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2016年第2期(发布时间: Mar 28, 2016 发布者:腾飞)  下载: 2016年第2期.doc       全选  导出
1   2016-03-28 10:38:56.97 集成电路产业落实供给侧结构性改革,得这么办 (点击量:4)

刚刚胜利闭幕的两会,“推进供给侧结构性改革”是代表、委员们热议的重点方向之一。2016年是中国全面建成小康社会决胜阶段的开局之年,也是推进结构性改革的攻坚之年。当前世界经济深度调整、复苏乏力,中国经济下行压力加大,深入贯彻落实中央“推进供给侧结构性改革”精神,对于推动集成电路产业这一战略性新兴产业加快发展,支撑服务《中国制造2025》、“互联网+”、大数据等国家战略,促进信息化与工业化深度融合具有重要意义。 供需两端矛盾突出,供给侧不合理亟待解决

回顾“十二五”,我国集成电路产业实现了平稳快速发展。随着国家科技重大专项的深入实施,2011年、2014年《国务院关于进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展若干政策的通知》(国发[2011]4号)以及《国家集成电路产业发展推进纲要》的先后发布实施,产业发展环境进一步得到优化,市场在资源配置中的决定性作用更加得到发挥。

产业规模持续增长,2011-2015年,我国集成电路全行业销售收入从1940亿元,提高到3609亿元,年均增速16.7%,其中集成电路设计业年均增速超过25.9%,成为带动行业增长的主要力量;创新能力显著提升,先进设计能力达到16/14纳米,2015年智能手机芯片出货量超过3亿套,占全球市场份额的20%以上。

已建成8条12英寸芯片生产线,32/28nm逻辑制造工艺实现量产,先进封装规模占封装业比重接近30%,关键设备和材料产业化能力进一步提升;发展环境日趋完善,国家集成电路产业投资基金撬动作用逐步显现,各地纷纷设立了地方性基金,社会资金活力进一步激发,2015年全行业总投资超过1000亿元,适应产业规律的投融资环境基本形成;企业实力快速提升,海思半导体、清华紫光分列全球设计企业第六、第十位,中芯国际、华虹宏力持续保持国际竞争力,长电科技位列全球封装测试企业第四位;国际合作迈出新步伐,合作层次向技术授权、战略投资、联合开发等方向深化。产业资本和金融资本融合发展,推动各类资源整合重组。

展望“十三五”,全球集成电路产业正处于深度调整的关键时期,我国集成电路产业发展面临的新矛盾、新问题依然存在,特别是供需两端的矛盾特别突出,供给侧结构性不合理问题亟待解决。

一方面,产业规模小,供给总量不足。2011-2015年,我国集成电路进口额从1702亿美元,提高到2299亿美元,占全国进口总额的14%,与石油连续多年成为我国最大宗的两类进口商品。

另一方面,产品布局存在结构性短板,市场需求复杂多样与产品结构较为单一的矛盾突出。从全球集成电路产品的结构看,消费和通信类占比将近50%,工业控制、计算、汽车电子等占据50%市场。而我国90%的集成电路设计企业和设计产品都集中在消费类和手机芯片领域,且以中低端为主,在可靠性、稳定性要求更高的工业控制、汽车电子等领域不仅量少,种类也十分单一。面对跨国企业加紧布局工业互联网、汽车电子、信息安全、物联网、云计算等领域核心芯片,我国集成电路产业供给侧结构性调整已迫在眉睫。

集聚资源推动创新,落实供给侧结构性改革

“十三五”时期,我国集成电路产业发展要紧紧围绕《中国制造2025》、“互联网+”、大数据发展等重大战略部署,坚持问题导向和目标导向相结合,坚持《国家集成电路产业发展推进纲要》确定的需求牵引、创新驱动、软硬结合、重点突破、开放发展的基本原则,抓创新能力提升,突破一批关键共性技术;抓重大生产力布局,实现产业集聚与协调发展;抓国家战略与重大市场需求联动,增强重点产品有效供给;抓高端人才引进与培养,实现可持续发展;抓产业环境营造,完善产业链和生态链。

落实供给侧结构性改革精神,推动我国集成电路产业加快转型升级,2016年重点开展以下工作:

一是加强顶层设计。围绕工业互联网、汽车电子、物联网、云计算、信息安全等领域需求,分析细分行业市场特点,进一步摸清产业基础,理清制约产业发展的关键瓶颈,研究编制重点领域技术路线图,提高供给结构对需求变化的适应性和灵活性。充分发挥行业协会、产业联盟等中介组织作用,加强产需对接,推动产业资金与金融资本协同发展,进一步完善供给和需求两侧产业政策。

二是集聚资源推动创新发展。充分利用现有资金渠道,深挖现有科研成果转化,提升消费类、通信类产品芯片层次,提升产品性价比,抓紧布局工业控制、汽车电子、传感器、超低功耗等芯片开发,开展协同创新示范工程。使市场在资源配置中起决定性作用,发挥国家集成电路产业投资基金的引导作用,推动行业投资结构调整,形成多渠道资金协同投入方式,支持骨干企业做大做强做优,扶持专、精、特、新的创新性企业发展。

三是强化产业协同创新能力建设。以国际化视野,整合产业链上下游资源,建设集成电路产业创新中心,突破关键共性制造工艺和核心IP,带动产品定义与设计、装备与材料整体发展。组织实施“芯火”创新计划,推动建立资源集聚、创业者培育、创新成果扩散、企业孵化的大平台,服务“双创”工作。

四是紧密围绕产业迫切需求,加快高端人才的培养和引进。深入推进产学研融合协同育人,构建我国集成电路人才培养体系。加快推动示范性微电子学院建设,搭建一批集成电路实训基地。进一步加大集成电路产业领域高层次、急需紧缺人才培养、培训力度,推动海外高层次人才引进,培育具有“工匠”精神专业人才。

五是加强标准、检测和知识产权建设。针对行业应用多技术融合、多领域协同、多应用牵引的特点,研究制定产业综合标准化技术体系,加快一批急需标准的研制,规范技术创新、产品生产与行业应用。加快专业检测机构建设,加强专利分析和风险防御策略研究,通过专利导航产业技术创新方向,统筹推进专利运营综合服务平台建设。

2   2016-03-28 10:41:39.167 运用材料工程解决半导体行业技术拐点的挑战 (点击量:7)

今年,半导体行业将迎来几大重要的技术拐点。存储器制造商正逐步转向3D NAND技术,从而以更低的单位成本打造性能更出众、密度更高的存储设备。我们预计2016年所有主要存储器制造商都将实现3D NAND器件的批量生产。

由平面结构向3D NAND器件的过渡将带来一系列生产工艺上的新要求,促进了由材料所推动的芯片尺寸缩微,推升了对新材料、新工艺技术的需求。在这个背景下,对厚度和一致性能够进行精确的、原子级层到层控制的新型沉积和蚀刻设备,对于制造多层堆叠存储单元来说至关重要。此外,随着越来越多支持图案化和保形沉积的材料被用于构建复杂结构,材料的可选择性正成为一个必不可少的能力。

2016年下半年,我们预计逻辑芯片和晶圆代工厂的10nm 3D FinFET工艺将逐步实现量产。10nm平台是晶体管制造中的重要技术,能维持晶体管性能的提升,遵照摩尔定律不断增加存储密度,从而使下一代芯片设计成为现实。然而,由于极紫外(EUV)光刻工具尚未普及,目前实现这一技术拐点仍需依赖多重曝光技术才能克服当前光学光刻分辨率的瓶颈。在DRAM工艺由20纳米级向十几纳米过渡的过程中,多重曝光技术同样重要,因其能实现存储器件位密度的持续增加。尽管多重曝光技术支持元件的持续缩微,但其复杂的工艺对沉积和蚀刻的精度带来了更严格的要求。

随着芯片制造商竞相进入技术拐点,他们将不断增加对创新设备的投资。展望未来,我们预计2016年对半导体行业将是一个重要的转折点,几乎所有新建产能都将进入10nm/1Xnm时代。随着越来越多的材料被用于生产先进的元器件设计,我们预计选择性材料沉积和清除等尖端技术由于能在目标区域内有选择地清除或沉积材料,而不会触碰或损坏周围材料,有望在芯片制造中起到举足轻重的作用,最终使创建互联世界成为可能。

半导体行业的另一大重要趋势是芯片制造和消费重心逐渐转移到中国,这也为中国市场未来发展提供了巨大的机遇。尽管这同时也会为半导体行业带来许多挑战,但凭借强有力的政策护航和中央及地方政府的财政支持,加上“中国制造2025”战略的逐步落实,我们相信中国的半导体产业将迎来新一轮的发展契机。与此同时,中国也必须加快技术创新和人才储备,才能在全球集成电路的大舞台中扮演更加重要的角色。

作为半导体和平板显示设备的领先供应商,应用材料公司深耕中国市场已三十余年,致力于与客户共同推动中国集成电路行业的发展。公司将继续借助在材料工程领域的技术专长,通过不断的技术创新,帮助中国的集成电路产业实现可持续增长。为应对市场需求和行业发展趋势,应用材料公司也将与整个产业链的客户携手,培养世界一流的人才,来共同解决中国半导体产业进入新纪元后所面临的技术拐点挑战。

3   2016-03-28 10:40:34.847 Silicon Labs低功耗即插即用型WGM110 Wi-Fi模块 为工程师敲开IoT应用设计之门 (点击量:4)

Silicon Labs低功耗即插即用型WGM110 Wi-Fi模块 为工程师敲开IoT应用设计之门 .

星期五, 03/25/2016 - 18:09 — sisi 贸泽电子即日起开始备货Silicon Labs的WGM110 Wizard Gecko Wi-Fi 模块。WGM110为符合802.11b/g/n标准的全集成即插即用型Wi-Fi模块,可提供卓越的射频 (RF) 性能、同级最佳模块尺寸、简易的应用开发,并可缩短产品上市时间。WGM110针对强大的Wi-Fi连接功能进行了优化,无需外部微控制器、复杂的联网基础设施或专门的集线器,是向各类物联网 (IoT) 应用添加Wi-Fi功能的理想预认证解决方案,可同时降低研发风险和整体设计成本。

Mouser备货的Silicon Labs WGM110 Wi-Fi模块可充当Wi-Fi客户端或接入点,使得设备的管理如同上网一样简单。此模块搭载了高性能2.4 GHz IEEE 802.11 b/g/n 收发器、嵌入式Wi-Fi协议栈、HTTP服务器和包括带有TLS安全的TCP和UDP的多种互联网协议。模块支持-98 dBM 的接收 (RX) 灵敏度和+16 dBm的发送 (TX) 功率。所有这些功能使得WGM110能够实现300到500m(典型值)的远距离连接。模块还提供了高度灵活的硬件接口,包括UART、I2C、SPI 和USB ,有助于简化与各种外设和传感器的连接.

WGM110模块的核心是一个超低功耗 EFM32 Gecko微控制器,具有48 MHz ARM® Cortex®-M3内核、1MB的闪存和128KB的RAM。WGM110采用Silicon Labs的BGScript™ 脚本语言运行,这是一种高性能的语言,能够支持独立设计以及在模块上自主执行应用,并且在网络协处理器 (NCP) 模式下运行时,还能简化TCP/IP网络的复杂性,允许主机控制器完全用于处理客户应用任务。此外,WGM110强大的Wi-Fi协议栈包括用于云集成的HTTP/TLS/TCP/IP协议,而软件API与Silicon Labs的现有WF121 模块兼容,可轻松进行移植。

Mouser同时还供货Silicon Labs的SLWSTK6120A无线入门套件,为WGM110 Wi-Fi模块提供了一个完整的开发平台。SLWSTK6120A套件包含:带J-Link调试器、虚拟COM端口、LCD显示屏的主板;集成板载WGM110模块的无线电板;以及带三轴加速度计、操纵杆和I2C扩展功能的扩展板。

Silicon Labs WGM110 Wi-Fi模块现已可至Mouser订购,尺寸为14.4 × 21 × 2mm 小型封装,与竞争产品相比缩小了40%。此模块满足全球重要的射频认证,包括CE、FCC、IC和其他区域认证,非常适合将Wi-Fi功能集成到各种射频无线和物联网 (IoT) 应用,包括工业l/M2M系统、远程控制、无线传感器、恒温器、互连家居产品、汽车信息娱乐系统、销售终端以及健身和医疗设备。

4   2016-03-28 10:39:05.38 格罗方德推出14nm FinFET工艺设计的高性能的ASIC产品 (点击量:5)

格罗方德宣布推出14nm FinFET工艺设计的高性能的ASIC产品FX-14™ ASIC,该产品是基于该公司下一代14nm FinFET的工艺技术。格罗方德的FX-14 ASIC产品为客户寻求高带宽、低功耗和低云组网成本、无线基站、计算和存储应用之间平衡的理想解决方案。

FX-14 ASIC产品在包括一个增强/优化的属性组合,具有领先的ARM内核和ARM®Artisan®物理属性。对于系统级芯片设计中包括64位的ARMCortex®-A72和ARM的Cortex-A53处理器。

5   2016-03-28 10:41:22.91 iPhone 8处理器或将采用7纳米工艺制造 (点击量:3)

芯片制造商台积电(TSMC)17日表示,正与ARM合作开发7纳米FinFET(鳍式场效晶体管)芯片制造工艺,最快将在2018用于生产苹果iPhone 8上的A12芯片组。

根据台积电公布的时间表,7纳米FinFET工艺芯片将在明年投产,而大规模生产则需要一段时间,最早可能将于2018年正式量产,按照惯例,苹果iPhone 8将会在2018年亮相,其搭载的A12处理器或将采用台积电7纳米工艺制造。

更先进的制程工艺意味着在更小的芯片上集成更多的晶体管,这将可以降低功耗。而FinFET技术通过改善晶体管的电路控制,减少漏电流,让处理器更加省电。

目前,iPhone 6s上A9芯片由台积电和三星共同生产,其中台积电采用16纳米制程,而三星版A9则是14纳米工艺。同时,有消息称iPhone 7上的A10芯片将全部由台积电代工,依然是16纳米工艺。

6   2016-03-28 10:39:41.603 LED芯片微小化趋势下,小芯片封装技术难点解析 (点击量:2)

近年来,随着LED芯片材料的发展,以及取光结构、封装技术的优化,单芯片尺寸的功率(W)越做越高,芯片的光效(lm/W)、性价比(lm/$)也越来越好,在这样的背景支持之下,LED芯片的微小化已成趋势。芯片尺寸微小化背后的含意,除了发光组件的总体尺寸能更佳符合未来产品轻、薄、短、小的趋势之外,单一外延片所能切割的小芯片数量更多了,固定功率下所需使用的芯片数量更少了,这些对于降低LED的生产支出有很大的帮助,毕竟”成本”永远都是个大问题。

在大功率照明领域,采用多个小芯片串并联的技术已经使用的很成熟也很广泛。和单一大功率芯片比起来,此工艺的芯片成本较低,整体的散热性也更好、光效更高、光衰更慢,可同时达到高效率及高功率的目标,虽然有工序较复杂、信赖性较低等隐忧,但也难以动摇它的地位。其次,在显示屏应用的领域,RGB多芯片封装是一个主流的工艺,随着象素的密度越高(即分辨率越高),单位面积下单个象素点的尺寸就必须越来越小,在逐渐朝着”小间距化”方向发展的同时,所能使用的R、G、B三色芯片的尺寸也必须越来越小,藉此满足市场上高分辨率的要求。从上述趋势看来,如何做好小尺寸芯片的封装,就成为一个重要的课题。

在LED封装的技术中,目前仍是以传统固晶、打线的制程为主,至于时下当红的覆晶封装(Flip Chip)或是芯片级封装(Chip Scale Package,CSP)等其他新制程,碍于当前良率、成本、设备投资等考虑,短时间内还是很难取代原有制程。随着芯片尺寸的缩小,最直接影响到的就是固晶制程的难易度;同时芯片上的电极必须跟着变小,使用的键合线的线径也必须减小,所搭配的瓷嘴也必须同步优化。因此,进入了”小芯片封装”的领域之后,首先要克服的难点就是固晶、打线制程会用到的固晶胶、键合线、瓷嘴。

关于固晶的挑战

固晶胶是固晶制程的关键耗材,它的作用包含了固定芯片、(导电)及散热,其主要成分由高分子或是银粉加高分子材料所组成。藉由成分配比的不同,形成了不同的剪切强度、触变指数、玻璃转移温度、体积电阻率等等的特性参数,进而达到了不同的固晶效果及信赖性。此外,随着芯片尺寸的缩小,固晶胶的使用量也必须减小,如果胶量过多容易产生芯片滑动,若是过少又可能导致芯片因粘不紧而掉落,这其中该如何拿捏也是一门艺术了。

如何选用键合线材

所谓好的键合线材,必须具备以下要求:

1.满足客户规范的机械及电气性能(如融断电流、弧长弧高、球形尺寸等)

2.精确的直径

3.表面无划痕、清洁无污染

4.无弯曲、扭曲应力

5.内部组织结构均匀

除了上述要求之外,小线径线材又可能面临多芯片间串并联,或是植球型焊线如BSOB(Bond Stick On Ball)、BBOS(Bond Ball On Stitch)等特殊打线手法的需求,更是制线工艺上的挑战,举例来说,芯片串联的过程会涉及到芯片间Pad to Pad的打线,若是使用铜线或纯银线来进行焊接会有作业性不好及良率不高的问题,远远不及纯金及高金、合金线的表现,这些都是要纳入考虑的。

此外,随着线径变小,键合线的荷重(Breaking load,BL)会跟着下降,将影响到焊线的拉力与信赖性;再来,随着各种线材的成分配比、合金的均匀控制,以及拉丝、退火条件的不同,将产生不同的线材硬度、荷重、延伸率(Elongation,EL)、热影响区(Heat Affection Zone,HAZ)及电阻等特性,在焊线变细的同时如何能抵抗模流等外力而不至于塌线、拉出来的线弧形态如何能稳定不损伤、需要的焊线推拉力数值如何能达成、怎样控管好小线径的尺寸、如何在不影响主要特性的情况下替客户降低成本,并且维持线材的抗硫化性等等,都是键合线供货商可以努力的方向。关于不同的键合线特性的不同可参考下方比较表,从表中我们可以很清楚地发现,藉由高金线、合金线等相关产品的使用,不仅能降低20%-40%成本,同时可满足与纯金线不相上下的性能,目前也已通过许多世界级客户的认可,受到业界广泛的使用了。也就是说,选用好的高金线或合金线,是降低成本,且同时做好小芯片封装的关键。

瓷嘴与焊线参数

瓷嘴方面的参数优化也很关键,在键合线径必须减小以符合电极焊盘尺寸的前提下,可选用单倒角形态配合针头表面粗糙化的瓷嘴来达到更好的第一焊点强度;此外,使用较大的针头直径(T)、表面角度(FA)搭配较小的外弧半径(OR)可达到更好的第二焊点强度及鱼尾的稳定度。当然,透过实际的状况配合经验来调整出适当的焊线参数如烧球电流、焊线时间、焊线功率…等也是非常重要的。

总的来说,由于优势明显,小芯片的应用是未来LED的趋势之一,无论是大功率照明或是小间距显示屏的发展都与此息息相关,而小芯片封装更是达到此目标的关键技术。要打出好的焊线,除了适当的参数、正确的瓷嘴外,选用质量好的键合线也是非常重要的,这三者缺一不可,也唯有这三者都完善了,小芯片封装的技术才会更好。

7   2016-03-28 10:40:24.55 东芝继续变卖60亿美元资产 迎来佳能富士争抢 (点击量:2)

日本消费电子企业东芝,陷入经营困境和会计造假丑闻,东芝已经开始了重大的业务重组力求获得新的生机。去年底,东芝把图像传感器和部分半导体业务转让给了日本索尼公司,最近,其继续对外转让医学成像设备业务,引发了佳能富士等公司的抢购。

据悉,东芝的个人电脑业务将会和富士通、Vaio两家公司合并,另外日本产业革新机构也准备收购东芝剩余的家电业务,和其他日本公司合并。

据日经新闻周六报道,东芝计划把医学成像设备业务对外转让,佳能、富士和柯尼卡美能达公司进入了第二轮报价竞争中。

此次转让的“东芝医疗系统公司”,也是全世界第二大的“计算机断层扫描”设备制造商,每年的销售收入高达35亿美元。据悉,这一资产的转让价格将会在62亿美元左右。

据报道,佳能和富士都是独立进行竞购,而柯尼卡美能达公司则和英国的一家投资基金Permira进行了合作,不过该公司在一月份提出的报价,可能略低于对手,其主要担心东芝这一业务未来的盈利能力。

最早下周初,东芝将会决定资产的收购方。

据预测,2013年全球医疗设备市场的容量为3520亿美元,而到了2018年,伴随着全球人口老龄化,市场将会扩大到4400亿美元。各家厂商都希望掌握增长机会,而一些竞争目前就已经启动,包括此次对东芝业务的竞购。

在数码相机、摄录机、电视机等领域,日本厂商在全球拥有极高的实力和品牌知名度,不过在医学成像设备领域,日本同样在全球掌握着主导地位,绝大部分日本消费电子公司,都拥有医学设备业务。

由于陷入财务造假丑闻,再加上消费电子行业竞争激励、利润微薄,东芝公司陷入了一场巨大的危机当中,截至三月底的本财年内,东芝将会遭遇60多亿美元的亏损。而此次转让医学设备业务,刚好能够填补这一巨亏的漏洞。

东芝已经开始对业务线进行史无前例的大规模重组,比如在半导体领域,东芝将只会保留拥有一定优势的闪存芯片业务,其他用于工业设备的芯片业务将对外转让,可以获得十几亿美元收入。

消费者熟悉的东芝个人电脑等业务,也将和其他日本公司进行重组。

未来的东芝,将逐渐成为一个远离消费者业务的公司,其支柱业务将包括闪存芯片制造、核电站、燃煤电站建设等等。

据悉,在整个业务重组计划中,将有一万多名员工饭碗不保。

需要指出的是,尽管东芝目前的境况不佳,但是在日本的消费电子企业中,东芝仍然被视为在较早时期进行了离开消费电子业务的转型,相比索尼、夏普等公司,消费电子对东芝的拖累已经较小。

8   2016-03-28 10:41:09.82 中兴被制裁带来连锁反应 高通英特尔等美企将遭受重大财务打击 (点击量:3)

春江吹暖鸭先知,中兴通讯受到美国商务部出口限制已在美国股市掀起风暴,在限令发出当天美光器件供应商股价出现集体震荡,截止到3月11日,即便是在美股普遍大涨的情况下,仍有部分供应商公司挣扎于股价低迷泥潭。中美双方企业在通信领域的合作早已是“你中有我,我中有你”,在全球贸易增长缓慢的背景下,国际间通力合作推进回暖本应是共识,美却反其道而行之,限制供应商对中兴的出口。从美供应商股价集体下跌中可以看到,市场已经对这一决策用脚投票。这一行为是否会给中美贸易再添寒意?中兴的中国同行们是否会缩减美国订单?美国的科技巨头们正焦灼等待事件的进一步走向。

美科技巨头股价先绷不住了

“这不是一个处理经贸矛盾的正确做法,损人而且不利己。”中国外交部部长王毅对于中兴遭遇出口限制事件曾给予如此评论。而美国科技巨头成为首个吃到“不利已”苦果的群体,股价集体大跌,领教了中兴事件带来的第一波寒意。

作为第一家公开承认受到中兴“出口限制”事件波及的供应商,光器件商Oclaro股价在美东时间3月8日开盘出现跳水,极挫15%,创下近两年来股价最大下滑,随后几日一直在低谷徘徊,即便是在3月11日美股普遍大涨情况下,Oclaro股价仍一蹶不振,收盘价为4.24美元,与此前周五股价相比跌幅约12%。

在针对股价大跌的声明中,该公司坦陈:“中兴通讯从Oclaro公司购买多种产品。Oclaro目前正在审查这一行动对公司的影响。公司目前预计中兴通讯对Oclaro 2016财年第三季度销售收入的贡献比超过10%。”除此之外,Oclaro更是表示该财季可能要下调销售额预期。

光器件商Oclaro并非独自焦灼。刚刚在去年12月申请在纳斯达克上市的高速光模块新兴公司Acacia遭受到的打击可能更为严重,这间公司25%的销售收入仰仗于中兴的采购,一旦美国不放开对于中兴的出口限制,Acacia能否说服资本买账顺利IPO也就成了一桩悬案。

事实上,除了Oclaro股价走跌外,在禁令发布后,在美东时间3月8日,光器件公司Lumentum开盘十分钟即现7.3%股价跳水,光器件代工大厂Fabrinet股价开盘半小时之内股价大跌6.72%、光通讯器件供应商Finisar在不到小时内大跌7.23%,半导体公司Inphi截止到当日收盘股价大跌7.3%。

作为中兴通讯手机芯片的重要供应商,当日高通股价在开盘后一个半小时下跌2.3%,随后几日股价仍处于小幅下滑状态,美东时间3月10日盘中再创51.26美元低位,与3月8日开盘价相比跌幅近4%。另一供应商英特尔股价在美东时间3月8日开盘一小时内下跌约1.6%。

有外媒评论称,与中兴相关的美国供应商将造成重大财务打击,影响最大的是高通和英特尔,光高通一家就将损失近4000万美元的利润。

目前,与中兴合作的美国企业高达数百家。作为目前全球仅剩的四家全球性通信设备商之一,中兴通讯每年的采购规模达到数百亿元,这其中来自美国的采购占有重要的比例。有数据显示,截止2015年底,中兴在美国本地的采购投入已经达到200多亿美元。

在全球经济尚处于疲软期的当下,如果美国对中兴的出口禁令最终仍执意执行,首当其冲受到影响的就是美国的供应商们,这些年,他们已经从与中兴的订单中尝到不少甜头。

以智能手机芯片为例,得益于智能手机业务在近几年的飞速增长,高通来自中兴的订单可谓逐年增长。仅从公开数据来看,2012年2月,中兴通讯与高通签署了价值约40亿美元的芯片采购框架协议。而在此前的2006年,中兴与高通芯片之间的芯片订单还不算重量级,约在5亿美元左右,短短数年时间翻了好几倍。

中国推进自有专利技术契机

让美国科技巨头坐不住的更深次原因,大概在于中兴事件或将引发连锁反应:他们的中国客户们或许会有逐步缩减订单的可能性。

有业内分析人士指出,一旦此次事件升级为贸易战争,除了中兴外,华为等其他中国公司或将逐步缩减对美采购,那么对这些美国供应商而言,目前可见的损失只能算是冰山一角。

美国华尔街日报也认为制裁不会对美国供应商们造成重大财务打击。但该报道强调,这起事件更大的影响在于,这或将引发中国强烈抵制,压制美国产品的需求,同时禁令将使中国有理由进一步降低对国外供应商的依赖,加速发展本国技术。”

更何况以中兴为代表的中国科技巨头们正在极力推进自有专利技术的发展。目前,在全球通讯领域,中国力量已经成为重要一极。

以芯片为例,高通在相当一段时间里都被认为是无敌的,即使是在半导体行业拥有相当实力的德州仪器和英特尔,也自始至终都未能撼动高通在移动市场的绝对霸主地位。但是,台湾芯片商联发科终拿出基于ARM的芯片解决方案后……瞬时间,围绕高通的一切美好似乎就从此烟消云散了,其后,展讯、大唐、中兴微电子等中国厂商相继推出有竞争力的芯片,对高通芯片形成很强的替代作用。而在服务器领域,浪潮、联想等也对IBM、戴尔等传统巨头形成巨大冲击。

随着新通讯技术的发展,中国企业也正对新的全球通讯标准制定发起话语权之战,以中兴为例,为抓住4G与5G之间的窗口期,其在业内率先推出Pre5G,将已具备商用条件的5G核心技术应用于4G网络,目前已经进入商用阶段,远远领先于那些国外同行们。

除此之外,触动高通等芯片巨头敏感神经的更在于中兴在自研芯片领域的发力。去年9月,中兴旗下微电子公司拿到国家集成电路产业投资基金24亿元的注资,对于移动芯片的研发也进入加速布局阶段。

目前,中兴自主研发的迅龙2代芯片,是全球第四款4G+极速芯片,从2015Q2开始已经在全球超过10个国家地区商用,商用规模突破400万。支持Pre-5G的迅龙三代也将今年实现全球商用,自研OS获得工信部认证。

除此之外,美国信息技术和创新基金会(Information Technology and Innovation Foundation)总裁Robert D. Atkinson在接受华尔街提报采访时表示:“这是让我们很丢脸的事情,如果美国商务部限制美国技术供应商出口给中兴,这会降低美国市场的经济活力,减少工作机会。”

毋庸置疑的是,这份限制举措难免对美国员工利益产生重大影响。中兴通讯相关负责人介绍称,中兴在美国创造了就业,为经济发展及社区作出了贡献。目前,中兴在全美有14个办事处以及6个研发中心,数百名员工中的80%是美国本地人。

诗人说,每一条走上来的路,都有它不得不那样跋涉的理由。从长远看,此次中兴遭遇美国出口限制,必然将加速其自研芯片业务的发展。从某种意义上来说,中兴目前正站在冰与火的交界点上,趟过去就是另一片天空。