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2019年第22期(发布时间: Dec 1, 2019 发布者:沈湘)  下载: 2019年第22期.doc       全选  导出
1   2019-11-19 14:03:40.997 中科院张科:这是一个打破开源芯片死结和生态的时代 (点击量:10)

2019年11月14日下午,中国开放指令生态(RISC-V)联盟秘书处主任、中科院计算所高级工程师张科在2019 RISC-V CON上介绍了芯片敏捷开发的方法和开源芯片生态的构建,他讲到这是一个打破开源芯片死结的时代。

他讲到,开源芯片崛起有三大驱动力,一是随着摩尔定律逐步放缓,亟需领域专用架构;二是优秀人才储备严重不足;三是降低芯片设计门槛,缓解人才危机,推动产业变革。

他还谈到,当今芯片的设计门槛依旧很高,一个是时间长,英伟达Xavier SOC设计用了8000人/年,二是成本高,以终端芯片14nm工艺为例,需要上亿元的研发经费,只有少数企业能承受中高端芯片研发成本,大学没有能力开展芯片研究,严重制约芯片领域的创新,芯片人才培养能力严重不足。

相比互联网领域,芯片领域投资成本居高不下。那么能否降低芯片设计门槛,实现让3-5人小团队可以创办芯片创业公司,让学生不在害怕做硬件、做芯片,让做芯片像写APP那么简单,让天下没有难做的芯片。。。。

作为信息产业的基石,在各类芯片之中,处理器芯片是设计与制造过程最为复杂的一类芯片,被公认为“集成电路皇冠上的明珠”,更是各国争相抢占的制高点,而指令集架构(ISA)是处理器芯片的“灵魂”。

如果处理器芯片能够基于开放、免费的指令集架构设计,并将设计源代码等文件开源,势必会推动芯片及信息产业新一轮的变革。

然而芯片开源始终存在一个“死结”。而开源芯片+敏捷开发,能有效的降低设计的人力、EDA、IP成本。对此,中科院开发了一个芯片敏捷开发的服务平台——思沃(SERVE)。思沃从低端到高端,拥有不同版本。

2   2019-11-19 13:57:45.693 美国斯坦福大学研究人员开发出新型可拉伸、可降解半导体材料 (点击量:5)

据科技日报报道,美国斯坦福大学研究人员13日在美国化学学会期刊《ACS核心科学》上发表研究报告称,他们开发出一种可拉伸、可完全降解,并能在应变时保持稳定电气性能的半导体材料。研究人员称,这一同时具有3种不同属性的新材料有望在医疗、环境监测、信息安全等领域得到广泛应用。

半导体是计算机和电子设备的基本组成部分,其常温下的导电性能介于导体与绝缘体之间。当前大多数半导体是由硅或其他刚性无机材料制成。科学家在尝试使用不同的方法来制造柔性、可降解的半导体,但它们要么不能完全分解,要么在拉伸时会降低电气性能。开发出一种完全可降解、且能在应变时保持稳定电气性能的半导体已成为可伸缩电子学研究领域面临的一个新挑战。

在新研究中,斯坦福大学研究人员将一种可降解的橡胶状有机聚合物和一种可酸降解的半导体聚合物混合,组装成半导体纳米纤维。由这些纤维制成的薄膜可以拉伸到其正常长度的两倍而不会破裂或损害其电气性能。当置于弱酸中时,这种新材料会在10天之内完全降解。该材料对人类细胞无毒,但其在人体内的降解时间要更长一些。

研究人员表示,这是他们首次研发出同时具有半导体性、可拉伸性和完全可降解性这3种不同属性的新材料,该材料具有不受应变影响的机械和电气性能,可用于开发各种多功能电子设备,有望在医疗、环境监测、信息安全等领域大显身手。例如在医疗领域,可拉伸、有弹性的生物医学设备可以与人体器官紧密结合,不会因机械不匹配而引起炎症反应;而可完全降解的能力又能使病人能免除二次手术的烦恼,在保证治疗效果的同时也会大大减轻病人的痛苦。

3   2019-11-17 17:23:53.17 到2027年,GaN衬底市场将以10%的复合年增长率增长 (点击量:0)

Transparency Market Research的一份报告估计,全球氮化镓(GaN)衬底市场收入将以10%的复合年增长率(CAGR)增长,到2027年将达到2.25亿美元。

GaN基板有望显着提高复杂电源管理和控制功能的性能,而且制造成本低。GaN器件还因各种优点而受到广泛欢迎,包括高击穿电压、高开关速度、高导热率和低导通电阻,预计GaN技术器件在高频、高压和高温应用中的使用将不断增长,这些将推动全球GaN衬底市场。

白光LED的采用是促进GaN衬底市场的另一个因素。除了功率器件以外,GaN衬底还可用于制造白光LED,其性能超过了以前的器件。此外,由于GaN技术的飞速发展,现在已经开发出具有低缺陷密度和自由宏观缺陷密度的高效GaN衬底,反过来更好服务于白光LED。因此,白光LED的采用日益增加,将带动GaN衬底市场的增长。

亚太地区将继续保持GaN衬底的第一大市场的地位。在2018年占全球GaN衬底市场关键份额的情况下,由于GaN器件在多个最终用途行业中的各种应用的日益普及,预计亚太地区将在2019年至2027年之间继续占据主导地位。

北美已经成为GaN衬底的第二大市场。预计在预测期内,该地区将在全球市场中保持相当大的份额,这是由于GaN衬底日益频繁的用于白光LED、电动汽车等各种应用中。

在整个预测期内,预计欧洲将成为GaN衬底利润丰厚的市场。由于该地区的快速工业化,预计市场将继续发展。

4   2019-11-17 17:25:31.963 Skyworks的季度收入增长8%,若不包括对华为的出口,则为20% (点击量:1)

在2019的全年(截至9月27日),美国Skyworks Solutions 公司(生产射频模拟和混合信号半导体器件)的报告收入为33.77亿美元,比2018年的38.68亿美元下降了12.7%。2019年第四季度的收入为8.274亿美元,较去年同期的10.08亿美元下降了17.9%,但比上一季度的7.67亿美元增长了8%,比8.15-8.35亿美元的原始指引高的中点出200万美元。若不包括对华为的出口,收入环比增长20%。这是Skyworks最强劲的环比增长率之一。

Skyworks 业绩的这种差别主要受累于美国商务部工业和证监局(BIS)于5月15日将智能手机和电信网络基础设施制造商华为技术有限公司及其68家子公司纳入其实体清单:“未经适当许可,禁止向华为出售”出口管理条例(EAR)所涵盖的产品。随后,Skyworks停止了对华为的所有出货(占2019年上半财年总收入的12%)

从市场领域来看,移动(集成移动系统和射频功率放大器)从上一季度总收入的63%反弹至67%。Broad Markets(泛市场)约占总收入的33%,比去年同期增长了28%,但比上一季度的37%有所下降。

本季度的重点包括:

为三星的4G移动设备套件及其首款可折叠5G智能手机提供动力;

启用LG的V50ThinQ旗舰5G手机(具有OLED显示屏和双屏);

加速公司Sky5产品组合的升级,支持多个5G产品发布;

以5G小蜂窝架构支持领先的基础设施客户;

Netgear在其Orbi和Nighthawk平台中确保Wi-Fi 6设计的成功;

在Sierra Wireless的工业网关和运输平台上提供LTE支持的物联网(IoT)引擎;

开始为亚马逊,瞻博网络和Ruckus量产高性能网状网络连接模块;

与主要汽车制造商一起推出完全集成的LTE解决方案;

为一级家庭安全提供商运送Zigbee超低功耗设备;

扩大Sonos的覆盖面,使其能够实现室内/室外便携式智能扬声器;

推出用于超低延迟下一代无线游戏耳机的认知芯片组。

5   2019-11-17 17:23:03.407 伊利诺伊大学报道热导率与不同GaN材料位错密度的关系 (点击量:1)

由Can Bayram教授领导的伊利诺伊大学的研究小组现报告,不同GaN材料的位错密度对热导率存在影响,这是对具有不同位错密度(包括氢化物气相外延)的氮化镓材料的热导率进行的首次系统研究。氮化镓(GaN)材料对于能量转换,通信和传感至关重要,但现有的主流GaN光子和电子器件受到热提取的限制,这是GaN器件(包括RF晶体管和LED)中最大的挑战之一。

研究对象包括(HVPE)生长的GaN,高氮化物压力(HNP)生长的GaN,蓝宝石(GaN /蓝宝石)和硅(111)(GaN / Si)上的金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的GaN 。

HVPE GaN、HNP GaN、MOCVD生长的GaN /蓝宝石、GaN / Si的GaN热导率(κGaN)分别为204.7(±4.6)、206.6(±6.8)、191.5(±10.5)和164.4(±3.2)W / mK,位错密度(σD)分别为4.80(±0.42)x105、3.81(±0.08)x106、2.43(±0.20)x108和1.10(±0.10)x109cm -2,分别使用阴极发光和XRD。

实验数据提出了一个新的经验模型,以描述GaN的热导率如何受位错密度的影响,特别是κGaN= 210tanh0.12(1.5x108 /σD)。他们还提出了Klemens模型的一种修改,其中增加了位错引起的散射强度,以解释随着位错密度的增加,导热系数下降的实验速率。

它们的经验表达式提供了一种方法,通过确定位错密度来间接估算异质外延生长的GaN样品的热导率,这比直接测量热导率更简单。

6   2019-11-17 17:21:40.197 IPC投资工业4.0,发布IPC CFX行业支持计划 (点击量:0)

2019年11月12日,IPC宣布了行业计划,以支持IPC Connected Factory Exchange–IPC CFX的实施和充分利用。IPC CFX是IPC-2591《互连工厂(CFX)》标准支持的一种单源即插即用系统,这是由工业界针对行业开发的开放国际标准。IPC CFX使用安全的免许可证通信协议可以减少甚至消除智能工厂实施过程中对中间件的依赖,从而使任何规模的制造工厂都能实现工业4.0、IIoT和智能工厂的目标。

IPC CFX将所有设备消息传递标准都构建到一个系统中,这使得设备与车间管理系统之间可以直接通信,从而成为第一个真正的IIoT标准。为了加快IPC CFX在工厂中的实施,IPC正在通过培训如何更好的利用IPC CFX,以满足这些需求。

教育方面,IPC提供了全面的按需教育网络研讨会和培训视频,使需要的人能快速轻松地理解利用CFX。

设备验证方面,制造工厂将需要确保设备已安装成功CFX。IPC将为电子行业提供验证设备是否已通过CFX消息集验证的途径,设备将经过第三方验证。

自我评估方面, IPC正在为设备供应商和制造工厂提供基于云的应用程序,以根据CFX对他们的设备进行自我评估。

技术方面,IPC技术支持服务将协助生产运营部门实施基于CFX的解决方案。咨询服务将涵盖项目管理、车间的工程级指导、开始时的应用程序编码以及对机器供应商实施等。

IPC标准与技术副总裁David Bergman表示:“CFX的目标是为制造运营的各个方面带来技术优化,使自动化更高效,并提高灵活性。”

7   2019-11-17 17:20:25.05 改善碳化硅衬底上氮化铝的金属有机生长 (点击量:0)

美国加州大学(UCSB)改善了碳化硅(SiC)衬底上氮化铝(AlN)的金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长,促进了氮化铝镓(AlGaN)深紫外发光二极管(DUV LED)和光电制造的研究。

AlN-MOCVD技术的全面改进,SiC晶片质量的提高以及分子束外延(MBE)中所展示的生长模式控制概念,使MOCVD生长AlN/SiC成为获得高质量UV-LED模板层的可行途径。有高选择性的干法蚀刻技术可有效去除SiC衬底,从而提高了高效深紫外LED制造的前景。SiC的优势是晶体结构方面具有很好的匹配性,在基板的Si面上不存在意外的氮极生长的风险。

深紫外线LED的壁挂效率低,原因之一是存在将电子引导到非辐射复合过程的螺纹位错。而这项工作是为具有低螺纹位错密度的AlGaN生长提供无裂纹的AlN模板。

UCSB MOCVD使用三甲基铝和氨前体分别作为铝和氮的来源。250nm的AlN起始层在1200°C下生长,然后在1400°C下生长2.7μmAlN。生长速率分别为1.5Å/ s和6Å/ s。两步工艺的目标是减少螺纹错位的数量和使表面更光滑。

4H SiC基板来自两家供应商。对“样品A”衬底进行机械抛光,其抛光痕迹掩盖了晶体生长过程中通常产生的原子台阶。通过化学机械平面化(CMP)可以使表面更光滑的“样品B”在梯形表面结构中可见。样品A和B的厚度分别为250μm和500μm。发现在样品B上生长的AlN膜具有降低的拉伸应力和较少的破裂。

在1400°C下对样品B进行10分钟的氨气预处理10分钟,将轻微的拉伸应力变为-1.1GPa的强压缩力。该表面在5μm的范围内也无裂纹。 X射线摇摆曲线还显示出半峰全宽(FWHM)衍射峰减小,表明膜质量更高。

8   2019-11-30 23:35:07.83 深圳先进院成功开发黑磷烯等离子体液相高效制备技术 (点击量:0)

近日,中国科学院深圳先进技术研究院研究员喻学锋和正高级工程师黄逸凡合作在高质量黑磷烯制备领域取得新突破,相关研究成果"Rapid and scalable production of high-quality phosphorene by plasma-liquid technology"以通讯快报的形式发表在国际化学期刊Chemical Communications。论文第一作者是助理研究员黄浩,共同第一作者是博士康翼鸿,合作者包括教授朱剑豪、西班牙阿拉贡纳米科学研究所教授Ricardo Ibarra 等。

黑磷烯作为一种带隙可调的直接带隙半导体二维层状材料,在光/电子器件领域具有极大的应用潜力。目前,制备黑磷烯的主要方法是液相剪切/超声剥离法,但黑磷本身杨氏模量较小,长时间剪切/超声会导致磷烯片层较小和缺陷增多,且易发生氧化,从而限制黑磷烯的应用。因此,开发出制备高质量大尺寸黑磷烯的高效方法对于黑磷烯的应用至关重要。不同于固体、液体和气体,等离子体是由离子、电子以及未电离的中性粒子的集合组成,整体呈中性的物质状态,又被誉为“物质的第四态”。作为一种绿色的工业技术,等离子体技术已被广泛应用于材料表面处理、纳米材料合成以及半导体制造领域。但利用等离子体技术来制备黑磷烯的技术路线尚未有报道。

前期,团队在黑磷烯液相超声制备(Advanced Functional Materials 25 (45), 6996-7002)、离子插层(Small Methods, 1900083;Materials Horizons 6 (1), 176-181)等方向做了大量工作。在本项工作中,基于多年的黑磷烯制备经验和等离子体技术特色,团队自主设计出等离子体液相制备系统,包括电源模块、反应模块等。通过高压电源在阳极产生等离子体,作用于N,N-二甲基甲酰胺溶剂,等离子体中的活性粒子将N,N-二甲基甲酰胺分子分解,分解产物在电场驱动下对阴极黑磷晶体进行插层,同时在层间产生气体,弱化层间力,使得黑磷晶体快速膨胀,从而高效地制备出高质量大尺寸的黑磷烯。同时由于制备时间短,此方法制备的磷烯氧化程度低,展现出优良的光电响应性能,这为黑磷烯作为高性能电子材料的应用奠定了基础。

上述研究得到国家自然科学基金面上项目、中科院前沿重点项目、深圳市科技计划项目等的支持。

9   2019-11-19 13:55:20.47 长电集成电路(绍兴)有限公司落户浙江绍兴 总投资80亿 (点击量:2)

近日,浙江绍兴市举行长电科技绍兴项目签约仪式,这意味着长电科技绍兴项目正式签约落地。国家发改委国际合作中心副主任崔琳,市领导马卫光、盛阅春、谭志桂、魏伟、徐国龙、邵全卯,长电科技总顾问张文义,长电科技董事、中芯国际CFO高永岗,长电科技CEO郑力等出席签约仪式。

会上,市政府、越城区政府分别与长电科技签订合作框架协议和落户协议。据悉,长电集成电路(绍兴)有限公司落户于越城区,总投资80亿元,将瞄准集成电路晶圆级先进制造技术的应用,为芯片设计和制造提供晶圆级先进封装产品。项目一期规划总面积230亩,建成后可形成12英寸晶圆级先进封装48万片的年产能。二期规划总面积150亩,以高端封装产品为研发和建设方向,打造国际一流水平的先进封装生产线。

盛阅春在讲话中说,长电科技是全球领先的集成电路系统集成和封装测试服务提供商,长电科技绍兴项目致力打造国内最先进的封装测试基地,充分体现了长电科技对绍兴的厚爱、对绍兴未来的信心,也强烈显示出长电科技扎根绍兴、共赢发展的坚定决心,这是绍兴集成电路产业发展进程中的里程碑事件,必将为我市打造大湾区先进制造基地、构建现代产业体系注入强劲动力。我们将以此次签约为契机,尽心尽力做好“东道主”、当好“店小二”,以“最多跑一次”改革的理念和标准,努力为企业发展和项目建设提供“全过程、专业化、高效率”的优质服务,全力支持长电科技深耕绍兴、再创辉煌。希望长电科技充分发挥技术、人才和信息优势,进一步加大力度、加快进度,力争项目早落地、早开工、早达产。

长电科技CEO郑力表示,长电集成电路绍兴项目将聚焦先进封装领域,持续研发投入,与国内一流集成电路设计公司、终端产品供应商等共同研发高端产品、5G迭代产品的封测解决方案,为人工智能的大力发展、5G的商业应用、国家的信息技术安全作出应有的贡献。希望绍兴项目高质量、高起点完成前期建设工作,尽快达标达产,将绍兴项目打造成一流的先进封装基地,构建本土先进集成电路制造产业链,带动我国集成电路制造产业整体水平和竞争力的提升。

10   2019-11-30 23:26:22.263 松下将出售半导体业务 (点击量:0)

据日经新闻28日报道, 松下将退出半导体事业、相关事业公司的股权将卖给台湾新唐科技 (华邦电持有新唐约6成股权)。报道指出,松下计划出售的对象为旗下从事半导体研发、制造、销售业务的全额出资子公司 Panasonic Semiconductor Solutions(以下简称松下半导体),而松下半导体 和以色列专业晶圆代工厂TowerJazz分别出资49%、51 %设立的合资公司「Panasonic TowerJazz Semiconductor(以下简称PTS)」也将进行出售 ;PTS目前利用位于富山县和新泻县的3座工厂生产图像传感器等半导体产品。

松下于1952年通过和荷兰飞利浦(Philips)设立合资公司进军半导体事业,在1990年前后松下的半导体事业营收一度挤进全球前10大厂之列,不过之后因台湾、韩国厂商崛起,导致松下半导体事业业绩恶化。 松下于11月22日在东京都内举行投资人事业说明会「IR Day 2019」,而根据松下官网公告的说明会内容显示,松下计划于2021年度结束前(2022年3月底前)消灭所有的结构性亏损事业。

由于电视和数位相机等销售大减等原因,松下半导体工厂的运转率降低,2014年才将富山和新泻县的3家工厂改成与高塔共同经营,并关闭冈山县和鹿儿岛县的工厂。 4月刚宣布将半导体业务的晶体管和二极管事业卖给半导体制造商罗姆(ROHM)。而且就在这个月21日下午,松下宣布将于2021年停止液晶面板的生产。

松下近来看好新一代汽车的普及,开始强化用在电动车电池管理上的车载半导体等。但半导体事业的核心企业 松下半导体2018年度(至2019年3月)的销售额为922亿日圆(人民币约59.23亿元),亏损达235亿日圆(人民币约15亿元) 。原本打算今年度(至2020年3月)要让半导体事业由亏转盈,但受到美中贸易战导致需求低迷的影响,黑字化已经无望,故只好决定出售。

美国的市场调查机构《IC Insights》的调查报告显示,1990年日本的半导体在全球的市占率达49%,但因投资判断的迟缓以及事业重组等因素而逐渐落后,在南韩与台湾企业的猛烈攻势下,2018年跌至7%。美国资讯科技研究顾问公司Gartner发表的世界10大半导体企业排行榜中,日本厂商的名字从2018年起便消失了。

砍掉面板业务、出售半导体业务,松下这一连串操作透露着对半导体行业不景气的无奈,但这又何尝不是一种断臂求生的方式呢?这背后还能看出一点索尼的影子,当年索尼出售PC业务、卖掉锂电池业务,专注于图像传感器事业,现在要风得风要雨得雨。或许多年后,松下电池事业将会超群绝伦。

11   2019-11-30 23:39:00.63 理化所亚硒酸盐非线性光学材料探索获进展 助力开发高功率激光倍频领域应用 (点击量:0)

非线性光学晶体是一类重要的光电功能晶体。它通过倍频、和频、差频、光参量放大和多光子吸收等非线性过程可以对 激光 进行调制和操纵。这类晶体被广泛应用于激光频率转换、四波混频、光束转向、图像放大、光信息处理、光存储、光纤通讯、水下通讯等研究领域。

亚硒酸盐化合物因含有活性孤对电子的Se 4+ ,在外光电场作用下容易诱导出强的极化,从而产生大的非线性光学效应,因而在二阶非线性光学材料探索中有着重要的研究价值。长期以来,增强亚硒酸盐非线性光学材料的非线性光学效应主要是通过引入具有二阶姜-泰勒效应的d 0 过渡金属阳离子(如Ti 4+ ,Nb 5+ ,V 5+ ,Mo 6+ 等)等手段来实现的。然而,缺憾是当引入d 0 过渡金属阳离子增强光学效应的同时,通常会显著地减小材料的带隙值,并伴随着较差的抗激光损伤性能。

近日,中科院理化所晶体中心林哲帅研究组在亚硒酸盐材料体系中,提出异价取代调控能带结构的分子设计策略,发现并合成了一例在可相位匹配的亚硒酸盐非线性光学材料中具有最宽带隙的新型材料Pb 2 GaF 2 (SeO 3 ) 2 Cl。通过移除过渡金属、引入主族元素和高电负性的氟元素, Pb 2 GaF 2 (SeO 3 ) 2 Cl 的带隙扩宽至4.32eV,且抗激光损伤阈值是现有同构材料的三倍,提高至120MW/cm 2 。

此外, Pb 2 GaF 2 (SeO 3 ) 2 Cl 还表现出了较强的非线性光学响应,其倍频信号强度是同等粒径下KDP样品的4.5倍,在未来的 高功率激光倍频领域 有潜在的应用价值。

此工作以 Pb 2 GaF 2 (SeO 3 ) 2 Cl :Band engineering strategy by aliovalent substitution for enlarging bandgap while keeping strong second harmonic generation response 为题发表在美国化学会期刊J.Am.Chem.Soc.(DOI:10.1021/jacs.8b11485),并被遴选为当期封面文章。

该研究工作得到国家自然科学基金委、中科院海西创新研究院(FJCXY18010201)以及中科院青年创新促进会的大力支持。

12   2019-11-24 22:09:17.027 是德科技、FormFactor和CompoundTek共同开发在片硅光测试解决方案 (点击量:0)

美国的是德科技、FormFactor与新加坡硅光子(SiPh)晶圆代工服务提供商CompoundTek Pte Ltd携手合作,加快了集成光子(硅光子)创新的步伐。他们共同开发了一种硅光晶圆上测试解决方案,该解决方案可提供业界首创的功能,包括自动对准,以及同步进行光信号和光电器件测试。联合解决方案包括:

FormFactor CM300xi-SiPh,该产品具有自动晶圆级光信号定位功能,结合了是德科技符合行业标准的 IL/PDL 引擎和 N7700A 光通信应用套件(PAS),可在 1240 nm 到 1650 nm 的双向扫描中支持 ±1.5 pm 的重复波长,最高速度为 200 nm/s,以确保从 O 波段到 L 波段的精度和可重复性。

是德科技的 N4373E 67 GHz 光波元器件分析仪,可为光接收机测试和光发射机测试提供出色的带宽,并保证了电光S参数测量的规范,从而保证设备的可追溯性。

是德科技的 PathWave 软件平台,可提供一致的用户体验,通用的数据格式和控制界面。

FormFactor 的 SiPh 软件,可实现自动校准和对齐,并且简化了与是德科技 PathWave 软件平台及光通信仪器的集成,确保简单易用。

硅光技术还可为许多工业领域带来好处,其中包括数据中心的内部通信、数据中心互连、电信、5G 和互联汽车、高性能计算、光检测和测距(LIDAR)以及传感和医疗应用。

尽管光子集成电路(PIC)可以解决传统数据中心网络的局限性,但它们也为组件和设备制造带来了新的设计和测试挑战。PIC 的发展取决于整个行业生态系统的表现,包括晶圆厂和商业建模工具的创新,以及硅光测试能力的提升。

13   2019-11-24 22:08:02.633 由于RF芯片订单减少,IQE将2019年收入预期从1.40-1.6亿英镑下调至1.361-142亿英镑 (点击量:0)

在2019年,位于英国威尔士卡迪夫的epiwafer代工厂和基板制造商IQE plc表示将其收入预期从1.40-1.6亿英镑(6月给予)降低至1.36-142亿英镑,这比2018年的1.563亿英镑有所下降。

在无线业务中,IQE在美国的主要RF芯片客户的订单量持续减少,并且库存减少,在一定程度上抵消了亚洲供应链的产量增长。IQE在5G射频滤波器和开关的新产品开发方面,将继续保持良好的进展。

在光子学领域,用于智能手机3D传感和手势识别应用的垂直腔表面发射激光器(VCSEL)销售主要由单个客户主导,最大VCSEL客户的订单使IQE在2019年下半年实现了持续强劲增长,突显了VCSEL在供应链中外延片的领先地位。用于数据通信/电信应用的磷化铟(InP)激光器市场仍然疲弱,但显示出2020年增长的迹象,尤其是在亚洲市场。

IQE的产能扩展的基础设施阶段已于2019年上半年完成,因此自6月以来,该公司已采取措施降低成本和资本支出。资本开支将接近先前规定的30-40百万英镑,年底的净债务预计为15-20百万英镑。

2020年的前景包括第一季度季节性疲软以及无线市场的持续供应链过渡。在第一季度之后,IQE对于增长保持乐观,因为3D传感市场在不断扩大、氮化镓(GaN)的需求也在增长、5G基础设施部署的加速,亚洲光子学和无线市场机遇的扩大都对恢复起到了帮助。因此IQE预计总收入将在2020年恢复平稳增长。

14   2019-11-24 22:06:05.49 DISCO提高了半自动切割锯的生产率和通讯支持 (点击量:0)

东京的设备制造商DISCO Corp已开发出适用于200mm直径的DAD3351半自动切割机晶圆,该模型的每小时吞吐量(UPH)提高5%,占地面积减少10%。此外,还开发了DAD3361和DAD3431模型。随着这三个新型号的开发,DISCO还完成了九个半自动切割锯型号的过渡,并提高了所有型号的生产率和通信支持。

对于批量生产,由于需要时间来处理难以切割的材料,必须安装多个单元并同时并行操作,许多生产现场都采用功能简单的手动切块锯。半自动切割时通信功能在现有模型中会受到限制,很难集中控制,现在改善的通信支持使得能够及时控制多台切块机。

现有的DAD3350半自动切割机是最畅销的型号,可以灵活地支撑各种工件,DAD3351继承了它的功能,主轴轴具有高刚性的桥式框架,并且具有很高的可扩展性,UPH增加了5%,占地面积小,减少了10%。

型号变更的主要内容:通过安装新型PC增强了通信支持和软件支持功能;支持SECS / GEM SEMI设备通信标准和制造设备通信和控制的通用模型;支持一个通讯网络,该通讯网络可以批量控制多个设备。

安装新型的非接触式安装来提高生产率:相对于加工卡盘工作台上表面完成刀片高度测量所需的时间减少了74%;增加测量精度,通过稳定的工件切深来提高加工质量。

改善X,Y和Z轴的性能:为每个轴采用伺服电机和高速通讯支持,可以精确地控制加工轴;通过高精度的控制实现稳定的工件切深,从而提高加工质量。

标准软件创新:采用Windows 10作为操作系统(OS);改进了标准软件的用户界面。

15   2019-11-24 22:02:55.297 Arm为AI超级计算的发展铺平道路 (点击量:0)

Arm和创新生态系统构建者将共同努力提供技术和解决方案,在2035年实现上万亿个设备上线的目标。Arm仍将继续推动AI、5G、计算基础和物联网的融合,推动从云到边缘的数据消费模型的巨大变化。如今,Arm已成为建立AI和HPC创新平台,从最大的集群扩展到新兴的边缘。

今年初,NVIDIA宣布对Arm CPU的支持加大力度,并将其完整的AI和HPC软件堆栈提供给Arm合作伙伴平台,这对于两家公司来很重要。NVIDIA GPU为世界高端的超级计算机提供动力,其中包括Oak Ridge国家实验室最快的Summit。这些系统将在未来的百亿亿次超级计算中发挥重要作用,超级计算机的运行速度将是当今最佳速度的5倍到10倍,但要这需要高性能水平的硬件设施作为基础。

Arm和NVIDIA都了解生态系统,并且非常擅长构建用户所需的软件堆栈。NVIDIA GPU与Arm处理器无缝运行可以为Arm的HPC合作伙伴和NVIDIA市场领先的ML / AI技术提供更多的市场机会。这项重要的合作彰显了Arm想要实现从数据中心到边缘的高效计算的愿景。

NVIDIA介绍了一项技术蓝图,可以使公司快速轻松地构建GPU加速的基于Arm的服务器。该参考平台由硬件和软件构建块组成,旨在在整个科学研究领域的快速增长的应用程序中实现更高性能的计算。NVIDIA的CUDA加速计算与Arm的高能效CPU架构相结合,将为HPC社区提供先进工具和技术,以实现从边缘到最大的HPC部署。Arm正在努力在HPC空间中部署Arm技术,并且试法解决世界上一些最复杂的研究挑战。

16   2019-11-24 22:02:07.09 自支撑衬底上的氮化镓镁掺杂更加有效 (点击量:0)

日本国家材料科学研究所(NIMS)发现,与GaN /蓝宝石模板相比,自支撑衬底上同质外延生长的材料的氮化镓镁掺杂(GaN:Mg)要有效得多。

研究人员指出,减少自补偿是增强掺杂性能的基础,同样,减少自支撑衬底上生长的材料中的螺纹位错的数量,也可以减少的Mg扩散效应,从而减少对掺杂性能产生的不利影响。自支撑衬底的螺纹位错密度可低至104 / cm2,比GaN /蓝宝石模板低约三个数量级。

用浓度为1.4x10^19 / cm3 {Mg}的GaN /蓝宝石模板上的轻掺杂GaN进行霍尔测量,得出空洞密度为6x10^16 / cm2。自支撑GaN衬底的同质外延使自由空穴浓度增加了五倍,达到3x10^17 / cm3,{Mg}降低了8x10^18 / cm3。蓝宝石中镁的掺入量较高是由于边缘型位错的密度较高。较高的Mg掺杂导致自支撑衬底上的自由空穴浓度为6.0x10^17 / cm3(1.8x10^19 Mg浓度)。对于相同的镁流量,这是蓝宝石上6.1x10^16 / cm3的十倍,这意味着更高的电导率。由于降低了杂质的散射,可以使用较低的镁浓度,获得期望的迁移率。研究小组表示掺杂效率的显着提高的原因是大大降低的位错密度抑制了镁相关的自补偿中心或非辐射复合中心。

研究人员还发现,与蓝宝石上的异质外延相比,在自支撑GaN衬底上,GaN:Mg中的光致发光(PL)光谱结构与p型电导率之间的关系有所不同。对于异质外延GaN:Mg,蓝带发光(BL,?2.9eV)与p导电性的开始有关。这种发光通常归因于供体受体对(DAP)的重组。

现紫外发光(UVL,?3.26eV)是自支撑GaN上同质外延GaN:Mg的信号,为p型导电。这些发射归因于自由电子或浅的供体与受体水平的复合。

17   2019-11-19 14:14:11.647 新加坡研究人员开发出最新量子通信芯片 (点击量:0)

科技日报报道,新加坡研究人员在最新一期《自然·光子学》杂志上撰文称,他们开发出一种量子通信芯片,尽管其“块头”仅为现有装置的千分之一,但能提供同样出众的量子安全技术,可用于智能手机、平板电脑和智能手表等紧凑型设备内,提升其通信安全性。研究人员表示,最新量子芯片需要的空间仅为目前量子通信设备的千分之一,这为更安全的通信技术打开了大门,可安装在智能手机、平板电脑和智能手表等紧凑型设备内。此外,它还为用于在线交易和电子通信的更好的加密方法奠定了基础。