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2019年第18期(发布时间: Oct 4, 2019 发布者:沈湘)  下载: 2019年第18期.doc       全选  导出
1   2019-10-03 23:59:21.757 博通集成张鹏飞:做芯片设计应制定长期计划 (点击量:3)

一直以来,我国国内集成电路行业的主要优势在于集成电路组装和封测,但是近几年,国内集成电路的产业结构在持续优化。在国内集成电路产业发展中,集成电路设计业成为国内集成电路产业中最具发展活力的领域,增长也最为迅速。

其中,于2004年成立的博通集成电路(上海)股份有限公司(下称博通集成),在今年4月正式在上海证券交易所上市。博通集成电路(上海)股份有限公司董事长张鹏飞在接受本刊采访时表示,集成电路设计公司在50岁之前能够做到上市的并不多,尤其是芯片设计公司与互联网公司差异巨大,没有办法做短期的计划,“我的意思是不能急功近利地做一锤子买卖,所以我们所有计划都是长期的。”张鹏飞这样说道。

博通集成深耕无线通讯领域,公司成立以来,开发出了全球第一颗全集成的5.8GHz无绳电话芯片,且2007年在交通部的号召下,投入国标ETC射频收发器的开发,历时三年完成第一颗ETC芯片的设计。一个个将技术积累转化为产业应用的成功案例,是博通集成深耕无线通讯领域所积累的技术经验,同样也是得益于公司强大的技术团队支持。

张鹏飞对本刊表示,当年做射频电路设计的时候,最初就是基于射频的技术和模拟研发的团队,使得博通集成有机会参与到竞争中。博通集成所有的产品围绕着实现高性能的无线通讯为核心,围绕此核心,建立应用领域的差异化是关键,比如“最简单的无线传输、数据传输一直到高保真,甚至是在更复杂的应用中保持差异化。”他还谈到,上市以后,博通集成获得了更加丰富的资源,推进设计研发的步伐也相应加快。

对于芯片设计公司来说,用户体验是关键,张鹏飞表示基于无线连接再建立人工智能平台,平台功能是赋能用户体验的关键,另外,与重要的第三方建立合作关系同样关键。张鹏飞透露,与日本老牌公司共同合作,基于其在声光电领域的丰富经验,经过云处理的手段,做到创新的同时还能实现终端设备的价格大幅降低,这样一来,用户体验直接上升一个档次。

张鹏飞同时指出,芯片为终端设备的创新起到了决定性的作用。博通集成专门打造了一款芯片和软件相互配合,经过长时间的软件算法与硬件升级,才得以达到差异化的特点,同时为顾客提供特别的价值。

在政策等多因素推动下,预计今明两年ETC渗透率将大幅提升,博通集成作为车载芯片龙头拥有绝对领先的份额。根据市场调研机构的预测,从2016年到2020年,交通行业至少每年保持20%的成长,到2020年整个交通产业规模会超过1200亿元。张鹏飞介绍道,全球各个国家都在积极推动高速公路收费技术的发展和应用,其中,我国高速公路收费启动时间是从上世纪90年代开始,经历了从人工发卡收费到无人职守到国标ETC不停车收费。

把收费作为交通信息化和智能化的切入点在整个交通路网的效率提升和交通路网的持续发展中,都具有非常重要的战略性意义。

博通集成是最早参与到国标ETC芯片设计的企业之一,第一款符合中国国标的ETC芯片就是由博通集成设计的,经过十几年大力投入和长期积累,博通集成形成了完整的ETC芯片产品平台,ETC设备中需要的所有功能博通集成都有芯片支持。

在智能交通领域,信息传送与定位也是博通集成关注的焦点。“实际上我们也正进行数据收集的工作,并且在定位领域做了大量的投入,”张鹏飞对本刊说,“博通集成侧重于国家标准上的智能交通,现在北斗定位芯片方面的研发,还存在着商业化的挑战。参与到北斗行业应用的产业环境,还缺乏足够浓度的商业氛围,较多的还是集中在政策驱动与军事应用。”他认为,商业化应用一方面是行业需求,另一方面对于企业来说也是一个好的行业机会。

除智能交通外,在物联网应用上,博通集成还聚焦智能家居应用。张鹏飞认为物联网归根到底都是在做同一件事,就是挖掘并跟踪数据,而博通集成要做传输数据的工作,最终连接成完整的网络。

随着5G技术的商用,张鹏飞认为在无线通信技术上,正是不同的技术标准构成了信息传输的完整回路。他这样说道,“深入研究标准后会发现,世界上没有一个完美的标准,任何一个标准都有自己适用的场景和领域。”

2   2019-10-03 23:55:54.493 台积电与ARM展示业界首款7纳米Arm核心CoWoS小芯片系统 (点击量:2)

高效能运算领域的领导厂商arm与晶圆代工龙头台积电26日共同宣布,发布业界首款采用台积电先进的CoWoS封装解决方案,内建arm多核心处理器,并获得硅晶验证的7纳米小芯片(Chiplet)系统。

台积电表示,此款概念性验证的小芯片系统成功地展现在7纳米FinFET制程及4GHz arm核心的支援下打造高效能运算的系统单芯片(System-on-Chip,SoC)之关键技术。同时也向系统单芯片设计人员演示运作时脉4GHz的芯片内建双向跨核心网状互连功能,及在台积电CoWoS中介层上的小芯片透过8Gb/s速度相互连结的设计方法。

台积电进一步指出,不同于整合系统的每一个元件放在单一裸晶上的传统系统单芯片,将大尺寸的多核心设计分散到较小的小芯片设计更能完善支持现今的高效能运算处理器。

此高效的设计方式可让各项功能分散到以不同制程技术生产的个别微小裸晶,提供了灵活性、更好的良率、及节省成本的优势。

小芯片必须能够透过密集、高速、高频宽的连结来进行彼此沟通,才能确保最佳的效能水准,为了克服这项挑战,此小芯片系统采用台积电所开发的Low-voltage-INPackage-INterCONnect(LIPINCONTM)独特技术,资料传输速率达8Gb/s/pin,并且拥有优异的功耗效益。

另外,此款小芯片系统建置在CoWoS中介层上由双个7纳米生产的小芯片组成,每一小芯片包含4个arm Cortex–A72处理器,以及一个芯片内建跨核心网状互连汇流排,小芯片内互连的功耗效益达0.56pJ/bit、频宽密度1.6Tb/s/mm2、0.3伏LIPINCON介面速度达8GT/s且频宽速率为320GB/s。此小芯片系统于2018年12月完成产品设计定案,并已于2019年4月成功生产。

arm资深副总裁暨基础设施事业部总经理Drew Henry表示,这次与我们长期伙伴台积电协作的最新概念性验证成果,结合了台积电创新的先进封装技术与arm架构卓越的灵活性及扩充性,为将来生产就绪的基础架构系统单芯片解决方案奠定了绝佳的基础。

台积电技术发展副总经理侯永清博士表示,此款展示芯片呈现出我们提供客户系统整合能力的绝佳表现,台积电的CoWoS先进封装技术及LIPINCON互连介面能协助客户将大尺寸的多核心设计分散到较小的小芯片组,以提供更优异的良率与经济效益。arm与台积电的本次合作更进一步释放客户在云端到边缘运算的基础架构应用上高效能系统单芯片设计的创新。

3   2019-10-03 23:20:37.4 台湾工研院携手群创涉足下世代IC封装产业链 (点击量:1)

据台湾媒体报道,台湾工研院与群创光电合作,将旗下现有的面板产线转型成为具竞争力的「面板级扇出型封装」应用,切入下世代晶片封装商机,解决半导体晶片前段制程持续微缩,后端装载晶片之印刷电路板配线水准尚在20微米上下的窘况,可提供2微米以下之高解析导线能力,生产效率高且善用现有产线制程设备。此相关技术在SEMICON Taiwan 2019中展出,为半导体封装产业提供良好的解决方案。

据悉,工研院以此技术与群创光电合作,将其现有的3.5代面板产线转作成面板级扇出型晶片封装应用,除了提升目前现有产线利用率,就资本支出来说更具备优势,未来可切入中高阶封装产品供应链,抢攻封装厂订单,以创新技术创造高价值。

4   2019-10-03 23:43:27.33 实现两项重大突破 集成电路产业迎来广阔发展空间 (点击量:2)

在9月20日-23日安徽合肥举行的2019世界制造业大会上,长鑫存储宣布DRAM生产线投产。这标志着我国在内存芯片领域取得重大突破。合肥将依托长鑫存储引进芯片设计、封装测试、装备材料、智能终端类项目,打造空港集成电路配套产业园。

多位与会专家表示,集成电路产业是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。随着5G、人工智能、物联网、大数据、云计算等领域技术逐步成熟,我国集成电路产业将迎来广阔发展空间。目前中国集成电路产业“三业”(封测、设计、制造)占比趋近合理,向3∶4∶3的黄金比例调整。预计未来三年我国集成电路市场仍将保持稳定增长。

重大突破

据报道,9月20日在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上,总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片(DRAM)自主制造项目宣布投产,其与国际主流DRAM产品同步的10nm级第一代8Gb DDR4首度亮相。就在9月2日,紫光集团旗下长江存储宣布已开始量产基于Xtacking架构的中国首款64层3D NAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。

DRAM即动态随机存储芯片,是一种主存储器(内存)。作为常见的系统内存,DRAM具有高容量、大带宽、低功耗、短延时、低成本等特点,广泛用于PC、手机、服务器等领域,是集成电路产业产值占比最大的单一芯片品类。而外储存器NAND Flash主要用于代码存储和数据存储等,广泛应用于消费电子、移动通信、网络通信、个人电脑、服务器等领域。

长江存储和长鑫存储的投产意义重大,有望打破存储器市场被海外厂商垄断的格局。DRAM exchange数据显示,2018年全球DRAM市场中,三星、SK海力士、美光市占率分别达到44%、29%、22%,三家公司合计全球市占率达95%;尽管全球NAND存储市场集中度低于DRAM市场,但仍然被龙头企业掌控。三星、东芝、美光、西部数据、SK海力士、英特尔的市占率分别为35%、19%、13%、15%、10%和7%,六家公司合计全球市占率达99%。

川财证券指出,2018年我国集成电路进口产品分类中,存储器仍然是第一大进口产品,占比为36%。当前我国集成电路市场仍然以进口为主,国产化率较低,尤其是DRAM、NAND存储器及电脑、服务器CPU等方面国产化率几乎为零。随着集成电路产业的发展,我国在集成电路高端领域将有显著提升,未来集成电路产业进口替代市场空间巨大。国盛证券表示,数据爆炸增长是存储器产业成长的核心抓手,而数据增长来源是设备连接数以及设备产生数的增长。这将带动数据处理能力——对应的DRAM需求,数据存储量则对应NAND Flash的需求。过去五年,设备连接数增长主要来自于智能手机等消费电子设备。下一阶段物联网设备、汽车将是设备连接数的核心驱动。根据IC Insight的预测,2018年-2023年复合增速最快的细分领域仍然是存储芯片,增速达到7.8%,比半导体整体市场高出1个百分点。

空间广阔

专家表示,全球最大的市场需求是我国发展集成电路产业的优势。随着5G、物联网、AI、云计算等新技术对制造业的赋能,我国存储器芯片产业将迎来广阔发展空间。海关总署披露的数据显示,2014年到2017年,我国集成电路年进口额分别为2176亿美元、2299亿美元、2270亿美元及2601亿美元;2018年进口额首次突破3000亿美元,实际为3120.58亿美元,同比增长19.8%。

近年来,我国集成电路市场增速领跑全球市场。根据中国半导体行业协会统计,2017年、2018年及2019年1-6月,中国集成电路产业销售额分别达到5411.3亿元、6532亿元和3048.2亿元,同比分别增长24.8%、20.7%和11.8%。据世界半导体贸易统计协会(WSTS)数据显示,2017年全球半导体市场规模达到4122亿美元,增速为21.6%;2018年下半年,受存储器价格下降等因素影响,全球半导体市场规模同比增长13.7%至4687.78亿美元。根据SIA公布的数据,今年上半年全球半导体市场同比下降14.5%。

一位资深集成电路分析人士告诉中国证券报记者,“中国半导体市场将维持高增长态势,快于全球市场。这个行业(主要是设计领域)向中国市场转移明显。国内下游终端市场需求好,包括智能手机、电脑、安防等。”

中信证券电子首席分析师徐涛表示,“半导体市场需求主要集中在智能手机、高性能计算、汽车、物联网等领域。从终端情况看,受5G新机发布、换机需求拉动,预计2020年将是消费电子大年;从云端情况看,云厂商资本支出第二季度环比回暖,下半年至2020年相对乐观,2020年大概率为数据中心硬件业绩大年;此外,汽车电子、物联网领域需求有望快速成长,需求提振将带动半导体行业重回增长轨道。”

协同发展

目前,我国集成电路产业存在一些薄弱环节有待补强。比如,核心设备和关键材料自给率较低,工艺制程有待追赶,部分核心元器件暂时找不到理想替代方案等。

国家集成电路产业投资基金股份有限公司总裁丁文武在上述论坛上指出,近几年我国集成电路产业发展不错,但在产业规模、技术水平等方面与国际先进水平还存在差距。应该打造一个集成电路产业链供应体系,每个环节与用户有机地结合起来,尤其是国产装备、材料等方面。

工信部电子信息司副司长任爱光表示,集成电路产业下一步发展需要做好“四个坚持”。首先,要坚持提升集成电路产业的创新能力,推动产业高质量发展。持续提升产业链上下游协同创新能力,积极打造从基础研究、供应技术、设备材料到整机应用的完整产业体系。推进集成电路产业高质量发展。其次,要坚持激发市场活力,推动产业融合发展。聚焦量大面广的传统市场,把握云计算、大数据、物联网等新兴市场,加快形成以企业为主体、市场为导向、产学研用深度融合的集成电路产业创新体系,进一步激发市场活力,构建产业融合发展新格局。第三,要坚持完善产业链建设,全面提升产业综合竞争力。进一步推动集成电路产业整体水平的优化提升,带动集成电路骨干企业做大做强和中小企业高速发展,促进集成电路产业由聚集发展向集群发展,全面提升集成电路产业的国际竞争力。最后,要坚持优化营商环境,共建良好的产业发展秩序。进一步加强知识产权的保护力度,促进人才市场、技术、资本等产业要素的聚集。

丁文武指出,2014年以来,集成电路产业发展热情很高。但可能产生一些重复性,特别是低水平同质化竞争。建议有关部委加强这方面管理,做好统筹规划。集成电路人才培养方面,丁文武说,“人才缺太多,高端人才更缺。企业互相挖人才,挖的成本越来越高。关键是要把人才数量和质量做起来。

5   2019-10-03 23:41:50.937 中国集成电路创业投资服务联盟在合肥成立 (点击量:1)

2019世界制造业大会期间,中国集成电路创业投资服务联盟正式成立。联盟首批成员单位包括盈富泰克、国投创合、中金启元等三支国家新兴产业创业投资引导基金以及40余家创投机构和30余家集成电路企业。联盟将利用创投机构投资资源,力促集成电路资金链、创新链、产业链的有机结合。

记者获悉,联盟首批成员有华登国际、武岳峰资本、天堂硅谷、国泰创投、荷塘创投、建广资本、高新集团等集成电路领域颇具影响力的创投机构加入,涵盖了兆易创新、上海思立微、联发科技(合肥)、晶合集成(合肥)、中芯集成电路(宁波)、优讯芯片、华瑛微电子、摩尔精英等30余家集成电路企业。

联盟在国家发改委的指导下,由盈富泰克国家新兴产业创业投资引导基金、北京君正集成电路股份有限公司和合肥高新技术产业开发区管理委员会共同发起设立。

6   2019-09-29 19:47:09.78 银纳米粒子增强了氮化镓基红色发光二极管 (点击量:2)

日本大阪大学已将银纳米颗粒(Ag NPs)与掺铕氮化镓(GaN:Eu)发光二极管相结合,以将红色电致发光的强度提高了2倍。输出功率的提高在于Ag NP上的局部表面等离子体激元(LSP)自由电子振荡与产生红色光子的Eu离子中的电子跃迁之间的耦合。

掺铕氮化镓LED在Eu3 +离子的电子状态下通过?620nm的波长跃迁工作,而不是氮化铟镓(InGaN)器件的带间跃迁,对于这些器件,要获得520nm的绿光波长是一项困难的工作。

研究团队指出,稳定的窄波长GaN:Eu红色LED的输出功率已经可商业化使用。

在具有Ag NP的外延材料上进行的光致发光(PL)实验显示,室温下的峰值为622.4nm。在10K时峰移至621.8nm。发射归因于Eu中的5D0-7F2跃迁。在10K时,主峰两侧各有“几个”较小峰。这是由于存在Ga和N空位以及碳,氧和氢等缺陷,产生了各种铕结合位点,并且还改变了每个铕位点的跃迁概率。

观察到的发光强度增强主要是由于Eu3 +发光与Ag NPs的LSP模式耦合,在Ag NPs形成后可能会因GaN / Ag NPs界面处的反射而导致少量增加。

与科学文献中报道的常规氮化铟镓(InGaN)量子阱和表面等离子体激元结构相比,LSP-离子耦合被认为非常小。研究人员认为,这是由于与量子阱相比GaN:Eu,O层要厚得多,通常是100nm,而不是1-3nm。

研究人员表示,需要优化p-GaN层的厚度和掺杂密度,以减少电流泄漏,同时保持LSP和GaN:Eu层之间的耦合效率。光输出在100mA左右饱和。在100ma时,Ag NP器件的输出为无粒子器件的2.1倍。

7   2019-09-29 19:45:14.387 用于MOCVD晶圆载体表征测量的kSA Emissometer 获得紫外光致发光(UV PL)功能 (点击量:2)

为光电子行业提供测量仪器的k-Space Associates公司表示用于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)载流子表征的kSA Emissometer 异位计量工具现在具有紫外光致发光(UV PL)功能,可以更好地评估载流子。

新的UV PL功能使晶圆载体制造商、反应器制造商可以在使用前以及整个使用周期中进一步评估其晶圆载体。该系统使用晶片载体聚焦的365nm波长LED以及聚焦在激发点上的滤波光电探测器。滤光片会滤除波长小于409nm的光,这就产生了评估晶圆载体污染的能力。

kSA Emissometer 用于确定沉积运行后载体烘烤的质量,并且定量确定实际表面发射率以进行温度设定点的调整和微裂纹检测。kSA Emissometer 还提供统计分析,以评估载体质量。

首席执行官Darryl Barlett说:“这一工具使载体制造、反应器制造商拥有竞争优势,因为可以量化载体质量,最终提高设备的均匀性和产量。”

8   2019-09-29 19:42:03.63 砷化铟镓单晶体管动态随机存取存储器 (点击量:2)

西班牙的格拉纳达大学和瑞士的苏黎世IBM研究室一直致力于硅基III–V族材料的研究,用于无电容器单晶体管动态随机存取存储器(DRAM)。

研究小组评论说:“这种无电容器的DRAM已经在硅材料中得到了证实,但是包括III-V化合物半导体在内使的其他材料相较下则属于未探索领域,尽管这些材料可能提高性能。”

移除1T1CDRAM的电容器以减小单元尺寸。III–V化合物半导体中载流子迁移率的提高为降低工作电压和降低能耗提供了前景,例如砷化铟镓(InGaAs)。

研究人员将其结构描述为与使用寄生浮体效应(FBE)存储信息的亚稳态双列直插式(DIP) RAM(MSDRAM)概念相关。FBE出现在绝缘体上半导体(-OI)结构中,其中半导体中的电势取决于偏置历史和载流子复合过程。设备主体中的电荷在读取操作中调节电流。

MSDRAM原理使用前门和后门之间的耦合以及浮体效应和非平衡效应。在闸门创建前通道和后通道,空穴堆积在前沟道中,而后沟道被后栅驱动反转。累积的空穴调节了反向沟道中的电子密度,前沟道中较大的空穴密度使反向层中的电流增加。

将MOCVD重生的n型源极/漏极区域升高25nm,并使用9nm等离子体增强的ALD氮化硅隔离层将其与栅极堆叠隔离。用锡掺杂源极/漏极为2×1019 / cm3。以0.5μm的宽度制造出具有各种栅极长度(LG)的最终器件。在背栅上施加正电压可切换通道,由于厚的BOX层,背栅的电流控制受到限制。但是,后通道中的电流由前通道中捕获的电荷调制,从而实现1T-DRAM性能的改善。

9   2019-09-23 10:25:13.557 氮化镓沟道晶体管的氧化钆栅极绝缘体 (点击量:2)

印度、芬兰和德国的研究人员提出将外延氧化钆(Gd2O3)用作沟道氮化镓金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(GaN MOSHEMT)的栅极绝缘体。

研究小组认为与普通的非晶氧化物栅极绝缘体相比,晶体Gd2O3能更好地承受高温后沉积处理。高温条件下,非晶原子结构趋于变成多晶,在晶界处形成电流泄漏路径,对晶体管性能产生负面影响,而单晶材料在这种高温条件下的结构变化更具弹性。

Gd2O3栅氧化物通过650°C分子束外延(MBE)生长。Gd2O3的晶体性质根据层的厚度而变化:在?2.8nm处,根据高分辨率x射线衍射,该结构为六边形,到15nm时,该结构转变为单斜晶,并发现5.5nm厚度的六方和单斜晶结构的混合状态。

X射线分析还表明,Gd2O3使下面的AlGaN沿着晶体结构的c轴受到压缩应变。迁移率和电子浓度的微小变化可归因于整个大直径晶片上铝浓度的微小波动。

具有Gd2O3的外延材料制造的MOSHEMT,栅电极是钨。与纯HEMT的AlGaN上的肖特基栅极相比,绝缘Gd2O3自然降低了栅极泄漏电流约五个数量级。对于5.5nm的Gd2O3,栅极为-2V时,漏电为?5x10-8A / cm2。

将Gd2O3减小到2.8nm可能会令人惊讶地将泄漏降低到?4x10-9A / cm2,比肖特基HEMT控件低六个数量级。研究人员认为,与较厚层的Gd2O3不同,该2.8nm器件因为没有晶畴边界的单相(六方),因此表现为理想的氧化物,无泄漏路径。根据电容-电压分析,2.8nm的Gd2O3还具有最低的界面陷阱密度(Dit)?2.98x1012 / cm2-eV。2.8nm Gd2O3的介电常数约为15。具有2.8nm G2O3的霍尔片载流子密度也提高了约40%。研究人员将这种增强归因于假晶Gd2O3产生的平面内拉伸应变,该应变平衡了c方向的压缩。

10   2019-09-23 10:35:22.693 Plessey开发的2.5μm超高分辨率4Megapixel GaN-on-Si micro-LED显示器创下纪录 (点击量:3)

英国的Plessey利用其专有的硅单片氮化镓(GaN-on-Si)技术,开发了一个创纪录的2.5μm超高分辨率 micro-LED显示器,用于可穿戴AR/VR设备。

Plessey的嵌入式micro-LED技术在可穿戴AR / VR硬件和平视显示器(HUD)的开发中起着至关重要的作用,本次采用了其专有的单片集成硅基氮化镓技术,在2.5μm间距上实现了超精细、超高分辨率(2000×2000)的显示屏,不仅高对比度,而且亮度是有机发光二极管(OLED)的五倍,可在户外观看。相比传统 LCOS 或 DLP 显示屏,此款Micro LED显示屏仅消耗20%的能量。

Plessey表示,硅衬底的低热阻性提高了热提取效率,从而降低结温,增强可靠性。硅基氮化镓技术还可提供有高能效、高分辨率和高对比度。由于与大规模硅集成电路工艺相似,因此可以将该技术扩展到逐渐变大的晶圆,从而成本降低,提高均匀性和成品率。

Plessey表示,其单片集成micro-LED发光显示计划已经小有成就,如今年3月,宣布采用原本发出蓝光的硅基氮化镓开发出天然绿色LED,5月在SID Display Week上展出了首个单片集成硅基氮化镓Micro LED显示屏,由间距8μm的单色全高清(1920x1080)电流驱动像素阵列组成。

业务开发高级总监Clive Beech指出:“像素间距是大尺寸显示器和所查看图像分辨率的关键,也是AR系统中的关键属性。2.5μm的像素间距可实现具有平滑边框和精细细节的图像特征。这些微型LED显示产品是Plessey最新可扩展像素架构的一个例子,将帮助AR / VR和MR智能眼镜的研究实现突破。”

11   2019-10-03 23:48:32.39 士兰微与士兰集成将获得3269万元政府补助 (点击量:1)

9月24日消息,上交所上市公司杭州士兰微电子股份有限公司(以下简称“士兰微”)发布公告称,该公司及其控股子公司杭州士兰集成电路有限公司(以下简称“士兰集成”)将获得中央财政资金项目后补助款1037 万元。

士兰微在公告中称,该公司和士兰集成以及其它第三方共同承担了“面向移动终端和物联网的智能传感器产品制造与封装一体化集成技术”项目。

该项目已通过综合绩效评价,士兰微与士兰集成将合计获得中央财政资金项目后补助款3269万元,其中士兰微将获得的后补助金额为1037万元,士兰集成将获得的后补助金额为2232万元。

士兰微已于2019年9月20日收到上海市科学技术委员会因该项目转拨付的补助资金1211万元(其中该公司获得的补助金额为384万元,士兰集成获得的补助金额为827万元)。该项目剩余的2058万元后补助资金尚未拨付。

士兰微的经营范围是电子元器件、电子零部件及其他电子产品设计、制造、销售;机电产品进出口。该公司的主要产品包括集成电路、半导体分立器件、LED(发光二极管)产品等三大类。

经过将近二十年的发展,该公司已经从一家纯芯片设计公司发展成为目前国内为数不多的以IDM模式(设计与制造一体化)为主要发展模式的综合型半导体产品公司。

该公司从集成电路芯片设计企业完成了向综合性的半导体产品供应商的转变,在特色工艺平台和在半导体大框架下,形成了多个技术门类的半导体产品,比如带电机变频算法的控制芯片、功率半导体芯片和智能功率模块、各类MEMS传感器等。

12   2019-09-29 19:38:37.787 Plessey推出Micro-LED直接驱动显示平台 (点击量:1)

英国的Plessey开发嵌入式Micro-LED技术用于AR / MR显示应用,利用其在硅上的专有氮化镓(GaN-on-Si)技术,推出了micro-LED 直接驱动显示平台和开发套件。

Direct-Drive显示器为设备制造商和产品开发人员提供了一种解决方案,即围绕着紧凑、灵活和高效的微型LED显示器对现有产品进行改造或开发新的概念设计。并且Direct-Drive显示针外形小巧,可以轻松集成到智能眼镜,用于导航、运动休闲以及光学仪器的头戴式显示器中。

显示器采用微型LED,从而实现超精细、超高的分辨率。显示器是自发光的,可以直接从外部源驱动,而无需背板,从而这简化了制造过程并降低了功耗。Direct-Drive开发套件是一个入门套件,旨在打造一个快速、便捷可发展的平台,使开发人员能够探索评估,并且能与微型Micro-LED显示器互动。

Direct-Drive可以即插即用,其中包括:

直驱显示屏(小于5mm x 5mm);

具有开源固件的嵌入式驱动程序;

驱动器允许以高达2A的电流驱动芯片。

ATMEGA处理器;

可充电(USB)超小型电池;

集成蓝牙连接;

光学工程经理Samir Mezouari博士说:“对于AR应用,Direct-Drive显示器的亮度可比OLED (有机发光二极管)高得多,功耗低至50mW,可适合白天观看并具有更长的电池寿命。”

13   2019-10-03 23:21:42.403 “青岛集成电路人才创新培养联盟”成立 (点击量:1)

据人民网报道,9月17日,以“青云汇巨匠,九州铸丹芯”为主题的ICDC2019中国集成电路设计大会在青岛市崂山区举行,会上,13家单位共同发起成立了“青岛集成电路人才创新培养联盟”,联盟各方将聚合各方优质资源,为青岛、山东,乃至全国培养集成电路高端人才。

本次大会由青岛市崂山区政府、中国科学院EDA中心、青岛市工业和信息化局、青岛市科学技术局共同主办,中科院青岛EDA中心、EETOP(易特创芯)、青岛微电子创新中心联合承办。来自中国电子学会、中国科学院微电子所、清华大学、浙江大学、北京航空航天大学、东南大学等全国微电子领域发展最前沿的高校院所专家,以及来自Synopsys、Cadence、Mentor和华大九天全球顶级EDA工具厂商和集成电路产业相关企业家、投资机构等700多人出席会议。

14   2019-09-29 19:35:34.067 IPC发布的2019年8月北美PCB行业结果显示行业恢复正增长 (点击量:1)

2019年9月27日,IPC —国际电子工业连接协会(Connecting ElectronicsIndustries®)发布《2019年8月份北美地区PCB行业调研统计结果》。报告显示8月份北美PCB订单量和出货量增长回升,订单出货比提高至1.02。

2019年8月北美PCB总出货量与去年同期相比增长了0.6%。截至八月,年初至今的销售增长为7.4%,为正值。与上个月相比,8月份的出货量增长了11.4%。

8月份的PCB预订量与去年同期相比增长7.6%,年初至今的订单增长达到1.9%。 8月份的订单量比上月增长了19.8%。

IPC市场研究总监Sharon Starr表示:“北美PCB行业在夏季销售平淡之后,八月份迎来了转机,销售和订单增长都恢复了正增长,订单超过了销售。在经历了三个月的下滑之后,订单出货比终于回到了正数范围,最近的订单出货比表明了销售增长趋于平稳,在未来有希望实现两个季度的正增长。”

解释数据

订单出货比,是用参与IPC调研项目的样本公司在过去三个月的订单量除以同期的销售量,得到的比率。比率超过1.00,表示当前需求超过供给,预示着在接下来的三到十二个月,销售将向增长的态势发展。 比率小于1.00,则表示当前的供给量大于需求量。

同比增长率和年初至今的增长率,对于探究行业的发展趋势具有指导意义。环比数据因其受周期性和短期性变动因素的影响,需要谨慎对待。同样探究订单和出货的变化原因与了解订单出货比的变化也很重要。

15   2019-09-23 10:32:58.36 II-VI高意推出400mW微型泵浦激光器,用于下一代相干收发器中的高温操作 (点击量:2)

美国工程材料和光电组件制造商II-VI高意已推出适用于高温操作的400mW微型泵浦激光器。

下一代相干传输应用需要一种在空间、功率和热都受到限制时仍能高效运行的光放大器。 II-VI高意的单模非冷却微泵浦激光器可在温度高达85°C的环境中保持400mW的高输出功率,而功耗仅为1W。

首席营销官Sanjai Parthasarathi博士说:“去年,我们的微型泵浦激光器的输出功率提升一倍,达到400mW,远远领先于竞争对手。这个产品现在可以提供最紧凑的解决方案,满足今天市场环境性能所要求的最大范围。帮助客户最大幅度地缩小收发器嵌入式放大器尺寸并降低功耗,实现1 Tbps甚至超1 Tbps速率的新型高紧凑型光收发器。”

微型泵浦器件配合80μmPM980和125μmHI 1060单模光纤,可以实现非常紧凑的弯曲半径,以匹配微型泵的10mm x 4.4mm小型封装。

9月23日至25日,II-VI高意将在欧洲光通信会议(ECOC 2019)上的第467号展位上展示其最新产品组合中光网络各类解决方案。产品展示包括行业最丰富、最深垂直整合的一系列ROADM显卡和高速DWDM光收发器的高紧凑光放大器方案。

16   2019-09-23 10:31:30.097 NeoPhotonics宣布推出30-40mW CW DFB激光器,可用于硅光400G数据中心收发器 (点击量:2)

美国的光网络器件制造商NeoPhotonics Cor发布了密封30-40mw DFB激光器,用于硅基光电子的100G每波长CWDM4 FR4和1310nm DR1以及DR4光模块。这些激光器可带或不带集成光斑尺寸转换器(SSC)。

NeoPhotonics的低损耗SSC技术可将磷化铟激光器直接连接到硅光子波导上,从而提高了制造的可行性并降低成本。高效、高功率的DFB激光器可在高达75°C的温度下工作,并符合Telcordia GR-468-CORE可靠性标准,很适合用于非密封的硅光小型可插拔模块,例如400G QSFP-DD。

硅光子学已成为一种有潜力的技术,可用于在数据中心内部大约500m(DR)到2km(FR)的中间距离进行光学数据传输。单个硅光芯片上可以组合四个不同的高速调制器,但是仍需光源进行调制。必须在硅光芯片上耦合一个单独的激光器(或激光器阵列),该激光器在指定的波长处产生足够的光功率,以克服硅调制器和波导中的损耗。NeoPhotonics的高功率DFB激光器就是这样的激光器,而且不需要气密封装,使之成为下一代光模块的理想选择。

硅光芯片里的调制器由于由于需要高电压调制,通常需要具有大电压摆幅的驱动器放大器,NeoPhotonics的砷化镓(GaAs)的四驱动器在一个芯片内实现低功耗小型化的器件,可以很好支持OSFP和QSFP-DD等光模块。

董事长兼首席执行官蒂姆·詹克斯说:“将半导体电子产品入光学领域,硅光子学正在迅速改变数据中心收发器的市场分布,我们的激光源和驱动器正在帮助释放硅光子学的潜力。”

17   2019-09-23 10:26:44.413 成立QSFP-DD800 MSA工作组,促进可插拔收发器速度提高到800Gbps (点击量:1)

几个行业领导者宣布成立一个新的QSFP-DD800多源协议(MSA)工作组,以推进高速双密度四重小尺寸可插拔(QSFP-DD800)模块的开发,以支持800Gbps连接。 MSA工作组将通过启用非常高带宽的接口来帮助解决全局带宽消耗。

MSA的发起人包括博通、思科、Finisar、因特尔、Juniper Networks、Marvell、Molex和Samtec。

新型的 QSFP-DD 接口是 QSFP可插拔小尺寸接口的扩展,后者是一种广泛用于以太网交换机的四通道电气接口,可实现交换机之间以及与服务器的互连。QSFP-DD800可采用8条电气通道,并且分别以100Gbps的速度运行。它还将定义一个模块、连接器、堆叠式连接器和混合连接器,是一种可以消除传统PCB上信号损耗的BiPass / Flyover变体。MSA集团的主要目标是定义规格并促进QSFP-DD800在行业里被采用。新的QSFP-DD800规范旨在与QSFP-DD,QSFP28和QSFP +模块和电缆向后兼容,从而支持密集100GbE或密集400GbE接口的即将出现的25.6Tb / s规模系统,满足据中心数据流量快速增长的需求

MSA创始成员Scott Sommers联合主席说:“我们正在不断完善,以使来自多个供应商的光收发器模块、连接器、机架和DAC电缆具有互操作性,以确保强大的生态系统,利用QSFP-DD的技术创新,与MSA里的伙伴合作,为下一代系统和模块奠定基础。”

创始成员兼MSA联合主席Mark Nowell说:“QSFP-DD尺寸仍然是可插拔模块性能和密度下一步的基石,同时积累了行业的经验,使得结构和前代产品有兼容性。”