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2019年第20期(发布时间: Oct 31, 2019 发布者:沈湘)  下载: 2019年第20期.doc       全选  导出
1   2019-10-21 11:22:59.387 2020年科技产业大预测:半导体产业和存储器市场将如何发展? (点击量:11)

全球市场研究机构集邦咨询今日(18日)于台大医院国际会议中心,举办「2020年集邦拓墣科技产业大预测」。本次研讨会精彩内容节录如下:

2020年半导体产业发展契机与挑战

2019年半导体产业出现10年来最大衰退,产值估计年减约13%。从IC设计、晶圆代工与OSAT三大面向观察,晶圆代工受惠于7纳米制程技术发展与相关产品加速导入市场,较能抵抗产业逆风带来的负面冲击。

展望2020年,在5G、AI、车用等需求持续增加与新兴终端应用的帮助下,半导体产业将逐渐走出谷底。

而中国台湾地区晶圆代工与OSAT产业之全球占比超过5成,IC设计产业则位居全球第二,预期在产业复苏与终端应用日渐多元的趋势下,台湾地区厂商有望掌握先机,进一步巩固在全球半导体产业的地位。

以AI而言,各大手机芯片供货商皆聚焦AI算力表现,因此2020年的决胜关键,取决于各大芯片厂的AI加速单元,如联发科的APU、高通的DSP与华为的达芬奇等在AI算力的表现以及执行效率高低等。

5G手机应用则是因为全球手机市场已经进入成熟期,导致芯片业者的竞争加剧,所以收购、投资成为提升芯片方案竞争力的必要手段。

车用方面,由于2019年未有大厂发布新一代产品线,加上7纳米的良率逐渐提升,2020年7纳米是否有机会进入车用芯片市场,将是极为重要的观察指标。

整体来看,为了延续摩尔定律,相关业者正努力加快先进制程的开发速度,时程规划也逐渐清晰,预期将持续带动产业发展并刺激需求。

IT基础架构转型驱动内存市场新纪元

近年因AI技术逐渐成熟与智能终端装置普及,多数应用服务皆藉由服务器来统合,尤其是需仰赖庞大数据进行运算与训练的应用服务,再加上虚拟化平台及云储存技术发展,服务器需求与日俱增。

此外,在产业结构改变与服务器运算单元大幅进步之下,亦将带动与传统应用服务截然不同的服务器架构发展,进一步推升服务器的需求。

在云端架构提供服务的基础上,终端被赋予的运算能力相对薄弱,多是藉由云端来获取运算与存储资源,预期5G商转后数据中心的应用将更多元,带动微型服务器(Micro Server Node)与边际运算(Edge Computing)成长,并将成为2020年后的发展主轴,以实现物联网与车联网等应用场景。

受到数据中心的落实驱动,2019年服务器DRAM全年使用量占整体DRAM的三成以上,预估2025年在5G相关部署驱动下,更将上升至接近四成。

内存市场趋势及智能手机发展解析

2019年全球内存市场呈现供过于求,供应端在高库存的压力下,季度价格不断探底,全年平均跌幅将近50%,展望2020年,内存市场是否延续此跌势,备受市场关注。

在整机方面,2020年智能手机的设计主轴除了极致全屏幕外,屏下指纹辨识及屏下镜头的搭载比例提高、内存容量加大,以及后摄多镜头与提高像素等优化照相表现等,同列明年智能手机功能配置的重点。

不过,最受市场期盼的仍属5G手机的应用,随着品牌厂的积极研发,以及中国大陆政府积极推动5G商转,预计明年5G手机的渗透率有望从今年的1%,大幅跃升至15%。

终局之战,谈2020年显示产业竞争态势与曙光

受到需求不振以及面板产能过剩的冲击,大尺寸面板市场正在经历一波不小的低潮。

韩系面板厂陆续弃守TFT-LCD TV面板市场,转往更高端的OLED TV与QD-OLED TV发展;台系面板厂则持续往更高端的产品市场移动,两个区域的厂商都试图减缓中国面板厂在规模与价格上的竞争压力。

而中国大陆面板厂在持续扩大产能下,预期将会逐渐取得TFT-LCD市场的主导权。小尺寸市场中,AMOLED机种透过屏下指纹辨识方案的搭载提升产品价值,确立在高端旗舰市场的地位,挤压了部分的LTPS机种往中端市场移动。

预期LCD机种未来只能透过价格策略与成本控制,尽可能确立自身的竞争力。展望2020年,在5G、电竞等议题的带动下,预计高刷新率面板将会是手机市场规格的一大新亮点。

Mini LED将成为显示产业升级的推手

由于Mini LED具备高亮度,加上LED排列间距的微缩,应用在背光显示器与自发光显示器上,将可大幅提升显示器的细致度与高对比度效果。

而Mini LED显示器与传统LED的技术落差并不大,差别仅在于使用更多颗Mini LED芯片,因此对于供应链中的LED封装厂与模组厂来说,只需要重新投资部分设备,如LED打件转移及检测设备等,以及重新设计驱动IC和挑选基板即可快速与Mini LED接轨,可谓是无痛升级。

Mini LED的导入,将可改善现有背光显示器(如电视、笔电、monitor、平板、车用、VR等),以及自发光的室内商业显示器等应用的显示性能,并提升既有显示产品的价值。预计2020年将会是Mini LED应用爆发的年代,预估电视及monitor等中大型的背光显示器将率先量产,其余仍须视品牌厂产品策略而定。

展望2020-5G实现商用

随着2020年上半年R16标准完成,各国电信营运商规划5G网络除在人口密集的大城市布建之外,亦会扩大服务范围商用,并有更多5G终端或无线基站等产品问世。

全球通讯产业发展重点仍为5G,不论芯片大厂高通、海思、三星与联发科等,亦或设备商华为、Ericsson与Nokia等都将推出各种5G解决方案抢攻市场。

另一方面,随着5G SoC制程走向成熟,加上5G终端技术与运营商网络投资,将带动芯片和终端成本下降。初期5G SoC定位在高端手机使用与测试,以期能快速提升5G手机渗透率。

在企业专网发展上,各国由于制度及产业特性不同,因而有不同考虑。但若是以市场利益而言,在各方瞄准5G垂直应用商机之际,垂直产业若能拥有频谱又能自建专网,将更能符合其产业领域的需求,但亦可能影响电信运营商的既有布局。电信运营商能否满足企业需求,为应解决的议题。

汽车市场衰退幅度有望缩小,电动化与自动化加速发展

2020年全球汽车市场总量仍将下滑,但衰退幅度有机会缩小至1.5%,原因在于虽然目前尚未见到主要市场有强大成长驱动力,但持续两年的中美贸易战在企业逐渐适应并拟出对策后,冲击力道逐步减轻。即便车市短期内仍处逆风,但电动化和自动化的脚步却不会停止。

多国在2020年后将加严汽车的二氧化碳排放标准,促使车厂更积极推出电动车款,预期各类电动车皆呈现成长。

然而,能纯电行驶的各类电动车发展仍受到价格高昂等因素限制,因此,同样能降低碳排放的Mild HEV(轻混合动力车)受到各界注目,预计2020年将有大幅成长。

而自动化的发展上,将有更多的ADAS次系统成为新车标配并带动传感器市场成长。此外,虽预期Level3的量产车款有限,但2020年有机会看到更多Level4等级的商用车市场化案例。

终端产品发展更多元,带动2020年市场扩展

当许多消费电子市场步入停滞或衰退之际,厂商开始加强新产品的开发,以更细分的市场和功能来推动产品的成长动能。例如游戏机经历数年终于将迎来次代产品的推出,但云端服务厂商也会趁机推出云端串流游戏以及相对应的硬件来抢食这块市场,至于Oculus、Valve等VR厂商将透过游戏和内容服务来竞争。

智能手表受惠于入门款产品售价降低,以及更多品牌和产品加入,市场将加速成长,预计2020年出货量将达到8,055万支。而语音功能成为蓝牙无线耳机、智能音箱等产品的成长关键,在低价与机海策略下市场将快速扩张。

此外,增加智能音箱的搭载功能也成为厂商吸引消费者的手段,包含显示屏幕、相机模组等,预估2020年智能音箱的出货量将窜升到1.7亿台。

2   2019-10-21 13:44:59.34 上海将牵头制定中国集成电路技术路线图 (点击量:12)

中国集成电路发展的“蓝图”即将面世。记者从近日举行的2019中国(上海)集成电路创新峰会院士圆桌会议获悉,上海将牵头制定“中国集成电路技术路线图”,担纲重任的是国家集成电路创新中心。

此次公布的《中国集成电路技术路线图(草稿)》由集成电路制造技术现状和发展趋势、先进光刻工艺发展趋势等六大部分组成。

峰会以“全球科技创新中心下的上海集成电路”为主题,探讨建设科技强国征途中,集成电路作为国之重器,如何通过加强合作和自主发展,摆脱技术上和产业上的“卡脖子”问题。会议汇聚了多位院士和集成电路领域的专家,从专家的发言中不难看出,他们对走出一条有中国特色的集成电路发展之路信心十足。

3   2019-10-21 11:15:10.37 2019物联网芯片赋能产业亚洲峰会 (点击量:13)

近日,2019 物联网 芯片赋能产业亚洲峰会(峰会)在萝岗会议中心盛大召开,本次峰会由广芯微电子(广州)股份有限公司主办,粤芯半导体、广州开发区投资集团、穗开投资、智光电气、ZETA联盟、广州市半导体协会、纵行科技、广东铁塔、日邮物流(中国)、中移物联网有限公司协办。峰会吸引了广州市国际投资促进局中心、广州高新兴、科学城投资集团、建智控股、中科院微电子所、广州奥松电子、促进企业投资协会、广州昂宝电子有限公司、穗开物流、Techsor、Amkor、日本软银、日本凸版、东京大学、日邮物流(中国)、野村综合研究所、广东铁塔、纵行科技、中移物联网、安吉智能、中集物流、中国京东等国内外近100家集成电路、电信运营商、物联网、物流行业的知名企业参加,约200位专家和行业资深人士汇聚一堂,共同探讨跨产业赋能,创新发展的主题。

大会开始,黄埔区工业和信息化局总工雷敏为峰会开场致辞,围绕如何把推进粤港澳大湾区建设作为牵引带动全区工作的“纲”,实施“湾区+”的战略做了重要的讲话,雷敏表示,这次峰会可以加速推动物联网芯片和产品在广州传统产业的应用,特别是拉动现代物流、工业制造、绿色农业、健康医疗、智慧物业等传统行业进一步转型和升级,对带动区内企业间的高效合作,实现广州开发区更高标准创新、更高水平开放、更高质量发展,起到积极的作用。

粤港澳大湾区半导体产业联盟创会理事长及广州市半导体协会会长陈卫先生从自主知识产权方面对ZETA技术给予高度的评价,并对ZETA联盟提出期望,希望更多的联盟成员落户广州开发区,加速粤港澳大湾区的建设。

在高峰论坛上,来自中移物联网有限公司、ARM中国、广东铁塔、日本软银、安吉智能、广芯微电子、日邮物流、东京大学、Amkor Technology、日本凸版、粤芯半导体数位嘉宾进行主题演讲的分享,分别从行业应用、芯片设计、生产制造及产业布局多个角度对物联网行业的发展提出自己的观点

在最后的圆桌论坛上,ZETA中国联盟嘉宾代表和ZETA日本联盟的嘉宾代表就“ZETA技术赋能物流产业的前景”主题展开热烈的讨论,各位专家在传统行业信息化的动力,芯片和 物联网技术 在传统行业落地的困难,ZETA技术比较适合的传统行业和场景等核心问题发表各自的看方,嘉宾们非常关注ZETA联盟在物联网产业中的作用,并对联盟的发展充满信心。

ZETA技术是中国原创的低功耗远距离通信技术标准,是一种面向行业应用的领先通信技术,在低功耗领域可以作为5G的补充,得到中国铁塔的大力支持。广芯微针对ZETA的技术特点,结合集成电路行业最先进的低功耗和高可靠技术定制开发了专用芯片,其相关产品适合快递包裹、物流货品、物流容器跟踪,装配式建筑管理,资产盘点,市政设备监控,特殊物品状态监测,低成本、大范围数据采集等多种应用,可以及时有效地采集物品的状态信息并提供给云端,促进万物智联的发展。

4   2019-10-21 23:30:34.033 集成电路如何突破“卡脖子”?专家建议政府主导提高企业参与 (点击量:9)

“集成电路发展需要政府主导,也需要提高企业参与度。”复旦大学微电子学院院长、国家集成电路创新中心总经理张卫谈到未来中国集成电路发展方向时,对澎湃新闻记者介绍。

“集成电路发展需要政府主导,也需要提高企业参与度。”复旦大学微电子学院院长、国家集成电路创新中心总经理张卫谈到未来中国集成电路发展方向时,对澎湃新闻记者介绍。

10月18日,2019中国(上海)集成电路创新峰会在沪举行,澎湃新闻记者注意到,本次峰会的核心论坛,院士圆桌会议上,数位集成电路领域的院士和来自相关示范性微电子学院、集成电路设计、制造、封测等各领域企业的专家就集成电路的行业发展提出了自己的建议。

根据摩尔定律,半导体芯片上集成的晶体管和电阻数量每隔18-24个月将增加一倍;性能也将提升一倍。然而,随着芯片集成度越来越高,科技界、产业界面临的技术挑战越来越大。

集成电路作为国之重器如何通过加强合作与自主发展,实现在技术上、产业上不被“卡脖子”,更好地服务国家战略,是本次院士论坛的最热门话题。

集成电路需要得到持续重视

“集成电路的发展改变了人类。”中国科学院微电子研究所所长叶甜春认为,集成电路产业已有60年左右历史,一直处于高速发展状态,因此它并不是一个“搞几年就不做了”的问题,需要得到长期的重视和支持。

叶甜春介绍,从产业链角度来看,设计、制造、装备、封装材料方面,中国已经非常齐全,所以未来我们应该将已有的体系要做实、做强,不追求大,“不是什么东西都自己做,要考虑补短板,加长板。”

他建议,应该考虑技术创新,如何能拿出创新型产品,解决产品问题,“未来十年要以产品为中心”。叶甜春还特别强调,需要关注整体应用系统、标准,到器件制造工艺、材料、软硬件结合起来,打造新的生态。

驰拓科技首席科学家刘波提出,应加强企业在集成电路行业的参与度,同时方便技术更好地落地企业。

刘波以自己2003年到硅谷的经历为案例,“在国际线路图的编制企业参与度非常高,因为企业必须知道下一步怎么走,知道下一步的攻关或者哪些技术要解决。”他认为,目前国内参考国际上的东西多,但是参考内部信息不够。

在中国航天科技集团有限公司九院科技委副主任赵元富看来,从国家层面进行高层策划,我们能够在集成电路强国上走出自己产品的一条路。

赵元富介绍,现在中国在国家电网、高铁、电子支付方面,已经达到世界领先水平,“但缺少通过举国体制,把这些行业从最顶层往下规划产品,这是政府应该发挥的作用。”

张卫介绍,在1980年中期,日本公司在半导体市场份额不断增加,为夺回在半导体设计与制造工艺上失去的优势,1987年,美国政府成立了“美国半导体制造技术科研联合体”(SEMATECH),每年对集成电路投入2亿美元的支持。8年后,英特尔公司坐上了行业领头羊的位置。集成电路并非一个完全市场化的产业。因此,国家应该加强对集成电路行业的技术支持。作为创新主体,企业对行业发展至关重要。对于行业人才不足的问题,他预测,随着投入的加大,未来5到10年,将会有越来越多的人才选择集成电路作为发展方向,缺口将会得到有效缓解。

上海聚焦集成电路关键共性技术

“创新中心定位是建设有国际竞争力的独立性、开放性、实际性的集成电路研发中心,现在还在起步阶段。”张卫透露,在国家工业和信息化部、上海市人民政府的指导和支持下,由复旦大学、中芯国际和华虹集团三家单位共同发起的国家集成电路创新中心在去年7月正式挂牌成立后,瞄准集成电路关键共性技术研发,做了大量工作,努力为产业界提供创新服务。

本次峰会采用“1+3”模式,即由核心论坛院士圆桌会议和三个专题论坛:技术论坛、投资与产业发展论坛、教育与人才培养论坛组成。院士圆桌会议讨论并发布了《中国集成电路技术路线图(2019版)》。这是我国首次发布此类技术路线图。据悉,自1999年国际半导体技术发展路线图第一版发布以来,对全球半导体行业(企业)、研究机构及至相关政府部门都产生了较深刻的影响。院士圆桌会议由上海市科学技术协会于2000年创办,2001年纳入中国国际工业博览会科技论坛,每年举办一次。

院士圆桌会议旨在以院士专家为主体打造高端科技智库平台,就科技与经济、社会的发展问题展开讨论,并提出具有建设性的意见和建议,从而发挥“引领思潮”和“决策咨询”的作用。

20年来,已有包括周光召、徐匡迪、张玉台、张存浩等在内的近300人次院士专家参会。

5   2019-10-21 23:29:04.99 控制半导体制程上污染,英特格确定与三大半导体厂合作 (点击量:4)

在当前包含物联网、工业自动化、人工智能、自动驾驶、5G通讯等新科技逐渐普及的情况下,带动了半导体的成长,并使得芯片需求大幅提升。而为了迎接这些挑战,导入新的材料增加效能,在延续摩尔定律过程中,材料技术不断演进,且应用的材料本质也开始改变。而特用化学原料暨先进科技材料龙头供应商英特格(Entegris Inc.)即透过运用科学为基础,以提供解决方案,并协助半导体客户在先进制程上应对各种挑战。

英特格技术长James O’Neill指出,英特格成立迄今已经有50年历史,去年整体营收达16亿美元。而在当前新的材料、芯片、形状都与过去不同,对于半导体制程来说都是很复杂的挑战。

举例来说,从28纳米转换到7纳米,复杂程度是过去的两倍。技术要验证得要更快,所以整个生产周期时间都是更短的。这也表示我们在采用先进制程时,要达成较佳的良率更为困难,产业的重点就在于如何快速达到好的良率。这也就是英特格的优势所在。

James O’Neill表示,要提高良率重点之一是污染控制,从28纳米到7纳米,对于金属杂质容忍程度已经减少1,000倍,而晶圆致命微粒则缩小将近4倍,这点非常重要,因为只要杂质或微粒等污染的容忍程度有了细微变动,对晶圆厂获利都会造成很大的影响。整个半导体生态系中,每个步骤都要顾虑污染控制,包括工厂中怎么制作和包装化学品、如何运送与在工厂中使用与储存,每个步骤都相当重要。英特格有各项产品和解决方案,确保整个制程、输送时不受污染。

James O’Neill进一步强调,因为蚀刻技术的大幅进步,现在半导体厂开始导入的是极紫外光EUV设备及技术。而英特格在EUV制程的污染控制与光罩盒是市场领导者,旗下的过滤技术能确保材料放在pattern上维持洁净度。此外,

半导体制程中,运用EUV的光蚀刻技术可再进一步细分成好几个步骤,这使得英特格不仅提供光罩盒,还有特殊化学品、过滤器、过滤技术,以及制程中各方面需要的材料和污染控制,惟有英特格能够提供最广泛的解决方案。

James O’Neill也证实,因为目前全球半导体厂仅有3家晶圆代工厂,包括台积电、三星及英特尔有能力持续推进先前制程,尤其龙头台积电预计2020年将开始量产6纳米,以及更加先进的5纳米制成,带动台湾未来的导体业乐观前景。而因此,英特格确定与这3家厂商进行合作,持续提供相关解决方案给客户,以满足在先进制程上的需求。

6   2019-10-21 13:49:54.913 中国科学院物理研究所科学家在单层铁磁材料GdAg2中发现外尔节线 (点击量:1)

自旋电子学器件的发展在一定程度上依赖于磁性材料的发展。在2017年,科学家首次在实验上获得了二维铁磁材料,引发了该领域的研究热潮,但是实现拓扑性的二维铁磁材料仍面临较大挑战。

中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心与北京理工大学以及日本广岛大学的研究人员合作,利用同步辐射角分辨光电子能谱并结合理论计算,在单原子层的铁磁材料GdAg2(Tc≈85 K)中发现了自旋极化的外尔节线。通过深入的分析,他们发现这些外尔节线受到晶体对称性的保护,因此具有很好的稳定性。另外,单层GdAg2中的某些外尔节线会随着磁化方向的不同而选择性地打开能隙。该研究为二维铁磁材料在纳米微电子器件中应用奠定了重要基础。

7   2019-10-21 11:25:35.667 GSMA2019移动经济预测:NB-IoT迎来爆发式增长,未来大有所为 (点击量:6)

据GSMA2019移动经济预测,到2025年,全球 物联网 连接数将增长3倍,总量达250亿,创造的收入将增长4倍,总量达1.1万亿美元。从2014年5月NB-IoT(窄带物联网)在3GPP成功立项开始,历时5年多的技术/市场验证和商业模式探索,商用网络数破百,连接数突破6000万,智能燃气表和智能水表连接数均破千万,NB-IoT已经达到产业规模增长的拐点。

NB-IoT演进为5G候选技术

2016年6月冻结的NB-IoTR13协议是以智能抄表为主要目标场景设计的,它的诞生标志着运营商有了第一个基于3GPP标准化的蜂窝物联网标准;R14和R15协议进一步提升网络和终端性能,对业务连续性也有了大幅提升,移动性提升到120公里每小时,能更好满足NB-IoTPOS机、电动自行车管理、金融贷款汽车等资产跟踪等LPWA(低功耗广域)应用需求。NB-IoT单用户上下行速率达到100Kbps以上,超越GPRS速率。

2019年7月,3GPP确定NB-IoT为5GLPWA候选技术,并提交给ITU-R(国际电信联盟无线电通信部门)。NB-IoT将成为5G的一部分,支持从LTE的IoT向5G的IoT无感知演进。并且,当前部署的NB-IoT终端,在频谱重耕成5GNR(新空口)后,业务不受影响。即将于2020年3月冻结的R16协议明确不会定义新的5GLPWA技术,现有的LPWA应用可以继续通过NB-IoT演进来满足。产业合作伙伴,可充分利用当前NB-IoT的成熟技术和产业链资源,加速各行各业的数字化转型。

NB-IoT产业进入拐点期

NB-IoT连接数从2017年的200万到2019年9月的6000万,预计2019年底NB-IoT用户将过亿。据咨询公司Counterpoint预测,到2025年,NB-IoT连接数将达到22.5亿,约占整个蜂窝物联网连接数的一半。据GSA统计,截至2019年9月底,全球已有55个国家的101个运营商发布了NB-IoT网络商用,其中40个国家已经实现全网覆盖。

产业生态繁荣发展,10个商业应用高速发展:目前18家NB-IoT芯片厂商,180个型号的模组,1500多个产业合作伙伴,水务/燃气/消防/白色家电/门锁/井盖/自行车等十余个行业规范逐渐落地。

NB-IoT模组成本突破2G现有模组价格:随着NB-IoT连接规模上量和商业应用加速,NB-IoT模组价格已经从2年前的近30美金,下降到2G模组价格水平。

NB-IoT连接释放价值,垂直行业应用陆续突破千万

伴随NB-IoT在各行各业的成功商用,NB-IoT产业从原来的政策牵引,逐渐走向垂直行业需求驱动的自生长模式,其应用场景也从繁荣的2B开始向2C延展。全球已经涌现出智能燃气表和智能水表两个千万级的应用,预计到2019年底,智能电动车和智能烟感连接数也将突破千万。NB-IoT除应用于传统的LPWA行业,也开始应用于智慧农业、智能制造、POS机、机顶盒、桥梁检测等新兴领域。

NB-IoT可以实现物理世界和数字世界的融合,结合大数据应用,数据成为企业的核心价值时代,帮助企业优化生产流程和降低运营成本。例如,基于NB-IoT的燃气表可以实现远程抄表,掌握用户用气规律,监控管网状态,实现多气源平衡调度,供气准确率从90%提高到95%;相比于两跳的IC卡智能水表,单跳的NB-IoT智能水表方案一方面把水表上线率从95%提高到99%,另一方面把泄漏率从20%降低到12%,江西省鹰潭市在采用NB-IoT智能水表后每年节水超200万吨。

一个新的产业从诞生到成熟,通常要经历技术萌芽、期望膨胀、产业低谷、稳步爬升和成熟五个阶段。随着NB-IoT在各个行业的成功商用,从连接数、商用网络数和应用领域的发展趋势来看,NB-IoT目前已经走出拐点,进入稳步爬升期,未来大有所为。

8   2019-10-21 13:47:15.577 高准确性的激光雷达应用的车规级氮化镓场效应晶体管 (点击量:0)

宜普电源转换公司(EPC)的车规级并通过AEC Q101认证的氮化镓晶体管系列增添全新成员 -- 经过优化的15 V EPC2216,实现不昂贵的高性能激光雷达系统。

宜普公司(EPC)宣布15 V的EPC2216成功通过AEC Q101认证,专为需要高准确性的激光雷达应用而设计,例如全自动驾驶汽车,以及其它的飞行时间(ToF)应用,包括人面识别、自动化仓库、无人机及地图制作。

氮化镓场效应晶体管EPC2216 是15 V、26 mΩ、28 A脉冲电流、1.02 mm2占板面积的器件,非常适合在激光雷达系统发射激光,因为它可以产生大电流、极短脉宽。短脉宽可实现更高分辨率,而小尺寸及低成本使得氮化镓场效应晶体管是ToF应用的理想器件,其应用范围广阔,包括车用、工业、医疗保健,以致智能广告、游戏及保安。

要完成AEC Q101测试,宜普(EPC)公司的氮化镓场效应晶体管通过了在严峻环境下及偏压测试,包括高湿反向偏压测试(H3TRB)、高温反向偏压(HTRB)、高温栅极偏压(HTGB)、温度循环(TC)及其它多个测试。此外,宜普公司的WLCS封装符合用来测试采用传统封装的器件的所有测试标准,展示出采用高性能芯片级封装的氮化镓晶体管不会影响其稳固性或高可靠性。这些氮化镓(eGaN)器件在取得汽车质量管理系统标准IATF 16949认证的设备内生产。

宜普公司的首席执行官兼共同创办人Alex Lidow称,“这个车用器件是EPC的晶体管及集成电路系列的全新产品之一,专为全自动驾驶汽车而设计,可提高分辨率及降低所有ToF应用的成本。”

9   2019-10-21 09:35:48.04 碳化硅600V晶体管可媲美硅的性能 (点击量:2)

美国北卡罗来纳州立大学已在6英寸铸造工艺上实施了其4H多型碳化硅(SiC)反向沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术,可实现600V的高压额定值和15V栅极驱动器,15V的栅极驱动值使该技术与绝缘栅双极晶体管(IGBT)电路兼容。

该团队发现具有27nm栅极氧化物的SiC MOSFET的高频品质因数(HF-FOM)首次超过了商用600V P7 Si CoolMOS™产品。到目前为止,基于SiC的设备发现很难击败600V级硅产品的性能,从而阻碍了该技术的采用。

通过统计分析整个晶圆的性能变化,在600V漏极偏置下的泄漏电流在nA范围内。27nm氧化物MOSFET的比导通电阻仅是55nm版本的一半。所有27nm器件的击穿电压均远高于600V。

研究人员报告说:“对于27nm器件Ron,sp平均值和最佳值分别为3.77和3.28mΩ-cm2,小于先前针对线性单元拓扑的反转模式器件的论文报道。测得Ron,sp和Ileakage的标准偏差值表明,即使对于27nm栅极氧化物MOSFET,PRESiCE™非自对准铸造工艺也是可靠的。”

相对于各种寄生电容和相关的电荷存储,更薄的氧化物也使许多FOM受益。导通电阻和反向传输电容(RonxCrss)的乘积HF-FOM在27nm氧化物中要低1.7倍。MOSFET与55nm版本相比,Ron和栅漏电荷(Qgd)的乘积比另一个HF-FOM低1.6倍。输入电容与反向传输电容之比(Ciss / Crss)提高了1.5倍,27nm为185,栅极氧化为55nm,为120。

该团队评论说:“与Si P7 CooLMOS™产品相比,27nm栅极氧化物器件的平均和最佳 FOM [RonxQgd]分别高出1.24倍和1.43倍,而其 Ron,sp 则小2.5倍。这首次证明,与Si CooLMOS™产品相比,600V SiC功率MOSFET可以制造出性能更高的产品,从而为SiC技术开辟了新的市场机会。”

10   2019-10-27 19:34:55.903 氮化镓应变中的高载流子密度二维空穴气 (点击量:3)

美国康奈尔大学报道了氮化镓(GaN)中的高电导率二维空穴气(2DHG),可使用n和p沟道晶体管的节能互补组合来实现高压电路。

将p型晶体管与更常规和已开发的n型器件结合使用,可能会给使用更复杂电路的大功率开关带来一系列机遇,如5G蜂窝技术和节能电子产品。但是在宽带隙半导体中同时实现n型和p型非常困难。

当在氮化镓上生长氮化铝镓(AlGaN)时,康奈尔(Cornell)的2DHG利用常见的2D电子气(2DEG)类似的原理。此类2DEG是为无线网络功率放大器,功率开关和其他应用开发的高频,高功率和/或高压n沟道晶体管的基础。

2DEG是由于III型氮化物晶格结构的反转对称性破裂而形成的。对于AlGaN / GaN,电荷会在附近(主要在GaN缓冲器中)感应出2DEG。针对其2DHG,康奈尔在厚的松弛AlN缓冲层上假晶型生长GaN的薄应变层。预期在AlN上的应变GaN上电荷极化的对比度会产生5x1013 / cm2量级的负界面电荷,从而在附近产生补偿2DHG。材料之间的价带偏移应推动2DHG主要位于应变GaN层中。

实验中发现未掺杂的异质结构样品A(13nm / 400nm GaN / AlN)的迁移率在10K时并未饱和,研究人员建议可以达到200cm2 / V-s的值。

研究小组报告:这项工作中测得样品A的2DHG密度约为5x1013 / cm2,接近预期的极化差,并且远高于先前报道的氮化物半导体中的2DHG密度。同时,与窄带隙半导体相比,III族氮化物的“轻”和“重”空穴倾向于具有更高的有效质量,从而降低了迁移率。较大的带隙意味着可以通过栅极通过场效应有效地调制高2D空穴气体密度,因为半导体本质上能够承受更大的电场。基于极化的掺杂效应还有另一个优势,与更常见的镁掺杂p-GaN中掺杂剂浓度的波动相比,其均匀性低至原子级。

11   2019-10-21 11:22:04.333 与台积电争晶圆代工头牌 三星向ASML订购15台EUV设备 (点击量:3)

根据韩国媒体报导,为了期望在2030年达到成为全球第1半导体大厂的目标,并且力图在半导体晶圆代工领域超越龙头台积电,抢占未来2到3年因为5G商用化所带来的半导体市场需求,三星电子日前已经向全球微影曝光设备大厂ASML订购15台先进EUV设备!

由于微影曝光设备一直被认为是克服半导体制程技术微缩限制的关键设备,其单价高达1.8亿美元。不过,报导指出,三星电子最近发出一份意向书(LOI),向ASML购买价值3兆韩元(约27.5亿美元)的EUV设备,并且预计分3年时间进行交货。市场人士表示,由于三星增加EUV设备订单,代表三星即将在晶圆代工生产线上进行大规模投资。

若三星此次订购消息属实,其订购的15台EUV设备将占ASML于2020年总出货量的一半。2012年,三星电子收购ASML的3%股份,以期望能在取的最新微影曝光设备。为了超越晶圆代工龙头台积电,在如此大胆的投资基础上,通过提供技术竞争力来吸引客户会是三星积极采用的方式。

目前,三星电子的客户包括高通、英伟达、IBM和SONY。但是,台积电方面更是筑起了难以超越的门槛,包括全数苹果iPhone处理器的订单,加上华为海思、AMD、赛灵思等大客户支持。

之前,台积电原本计划2019年资本支出将为110亿美元,其中八成将投资于7纳米以下的更先进的制程技术。但是,在17日的法人说明会上,台积电更加预计的资本支出一举提高到140亿美元到150亿美元之间,其中增加的15亿元经费经用在7纳米制程,25亿元经费则将用在5纳米制程上。

因为,台积电目前的7纳米+与未来的5纳米都将采用EUV技术。所以,增加出来的资本支出势必也将会在EUV设备上多所着墨,使三星的压力更加巨大。

根据统计资料显示,2019年第3季全球晶圆代工领域,台积电以市占率50.5%稳坐龙头宝座,而近年努力发展先进制程的三星电子,则以18.5%的市占率位居第二。然而,三星积极抢攻市场商机,使得近期频繁发布其晶圆代工领域的投资计划,就可以了解其企图心。

整体来说,三星电子计划到2030年投资133兆韩元的资金来提升半导体业务。根据三星的计划,133兆韩元的投资中,有73兆韩元是用于技术开发,60兆韩元则是用于兴建晶圆厂设施,这预计会创造1.5万个就业机会。

而三星的目标是在2030年时不仅保持存储芯片的领先,还要在逻辑芯片领域成为领导者。不过,面对台积电持续增加的研发与投资支出,三星能否在竞争中有所斩获,值得大家后续拭目以待。

12   2019-10-21 09:34:05.11 Osram推出每通道125W专用于激光雷达(LiDAR)的大功率表面贴装(SMT)红外激光器,为自动驾驶汽车实现更长的检测距离 (点击量:2)

德国欧司朗光电半导体有限公司表示推出全球首款通过AEC-Q102认证的四通道和单通道脉冲激光器,两款新产品的每通道性能均为125W,效率高达33%。据称,这两款新的高功率SMT(表面贴装技术)激光器扩展了Osram的LiDAR应用的光子学产品,易于集成。因此系统开发人员现在可以从更多种类的红外组件中进行选择。

自动驾驶汽车对安全系统有很高的要求。它们必须可靠,可以在所有光照和天气条件下工作,并能够及时发现潜在的危险和障碍,以做出适当的驾驶决策。现在,人们已经达成广泛共识,只有激光雷达(LiDAR)、相机和雷达的组合才能满足自动驾驶的要求。

安全性方面的一个核心是红外光源的范围。为了尽可能向前看,需要强大的激光器。两种产品在每通道40A时的输出功率均为125W。由于单通道SPL S1L90A_3 A01的热阻特别低,仅为30K/W,四通道SPL S4L90A_3 A01的热阻为17K/W,即使在高电流下也很容易从组件散发热量。

四通道版本的芯片具有四个发射区,可提供480W的光功率。激光可以实现更长的检测范围,尺寸仅为3.35mm x 2.45mm x 0.65mm,使其仅比2.0mm x 2.3mm x 0.65mm单通道版本大一点。

欧司朗光电半导体产品经理Rena Lim表示说:“功率更高,占空比也提高到0.2%,客户可以在应用中覆盖距离更远的探测范围,并且达到更高的分辨率。由于其出色的封装设计,新产品能够实现大约2ns的短脉冲宽度。此外,充分考虑用户安全,产品融入了眼睛保护的安全系统设计。”

13   2019-10-21 09:32:33.96 Packetcraft推出开源蓝牙低能耗堆栈,该堆栈与Arm Mbed OS集成以实现无缝的IoT连接 (点击量:3)

2019年10月7日,美通社报道称Packetcraft推出基于Arm®Cordio®物联网设备平台的开源Bluetooth®低能耗协议栈解决方案。该产品就绪型软件已集成到免费的开源IoT操作系统Arm Mbed™OS中,为开发人员提供了高级的蓝牙连接。Packetcraft低功耗蓝牙协议栈解决方案和Mbed OS将在于圣何塞会议中心举行的Arm TechCon 2019上进行几场演示的蓝牙连接。

Packetcraft的蓝牙低功耗软件解决方案包含以下协议栈:

具有蓝牙5.1合格链路层和IEEE 802.15.4 MAC的多协议控制器;

蓝牙5.1合格主机堆栈和BLE的GATT配置文件;

符合蓝牙1.0标准的网状配置文件和模型;

除了Packetcraft的开源软件之外,Packetcraft还为企业客户提供商业服务。Packetcraft的Early Access服务通过访问私有的个人专用存储库,为公司提供了实现最新的先进蓝牙功能的软件。

Packetcraft的创始人兼首席执行官John Yi表示:“Packetcraft很高兴提供认证测试并且最新规范开源蓝牙协议栈。我们将提供具有高质量和许可灵活性的BLE软件解决方案。”

Arm物联网服务事业部产品和运营副总裁Chris Porthouse表示:“连接性是任何物联网部署的核心,设备制造商需要物联网操作系统,以提供支持多种标准的灵活性,Packetcraft BLE软件与Mbed OS的集成为我们的开发人员生态系统提供了开源的高级蓝牙连接支持,可用于简化IoT用例中的IoT产品部署。”

14   2019-10-27 20:03:07.617 Khronos跨平台计算机视觉应用和机器智能加速标准OpenVX 1.3规范 (点击量:1)

一个由领先硬件和软件公司组成的开源组织Khronos®Group制定了先进的加速标准,宣布批准并公开发布OpenVX™1.3规范以及代码示例和原型一致性测试套件。OpenVX是一个开源、跨平台、免版税的标准,可以实现功能移植、能耗优化的计算机视觉应用,例如面部、身体、动作跟踪;智能视频监控;自动驾驶辅助系统;视觉监测和机器人技术。今天也用于Raspberry Pi的OpenVX 1.3开源的实现,以使开发人员可以广泛使用OpenVX。用于OpenVX 1.3的一致性测试套件正在开发中,预计将在2019年底之前发布。

为了在避免碎片的同时实现部署灵活性,OpenVX 1.3定义了针对常见嵌入式用例的多个功能集。OOpenVX的灵活性使应用程序可以在不同水平的能耗和性能的各种优化系统上运行,OpenVX 1.3大大地扩展了OpenVX视觉操作器和图形框架功能。定义的OpenVX 1.3功能集包括:

图形基础架构(其他功能集的基准);

默认视觉;

增强视觉(OpenVX 1.2中引入的功能);

神经网络推理(包括张量对象);

NNEF内核导入(包括张量对象);

二进制图像;

关键安全性(减少功能以简化安全认证)。

MulticoreWare已与Khronos合作,以使用Raspbian操作系统为Raspberry Pi 3 Model B提供OpenVX 1.3实施。这种实现利用了OpenVX灵活的体系结构,包括:通过切片和链接自动优化内存访问模式;利用多媒体指令集使用高度优化内核的能力;自动并行化以利用多种计算资源,例如多核CPU和GPU;将处理内核的通用序列自动合并为单个高性能内核。

15   2019-10-27 19:49:07.663 在客户需求激增的推动下,固态硬盘出货量在第二季度实现了18%的增长 (点击量:4)

在今年前三个月的暴跌之后,由于客户系统市场的需求提振了金士顿等第三方供应商的业绩,全球固态硬盘(SSD)的出货量在第二季度迅速回升。

根据IHS Markit的数据,第二季度全球SSD收入增长至579亿美元,比第一季度的528亿美元增长了9.7%。第一季度出货量环比下降8.4%,从收缩到扩张的巨大转变代表了第一季度和第二季度之间超过18%的波动。移动和台式PC等设备的客户端SSD部门是增长的主要推动力,第二季度客户端SSD的出货量环比增长11.9%。

IHS Markit | SSD和HDD首席分析师James Zhao说:“价格下跌继续推动客户端系统中SSD需求的增长。固态硬盘的平均销售价格(ASP)在第二季度环比下降了6.7%,这些下降使得SSD对于更多的系统而言更便宜。”

NAND价格暴跌削弱了收入增长,尽管单位出货量猛增,但第二季度SSD的连续收入增长仅限于1%。这是因为第二季度整体SSD均价下降了9.7%。

英特尔在2019年第二季度的SSD收入份额中排名第二。由于英特尔将更多精力放在企业市场上,因此其SSD ASP远远高于平均水平。英特尔在本季度销售了超过400万个SSD,与上一季度相比增长了17.5%。

客户群体的激增使那些不生产带有NAND闪存微芯片产品的第三方厂商获得了不成比例的收益。第三方固态硬盘供应商金士顿就是这一趋势的例证,该公司的固态硬盘出货量在第二季度环比增长了23.3%。

16   2019-10-27 19:30:27.257 IPC报告显示2019年9月份北美PCB销量持续增长 (点击量:2)

2019年10月24日,IPC 国际电子工业联接协会发布《2019年9月份北美地区 PCB 行业调研统计报告》。报告显示,销售额和订单持续增长,订单出货比提高到1.04。

2019年9月北美PCB总出货量,与去年同期相比增长了3.8%。年初至今的销售额保持正增长,为7.0%。与上个月相比,9月出货量增长了10.2%。

9月份的PCB预订量,与去年同期相比增长12.2%。年初至今的订单增长达到3.0%。9月份的预订量比上月增长了2.5%。

IPC市场研究总监Sharon Starr表示:“由于9月份的销售额和订单均呈正增长,以及订单出货比增加,北美PCB行业的业务正在持续增长。自2017年中开始的增长周期已经持续了两年多,尽管近几个月的同比增长率一直不高,但最近两个月不断提高的订单出货比是个好消息。这表明在接下来的两个季度中,销售增长可能会出现缓慢,但大部分为正的增长。”

解释数据

订单出货比,是用参与 IPC 调研项目的样本公司在过去三个月的订单量除以同期的销售量,得到的比率。比率超过 1.00,表示当前需求超过供给,预示着在接下来的三到十二个月,销售将向增长的态势发展。 比率小于 1.00,则表示当前的供给量大于需求量。

同比增长率和年初至今的增长率,对于探究行业的发展趋势具有指导意义。环比数据因其受周期性和短期性变动因素的影响,需要谨慎对待。与出货数据相比,订单数据变动更大, 月与月之间订单出货比的改变,也就不那么重要,除非出现连续 3 个月以上的明显变化趋势。探究订单和出货的变化原因与了解订单出货比的变化同样重要。

17   2019-10-27 19:28:48.053 First Solar成为西半球最大的光伏组件制造商 (点击量:1)

First Solar 公司已开始将其位于美国俄亥俄州的新碲化镉(CdTe)光伏(PV)组件制造工厂投入运营,即第二批Series6工厂。位于俄亥俄州的佩里斯堡运的核心工厂将继续运营,可有效地将其在美国的年总生产能力扩大1.9GW。

两家工厂均采用First Solar的Series 6 模块技术。该模块是加利福尼亚州和俄亥俄州的研发中心设计和开发的,使用完全集成的制造流程,仅需3.5小时即可生产模块。每个大型Series 6模块都利用First Solar专有的薄膜技术,保留了较早一代模块的可靠性优势。碳足迹比使用常规的高能耗生产方法生产的晶体硅PV板低六倍。

First Solar在美国的制造业务不断扩展,据估计有超过10亿美元的累计投资,并直接创造了约500个新工作岗位,使其成为美国和西半球最大的太阳能制造商。这笔投资包括由NSG集团在俄亥俄州新建造的涂有TCO(透明导电氧化物)的玻璃制造厂,价值2.65亿美元,这是自1980年以来在美国的第一条新浮法玻璃生产线。

First Solar自1999年成立以来已有20周年,其光伏组件的发货量达到了25GW,这使其成为唯一一家实现这一里程碑的美国太阳能组件制造公司。

首席运营官Tymen de Jong说:“其自动、数字化、机器化和人工智能的水平表明,工业4.0对于光伏制造业而言并非遥不可及,我们为实现这一目标感到自豪。”