括:

现在只需点击几下,就可实现从社区Linux到企业Linux的更快、更容易的转换,开发人员和操作人员就可以将OpenSUSE LEAP系统移动到SUSE Linux企业服务器。组织还受益于一个极为丰富的SUSE包中心,它正迅速成为社区使用企业平台构建一流应用程序的一个目标。这为社区OpenSUSELEAP开发的系统带来了企业对生产系统支持的好处。

在Service Pack 1中增强了对边缘到HPC工作负载的支持,用于ARM15中的SUSE Linux Enterprise Server使支持系统芯片(SoC)处理器选项的数量增加了一倍。这扩大了对64位ARM服务器和物联网(IOT)设备上存储和工业自动化应用程序的支持。对于64位Raspberry PI设备,它现在支持完整的HDMI音频和视频,并提供一个ISO映像,以便更快地安装。

通过在Intel Optane DC持久内存和第二代Intel Xeon可扩展处理器上运行SuSE Linux Enterprise Server的解决方案,能够优化工作负载并最大限度地减少数据延迟,企业也将更好地解决大规模数据增长带来的挑战,同时提高速度和灵活性,同时避免WER基础设施和管理成本。