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2020年第22期(发布时间: Nov 30, 2020 发布者:沈湘)  下载: 2020年第22期.doc       全选  导出
1   2020-11-22 20:47:49.4 到2025年,碳化硅器件市场将以30%的复合年增长率增长,超过25亿美元 (点击量:10)

根据Yole预测,碳化硅(SiC)器件市场估计将以30%的复合年增长率(CAGR)增长,从2019年的2.25亿美元增长到2025年的超过25亿美元 SiC技术正在赢得许多客户的青睐,并渗透到各种应用中。在电动汽车相关的应用的推动下,用于电力电子应用的SiC在未来五年会表现出强劲增长。

由于COVID-19大流行,2020年上半年电动汽车/混合电动汽车(EV / HEV)领域的SiC器件和材料市场增长放缓,这是由于原始设备制造商和SiC厂商均采取了封锁措施和减速生产。尽管如此,SiC的市场前景仍然乐观。预计汽车应用仍将是SiC电力行业的主要市场之一。在这种背景下,SiC汽车市场预计将以38%的复合年增长率增长,到2025年将超过15亿美元。

充电基础设施市场也需要大量应用SiC器件,并且需求正在迅速增长。Yole估计,这个市场的复合年增长率为90%,从2019年的500万美元增长到2025年的2.25亿美元。除汽车领域外,光伏技术(PVs)、铁路和电机驱动器等应用在2019-2025年期间还将显示两位数的复合年增长率。

尽管需求不断增长,但大规模商业化采用SiC仍然面临着挑战,其中包括晶片价格和某些工艺步骤的复杂性,特别是SiC蚀刻和高温注入。面对晶圆短缺,确保晶圆供应已成为设备制造商的首要任务。Cree、II-VI、SiCrystal、Tankblue、SiCC等晶圆供应商已经进行了大量投资以扩大产能。在中美贸易紧张关系之后,中国企业加快了建立国内碳化硅供应链的计划。

2   2020-11-30 12:07:36.467 德国奥地利研究人员合作开发出纯磁振子集成电路 (点击量:13)

自旋波的量子可以用于超摩尔计算应用中编码信息,而且已经开发出了包括逻辑门、晶体管和非布尔计算单元在内的自旋器件。虽然微电子定向耦合器作为电路的组成部分已经被开发出来,但由于其毫米的尺寸和多模光谱等原因一直不实用。

近期,德国凯泽斯劳滕工业大学(TUK)和奥地利维也纳大学的研究人员在更小、更节能的计算机技术方面取得了一项里程碑式研究成果,使用磁性材料和磁振子成功开发出可传输二进制数据的集成电路,由磁振子代替电子来传递信息,所需的能量比目前最先进的CMOS计算机芯片少10倍左右,在量子计算和神经形态计算等领域具有广阔的应用前景。

定向耦合器由宽度为350纳米的单模波导组成。研究人员利用自旋波的振幅来编码信息,并根据信号的幅度、频率和所应用的磁场将其引导到耦合器的两个输出中。利用微磁模拟,研究人员提出了一种由两个定向耦合器组成的整合式磁子半加法器,形成了计算机芯片中一种最通用的组件,数以百万计的这种电路组合起来就可执行更加复杂的计算和功能,并研究了它在磁域内的信息处理功能。

图1 (左)具有可见原子结构的定向耦合器

该研究成果10月19日发表在《Nature Electronics》, 题目:“A magnonic directional coupler for integrated magnonic half-adders”。

原文链接:https://www.nature.com/articles/s41928-020-00485-6

3   2020-11-30 09:44:01.307 美国德克萨斯大学奥斯汀分校研究人员创造世界最小的原子存储单元 (点击量:7)

在高密度信息存储、计算和可重构系统的开发中,非易失性电阻开关(又称memristor效应)已成为高密度信息存储、计算和可重构系统发展中的一个重要概念。在过去的十年里,非挥发性电阻开关材料如金属氧化物和固体电解质取得了重大进展。长期以来,人们一直认为漏电流会妨碍对纳米薄绝缘层现象的观察。然而,最近在过渡金属二卤共生体和六方氮化硼二维单层中发现了非挥发性电阻开关,这一发现驳斥了以上观点,并由于尺寸缩放的好处而增加了一种新的材料维度。

美国德克萨斯大学奥斯汀分校研究人员以单层MoS2为模型系统,阐明了原子片中开关机制的起源。原子成像和光谱分析表明,金属取代硫空位会导致电阻的非挥发性变化,而缺陷结构和电子状态的计算研究证实了这一点。这些发现提供了对非易失性开关的原子论理解,并为精确缺陷工程开辟了一个新的方向,从单个缺陷开始,朝着在超高密度存储器、神经形态计算和射频通信系统中实现最小的记忆阻制器。

研究人员创造了有史以来最小的记忆存储设备之一,横截面面积只有一平方纳米,厚度只有一个原子。这种被称为 “原子电阻”的装置是通过单个原子的运动来工作的,这将为具有超高信息密度的更小记忆系统铺平了道路。如果扩大规模,它可以用来制造每平方厘米约25TB的存储容量的芯片,这比目前的闪存所能提供的容量高100倍左右,但它运行所需的能量更少。

这种新设备属于一类新兴的电子器件,称为记忆电阻(Memristors),它使用电阻开关存储数据。从本质上讲,当某种材料暴露在一定的电压下时,其电阻可以切换,变得更强或更弱。这种现象可用于将数据写入设备,随后可测量其相对电阻以“读取”存储的数据。在这种情况下,这种电阻开关是通过单原子移入和移出纳米级孔来处理的,这将改变材料的导电性。研究人员表示这一概念也应该适用于一系列类似的材料。

图1 材料表征

该研究成果11月9日发表在《Nature Nanotechnology》, 题目:“Observation of single-defect memristor in an MoS2 atomic sheet”。

原文链接:https://www.nature.com/articles/s41565-020-00789-w

4   2020-11-30 00:31:51.043 Lumentum的季度收入增长22.9%,利润率和每股收益都创下记录 (点击量:4)

在2021年第一季度财政年度(截至2020年9月26日),美国Lumentum Holdings 公司报告的收入为4.524亿美元,增长22.9%。占上一季度3.681亿美元的百分比,和去年同期的4.499亿美元的0.6%,接近指导性区间4.3-4.55亿美元的最高点。

美国商务部于8月宣布对出口华为的许可证进一步加以限制,该公司对华为的销售进一步下降,不到总收入的10%。

商业激光器部门的收入为2390万美元,仅占总收入的5.3%,较上一季度的3780万美元下降了36.8%(高于预期的25%),较去年同期的3380万美元下降了29.3%。这种下降与中国以外的制造业疲软有关。要恢复到2020财年的收入水平,还需要几个季度。

光通信部门的收入为4.285亿美元,占总收入的94.7%,较上一季度的3.303亿美元增长了29.7%,这是由于3D感应季节变化以及电信和数据通信的增长,与去年同期的4.161亿美元相比增长了3%。

工业与消费电子业务收入为1.672亿美元,去年同期的1.68亿美元持平,但比上一季度的7390万美元增加了一倍多,并且明显高于预期,这主要归功于用于3D传感应用的垂直腔表面发射激光器(VCSEL)。

由于整个季度的变化,收入组合与指导预期的有所不同。Lumentum对3D感测的假设被证明是保守的,3D感测产品的需求正在加速,其强劲程度足以抵消低于预期的商业激光和电信销售。

电信和数据通信收入为2.613亿美元,较上一季度的2.564亿美元增长2%,较上年同期的2.481亿美元增长5%,电信传输是这一增长的最大贡献者。

净收入创下纪录,为1.392亿美元(稀释后每股1.78美元),高于上一季度的9170万美元(稀释后每股1.18美元)和一年前的1.114亿美元(稀释后每股1.44美元)。

对于2021年第二季度财年(至2020年12月底),Lumentum预计收入将增长至4.65-4.85亿美元,尽管华为将进一步下滑(第二财季后不到总收入的5%)。预计电信和数据通信将连续增长。自下一代ROADM的增长将推动电信运输。在中国以外的世界其他地区,非华为业务预计将在未来18个月内显着增长,而Lumentum继续增加产能。预计工业和消费与商用激光市场都将与上一季度持平或小幅增长。尽管营业支出有所增加(主要是由于Lumentum投资于新产品和技术而增加了研发支出),但营业利润率应为32-34%,摊薄后每股净收益为1.72至1.90美元。预计第二季度的现金流将比第一季度的现金流有明显改善。

5   2020-11-30 00:31:00.967 SiMa.ai采用Arm技术为嵌入式Edge提供专用的异构机器学习计算平台 (点击量:2)

致力于以最低功耗实现高性能计算的机器学习初创企业SiMa.ai宣布采用低功率Arm®计算技术来构建其专用机器学习SoC(MLSoC™)平台。这项技术的许可协议使智能学习机器具有一流的性能和功能,带入了广泛的嵌入式边缘应用程序,包括用于机器人、监视、自动驾驶和汽车应用。

SiMa.ai正在采用优化的ArmCortex®-A和Cortex-M处理器,主要针对降低功耗、增加吞吐量效率和提高安全性等至关重要的任务。此外,SiMa.ai正在利用Arm生态系统中广泛使用的机器学习开源框架的组合,以允许软件无缝地为嵌入式边缘的旧版应用程序启用机器学习。

SiMa.ai在战略上利用Arm技术来提供其独特的机器学习SoC。这包括:

Arm Cortex-A65作为主处理器,用于运行嵌入式代码以及控制平面应用程序,如导航、传感器融合和基于视觉的系统。

Arm Cortex-M4处理器用于SiMa.ai机器学习加速器的设置、配置和本地管理。

广泛的Arm软件和工具生态系统,包括编译器和调试器,以简化开发、测试并缩短上市时间。

ArmTrustZone®技术可在MLSoC平台上无缝运行受信任和不受信任的应用程序。

Arm CoreSight™技术用于调试和跟踪,以减少开发时间并缩短产品上市时间。

阅读Arm Blueprint博客:SiMa.ai在边缘和端点着眼于高性能、低功耗人工智能。

Sirm.ai创始人兼首席执行官Krishna Rangasayee说:“ Arm在高能效处理器设计和高级计算领域处于行业领先地位。 SiMa.ai的高性能和低功耗机器学习加速器与Arm技术的集成加快了MLSoC上市的速度。”

Arm汽车和物联网业务高级副总裁兼总经理Dipti Vachani说:“从边缘系统到智能城市,由ML启用的应用程序正在提供强大的功能,这对设备的要求更加复杂,SiMa.ai在Arm的基础IP之上进行创新,以创建独特的低功耗ML SoC,为下一代嵌入式边缘用例提供经验。”

6   2020-11-30 00:30:05.337 提高p-GaN栅极HEMT的可靠性 (点击量:1)

香港科技大学使用氮氧化镓(GaON)表面增强层(SRL)来提高p型栅极GaN沟道功率高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅极电压窗口和长期可靠性。与其他有关p-GaN HEMT的报告相比,该设备在10年的使用寿命中提供了最高的最大栅极电压。

对于p-GaN栅极HEMT,研究人员使用了专为E模式p-GaN栅极功率HEMT设计的6英寸硅上GaN(GaN / Si)晶片。层结构为4.2μm高电阻GaN缓冲层,420nm GaN沟道,15nm Al0.2Ga0.8N和100nm p-GaN盖。覆盖层中掺杂了?3x1019 / cm3的镁。

使用感应耦合氧等离子体处理,然后在氮气中于800°C退火30分钟,创建GaON SRL。二次离子质谱(SIMS)显示氧渗透到p-GaN中的深度约为5nm。SRL所需的等离子体/退火处理仅使表面粗糙度略有增加,为0.44nm。

然后通过三氯化硼(BCl3)电感耦合等离子体蚀刻形成带有SRL帽的p型栅极。通过4nm AlN的等离子体增强原子层沉积(PEALD)和60nm SiNx的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成钝化层。然后打开源/漏接触窗,以沉积退火的钛/铝/镍/金欧姆接触。

使用多能量氟离子注入实现了器件隔离。镍/金栅极接触是在另一个接触窗打开过程之后进行的。该设备配有接触垫并与HEMT触点互连。

HEMT的尺寸是栅极长度为4μm,接触窗口为2μm,栅-源极/源极间距分别为15μm和2μm。

对于0.01mA / mm的漏极电流,该器件的阈值电压(VTH)为+ 1.4V,与不带SRL的比较器件相同。两种晶体管均具有90mV /十倍亚阈值摆幅,并且开/关电流比高,大于108。11Ω-mm的比导通电阻(RON)被描述为“低”。

在关断状态下的测量中,当栅极和衬底接地到源电压水平时,漏极偏压在击穿前达到740V,电流为1μA/mm。超过550V漏偏压的主要泄漏源来自于衬底。这些结果表明,SRL的部署既不会显着改变正向传导特性,也不会损害器件的反向阻断能力。

通过SRL插入,正向栅极击穿电压从10.5V增加到12.7V,同时将栅极泄漏降低了两个数量级。使用Fowler-Nordheim隧穿拟合栅极电流-电压行为,研究人员估计带SRL的φb为1.1eV,不带SRL的φb为0.6eV。相对于GaN的3.4eV,较高的势垒反映了GaON的?4.1eV带隙较宽。

击穿电压在150°C时有所增加,在使用SRL时击穿电压增加到13.4V,在没有SRL的情况下击穿电压增加到11.4V,在较高的温度下,栅极泄漏的减少量减少了两个数量级。

随时间变化的栅极击穿测试在一定范围的偏差下进行。SRL可以提高10年/ 1%失效水平7.8V的最大栅极电压(VG-max)的估算值,而没有SRL的则为5.9V。SRL器件的栅极电压范围扩大了,可以为栅极驱动器电路提供设计灵活性。

研究小组表示,在较高的栅极应力下,较高的栅极泄漏电流进一步证明了p-GaN表面区域得到了增强,以通过部署GaON SRL更好地维持对高能载流子的轰击。

7   2020-11-30 00:29:26.227 AOI COVID疫情后的反弹仍在继续 (点击量:1)

在2020年第三季度,美国领先的面向数据中心、有线电视宽带、电信和FTTH市场的光纤接入网产品供应商应用光电公司(AOI)的2020年第三季度报告显示,收入为7660万美元,较上一季度的6,520万美元增长17.5%,较去年同期的4,610万美元增长66%。该公司三个主要业务领域均取得了良好的增长。

由于AOI在第三季度后期开始看到来自某些数据中心客户的订单有所放缓,这与库存正常化有关(在2020年上半年,由于转向在家工作而导致的需求激增),因此收入处于7600-8300万美元的指导区间的低端。

数据中心产品收入为5530万美元,占总收入的72%,较上一季度的5250万美元仅增长5%,较去年同期的3400万美元仅增长63%。在数据中心收入中,只有28%来自40G收发器产品,高达68%来自100G产品(其收入环比增长13%,同比增长近350%)。

有线电视产品收入为1160万美元,占总收入的15%,较上一季度的610万美元增长了90%,较去年同期的880万美元增长了32%。

电信产品收入为890万美元,占总收入的12%,较上一季度的创纪录的620万美元增长了44%,比去年同期的290万美元增长了三倍(增长209%),这是由于中国对5G移动部署的需求增加所致。FTTH产品收入已从上一季度的1000美元反弹至67000美元。结果预期基本一致,反映了收入和客户多元化方面的持续进步。

关于2月份宣布的有价股票发行,AOI迄今为止已经筹集了2320万美元的总收益。该公司打算将所得款项用于继续投资,包括用于生产和研发的新设备和机械。总体而言,库存量从9730万美元增加至1.114亿美元,这主要是由于原材料和半成品库存的增加,为年底中国农历新年假期做准备。

AOI预计2020年第四季度的收入将下降至5000万至5500万美元,净亏损将上升至450-580万美元。首席财务官兼首席战略官Stefan Murry博士说表示:“在华为组件短缺导致供应链中断后,几家大型网络运营商暂停了5G部署。我们预计第四季度的收入将按顺序下降。不过,我们相信经济增长将在第一季度恢复,因为我们相信中国的部署将在农历新年后恢复活力。”

8   2020-11-22 20:48:58.243 引入新的Arm路线图保证和其他Arm IoT计划以加速Endpoint AI (点击量:3)

Arm生态系统是物联网(IoT)革命和智能手机革命背后的推动力,并且在推动物联网的创新和普及方面处于独特的位置,目前Arm技术涉及了全球70%的人口,自Arm成立30年来,该公司已售出1800亿个基于Arm的芯片。

Arm合作伙伴可以通过引入灵活访问路线图保证来制定其IoT解决方案所需的长期路线图。路线图保证可确保:Arm将在五年内继续提供Flexible Access产品组合中包含的CPU。

Arm承诺在产品上市后不久将其未来的Cortex-M和Ethos-U产品添加到Flexible Access中。

物联网革命将给未来带来巨大改变,从智能医疗保健到远程监控,从工业机器人到互联家庭,Arm技术是构建多样化、创新和改变生活的应用程序的基础。

为了实现IoT设备的开发、部署和货币化,Arm今天宣布了一些重要更新:

通过包含Arm Cortex-M55和Ethos-U55来扩展Arm灵活访问产品组合的端点AI功能

为Arm合作伙伴提供新的路线图保证;将软件投资重点放在简化开发上,以释放Arm多样化的物联网生态系统的潜力;Arm灵活访问的新功能将端点AI交到每个人手中。

端点AI将加速IoT产生的价值并推动采用。为了节约成本和功耗预,Arm推出了业界首款microNPU、Ethos-U55和Cortex-M55微控制器。最近,其发布的Ethos-U65,将microNPU的适用性扩展到基于Cortex-A的系统。为帮助进一步加快端点AI部署,Flexible Access产品组合已扩展到包括Cortex-M55和Ethos-U55,使Flexible Access合作伙伴可以自由地试用研究这些产品。

9   2020-11-16 01:17:42.97 GaN LED的MOCVD隧道结 (点击量:1)

美国加州大学圣塔芭芭拉分校(UCSB)通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的隧道结微米级蓝色发光二极管(TJμLED)具有迄今为止记录的最高性能。

研究人员在蓝宝石上使用了商用蓝色LED材料作为TJ结构过度生长的模板。还生产了没有InGaN夹层的样品和SAG生产的结构。快速热退火重新激活p型掺杂。SAG工艺涉及二氧化硅柱的创建,在重新激活退火之前将其除去。通过热退火分解p-GaN中的Mg-H络合物并去除氢原子是激活p-GaN的关键点,最后进行LED的制造。

在隧道结中具有3nm n-InGaN中间层的SAG和非SAG器件对于高达100μm的器件实现了合理均匀的光输出强度。该团队注意到参考TJμLED的发光图像不一致,边缘处的电发光(EL)强度更高,而EL强度更暗在中心区域。

InGaN TJ和SAG InGaN TJ之间的差异体现在Vf性能上,SAG工艺可产生较低的值,该值可维持到100μm的尺寸。Vf较低意味着对于给定的电流注入,输入功率较低,从而提高了效率。

SAG InGaN TJ的3.08V至3.25V之间的变化要小得多。通过SAG孔增强的氢向外扩散解释了性能的提高。来自同一外延晶片的具有ITO接触的μLED的Vf在2.93V至2.97V之间变化,并且取决于尺寸。

研究人员比较了具有和不具有SAG增强功能的InGaN TJμLED的外部量子效率(EQE)。在同一晶片上生产了具有ITO触点的LED。器件尺寸均为100μm。 ITO触点在20A / cm2时,EQE为48%,SAG InGaN TJ为54%,普通的InGaN TJ则为50%。研究人员认为EQE的增加是由于透明性、电流扩散和光提取效率的提高。

10   2020-11-22 20:47:01.537 AXT将原材料公司BoYu和JinMei合并为通美 (点击量:1)

美国加AXT公司宣布了进入中国市场的战略计划,巩固其市场地位,继续推进其业务和制造业务,进一步满足市场上化合物半导体材料的需求。该公司主要生产砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)和锗(Ge)衬底和原材料。

AXT计划将旗下两家原材料公司,即北京博宇半导体技术有限公司和南京金美镓业有限公司,合并为其晶圆制造公司北京通美晶体技术有限公司。AXT表示,两家原材料公司在中国的相关业务表现良好,这使得通美可生产更多种类的产品。

BoYu制造热解氮化硼(pBN)坩埚,这些坩埚在生长单晶化合物半导体锭时使用,并用作渗漏环在生长有机发光二极管(OLED)工具时使用。金美生产7N +纯化镓和其他特种材料。

AXT将在上海证券交易所的科技创新委员会(STAR Market)上市通美股份。上市过程包括多个审查阶段,通美预计要到2022年中期才能实现这一目标。通美在中国STAR市场的上市不会改变AXT作为美国上市公司的地位,该公司将继续在纳斯达克全球精选市场上以AXTI的代码上市。

AXT已经基本完成了生产线的搬迁,其市场领先的材料组合正在与高新技术相交融,例如5G电信、数据中心连接性、基于LED的照明和显示以及激光的感应。AXT的晶圆制造与BoYu和JinMei的产品和功能相结合,提供了一种全面的商业模式。它们将协同服务于各种各样的客户和对应的市场。

11   2020-11-30 00:28:05.327 随着Arm HPC生态系统的发展,Fugaku再次荣登超级计算机排名榜首 (点击量:1)

由日本理研社和富士通联合开发的基于Arm技术的超级计算机Fugaku再次荣登超算Top 500榜首,这进一步凸显了快速发展的高性能计算对需求,Arm 技术通过能源效率、性能和可扩展性实现了无可匹敌的组合,解决了这一需求。

除了RIKEN和Fujitsu的出色表现之外,基于Arm的解决方案被越来越多的生态系统采用。大韩民国国家计算机研究所ETRI最近宣布,计划在其K-AB21系统中采用即将推出的neoversev1(以前的代号为Zeus)CPU设计,该设计具有Arm可扩展矢量扩展(SVE)功能。ETRI的目标是AB 21(Artificial Brain 21),即每个CPU 16teraflops和每机架1600teraflops,同时将功耗比目标降低60%。

与此同时,在本月早些时候举行的Arm高性能计算用户组(AHUG)会议上,Ampere Computing、桑迪亚国家实验室、布里斯托大学和亚马逊网络服务(AWS)提供了其基于Arm的HPC计划的详细信息。在SC20活动中,由欧洲处理器倡议组织(European Processor Initiative)成立的公司SiPearl也将申请采用Neoverse V1作为其Rhea处理器,这是SiPearl exascale计算项目的一部分。NVIDIA还宣布,研究人员通过NVIDIA A100 GPU和基于Arm Neoverse的Ampere Altra CPU,将HPC的性能提高近26倍。

许多新的基于Arm的解决方案的影响还处于初期,Fugaku在COVID-19相关研究工作中所产生的积极影响值得自豪。尽管Fugaku仅在几个月前正式启动,但已被部署到五个不同的COVID-19研究项目中,其中一个研究病毒在空中的传播方式,另一个研究2000多种现有药物的功效。

这些计划已经进行了多年,最终旨在解决HPC反复出现的挑战之一:如何在不超出合理功率和预算范围的前提下扩展构建一个新的性能高度的系统。Arm处理器体系结构背后的中心思想之一为,单线程、多核处理器将成为超级计算机CPU的新规范,以此作为在不增加相对功率的情况下提高性能的一种方式。

Arm高性能计算高级总监Brent Gorda表示:“今年是Arm HPC的分水岭。从我们十年前在服务器SoC设计方面的拙劣开端到两次被评为世界顶级超级计算机,Arm的旅程意义非凡。在全球范围内,我们看到对Arm生态系统的需求和投资正在持续,我们已经准备好应对这一挑战,我们期待着未来十年,可以拥有真正改变世界的技术。”

12   2020-11-22 20:46:07.14 具有高PL强度的硅基InP QD (点击量:1)

美国伊利诺伊大学已经实现了硅基的单片磷化铟(InP)量子点(QD)技术,相对于在砷化镓(GaAs)上生长的结构而言,其光致发光(PL)强度仅降低了一点。该团队表示有望将InP QD用于微型发光二极管(micro-LED)和激光器。

研究人员使用固体源分子束外延(MBE)生产QD样品。基板由GaP / Si和4.3μm的GaAsyP1-y逐步梯度缓冲液组成,将GaAs / Si材料切割成较小的块,以进行QD生长。

将GaAs / Si与比较纯的GaAs零件一起加载到MBE设备中。在快速热退火(RTA)之前,去除表面InP QD和50nm AlGaInP来制备用于PL分析的QD样品。InP QD PL强度的最佳RTA条件是750°C 5分钟,其PL强度的维持归因于相对于螺纹位错密度的高点密度。

自InP量子点的PL发射相对于整体InP发生了0.4eV蓝移。与纯GaAs衬底相比,在GaAs / Si上生长时,InGaP QW结构的PL强度降低了9倍。相比之下,InP量子点受GaAs / Si增长的影响相对较小,并且硅基InP QD的集成发射强度比InGaP QW的集成发射强度高8倍。发光谱显示,GaAs上InGaP-QWs和InP-QDs的基态发射分别为649nm波长(1.91eV)和713nm(1.74eV)。相应的半高全宽(FWHM)为24meV和65meV。

AFM显示点密度为1.3×1011 / cm 2,该密度高于以前的报道。高的点密度被视为是硅基QD的发射器进行有效发光和缺陷容忍的必要条件。典型的InAs QD密度约为5x1010 / cm2。阴极发光表明穿线位错密度为3.3x107 / cm2,比InP点密度低大约四个数量级。

13   2020-11-22 20:45:16.317 PIRT宣布获得第二期MDA大奖,以用于开发3D成像的ToF相机 (点击量:1)

美国新泽西州的普林斯顿红外技术公司(PIRT)宣布获得美国导弹防御局(MDA)颁发的第二期小型企业创新研究(SBIR)奖,以资助该公司开发128x12850μm像素间距的辐射硬化激光探测与测距(LADAR)系统。PIRT是一家专注于研究基于砷化铟镓(InGaAs)的短波红外(SWIR)线扫描相机、可见SWIR科学相机以及一维和二维成像阵列的公司。

普林斯顿红外技术公司计划开发一种闪存LADAR模块,该模块具有磷化砷化铟镓(InGaAsP)线性模式雪崩光电二极管(APD),该模块经过优化,可用于检测与定制读出集成电路(ROIC)杂交的1.06µm光,并支持使用飞行时间(ToF)相机电子设备操作。与用于获取3D信息的其他技术(例如使用扫描或立体视觉)相比,ToF相机能够表现出更高的准确度,同时非常快速且经济实惠。

在研究的第一阶段,PIRT开发了InGaAsP APD材料结构和针对该应用进行了优化的独特ROIC电路。PIRT总裁Martin H. Ettenberg博士说:“新的APD探测器结构与独特的ROIC设计相结合,将使太空3D LADAR系统成为可能,这令人感到兴奋。”

14   2020-11-20 15:07:25.37 先进封装技术及其对电子产品革新的影响 (点击量:1)

有一种先进封装技术被称为“晶圆级封装”(WLP),即直接在晶圆上完成集成 电路 的封装程序。通过该工艺进行封装,可以制成与原裸片大小近乎相同的晶圆。早在2000年代末, 英飞凌 开发的嵌入式晶圆级球栅阵列(eWLB)就是一种晶圆级封装技术。目前有许多封测代工厂(OSAT)都在使用eWLB的变种工艺。具体来说,eWLB封装是指将 检验 合格的晶片正面朝下,放置在载体晶圆上并将两者作为整体嵌入 环氧树脂 模具。在模铸重构晶片结构之后进行“扇出型”封装,在暴露的晶圆表面进行重 布线 层工艺(RDLs)并植球,之后再将其切割成小块即可获得可供使用的芯片(图1)。

图1:eWLB封装流程

图2展示的是其他结合晶圆级封装的综合性先进封装技术。

硅 通孔 技术(TSV)是指完全穿透硅基底的垂直互连。图2展示的是基于硅中介层的硅通孔技术,即通过硅中介层实现高密度晶片与封装层之间的电气连接。该技术起初作为打线接合的替代方法而备受推广,能够在减小互联长度来优化 电阻 的同时,通过多个晶片堆叠实现3D集成。

图2:器件封装示意图

作为导电互联技术的应用,重布线层的作用是重新分布连接至晶片焊盘I/O点位的电子线路,并且可以放置在单个晶片的一侧或两侧。随着对带宽和I/O点位需求的提升,重布线层的线宽和间距也需要不断缩小。为了满足这些要求,目前工艺上已采用类似后段制程的铜镶嵌技术来减小线宽,并通过铜柱代替传统 焊接 凸点的方法来减小晶片间连接的间距。

先进封装技术还在持续发展,以满足不断提升的器件密度和I/O连接性能要求。近几年出现的铜混合键合技术就是很好的例子,它的作用是直接将一个表面的铜凸点和电介质连接至另一个主动表面的相应区域,由此规避对凸点间距的限制。我们非常期待这些封装技术上的创新能够引领新一代电子产品的稳步发展。

15   2020-11-16 01:31:23.457 苹果的micro-LED供应链会破坏显示产业吗? (点击量:1)

YoleDéveloppement在其报告“ MicroLED显示器-2020年市场,工业和技术趋势”中估计,截止到2020年第一季度,已经在Micro-LED开发上花费了超过50亿美元。尽管全球发生COVID-19大流感,资金仍流入微型LED生态系统,其对全球行业的影响因应用而异。

Yole显示器技术与市场首席分析师Eric Virey PhD表示:“对于许多公司而言,对微型LED的兴趣不仅仅在于提供最新的显示技术。知识产权(IP)分析表明,苹果公司计划放弃TFT(薄膜晶体管)底板,而选择硅CMOS微驱动器。影响远远超出了技术选择。苹果的micro-LED供应链将消除对三星或LG等显示器制造商的依赖。”

苹果可以从代工合作伙伴那里购买微驱动器和微LED芯片,并在内部或与其他合作伙伴组装这些组件以创建独特的显示器。尽管目前还有更多紧迫的战斗要打,但华为也有同样的逻辑,不依赖美国技术限制的100%国内显示器供应链可能会带来更多好处。

Yole预计,苹果将在智能手表应用程序方面领先,而电视将在三星方面领先,后者将从超过10万美元的奢侈品向高端消费类设备平稳发展。

16   2020-11-16 01:24:15.42 Eurotech加入Arm Project Cassini,带来了其有关边缘软件、硬件组件以及在边缘部署方面的专业知识 (点击量:1)

工业级嵌入式板和系统、边缘计算平台和物联网(IoT)支持解决方案的领先提供商Eurotech宣布已加入Arm®Project Cassini Initiative。Eurotech的IoT Edge组件完全符合Cassini项目的标准,提供了经过全面测试和验证的边缘技术。

为了进一步开发物联网的价值,Arm致力于在生态系统方面进行投资并与之合作,以开发平台标准,从而能够通过Cassini项目在边缘部署云原生软件堆栈。

近三十年来,Eurotech一直在提供硬件和软件构建块来部署嵌入式系统、边缘计算平台和物联网(IoT)解决方案。Eurotech在硬件、软件和服务方面积累了丰富的经验和知识,以应对物联网垂直市场中的各种挑战。边缘计算使系统能够在数据源附近的网络边缘执行数据处理。在数据源附近执行分析和知识生成,这减少了传感器与中央数据中心之间所需的通信带宽。IoT Edge Framework Everyware软件框架(ESF)是一种用于边缘计算机和IoT网关的高级、多平台、灵活的应用程序开发环境。Everyware软件框架将物理世界与数字世界连接起来。

Arm物联网业务副总裁Mohamed Awad表示:“Cassini项目旨在通过加速工作负载优化基于Arm的平台的部署,来释放边缘计算创新。在实现Cassini项目过程中,将Eurotech在嵌入式和工业系统方面的专业知识整合起来是向前迈出的又一步,该项目旨在实现跨多种安全边缘生态系统的云原生软件。Eurotech物联网边缘构建块集成经过测试和验证,完全符合Cassini项目的标准,并且客户能够充分利用Edge的全部技术。”

17   2020-11-16 01:20:11.92 Veeco第三季度的收入增长了14% (点击量:1)

2020年第三季度,美国外延沉积和工艺设备制造商Veeco 公司公布的收入为1.121亿美元,较上一季度的9860万美元增长14%,较上年同期的1.09亿美元增长2.8%,且高于1-1.2亿美元的预期指导。

科学与工业部门占总收入的47%,其中以离子束系统向数据存储客户的出货量为首。前端半导体部门占总收入的18%,这是由用于制造的离子束沉积系统推动了极紫外(EUV)面罩毛坯的发展。先进封装、MEMS和RF滤波器部分占总收入的17%。LED照明占总收入的18%(上一季度为16%),这得益于金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统的广泛应用。

按地区划分,世界其他地区(包括日本、台湾、韩国和东南亚)占收入的42%。美国的收入从30%反弹至36%,其中包括数据存储系统以及高级封装和电力电子产品的销售。欧洲、中东和非洲(EMEA)占收入的13%,主要包括对化合物半导体客户的销售。中国的营收从18%下降至9%,因为监管环境正在带来不利因素。

Veeco决定退出商品化的中国蓝光LED业务,因此MOCVD目前处于创纪录的低收入水平。在过去的一年半的时间里,Veeco做了很多工作来重组业务,并一直专注于新市场的开发。

Veeco预计2020年第四季度的收入将增长到1.20-1.36亿美元。毛利率应持平于42-44%,营业收入预计为14-22百万美元。尽管运营支出持平,净收入应为11-19百万美元至36-38百万美元。

18   2020-11-16 01:19:33.233 Qorvo已经收购UWB软件提供商7Hugs Labs (点击量:1)

移动、基础设施和国防应用核心技术与射频解决方案的领先供应商Qorvo公司已收购了位于巴黎的超宽带(UWB)应用软件供应商7Hugs Labs。此次收购 7Hugs Labs 有助于增强 Qorvo 面向智能手机和其他设备的 UWB 产品系列,从而提高一系列新的定位和通信服务的准确性。

Qorvo移动产品部门总裁Eric Creviston表示:“ 7Hugs Labs团队是我们移动产品业务的重要力量,其软件人才和专业知识将促进 UWB 独特的精确定位功能的运用。7Hugs Labs经过验证的软件和软件堆栈使得Qorvo的UWB芯片组产品更加完善,将有助于我们在移动、物联网和汽车市场中实现一系列新的超宽带应用。”

7Hugs Labs的首席执行官兼联合创始人Simon Tchedikian说:“随着我们在UWB市场上取得成功,我们的团队很高兴能够在软件开发方面迈出重要的一步。现在,作为Qorvo的一部分,我们期待在帮助行业发展方面发挥更大的作用,以真正改变我们与技术的日常互动的方式,加快UWB的集成。”

7Hugs Labs成立于2014年,一直是Decawave值得信赖的软件合作伙伴,Decawave现在是Qorvo移动产品业务中的UWB业务部门(UWBU)。作为Qorvo的一部分,由35名成员组成的7Hugs Labs团队将帮助创建一个完整的UWB解决方案,包括芯片、固件和软件,用于一个广泛的生态系统。